「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate treatment apparatus comprises a reaction chamber 200 to treat a substrate 201, a susceptor (a supporter) 202 to support the substrate 201 in the reaction chamber 200, a heater 204 which is provided below the susceptor 202 to heat the substrate 201, and a ring-shaped cover plate 203 provided above the substrate 201 so as to cover at least an outer circumferential part of the substrate 201.例文帳に追加

基板処理装置は、基板２０１を処理する反応室２００と、反応室２００内で基板２０１を支持するサセプタ（支持具）２０２と、サセプタ２０２下方に設けられ基板２０１を加熱するヒータ２０４と、少なくとも基板２０１の外周部を覆うように基板２０１上方に設けられたリング状のカバープレート２０３とを有する。 - 特許庁

When the substrate holder 107 is installed at the inside of the reaction vessel, the lower part of the substrate holder 107 is electrically connected to the bottom plate (not shown in figure) of the reaction vessel via a rotation supporting mechanism (not shown in Figure).例文帳に追加

基体ホルダ１０７が反応容器の内部に設置されたとき、基体ホルダ１０７の下部は回転支持機構（不図示）を介して反応容器の底板（不図示）に電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a photosynthesis substrate allowing a photoreaction with high reaction efficiency, to provide a method for production thereof, to provide a method for photosynthesis reaction including allowing the photoreaction with the high reaction efficiency, and to provide a photosynthesis apparatus allowing the photoreaction with the high reaction efficiency.例文帳に追加

高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成基板、その製造方法、高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成反応法、また高い反応効率の光反応を可能とし得る光合成装置を提供する。 - 特許庁

The system contains a reaction chamber having a substrate holder, a substrate placed on the substrate holder, precursor gas lines extending from precursor gas sources to the inside of the reaction chamber, a background gas line for supplying background gas into the reaction chamber, and a separation means for separating the precursor gases until the precursor gases come adjacent to the substrate.例文帳に追加

そのシステムは、基板支持体を有する反応チャンバと、基板支持体上に位置する基板と、前駆体ガスソースから反応チャンバ内に延長する前駆体ガスラインと、反応チャンバ内にバックグラウンドガスを供給するためのバックグラウンドガスラインと、前駆体ガスが基板に隣接するまで前駆体ガスを分離するための分離手段とを含む。 - 特許庁

A microchip 1 is equipped with a substrate 5 having upper and under surfaces, one or more reaction chambers 6 provided to the substrate 5 and one or a plurality of temperature sensors 10 provided to the parts other than the reaction chambers 6 of the inside, under surface and upper surface of the substrate 5 or to the inner surfaces of the reaction chambers 6 to output temperature detection signals to the outside of the substrate 5.例文帳に追加

マイクロチップ１は、表面と裏面を有する基板５と、その基板５に設けられた１以上の反応チャンバ６と、その基板５の内部、裏面及び表面の反応チャンバ６以外の部分、又は反応チャンバ６の内面に設けられ、その基板５外へ温度検出信号を出力する１又は複数の温度センサ１０とを備える。 - 特許庁

In an atmospheric pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) system 10A, at the time of depositing a thin film on the surface of a substrate 20A, the substrate 20A is arranged inside a reaction chamber 11A, and further, the substrate 20A is heated from the outside of the reaction chamber 11A by a heater 12A to hold the substrate 20A to a fixed temperature.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置１０Ａにおいて、基板２０Ａの表面に薄膜を形成するときには、反応室１１Ａの内部に基板２０Ａを配置するとともに、ヒータ１２Ａによって、基板２０Ａを反応室１１Ａの外部から加熱して、基板２０Ａを一定温度に保つ。 - 特許庁

A hot wire CVD apparatus has a reaction chamber 5 for treating a substrate W, a gas introduction port 1 for supplying a reaction gas into the reaction chamber 5, the electrical heating element 30 for decomposing the reaction gas at temperature being higher than that in the substrate and for generating active species, and a lamp 20 for indirectly heating the electrical heating element 30.例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤ装置は、基板Ｗに処理を施す反応室５と、反応室５内に反応ガスを供給するガス導入口１と、基板温度よりも高温で反応ガスを分解して活性種を生成する発熱体３０と、発熱体３０を間接加熱するためのランプ２０とを有する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a reaction chamber which can be decompressed, and a shower head having a gaseous diffusion plate 9 in which through holes 10, 11' and 11 are formed to supply processing gas to the interior of the reaction chamber, and a substrate supporting part for installing the substrate.例文帳に追加

基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔１０、１１’、１１が形成されたガス拡散プレート９を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。 - 特許庁

The reaction injection-molded article 1 has a resin substrate 2 and a resin sheet 3 laminated on the resin substrate 2, and the resin substrate 2 and the resin sheet 3 are bonded together by reaction injection molding.例文帳に追加

本発明の反応射出成形品は、樹脂基材２と、樹脂基材２上に積層された樹脂シート３とを備える成形品１であって、樹脂基材２と樹脂シート３とが樹脂基材２の反応射出成形により接着されてなる。 - 特許庁

A reaction device for nucleic acid analysis includes a reaction channel formed by laminating a first substrate with a sample fixing layer and a second substrate through a spacer, in which the first substrate and the sample fixing layer come into contact with the spacer.例文帳に追加

サンプル固定層を有する第一の基板と第二の基板がスペーサを介して貼り合されることによって形成される反応流路を有する核酸分析用反応デバイスであって、前記第一の基板とサンプル固定層がスペーサと接する。 - 特許庁

The reaction zone is operated under the conditions in which the aromatic substrate is in the gas phase and causing vapor phase alkylation of the aromatic substrate as the aromatic substrate and the alkylating agent flow through the reaction zone and pass from one catalyst bed to the next.例文帳に追加

反応区域は、芳香族基質がガス状態にあり、芳香族基質およびアルキル化剤が反応区域を通って流れ一つの触媒ベッドから次へと通過して行く際、芳香族基質の蒸気相でのアルキル化が起こる条件で操作される。 - 特許庁

During a second reaction gas continuous feeding process S12 of continuously feeding a second reaction gas into a chamber, a process cycle including a first reaction gas feeding process S13a of feeding a first reaction gas into the chamber and a first reaction gas purge process S13b of purging the first reaction gas that is not adhered onto a substrate in the chamber is repeatedly performed.例文帳に追加

チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。 - 特許庁

The method for producing the fluoroorganic compound comprises the following process: In fluorinating a reaction substrate, the reaction substrate, an organic solvent substantially free of C-H bond and a fluorine gas are mutually contacted in a flow channel(R) to carry out a fluorination reaction in a flow condition in the channel.例文帳に追加

反応基質をフッ素化するに当たり、反応基質、実質的にＣ−Ｈ結合を有しない有機反応溶媒及びフッ素ガスを流路（チャンネル）（Ｒ）中において接触させ、該流路中でフローでフッ素化反応させるフッ素化有機化合物の製造方法。 - 特許庁

The substrate processing system comprises the reaction pipe 203 which forms a space where a substrate is housed and processed, and a pipe 275 which extends penetrating the wall constituting the reaction pipe 203 from inside to outside the reaction pipe 203.例文帳に追加

この様に反応管から突出した管は、ウェット洗浄時に開口端部から薬液が侵入したり、又、反応管の保管時や搬送時に前記突起部が破損したり、又、反応管の保管時や搬送時に前記開口端部から異物が侵入したりする虞があった。 - 特許庁

To provide a substrate processing method which can drastically improve a reaction rate of a substrate surface treatment by a treated solution, and its apparatus.例文帳に追加

処理液による基板表面処理の反応速度を格段に向上させることができる基板処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a rinse liquid from scattering during rinsing treatment of a substrate by preventing thermal deformation of the substrate and reaction of a treatment liquid with the rinse liquid.例文帳に追加

基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。 - 特許庁

This molecule reacts with the active hydrogen on the surface of the substrate by a dehydrochlorination reaction to be chemically bonded by a covalent bond to the surface of the substrate.例文帳に追加

この分子は基材表面の活性水素と脱塩化水素反応を起こし、基材表面に共有結合により化学結合される。 - 特許庁

To improve the in-plane uniformity of the substrate treatment by means of a substrate treating device by making the concentration distribution of a reactive gas uniform in a reaction chamber.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、反応室内での反応ガスの濃度分布を均一化し、基板処理の面内均一性を向上させる。 - 特許庁

The surface of a substrate loaded on a reaction chamber is subjected to treatment for terminating with specified atoms, and a 1st reactant is allowed to chemically adsorb on the substrate.例文帳に追加

反応チャンバにローディングされた基板の表面を特定原子で終端処理し、該基板上に第１反応物を化学吸着させる。 - 特許庁

The glass substrate A is carried from a load lock chamber 21 to a carrying chamber 11 thence to the reaction chamber 2.例文帳に追加

ガラス基板Ａをロードロック室２１から搬送室１１へと搬入して反応室２へと搬送する。 - 特許庁

FIN MEMBER FOR HEAT EXCHANGER HAVING NON-CHROMATE REACTION TYPE SUBSTRATE LAYER AND HEAT EXCHANGER EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ノンクロメート反応型下地層を有する熱交換器用フィン材およびそれを備えた熱交換器 - 特許庁

An opening 27 is formed between the pyrometer 25 and the substrate 14 in the reaction pipe 12.例文帳に追加

反応管１２には、パイロメータ２５と基板１４との間に位置して開口部２７が形成されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a chemical reaction of a silicon substrate with a ferroelectric element is suppressed.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体との間の化学反応が抑制された強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

Furthermore, crosslinking reaction is caused on the substrate material to be coated with the coating material to give high antifouling resistance to scribblings.例文帳に追加

さらに、被塗工基材上で架橋反応を起こさせることで高い落書き防汚性を与える。 - 特許庁

A reformer 30D for a fuel cell includes at least one reaction substrate 31a, 32a, 33a, 34a having a channel for allowing fuel to flow on a surface thereof; and a close contact assembly closely made into contact with a surface of the reaction substrate to form a passage by the channel, it is characterized by the reaction substrate containing aluminum.例文帳に追加

本発明による燃料電池用改質装置３０Ｄは，燃料を流動可能にするチャンネルを一面に形成している少なくとも一つの反応基板３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａと，反応基板の一面に密着して，チャンネルによる通路を形成する密着部と，を含み，上記反応基板がアルミニウムを含むことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an improved gas supply system used in a reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に用いられる反応チャンバーで用いられるガス供給システムの改良に関する。 - 特許庁

A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film.例文帳に追加

ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。 - 特許庁

The vapor phase growth device includes: a reaction chamber configured to place the substrate therein; a first gas supply section which is connected to the reaction chamber and supplies either one of the group III and V material gases to the substrate; and a second gas supply section which is connected to the reaction chamber and supplies the other of the group III and V material gases to the substrate.例文帳に追加

気相成長装置は、基板が配置される反応室と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか一方を基板に向けて供給する第１ガス供給部と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか他方を基板に向けて供給する第２ガス供給部と、を備える。 - 特許庁

The substrate processor has a vertical-type reaction furnace 40 for processing wafers W mounted on a boat 41.例文帳に追加

基板処理装置は、ボート４１に搭載されたウェハＷを処理する縦型の反応炉４０を備える。 - 特許庁

SELECTION METHOD OF SOLVENT FOR NITRATION OF SOLID ORGANIC COMPOUND, AND NITRATION REACTION METHOD OF SUBSTRATE ORGANIC COMPOUND例文帳に追加

固体有機化合物のニトロ化溶媒の選定方法及び基質有機化合物のニトロ化反応方法 - 特許庁

The flow channels are formed inside the substrate in the connecting part between the reagent cartridge and the reaction cartridge.例文帳に追加

この流路は試薬カートリッジと反応カートリッジとの接続部において基板の内部に形成されている。 - 特許庁

Channels 3 are formed on the surface of one substrate 1b constituting reaction vessel chip 1.例文帳に追加

反応容器チップ１を構成する一方の基板１ｂの表面に複数のチャンネル３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for carrying out the vapor phase alkylation of an aromatic substrate in a multi-stage alkylation reaction zone.例文帳に追加

多段アルキル化反応区域の中で芳香族基質を蒸気相でアルキル化する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of epitaxially depositing atoms or molecules from a reaction gas onto the deposition surface of a substrate.例文帳に追加

基板の析出表面上での反応ガスからの原子又は分子のエピタキシャルな析出方法 - 特許庁

A silicon substrate having a silicon layer with hydrogen-terminated on its surface is immerged and stirred in an organic reaction liquid.例文帳に追加

表面に水素終端化されたシリコン層をもつシリコン基板を有機反応液に浸漬して攪拌する。 - 特許庁

NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR, SUBSTRATE USED FOR NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR AND REACTION METHOD FOR AMPLIFYING NUCLEIC ACID例文帳に追加

核酸増幅反応装置、核酸増幅反応装置に用いる基板、及び核酸増幅反応方法 - 特許庁

Then, a film 10 to be etched on a semiconductor substrate 16 is selectively etched by activating reaction gas.例文帳に追加

反応性ガスを活性化させて半導体基板１６上の被エッチング膜１０を選択的にエッチングする。 - 特許庁

To develop sufficiently a luminescent reaction reagent solution to be supplied onto a substrate surface, and to prevent evaporation.例文帳に追加

基板表面へ供給する発光反応試薬溶液を十分に展開させ、かつ揮発を防止する。 - 特許庁

The amount of the copper catalyst to be used is preferably 20 to 100 mol% relative to the reaction substrate.例文帳に追加

また、銅触媒の使用量は、反応基質に対して２０〜１００モル％であることが好ましい。 - 特許庁

The whole portion opposed to the detecting means in the hollow reaction part in a substrate and a cover layer is transparent, in the sensor chip having the substrate, the cover layer, the hollow reaction part provided between the substrate and the cover layer, the detecting means comprising the electrode provided in the hollow reaction part, and the sample introducing port for introducing a sample into the the hollow reaction part.例文帳に追加

基板、カバー層、該基板及びカバー層間に設けられた中空反応部、該中空反応部に設けられた電極よりなる検知手段、及び該中空反応部に試料を導入する試料導入口を有するセンサチップであって、前記基板及びカバー層の、中空反応部内の検知手段に対向する部位全体が透明であることを特徴とするセンサチップ - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device manufactures a semiconductor device, by using a substrate treatment device, having passed through a process of supplying the whole of a reaction gas used in processing a substrate to a reaction vessel for removing an element contained in the cleaning gas supplied, into the reaction vessel, after a process of supplying the cleaning gas into the reaction vessel to clean the inside of the reaction vessel.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、反応容器内にクリーニングガスを供給し、前記反応容器内をクリーニングする工程の後、基板に処理を行なう際に用いる反応ガスの全てを反応容器に供給し、反応容器内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程を経た基板処理装置を用いて半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device and substrate treatment method of a semiconductor wafer or the like capable of preventing the sticking of reaction by-products to a substrate bring-in outlet and the contamination with particles or the like.例文帳に追加

基板搬入出口への反応副生成物の付着を防止し、パーティクル汚染等を防止できる半導体ウエハ等の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Consequently the radical reacts on the etching gas adsorbed to the surface of the substrate 15 and since reaction progresses uniformly on the surface of the substrate 15, uneven etching does not take place on the surface of the substrate 15.例文帳に追加

従って、ラジカルは基板１５表面に吸着されたエッチングガスと反応し、基板１５表面で反応が均一に進行するので、基板１５表面にエッチングむらが起こらない。 - 特許庁

The gas for vapor deposition reaches a substrate 9 held by a substrate holder, and a predetermined thin film is created on the substrate 9 making use of the reaction of the gas in which the thermal catalyst 3 is involved.例文帳に追加

基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。 - 特許庁

Then the substrate is taken out of a reaction tube, and a self-standing GaN substrate 35 is obtained by removing the sapphire substrate 31, the GaN low-temperature buffer layer 32 and a portion of the GaN layer 33.例文帳に追加

次いでこの基板を反応管から取り出し、サファイア基板３１、ＧａＮ低温バッファ層３２およびＧａＮ層３３の一部を除去することにより自立ＧａＮ基板３５を得る。 - 特許庁