「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gas phase growing apparatus which can prevent corrosion of the inner wall of a reaction gas supply part, a manufacturing method of a group III nitride semiconductor substrate, and the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

反応ガス供給部の内壁の腐食を防止することができる気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供すること。 - 特許庁

A reaction chamber 22 is formed as a cavity bored through a substrate 20 and its upper part is provided with a remaining portion 32 partly left without being etched of a surface portion of the substrate 20.例文帳に追加

反応室２２は基体２０を貫通する空洞として形成され、その上部には基体２０の表面部分の一部がエッチングされずに残された残存部分３２が設けられている。 - 特許庁

To improve a temperature controlability of a hot body for heating a reactant gas supplied to a reaction chamber, in a substrate treatment apparatus for treating a substrate with the gas, which arranges the hot body in the upstream of the substrate to be treated.例文帳に追加

被処理基板の上流側に高温に加熱した高温加熱体を設けた反応室に反応ガスを供給して被処理基板を処理する基板処理装置において、高温加熱体の温度制御性改善する。 - 特許庁

To detect sticking of a substrate in a reaction chamber for processing the substrate placed on a surface of a holding body for processing which includes a lift pin for elevating the substrate from the surface of the holding body for processing.例文帳に追加

処理用支持体であって、該処理用支持体の表面から基板を昇降させるためのリフトピンを含む処理用支持体の表面上に置かれた基板を加工する反応チャンバにおいて、基板の貼り付きの発生を検出する。 - 特許庁

To avoid depositing a foreign substrate during carrying or etching of a semiconductor substrate by evaluating the shape, the kinds and sizes of crystal defects or foreign substances clearly existing on or near the surface of the semiconductor substrate taken out from a reaction furnace.例文帳に追加

ＣＶＤ膜表面及び表面近傍の結晶欠陥又は異物の検出を容易にするような処理を施し、その形状及び密度等を評価することができる半導体基板の評価方法を提供すること。 - 特許庁

The photodeposition gold plating method comprises setting a substrate 2 to be plated in an aqueous solution containing metal ions and a reducing agent and irradiating the substrate 2 with light in the ultraviolet region from a light source 6 to form a gold plating on the surface of the substrate 2 by a photodeposition reaction.例文帳に追加

金イオンと、還元剤を含む水溶液中にメッキを施す基板２を配置し、基板２に対して光源６から紫外線領域の光を照射して、光化学反応により、基板２表面に金メッキ膜を形成する。 - 特許庁

This heating device is provided with a surface acoustic wave generator having a piezoelectric substrate and reed-screen-shaped electrodes formed on the substrate where a heating reaction zone is formed on a part of the piezoelectric substrate.例文帳に追加

圧電体基板と、該圧電体基板上に形成されたすだれ状電極と、を有する弾性表面波発生器を備え、前記圧電体基板の一部に加熱反応部が形成されている、ことを特徴とする加熱装置とする。 - 特許庁

In the vacuum film deposition apparatus which performs film deposition on the surface of a substrate held by a substrate holding unit, a facing target type sputtering device, a reaction gas introducing device and the substrate holding unit are provided in a vacuum film deposition chamber.例文帳に追加

基板保持部に保持された基板表面上に成膜をおこなう真空成膜装置において、真空成膜室内に対向ターゲット式スパッタ装置と反応性ガス導入装置と基板保持部とを備える構成とした。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes: a process of supplying a nitrogen-containing gas into a reaction vessel having silicon or silicon carbide at least at a part of a surface to nitride at least a part of the surface; a process of conveying the substrate into the reaction vessel; and a process of heat-treating the substrate in the reaction vessel having the nitrided surface.例文帳に追加

少なくとも表面の一部にシリコン又は炭化珪素を有する反応容器内に、窒素含有ガスを供給して少なくとも前記表面の一部を窒化させる工程と、前記反応容器内に基板を搬入する工程と、窒化された前記表面を有する前記反応容器内で前記基板を熱処理する工程とを有する。 - 特許庁

The reaction tube 11 of the vapor-phase growth device 10 includes, successively, a gaseous starting material mixing region A for supplying the gaseous starting material to the substrate 13, a reaction region B for thermally decomposing the gaseous starting material from the gaseous starting material mixing region A on the substrate, and a discharging region C for discharging a gas discharged from the reaction region B.例文帳に追加

気相成長装置１０の反応管１１は、原料ガスを基板１３に供給する原料ガス混合領域Ａと、該原料ガス混合領域Ａからの原料ガスを基板上で熱分解させる反応領域Ｂと、該反応領域Ｂから排出されるガスを排気する排気領域Ｃとを連続して備える。 - 特許庁

An SiCN:H film 4 is formed on a silicon substrate 1 by a plasma CVD method in a first reaction chamber, then the silicon substrate 1 is introduced into a second reaction chamber different from the first reaction chamber, electric discharge is generated in He gas filling the second chamber, and then an SiCO:H film 6 is formed on the SiCN:H film 4 by the plasma CVD method.例文帳に追加

第１の反応容器内で、シリコン基板１上にＳｉＣＮ：Ｈ膜４をプラズマＣＶＤ法により形成し、次に、第１の反応容器とは別の第２の反応容器内にシリコン基板１を入れ、第２の容器内でＨｅガスを放電させ、その後、ＳｉＣＮ：Ｈ膜４上にＳｉＣＯ：Ｈ膜６をプラズマＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the biosensor including steps of forming the electrode on a substrate 12 consisting of an insulator, and forming a reaction part 18 which contacts the electrode on the substrate 12, UV (ultraviolet rays) irradiation processing (UV irradiation processing) is performed on the substrate 12 before forming the reaction part 18 after forming the electrode on the substrate 12.例文帳に追加

絶縁体から成る基板１２上に電極を形成するステップと、基板１２上に電極に接触する反応部１８を形成するステップと、を含むバイオセンサの製造方法において、基板１２上に電極を形成した後反応部１８を形成する前に、基板１２上にＵＶ（紫外線、ultraviolet rays）照射処理（ＵＶ照射処理）を行うバイオセンサの製造方法とした。 - 特許庁

On a lower electrode 102 in a reaction chamber 101, a focus ring 107 is arranged in such a manner as to surround a substrate to be processed 150.例文帳に追加

反応室１０１内の下部電極１０２上に被処理基板１５０を囲むようにフォーカスリング１０７が配置されている。 - 特許庁

A plurality of wafers 200 as a substrate are mounted and stored on a boat 217 in a processing chamber 201 formed inside a reaction tube 11.例文帳に追加

反応管１１内に形成される処理室２０１に、複数の基板としてのウェハ２００がボート２１７上に積載収容される。 - 特許庁

To provide tyrosyl tRNA synthetase (TyrRS) in which substrate specificity to tyrosine derivative or reaction speed to amber suppressor tRNA is enhanced.例文帳に追加

チロシン誘導体に対する基質特異性又はアンバーサプレッサーｔＲＮＡに対する反応速度が高められたＴｙｒＲＳの提供。 - 特許庁

A substrate 1, in which crystalline carbon is formed on a catalytic metal, is placed inside of a reaction tube 2 equipped with a vacuum pump 3 for exhaust.例文帳に追加

触媒金属上に結晶性炭素が生成された基板１を反応管２内に配置し、真空ポンプ３にて排気する。 - 特許庁

To manufacture an electronic apparatus exhibiting excellent electric characteristics by protecting a substrate against contamination with reaction gas generated from treatment in the treatment chamber.例文帳に追加

処理室内での処理によって発生する反応ガスによる基板の汚染を防止し、電気的特性に優れた電子機器を製造する。 - 特許庁

As source gases, TaF_5 and SiH_4 are alternately fed to cause reaction on a substrate, thus generating a thin film of TaSi_x.例文帳に追加

原料ガスとしてＴａＦ_５とＳｉＨ_４とを交互に供給しながら基板上で反応させてＴａＳｉ_ｘの薄膜を生成する。 - 特許庁

A heater 2 is disposed between the inner wall of the reaction tube 5 and the substrate 1 and 1, and a heat insulating material 7 is disposed so that it encloses the heater 2.例文帳に追加

基材１，１と反応管５の内壁との間にヒータ２を配置し、ヒータ２を包囲するように断熱材７を配置する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus and a composite film forming apparatus capable of accurately setting a substrate in a reaction chamber for forming a film.例文帳に追加

基板を反応室内に精度よくセットして成膜を行うことができる成膜装置及び複合成膜装置を提供する。 - 特許庁

The biosensor is formed by the substrate modified by the phenyl ester group, provided with a substituent that increases in the electron withdrawing by a chemical reaction.例文帳に追加

化学反応により電子吸引性が増加する置換基を有するフェニルエステル基で修飾された基板からなるバイオセンサー。 - 特許庁

Moreover, by selectively forming a reaction suppressing film on the boundary between a substrate and the electrode, both ohmic contact and light reflection are satisfied.例文帳に追加

また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus which prevents a plurality of reaction gases from being mixed and prevents a substrate from being cooled by a separation gas.例文帳に追加

複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。 - 特許庁

The substrate convertible to the D-amylose is D-psicose, and the enzymic reaction product is a mixed solution of the D-psicose and the D-amylose.例文帳に追加

Ｄ−アロースに変換可能な基質がＤ−プシコースであり、酵素反応産物がＤ−プシコースとＤ−アロースの混合溶液である。 - 特許庁

The exposing apparatus supplies the organic liquid 170 onto the substrate 150 through the oxidizing reaction means 180 and the filter 181.例文帳に追加

また、その露光装置は、有機液体１７０を、酸化反応手段１８０およびフィルタ１８１を介して基板１５０上へ供給する。 - 特許庁

To provide an amylomaltase of which the reactivity to a substrate is increased and/or the hydrolysis reaction is reduced or eliminated.例文帳に追加

基質に対する反応性が増加し、および／または加水分解反応が低減もしくは消失したアミロマルターゼを提供すること。 - 特許庁

In a hydrogen heat treatment process, the silicon substrate W in the reaction vessel is heat-treated in a hydrogen atmosphere at 800-1000°C.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗを、水素雰囲気中８００℃以上１０００℃以下で熱処理する水素熱処理工程を行う。 - 特許庁

To provide an ozone treatment apparatus where the surface of a substrate is evenly treated and the reaction efficiency of ozone is improved.例文帳に追加

基板表面をムラなく処理することができるとともに、オゾンの反応効率を高めることができるオゾン処理装置を提供する。 - 特許庁

Additionally, continuous reaction is enabled to obtain a nitride semiconductor substrate having a nitride semiconductor layer whose surface is a mirror and is flat.例文帳に追加

さらに連続反応させることで表面が鏡面かつ平坦な窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a useful material in which the reaction efficiency of a substrate is good, and the operation stability of a production process is improved.例文帳に追加

基質の反応効率がよく、また製造工程の操作安定性が向上した有用物質の製造方法を提供する。 - 特許庁

The recyclable recording material consists of at least a substrate layer and a surface layer containing a water swellable resin and a reaction accelerator.例文帳に追加

少なくとも基材層、および水膨潤性樹脂および反応促進剤を含んでなる表層からなるリサイクル可能な被記録材。 - 特許庁

This biochemical reaction cassette 101 comprises substrate 100 on which probe 105 specifically-combinable with the target matter is fixed, ceiling member 108 as a reaction stage component forming reaction stage 106 together with the substrate 100, elastic member 104, and stationary member 103 for supporting the substrate 100 so as to be movable towards the ceiling member 108 through the elastic member 104.例文帳に追加

生化学反応カセット１０１が、標的物質と特異的に結合可能なプローブ１０５が固定されている基板１００と、基板１００とともに反応場１０６を構成する反応場構成部材である天井部材１０８と、弾性部材１０４と、基板１０１を天井部材１０８に対して弾性部材１０４を介して移動可能に支持する固定部材１０３とを有している。 - 特許庁

After predetermined time progresses from forming liquid peak of developer on the substrate W, rinse liquid is spouted on the substrate W while moving a rinse liquid supply nozzle 40 to a predetermined forward scanning direction La so that it may pass through an upper part of the substrate W, and development reaction on the substrate W is stopped.例文帳に追加

基板Ｗ上に現像液を液盛りしてから所定時間経過後に、基板Ｗの上方を通過するようにリンス液供給ノズル４０を所定の順走査方向Ｌａに移動させつつ、基板Ｗ上にリンス液を吐出して、基板Ｗ上における現像反応を停止させる。 - 特許庁

In the film deposition method, a film of a reaction product is formed on the surface of a substrate by irradiating the surface of the substrate with a laser beam so as to heat the substrate and react raw material components while introducing the raw material components containing a gaseous substance in the direction of the substrate.例文帳に追加

本膜形成方法は、気体物質を含む原料成分を基板方向に導入しながらレーザー光を基板表面に照射し、基板の加熱と同時に原料成分の反応によって反応生成物からなる膜を基板の表面に形成するものである。 - 特許庁

When the substrate 5 is heated, a large quantity of gaseous hydrogen can be obtained by the peculiar catalytic cracking reaction of methanol caused by a rapid temperature gradient going from the surface of the substrate to the liquid methanol, the catalytic action of the oxide substrate, and the catalytic action of the catalyst supported on the substrate.例文帳に追加

基板５が加熱されると、基板の表面から液体メタノールに向かう急激な温度勾配と、酸化物基板の触媒作用と、基板に担持された触媒の触媒作用とにより生ずるメタノールの特異な接触分解反応により大量の水素ガスが得られる。 - 特許庁

A vapor-phase growth apparatus comprises a susceptor for mounting a substrate thereon, a heater for heating the substrate, a raw material gas introduction portion for supplying a raw material gas to the substrate and a reaction gas exhaust portion, wherein a light transmitting ceramics plate held or reinforced by means of a supporting member is equipped between the heater and a mounting position of the substrate.例文帳に追加

基板を載置するサセプタ、基板を加熱するヒータ、基板に原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有し、ヒータと基板の載置位置の間に、支持部材により保持または補強された光透過性セラミックス板を備えてなる気相成長装置とする。 - 特許庁

In an atmosphere where the internal pressure in a reaction system in which the substrate 16 is stored is controlled to pressure lower than the atmospheric pressure so that the temperature of the substrate 16 is ≤90°C, a shower head 12 supplies an ozone gas and an unsaturated hydrocarbon gas to the substrate 16 to remove the resist 17 on the substrate 16.例文帳に追加

シャワーヘッド１２は基板１６の温度が９０℃以下となるように基板１６が格納された反応系の内圧が大気圧よりも低圧に制御されたもとでオゾンガスと不飽和炭化水素ガスを基板１６に供給して基板１６上のレジスト１７を除去する。 - 特許庁

The reaction region 12 of the substrate 1 for bioassay (DNA chip or the like), which is provided with at least a reaction region 12 becoming the interaction field between the detecting substance and the target substance, is irradiated with microwaves to regulate the temperature of the reaction region 12.例文帳に追加

検出用物質と標的物質との間の相互作用の場となる反応領域１２が少なくとも設けられたバイオアッセイ用基板１（ＤＮＡチップ等）の反応領域１２に対して、マイクロ波照射を行うことにより、反応領域１２の温度を調節する。 - 特許庁

A cover means which is made of a material shielding the weld zone from the gas chemical reaction and having resistance to the reaction and which shields the weld zone from the gas chemical reaction is additionally provided in the substrate treating equipment to prevent production and sticking of particles onto a wafer at low cost including running cost.例文帳に追加

溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。 - 特許庁

An optical transparent window 42 is provided to an upper surface of a reaction chamber 20, a lamp heating device 50 is disposed in the outside of the reaction chamber corresponding to the optical transparent window, light of the lamp heating device 50 is let into the reaction chamber 20 through the optical transparent window 42, and a treatment substrate 6 is subjected to optical irradiation heating.例文帳に追加

反応室２０の上面に光透過性窓４２を設け、その光透過性窓に対応する反応室外側にランプ加熱装置５０を配置し、ランプ加熱装置５０の光を光透過性窓４２を通して反応室２０内に入れ、被処理基板６を光照射加熱する。 - 特許庁

This allows the probe 12 to be adsorbed and fixed to the substrate 11 in a natural reaction without any chemical reaction upon fixing the probe 12, thereby making it possible to restrict the probe 12 from being modified with change in pH and temperature in a chemical reaction.例文帳に追加

これにより、プローブ１２が固定化する際に、化学反応を伴うことがなくプローブ１２を自然反応的に基板１１に吸着し固定することができるため、化学反応におけるｐＨや温度の変化に伴ったプローブ１２の変性を抑制することが可能となる。 - 特許庁

This method is characterized by including at least one kind of radical-trapping agent in an oxidation reaction system in producing at least one kind of oxidation reaction product by reacting at least one kind of reaction substrate with an oxidizing agent in the presence of a metal-containing solid catalyst.例文帳に追加

少なくとも１種の反応基質を、金属含有固体触媒の存在下、酸化剤により酸化反応させ、少なくとも１種の酸化反応生成物を製造する方法において、酸化反応系中に、少なくとも１種類のラジカルトラップ剤を存在させることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid-phase epitaxial growth device 1 is provided with an assembled body 1k to which a plurality of solution reservoirs 31, 32, 33 for respectively reserving reaction solutions S1, S2, S3 different in their components are fixed around a reaction vessel 2 which contains a substrate W and a reaction solution S.例文帳に追加

本発明の液相エピタキシャル成長装置１は、基板Ｗと反応溶液Ｓとを収容する反応容器２の周囲に、成分のそれぞれ異なる反応溶液Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を個別に収容した複数の溶液溜容器３１，３２，３３を取り付けた組立体１ｋを備える。 - 特許庁

After a semiconductor film is grown on a substrate by setting a reaction furnace 2 in a decompression state, only parts V3, V4 of a plurality of vacuum exhaust valves V2 to V4 are closed, thereby lowering the exhaust speed of a vacuum pump 5 to exhaust the reaction furnace 2 and simultaneously return the reaction furnace 2 to have normal pressure.例文帳に追加

反応炉２を減圧状態として基板上に半導体膜を成長した後、複数の真空排気バルブＶ２〜Ｖ４のうちの一部Ｖ３、Ｖ４だけを閉じることにより、真空ポンプ５の排気速度を下げて反応炉２を排気しながら反応炉２を常圧に戻す。 - 特許庁

In addition, an reaction gas supply tube 3, in which a reaction gas supply passage 5 is formed to supply to a clearance between the rotary electrode 1 and substrate S a reaction gas for generating a plasma by a voltage applied from a high-frequency power supply 2, is provided in the cavity 1d of the rotary electrode 1.例文帳に追加

そして、この回転電極１の空洞部１ｄには、高周波電源２から印加される電圧によってプラズマを発生させる反応ガスを、回転電極１と基板Ｓとの間隙に供給する反応ガス供給路５が形成された反応ガス供給管３が設けられている - 特許庁