「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The iridium thin film is formed on a substrate 9 by accommodating the substrate 9 in a reaction chamber 5 and introducing a carrier gas containing an iridium compound 4 and air into the reaction chamber 5 while keeping the substrate 9 in a heated state.例文帳に追加

反応室５内に基板９を収容し、基板９を加熱した状態で反応室５内にイリジウム化合物４を含んだキャリアガスと酸素ガスとを導入して、基板９上にイリジウム薄膜を形成する。 - 特許庁

The heat conductive sheet comprises: a fibrous substrate; and a resin composition impregnated in the fibrous substrate or a reaction composition that is impregnated in the fibrous substrate and obtained by progressing a reaction of the resin composition.例文帳に追加

本発明に係る熱伝導シートは、繊維状基材と、該繊維状基材に含浸された樹脂組成物、又は該繊維状基材に含浸されておりかつ該樹脂組成物の反応を進行させた反応組成物とを含む。 - 特許庁

A microreactor array 10 includes: a plurality of reaction vessels 104 formed on a transparent substrate 101; a reaction liquid introducing flow path 105; a reaction liquid accommodating section 107; and a waste liquid accommodating section 106 formed on a transparent substrate 102.例文帳に追加

マイクロリアクターアレイ１０は、透明基板１０１に形成された複数の反応容器１０４、反応液導入用流路１０５、反応液収容部１０７と、透明基板１０２に形成された廃液収容部１０６を備えている。 - 特許庁

In this reaction container constituted by providing the well-shaped reaction part to a substrate, the contact angle of the inner surface of the well-shaped reaction part with pure water is 100° or above.例文帳に追加

基板に、ウェル状反応部を有する反応容器において、前記ウェル状反応部の内面の、純水との接触角が１００°以上であることを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

To provide a reactor which is capable of reducing the thickness of a substrate to form a reaction vessel while maintaining the strength of the reaction vessel in the structure to form the reaction vessel.例文帳に追加

反応容器を形成する構成において、反応容器の強度を維持しながら、反応容器を形成する基板の厚さを低減することができる反応装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for retaining the effect of the surface treatment such as corona treatment, plasma treatment, or the like for a substrate to be used for chemical reaction, biochemical reaction, and biological reaction.例文帳に追加

化学反応、生化学反応、生物反応などに用いる基板において、コロナ処理、プラズマ処理などの表面処理の効果を持続させる方法を提供するものである。 - 特許庁

This reaction method for activating a mediator with an enzyme or the other mediator-activating means to prepare the activated mediator and then allowing the activated mediator to act on a substrate to achieve a prescribed reaction, characterized by otherwise preparing the activated mediator on the outside of the reaction system and then charging the activated mediate into the reaction system containing the substrate.例文帳に追加

メディエータが酵素その他のメディエータ活性化手段により活性化されて活性メディエータとなり、基質に作用して所定の反応を遂行する反応方法において、前記活性メディエータを反応系外において別途調製し、基質を含む反応系へ投入する。 - 特許庁

After a reaction vessel of a plasma CVD apparatus has been cleaned by gas plasma etching using a fluoride gas, a substrate is carried into a reaction chamber while the fluoride gas still remains in the reaction vessel, and a thin-film formation process gas is introduced into the reaction chamber, thus forming a thin film on the substrate.例文帳に追加

フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁

A substrate treatment apparatus has a reaction chamber for treating a substrate, and the shower head 236 for supplying the inside of the reaction chamber with a raw material gas (the treating gas) G1 and radicals (the treating gas) G2 in a shower shape.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応室と、反応室内に原料ガス（処理ガス）Ｇ１、ラジカル（処理ガス）Ｇ２をシャワー状に供給するシャワーヘッド２３６とを有する。 - 特許庁

A light emitting layer 16 to which a light emitting material emitting light through an electrochemical oxidation reaction or reduction reaction is provided between the first substrate 11 and the second substrate 12.例文帳に追加

第１基板１１及び第２基板１２の間には、電気化学的な酸化反応、或いは、還元反応を経て発光する発光材料を注入する発光層１６が設けられている。 - 特許庁

To suppress plasma damage caused on a substrate when reaction products are laminated on a surface of the substrate by the ALD method and plasma modification is conducted to the reaction products.例文帳に追加

ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。 - 特許庁

To attain high-speed substitution of gas in a reaction chamber for forming a thin film on a substrate while uniformly supplying reaction gas and other supplying gas to the surface of the substrate.例文帳に追加

基板に薄膜を形成する反応室内に、反応ガス及びその他供給ガスを基板面内に均一に供給しつつ、反応室内に於けるガスの高速置換を可能とする。 - 特許庁

The reaction tub is formed by adsorbing, to the plane substrate to be adsorbed, a sheet 202 that is apt to adsorbing to the plane substrate and where a recess defining the reaction tub is processed in its lower surface.例文帳に追加

反応槽は，平面基板に吸着しやすく，下面に反応槽となる窪みが加工されたシート２０２を吸平面基板の上に，吸着させることによって形成される。 - 特許庁

In the case of forming the p-type noncrystalline semiconductor film 3, there are the conditions of substrate temperature ≤210°C and reaction pressure ≥100 mTorr, more preferably, substrate temperature ≤180°C and reaction pressure ≥200 mTorr.例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３を形成する際の条件は、基板温度：２１０℃以下、反応圧力：１００ｍＴｏｒｒ以上、より好ましくは、基板温度：１８０℃以下、反応圧力：２００ｍＴｏｒｒ以上とする。 - 特許庁

To provide a substrate preparing apparatus capable of shortening a time required for the reaction of a film formed on a substrate on a treatment agent.例文帳に追加

基板に形成された膜と処理液との反応に要する時間を短時間化できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To improve the throughput of the substrate processing of removing reaction products generated by the alteration of a resist film present on a substrate.例文帳に追加

基板に存在するレジスト膜が変質して生じた反応生成物を除去する基板処理のスループットを向上させること。 - 特許庁

To eliminate reaction of oxidation by controlling flow of oxygen in the atmosphere, into a substrate processing chamber when the substrate is transferred.例文帳に追加

基板搬送時、基板処理室へ大気中の酸素が流入するのを抑制して、酸化反応を無くすことを可能とする。 - 特許庁

To provide a technology for preventing a plurality of reaction gases from being mixed on a substrate, and carrying out good treatment in laminating many of reaction product layers by mounting the substrate on a turntable, rotating the substrate, and sequentially supplying the plurality of reaction gases.例文帳に追加

回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the useful material by bringing a hydrophobic substrate into contact with an aqueous reaction liquid 5, and converting the substrate in the reaction liquid by using a biocatalyst includes localizing the hydrophobic substrate in a solid state on one position in the reaction system.例文帳に追加

疎水性基質を水性反応液５に接触させ、当該反応液中で生体触媒を用いて変換し、有用物質を製造する方法において、固体状態の疎水性基質を、反応系内のいずれかの箇所に局在化させて行なう有用物質の製造方法。 - 特許庁

In the slab waveguide (reaction substrate) 101, an incident light 103 is conducted to the reaction substrate 101 through the wall surface 102b of the enclosure 102 or a prism to be optically coupled with the wall surface by way of a position close to the reagent chamber in a light coupling surface (joint surface) 105 between the enclosure 102 and the reaction substrate 101.例文帳に追加

スラブ型導波路（反応基板）101には、エンクロージャ102の壁面102b或いはこれと光結合するプリズムを介して、エンクロージャ102と反応基板102間の光結合面（接合面）105における試薬室に接近した位置を経由して、入射光線103を反応基板101に導く。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing equipment where an internal reaction pipe 6 is provided inside an external reaction pipe 1 for demarcating an airtight reaction chamber, a reaction gas is introduced into a reaction chamber 17, and a substrate 26 to be treated is heated for film-forming treatment, a height adjustment means 52 is provided at the part between the internal and external reaction pipes.例文帳に追加

外部反応管１の内部に内部反応管６が設けられて気密な反応室が画成され、該反応室１７へ反応ガスが導入され、被処理基板２６が加熱されて成膜処理される半導体製造装置に於いて、前記内部反応管と外部反応管とに掛渡って、高さ調整手段５２を設けた。 - 特許庁

The substrate 2 and raw material 4 are arranged in a reaction chamber 1 and the reaction between a source gas and the raw material 4 is adjusted by providing the barrier 5.例文帳に追加

反応容器１内に基板２及び原料４を配置し、障壁５を設けて原料ガスと原料４との反応を調整する。 - 特許庁

To suppress damage to a processed substrate and to excite plasma with which reaction product hardly adheres to an inner wall of a reaction container, by simple control.例文帳に追加

簡単な制御で，被処理基板に対するダメージを抑えつつ，反応容器の内壁に反応生成物が付着し難いプラズマを励起する。 - 特許庁

To provide new polymers or copolymers to be a substrate for a hydration reaction and a dehydration reaction, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

水和反応及び脱水反応の基質となりうる新規な重合体又は共重合体、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The enzyme reaction unit carries out an enzyme reaction of 11C-labeled D, L-alanine synthesized in the above intermediate-synthesizing unit by using a suitable enzyme substrate.例文帳に追加

酵素反応ユニットは、前記中間体合成ユニットで合成された^11C-標識DL-アラニンと、適当な酵素基質を用いて酵素反応を行う。 - 特許庁

For example, ZnAl_2O_4 is formed as the reaction phase through reaction of alumina filler in the ceramics substrate layer and Zn in the surface conductor.例文帳に追加

例えばセラミックス基板層中のアルミナフィラーと表面導体中のＺｎが反応して、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４が反応相として形成される。 - 特許庁

To provide a reaction vessel of minute volume, in which temperature in a plurality of reaction regions equipped in one substrate is controlled easily and efficiently.例文帳に追加

１つの基体に具備される複数の反応領域の温度を簡便に且つ効率的に制御する微小量反応容器を提供する。 - 特許庁

The substrate 6 as the object for treatment is heated, and the raw material is heated and vaporized by radiation heat from the substrate 6 to cause thermal decomposition reaction on the substrate 6, by which a thin film consisting of a product by the thermal decomposition reaction is deposited on the substrate 6.例文帳に追加

処理対象の基板６を加熱し、基板６からの放射熱により前記原料を加熱し気化させて、基板６上で熱分解反応を生じさせ、これによって、基板６上に熱分解反応による生成物からなる薄膜を堆積させる。 - 特許庁

To provide a resist separating technique which bas a high reaction rate, is clean, and causes less damage to a substrate.例文帳に追加

反応レートが高く、しかも、クリーンで基板へのダメージが少ないレジスト剥離技術を提供する。 - 特許庁

REACTION PROMOTER, METHOD FOR PROMOTING DECOMPOSITION OF HYDROPHOBIC SUBSTRATE AND METHOD FOR DECOMPOSING HARDLY DECOMPOSABLE SUBSTANCE例文帳に追加

反応促進剤、疎水性基質の分解促進方法、難分解性物質の分解方法 - 特許庁

A substrate processing apparatus comprises a heater 206 provided outside a reaction container for processing substrates.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。 - 特許庁

After forming the columnar structure of the reaction product 5, a light shielding film 6 is formed on the substrate 1 (c).例文帳に追加

反応生成物５の柱状構造を形成後、基板１に遮光膜６を成膜する（ｃ）。 - 特許庁

The heater 6 heats a substrate 4 to be processed using the reactive gas inside the reaction chamber 3.例文帳に追加

ヒータ６は、反応室３の内部において、反応ガスを用いて処理される基板４を加熱する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus that heats a gas nozzle without installing a heater in a reaction pipe.例文帳に追加

ヒータを反応管内に設置せずにガスノズルを加熱することができる基板処理装置の提供。 - 特許庁

A substrate processor is equipped with a heater 206 provided outside a reaction container for processing substrates.例文帳に追加

基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。 - 特許庁

A biochip 1 includes a substrate 1A, a plurality of reaction tanks 2, and a Fresnel lens 3.例文帳に追加

バイオチップ１は、基板１Ａと、複数の反応槽２と、フレネルレンズ３とを含んで構成されている。 - 特許庁

ENZYME IMMOBILIZATION ELECTRODE, FUEL CELL, ELECTRONIC APPARATUS, ENZYME REACTION UTILIZATION DEVICE, AND ENZYME IMMOBILIZATION SUBSTRATE例文帳に追加

酵素固定化電極、燃料電池、電子機器、酵素反応利用装置および酵素固定化基体 - 特許庁

To provide an electrode assembly for a plasma reaction chamber used in semiconductor substrate processing.例文帳に追加

半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。 - 特許庁

Then, a nickel silicide 8 is formed by siliciding reaction in a semiconductor region on the substrate.例文帳に追加

次に、基板上の半導体領域にシリサイド化反応によりニッケルシリサイド８を形成する。 - 特許庁

METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME例文帳に追加

基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置 - 特許庁

The method for detecting whether enzymatic reaction exists or not comprises measuring an electrochemical characteristics of a compound formed by a substrate or a reaction product and a metal ion, in a reaction for producing a diphosphoric acid compound from a triphosphoric acid compound or an enzymatic reaction for catalyzing its reverse reaction.例文帳に追加

トリリン酸化合物からジリン酸化合物を生成する反応、またはその逆反応を触媒する酵素反応において、基質または反応生成物と金属イオンとによって形成される化合物の電気化学的特性を測定することを特徴とする酵素反応の有無の検出方法。 - 特許庁

A gas flow is formed on a substrate 3 by supporting the substrate 3 by a supporting stand 6 inside a reaction chamber 1 and by mounting a plate 11 in an outer circumference of the substrate 3.例文帳に追加

反応室１内で基板３を支持台６に支持させ、基板３の外周にプレート１１を載置して、基板３上にガス流を形成するように構成する。 - 特許庁

In the substrate treating device which treats a substrate by introducing the reactive gas to the reaction chamber, the introducing position of the source gas is made rotatable relatively to a substrate 13 in a plane parallel to the surface of the substrate 13.例文帳に追加

反応室に反応ガスを導入して基板を処理する基板処理装置に於いて、反応ガスの導入位置が基板表面と平行な面内を基板１３に対して相対回転可能とした。 - 特許庁

Then a developing reaction is progressed by holding the substrate in the standstill state for a prescribed period of time while the developing solution is piled up on the substrate (S102).例文帳に追加

次に、現像液が液盛りされた状態で、所定時間、静止保持することにより、現像反応を進行させる（Ｓ１０２）。 - 特許庁

A thin film grows on the substrate 2 by exposing the entire surface of the substrate 2 to the alternate surface reaction of the reactive gas.例文帳に追加

このことにより、基板２の表面全体において反応ガスの交互表面反応に曝して基板２上に薄膜を成長させる。 - 特許庁