「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing a semiconductor device includes a process of simultaneously introducing hydrogen and oxygen onto the SiC substrate 1, and a process of subjecting the hydrogen and oxygen to combustion reaction on the SiC substrate 1 under conditions of a temperature of ≥1,000°C and reduced pressure, and thereby forming the gate oxide film 4 as a silicon oxide film on the surface of the SiC substrate 1 through the combustion reaction.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１上に水素および酸素を同時に導入する工程と、前記ＳｉＣ基板１上において、１０００℃以上の温度かつ減圧の条件下で前記水素および前記酸素を燃焼反応させ、該燃焼反応により前記ＳｉＣ基板１表面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The reaction device for nucleic acid analysis includes a reaction chamber, forming a channel on a substrate 101 and detects a nucleic acid immobilized on fine particles 103 on the substrate 101, and the fine particles 103, on which the nucleic acid that is a detection object is immobilized, are arranged by a fine structure 102 arranged on the substrate 101.例文帳に追加

本発明の核酸分析用反応デバイスは、基板１０１上に流路を形成する反応チャンバーを備え、基板１０１上で微粒子１０３に固定された核酸を検出する核酸分析用反応デバイスであって、基板１０１上に配列した微細構造体１０２によって検出対象の核酸が固定化された微粒子１０３が配置されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加

反応管内に設置した化合物半導体基板１を加熱し、その反応管内にIII族−Ｖ族の原料を流してその基板１上に目的とする素子構造のエピタキシャル層２，３を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層２の成長を行う直前に、その基板１をＣＨ_3Ｃｌでクリーニングする。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus in which a cylindrical substrate installed in a reaction vessel is subjected to plasma processing, a high frequency electrode and a plurality of auxiliary members different from the cylindrical substrate are installed around the cylindrical substrate within the reaction vessel, and at least a part of the auxiliary members is formed of a conductive material, and is also electrically grounded.例文帳に追加

反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、反応容器内の円筒状基体の周囲には、高周波電極及び円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴とする。 - 特許庁

A gas inlet tube 230 is provided on the side surface of the reaction tube 203, and the substrate holding jig is provided with segmentation walls that are provided to segment the substrate holding jig to plural ones in the vertical direction to the processing face of the substrate, and a plurality of substrate supporting sections to hold a plurality of substrates to the substrate holding jigs segmented by the segmentation walls.例文帳に追加

前記反応管２０３の側面にはガス導入管２３０が設けられており、前記基板保持具は、該基板保持具を前記基板の処理面に対して垂直方向に複数に区画するように設けられる区画壁と、該区画壁により複数に区画される前記基板保持具それぞれに複数の基板を支持可能なように設けられる複数の基板支持部とを有している。 - 特許庁

The adsorbent is produced through a supercritical coating step in which a reactive precursor of a hydrophilic material is dissolved in a supercritical fluid, the resultant precursor fluid is brought into contact with an adsorbent substrate in the presence of a reaction initiator and the reactive precursor is allowed to react with the reaction initiator to coat the top of the adsorbent substrate with the hydrophilic material as the reaction product.例文帳に追加

超臨界流体に親水性物質の反応前駆体を溶解して前駆体流体を作製し，次いで，反応開始剤の存在下において吸着剤基材に上記前駆体流体を接触させて，上記反応前駆体と上記反応開始剤とを反応させ，該吸着剤基材上に反応生成物としての親水性物質を被覆するという超臨界コート工程を含んで構成される。 - 特許庁

The substrate treating device has the plasma generating source in the buffer chamber formed in a reaction chamber, in which a substrate to be treated is charged and treats the substrate by generating an electrically neutral activate species by exciting an introduced gas with a plasma generated in the buffer chamber and sending the species into a treating space.例文帳に追加

基板処理装置は、被処理基板を装填する反応室中に形成したバッファ室内にプラズマ発生源を設け、バッファ室で発生させたプラズマによって導入ガスを励起して電気的に中性の活性種を生成し、これを処理空間に送り込み被処理基板を処理する。 - 特許庁

This liquid imparting device includes an oscillator in a substrate mounting part, and a mechanism for controlling a frequency/amplitude/time of the oscillator inside or outside the liquid imparting device, and the reaction of the substrate with the probe in the probe solution is promoted by imparting vibration to the substrate.例文帳に追加

液体付与装置において、基板搭載部に振動子を設け、液体付与装置内又は装置外に振動子の周波数・振幅・時間を制御する機構を設け、基板へ振動を与える事で基板とプローブ溶液内のプローブの反応を促進することに関する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device capable of preventing the deposition of a reaction product in an opening formed between the orientation flat of a substrate and the inner peripheral surface of a substrate holding recess, capable of minimally suppressing a temperature distribution in a substrate surface, and capable of improving the dispersion of a luminous wavelength distribution.例文帳に追加

基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a substrate heater for semiconductor-manufacturing equipment, that can stably supply heat to a semiconductor substrate by avoiding the oxidation of a surface that directly makes contact with at least the semiconductor substrate or a susceptor within a heating plate surface, even if oxygen is used as the reaction gas.例文帳に追加

例え反応ガスとして酸素を使用しても、加熱板表面の内の、少なくとも半導体基板またはサセプタと直接接触する面の酸化を極力回避して、半導体基板に安定した熱供給を行えるようにした半導体製造装置用基板ヒータを提供する。 - 特許庁

Thus, even if charges are generated on the substrate 4 in the plasma CVD reaction, since the charges are prevented from flowing to the susceptor 5 by the plate 6 installed between the susceptor 5 and the substrate 4, damages to the substrate 4 can be reduced.例文帳に追加

これにより、プラズマＣＶＤ反応において基板４上に電荷が発生しても、サセプタ５と基板４との間に設置された固定絶縁板６によって上記電荷がサセプタ５に流れるのを防ぐことができるので、基板４へのダメージを低減することが可能となる。 - 特許庁

Although this reaction force F is applied to the substrate 32 so as to lift a base end part of the support arm 40, plural reinforcing ribs 34 to 36 extending substantially orthogonal to a lifted line L are formed on the substrate 32 to improve the rigidity of the substrate 32.例文帳に追加

この反力Ｆは、基板３２に対しては支持アーム４０の基端部分を浮かせるように作用するが、基板３２上にはめくれ上がり線Ｌにほぼ直交するようにして伸びる補強のためのリブ３４〜３６が複数本形成されており、基板３２の剛性がアップしている。 - 特許庁

A film formation apparatus 1 for homoepitaxial-growing a thin film on a silicon carbide substrate 2 includes: a susceptor 3 to put the silicon carbide substrate 2 on an upper surface thereof; and a reaction chamber 4 into which the susceptor 3 with the silicon carbide substrate 2 set thereon is loaded.例文帳に追加

本発明に係る成膜装置１は、上面に炭化ケイ素基板２が載置されるサセプタ３と、これらの炭化ケイ素基板２およびサセプタ３を収容する反応容器４と、を備え、前記炭化ケイ素基板２上に薄膜をホモエピタキシャル成長させる成膜装置１である。 - 特許庁

The problem is solved by providing a method and device for measuring a substrate concentration by accumulating an energy resulting from a reaction between a biocatalyst and a substrate recognized by the biocatalyst to a certain level and using a dependency of the accumulation rate on the substrate concentration as an index.例文帳に追加

生体触媒とその生体触媒が認識する基質との反応の結果生じるエネルギーを一定レベルまで蓄積し、その蓄積速度が基質濃度に依存することを指標とすることにより前記基質濃度を測定する方法及びそのための装置により、課題を解決する。 - 特許庁

A self-organizing monomolecular film (SAM) 12 is patterned on a glass substrate 14 by a micro-contact printing method, and then, silver nanoparticles 24 are deposited locally on a pattern substrate 16 by a silver mirror reaction, wherein a dispersant is added to a solution containing silver complex ions, to thereby produce a SERS substrate 18.例文帳に追加

マイクロコンタクトプリント法により自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）（１２）をガラス基板１４上にパターニングした後、銀の錯イオンを含む溶液に分散剤を加えた銀鏡反応によりパターン基板１６上に銀ナノ粒子２４を局所的に析出させて、ＳＥＲＳ基板１８を作成する。 - 特許庁

At the same time, an etching reaction suppressing agent 9, such as pure water is fed around the polishing pad 4 on the substrate 1, the etching operation of the etching liquid is suppressed except for the abutting area of the substrate 1 and the polishing pad 4, etching nonuniformity is eliminated and the substrate is planarized uniformly a whole.例文帳に追加

同時に、純水等のエッチング反応抑制剤９を基板１上の研磨パッド４の周辺に供給し、基板１と研磨パッド４の当接領域以外でのエッチング液７によるエッチング作用を抑制し、エッチングむらをなくし全面を均一に平坦化する。 - 特許庁

Since new removing liquid is supplied again onto the surface of the substrate W after old removing liquid is cut, surface of the substrate W touches new removing liquid constantly, and thereby reaction products adhering to the substrate W are removed efficiently.例文帳に追加

液切り工程において古い除去液が一旦振り切られてから新たな除去液が再度基板Ｗの表面に供給されるため、基板Ｗの表面が絶えず新たな除去液と接することとなり、基板Ｗに付着したポリマー等の反応生成物を効率よく除去することができる。 - 特許庁

A water-repellent material as a fixing material is impregnated into a substrate 44 forming a gas diffusion layer 42, the substrate 44 is brought into contact with the surface on a reaction gas passage 35 (36) side of the separator 20, and the substrate 44 and the separator 20 are integrated with each other by drying them up at an existing state.例文帳に追加

ガス拡散層４２を形成する基材４４に固着材として撥水材料を含浸させ、当該基材４４をセパレータ２０の反応ガス流路３５（３６）側の面に接触させ、その状態で乾燥させて該基材４４とセパレータ２０とを一体化させる。 - 特許庁

A gas supply nozzle 4 drawn from the throat flange 7 is extended from the throat space 21 to the substrate processing space 20, and a reaction gas is directly introduced into the substrate processing space 20 so that the contaminant in the throat space 21 is not intruded into the substrate processing space 20.例文帳に追加

炉口フランジ７から導入したガス供給ノズル４を炉口部空間２１から基板処理空間２０まで延在させ、反応ガスを直接基板処理空間２０内に導くようにして、炉口部空間２１内の汚染物質を基板処理空間２０に巻きこまないようにする。 - 特許庁

By blowing the gas in which the plasma discharge is generated to the surface of the substrate 1 heated by the heater 50, chemical reaction by atmospheric pressure plasma is promoted on the surface of the substrate 1 of high temperature and thereby efficiency of surface treatment for improving wettability of the substrate 1 surface is improved.例文帳に追加

プラズマ放電が発生したガスをヒータ５０で加熱された基板１の表面へ吹き付けることにより、高温の基板１の表面で大気圧プラズマによる化学反応が促進され、基板１の表面のぬれ性を改善する表面処理の処理効率が向上する。 - 特許庁

A high-oxygen-concentration layer 29 for forming high-oxygen-concentration layers 9, 19 for prevention of a silicide reaction and for preventing the silicide reaction even in the upper part of the polysilicon layer 5 is formed in a surface layer of the silicon substrate 1 provide on a side of the polysilicon layer 5.例文帳に追加

シリコン基板１のポリシリコン５側の表層部には、シリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層９，１９を形成すると共に、ポリシリコン５の上部にもシリサイド反応を阻止するための高酸素濃度層２９を形成している。 - 特許庁

To provide a MOCVD apparatus and a MOCVD method, which can suppress the sticking of reaction products to a gas inlet portion, and at the same time, can improve the uniformity of vapor phase reaction of raw gas in the surface of a substrate.例文帳に追加

ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるＭＯＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for getting an enzymatic reaction product from a substrate by an enzymatic reaction in high yield, more particularly provide a process for easily producing a large amount of N-acetylmannosamine in high yield at a low cost.例文帳に追加

酵素反応により基質から酵素反応生成物を高収率で得るための技術に関し、詳しくはN-アセチルマンノサミンを高収率で且つ容易に大量・安価で生産することができるN-アセチルマンノサミンの製造法の提供を目的とする。 - 特許庁

After a semiconductor substrate where a silicon oxide film is formed and a resist film is formed on the silicon oxide film is installed in the reaction chamber of a plasma processor, the fluorocarbon gas of ≥0.5 in C/F ratio is introduced into the reaction chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置の反応室内に、シリコン酸化膜が形成されていると共に該シリコン酸化膜の上にレジスト膜が形成されている半導体基板を設置した後、反応室内に、Ｃ／Ｆ比が０．５以上であるフルオロカーボンガスを導入する。 - 特許庁

In the device for a plasma process by arranging a cylindrical substrate 109 in a reaction container that forms a decompressible plasma processing space 106, an electrode 103 for introducing a discharging electric power is disposed outside the reaction container.例文帳に追加

減圧可能なプラズマ処理空間１０６を形成する反応容器内に円筒状基体１０９を配置しプラズマ処理を行う装置において、その反応容器外に、放電電力を導入するため電極１０３が配置されている。 - 特許庁

This invention also includes embodiments for coating at least one substrate with a carbonitride-containing coating by a MT CVD process which includes maintaining a temperature gradient in the reaction chamber during the introduction of the deposition process gas into the reaction chamber.例文帳に追加

また、本発明は、蒸着処理気体を反応室に導入する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする実施の形態も含む。 - 特許庁

The method for using the biocatalyst comprises the following practice: In continuously producing a compound in reaction vessels by reacting the biocatalyst with a substrate, the amount of the catalyst is increased at the downstream side compared to the upstream side inside or between the reaction vessels.例文帳に追加

生体触媒を基質に反応させて化合物を反応槽内で連続的に製造する際に、反応槽内又は反応槽間の上流側よりも下流側の触媒量を増加させることを特徴とする、生体触媒の使用方法。 - 特許庁

A microreactor 1 for carrying out a reaction of a reaction material consists of the upper plate 2, the bottom plate 3, etc. of the metal substrate, wherein a Gd_2O_3 film is formed as the insulation membrane 31 between the bottom plate 3 and the thin-film heater 32 arranged on its surface.例文帳に追加

反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、Ｇｄ_2Ｏ_3膜が形成されている。 - 特許庁

An ultraviolet light 4 is radiated to a substrate 1 to be processed that is treated by a Cl-based gas containing at least Cl, thus accelerating reaction between a water content 5 in an atmosphere and reaction products, at least those derived from the Cl-based gas by the ultraviolet light 4.例文帳に追加

少なくともＣｌを含むＣｌ系ガスを用いた処理を行った被処理基板１に紫外線４を照射し、紫外線４により雰囲気中の水分５と少なくともＣｌ系ガスに由来する反応生成物との反応を加速する。 - 特許庁

Subsequently, the 1st reactant physically adsorbed on the substrate is removed, a 2nd reactant is introduced into the reaction chamber, and, by the chemical substitution or reaction between the chemically adsorbed 1st reactant and the 2nd reactant, a solid thin film is formed.例文帳に追加

続いて、該基板上に物理吸着した第１反応物を取り除いた後該反応チャンバに第２反応物を注入して化学吸着した第１反応物と第２反応物の化学置換または反応によって固体薄膜を形成する。 - 特許庁

The method for diagnosis comprises reacting the sample with a fluorescent synthetic substrate specific for the dipeptidyl peptidase and bestatin which is an aminopeptidase inhibitor in the presence or absence of tynorphin which is a dipeptidyl peptidase inhibitor and assaying the fluorescent intensity of the reaction solution after the reaction.例文帳に追加

ペプチジルペプチダーゼに特異的な蛍光合成基質及びアミノペプチダーゼ阻害剤であるベスタチンに、ペプチジルペプチダーゼ阻害剤であるタイノルフィンの存在あるいは非存在下において、試料を反応させ、反応後の反応液の蛍光強度を測定する。 - 特許庁

Upon addition of the luciferin derivative or other luminogenic molecule into a P450 reaction, the P450 enzyme metabolizes the molecule into a bioluminescent enzyme substrate, e.g., luciferin and/or luciferin derivative metabolite, in a P450 reaction.例文帳に追加

Ｐ４５０反応にルシフェリン誘導体またはその他の発光原分子を添加すると、Ｐ４５０反応においてＰ４５０酵素により該発光原分子が代謝されて生物発光酵素の基質、例えばルシフェリンおよび／またはルシフェリン誘導体代謝産物になる。 - 特許庁

The surface of a substrate is coated with an alkoxysilane solution prepared by containing alkoxysilane, a hydrolysis polymerization reaction catalyst for the alkoxysilane and water and thereafter the alkoxysilane is subjected to a hydrolysis polymerization reaction, by which the thin film-like gelatinous compound is formed.例文帳に追加

アルコキシシランと、このアルコキシシランの加水分解重合反応触媒と、水を含有して調製されるアルコキシシラン溶液を基板の表面にコーティングした後、アルコキシシランを加水分解重合反応させて薄膜状のゲル状化合物を形成する。 - 特許庁

When the group of substrates (W) are heated under vaporous atmosphere, molecules of H2O with relatively small molecular weight go into an inner side of the thin film on the substrate (W) promptly, and a crystallizing reaction (oxidization reaction) of the thin film progresses uniformly all over the thin film.例文帳に追加

基板Ｗ群が水蒸気雰囲気中で加熱処理されると、比較的に分子量の小さな水分子が基板Ｗ上の薄膜の内部にまで速やかに進入し、薄膜の結晶化反応（酸化反応）が膜全体に均一に進行する。 - 特許庁

As a result, the stress between the antireaction layer and the semiconductor crystal A is drastically relieved and the through-cracks of the longitudinal direction are not produced in the reaction-inhibiting layer and therefore the Si substrate can be surely shut off and the reaction-inhibiting effect is made sure.例文帳に追加

これにより、反応防止層と半導体結晶Ａとの間の応力が大幅に緩和され、反応防止層にも縦方向の貫通クラックが生じないので、Ｓｉ基板が確実に遮断でき、反応防止作用も確実になる。 - 特許庁

The method comprises the step of loading a semiconductor substrate into the reaction chamber for performing deposition, the step of charging nitrogen atmosphere gas which contains a nitrogen element decomposable at low temperature into the reaction chamber to generate a nitrogen atmosphere in the reaction chamber, and the step of charging silicon source gas and oxygen source gas into the reaction chamber to deposit a silicon oxide layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板を蒸着工程の行われる反応チャンバ内にローディングする段階、前記反応チャンバ内に低温で分解可能な窒素元素を含む窒素雰囲気ガスを投入して前記反応チャンバ内を窒素雰囲気に形成する段階及び前記反応チャンバ内にシリコンソースガス及び酸素ソースガスを投入して前記半導体基板上にシリコンオキシド層を蒸着する段階を含む。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

To provide a channel substrate capable of enhancing a close adhesion property of openings of micro-channels formed on the channel substrates when the plurality of channel substrates are connected in series in the channel substrate used for a micro-chemical reaction apparatus.例文帳に追加

マイクロ化学反応装置に用いるチャンネル基板であって、直列に複数接続する場合にチャンネル基板に形成されるマイクロチャンネルの開口同士の密着性を向上させることができるチャンネル基板を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 20 wherein wirings 32, 33 or the like are formed on a silicon substrate 22, a silicon substrate 50 of a low resistance and low chemical reaction to the wirings 32, 33 is formed to cover an outer circumference of the wirings 32, 33.例文帳に追加

シリコン基板２２上に配線３２，３３等が形成された半導体装置２０において、配線３２，３３の外周を被覆するよう、配線３２，３３に対し低抵抗でかつ低化学反応性のシリコン基板５０を形成する。 - 特許庁

A sufficiently big area gas path is formed between each periphery of the substrate holders 11 and the internal periphery of a reaction tube 1, and the device is configured so as to allow the required amount of a raw material gas to be sent to the substrate holders 11 downstream in the process.例文帳に追加

基板ホルダ１１の各外周と反応管１内周との間には、充分大きな面積のガス通路が形成されており、下流側の基板ホルダ１１に必要な量の原料ガスが送られるように構成されている。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel free from characteristic deterioration of an obtained radiation image by suppressing corrosion on a substrate by reaction of a stimulable phosphor and the metal substrate through moisture over a long period, and also to provide a production method therefor.例文帳に追加

長期に亘って、輝尽性蛍光体と金属基板との、水分を介した反応による基板の腐食を抑制し、得られる放射線画像の特性劣化がない放射線像変換パネルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The reaction chamber is provided with a substrate base 21 that descends, for example as a source gas concentration reducing means to reduce the source gas concentration in the source liquid L near the surface of the substrate 6 with proceeding of the crystal growth.例文帳に追加

結晶成長が進むにつれて、基板６の表面近傍における原料液Ｌ中の原料ガス濃度を減少させる原料ガス濃度減少手段としての例えば、下降する基板台２１が設けられている。 - 特許庁

To provide a jig for plasma etching for preventing leakage of reaction gas or plasma to the rear surface of a silicon substrate at the time of matching the silicon substrate, having a sensor element formed on the rear surface by plasma etching.例文帳に追加

裏面にセンサ素子が形成されたシリコン基板をプラズマエッチングにより加工する際、反応ガスやプラズマのシリコン基板裏面への回り込み、およびそれによるセンサ特性の悪化等を防止するプラズマエッチング治具を提供する。 - 特許庁

To prevent a reduction in a production yield due to deposition of a flake of a reaction product to a substrate or to a compound semiconductor layer on the substrate in manufacturing of a compound semiconductor using a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

In the flat panel displaying device in which the glass substrate and the evacuation tube are sealed by the crystalline glass tablet, the average reaction depth of the glass substrate at a sealing region is 0.05-2.5 μm.例文帳に追加

本発明の平面表示装置は、ガラス基板と排気管が結晶性ガラスタブレットにより封着されている平面表示装置であって、封着部位におけるガラス基板の平均反応深さが０．０５〜２．５μｍであることを特徴とする。 - 特許庁