「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The reaction gas containing ozone gas and the plurality of kinds of organic silicon gas is supplied from a gas supply system 4 to the substrate 9.例文帳に追加

基板９にはガス供給系４からオゾンガスと複数種類の有機シリコンガスとを含んだ反応ガスが供給される。 - 特許庁

A reaction catalyst layer 15 is installed inside the meandering minute passage 12 formed on the inner surface of the first substrate 11.例文帳に追加

第１基板１１の内面に形成された蛇行した微小な流路１２内には反応触媒層１５が設けられている。 - 特許庁

The reaction catalyst bed 16 are formed in a minute serpentine passage 14 formed on an inside face of the main substrate 11.例文帳に追加

主基板１１の内面に形成された蛇行した微小な流路１４内には反応触媒層１６が設けられている。 - 特許庁

Intermediate reaction between group III raw gas and group V raw gas in a boundary layer near a GaAs substrate 10 is restrained.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０近傍の境界層における、 III族原料ガスとＶ族原料ガスとの中間反応を抑制する。 - 特許庁

The method for performing the reaction of a specimen with a reagent uses a substrate having a hydrophilic region and a hydrophobic region on the surface.例文帳に追加

親水性領域と撥水性領域とをその表面に設けた基板を用いて、検体と試薬との反応を行う方法。 - 特許庁

Typically the biopolymer is an enzyme and the substrate of the reaction is possibly a nucleic acid, a protein or a polysaccharide.例文帳に追加

代表的には、上記生体高分子は酵素であって、上記反応の基質が、核酸、タンパク質または多糖類であり得る。 - 特許庁

High-frequency power is applied between electrodes 1 and 8, and the reaction gas is discharged for forming the silicon nitride film on a semiconductor substrate 7.例文帳に追加

電極１、８間に高周波電力を印加し、反応ガスを放電させて半導体基板７に窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The apparatus comprises a sealing part 50 by which a shaft 41 used to turn the substrate to be processed is inserted airtightly into the reaction chamber 25.例文帳に追加

この装置は、被処理基板を回転させる回転軸４１を反応室２５内に気密に挿入するシール部５０を有する。 - 特許庁

To provide a microreactor for PCR or a microreactor having high-density reaction spaces formed on a single crystal silicon substrate in the form of an array and suitable as a measuring well multiplate, etc., for DNA sequence method by pyrosequencing.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板に、高密度反応空間をアレイ状に形成したマイクロリアクターを提供する。 - 特許庁

Vertical type semiconductor manufacturing equipment 10 is provided with a reaction furnace 11, a boat 24 as a substrate retaining tool, a cassette case 26 as a substrate holding vessel, and a substrate transfer machine 28 as a substrate carrying machine which carries substrates between the boat 24 and the cassette case 26.例文帳に追加

縦型半導体製造装置１０は、反応炉１１と、基板支持具としてのボート２４と、基板保持容器としてのカセットケース２６と、ボート２４とカセットケース２６との間で基板を搬送する基板搬送機としての基板移載機２８とを備えている。 - 特許庁

A probe immobilization method for immobilizing a probe 12 onto a substrate 11 comprises the steps of: preparing the substrate 11 and the probe 12; and processing the substrate 11 to fix the probe 12 onto the substrate 11 without chemical reaction.例文帳に追加

基板１１にプローブ１２を固定化するためのプローブの固定化方法であって、基板１１とプローブ１２とを準備する工程と、基板１１を処理することで化学反応を伴わずプローブ１２を基板１１に固定化するプローブの固定化方法からなるものである。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device forms an oxide film on a substrate by oxidizing the substrate by alternately repeating a step of supplying an oxygen-containing gas to the substrate and a step of supplying a reaction promotion gas having catalytic action with respect to the oxygen-containing gas to the substrate several times.例文帳に追加

基板に酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスに対して触媒作用を有する反応促進ガスを供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、基板を酸化することにより基板に酸化膜を形成する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor 1 comprising a conductive substrate 2 and a photosensitive layer 3 containing a prescribed resin formed on the substrate 2, an area from a surface opposite to the substrate 2 up to a prescribed depth is modified by reaction of reactive lubricants with each other and/or reaction of a reactive lubricant with the resin.例文帳に追加

導電性基体２と、所定樹脂を含んで基体２上に形成された感光層３とを備える電子写真感光体１において、基体２と反対側の表面から所定深さまでの領域を、反応性潤滑剤同士の反応及び／又は反応性潤滑剤と樹脂との反応により改質する。 - 特許庁

In this plasma treatment process in which plasma treatment is performed to a substrate arranged in a reaction vessel, after the completion of the plasma treatment to the substrate, the inside of the reaction vessel is charged with a cooling gas under the pressure of 100-100,000 Pa, and the substrate is subjected to cooling treatment.例文帳に追加

反応容器内に配置した基体にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、前記基体へのプラズマ処理の終了後に、前記反応容器内に冷却ガスを１００〜１００，０００Ｐａの圧力で充填し、前記基体の冷却処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 特許庁

To provide a method for predicting a concentration of the number of microorganism, a substrate concentration and a dissolved oxygen concentration in a cleaning reaction without determining the substrate which is the target of the cleaning reaction by uniformly describing the concentration of the number of the microorganism in the phase by using terms corresponding to the consumption of the dissolved oxygen concentration and the consumption of the substrate.例文帳に追加

溶存酸素濃度の消費と基質の消費に関する項を用いて相内の微生物個数濃度を統一的に記述し、浄化反応の対象となる基質を定量することなく浄化反応における微生物個数濃度、基質濃度及び溶存酸素濃度の動特性を予知する方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor manufacturing apparatus, having a susceptor holding a substrate in a reaction furnace and a substrate heating heater for heating the substrate and constituted to grow a semiconductor crystal on the substrate while feeding a raw material gas and a diluting gas, comprises an impurity removing heater in the reaction furnace, so that impurities are removed by the impurity removal heater and the substrate-heating heater.例文帳に追加

反応炉内に基板を保持するサセプタと前記基板を加熱する基板加熱用ヒータとを具備し、前記基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給しながら半導体結晶を成長するように構成して成る半導体製造装置において、前記反応炉内に不純物除去用ヒータを具備し、該不純物除去用ヒータと前記基板加熱用ヒータとにより不純物を除去するように構成したことにある。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 10 includes a reaction tube 52 having a downward opening 54 and a lower vessel 56 for occuluding the opening 54 while supporting the reaction tube 52 from a lower side in the direction of gravity.例文帳に追加

基板処理装置１０は、下向きの開放部５４か形成された反応管５２と、この反応管５２を重力方向下側から支持しつつ、開放部５４を塞ぐ下側容器５６とを有する。 - 特許庁

To prevent a substrate from being shaved off and from dimensional variation due to deposits in a reaction chamber in batch processing which performs a plurality of processes successively in an identical reaction chamber of a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置の同一の反応室で複数の工程を連続して行う一括加工において、反応室内の堆積物に起因する基板削れや寸法変動を防止する。 - 特許庁

To produce other useful organic compounds through a substrate by utilizing a reverse reaction of an enzyme which could not conventionally actually be used and using a product of a forward reaction thereof as a raw material.例文帳に追加

これまでは実際に利用することができなかった酵素の逆反応を利用して、その正反応の生成物を原料とし、基質を経て他の有用な有機化合物を製造することを目的とする。 - 特許庁

Plasma is generated in a reaction vessel 101 by the high-frequency power introduced from a radiofrequency electrode 102 into the reaction vessel 101 to treat a cylindrical substrate 105 as a material to be treated.例文帳に追加

高周波電極１０２から反応容器１０１に導入された高周波電力によって反応容器１０１内にプラズマを生起させて被処理物としての円筒状基体１０５を処理する。 - 特許庁

Also, gas without containing the feed gas is introduced from a fine porous part with a venting property that is arranged at a reaction pipe wall that opposes a substrate in parallel, thus preventing the reaction pipe wall from being contaminated.例文帳に追加

また、基板と平行に対向する反応管壁に配置された通気性を有する微多孔質部から原料ガスを含まないガスを導入することにより、反応管壁の汚染を防止する。 - 特許庁

To suppress outside air from infiltrating into a reaction chamber and a vapor phase from backflow, while the reaction chamber is opened to the outside via a substrate-inserting/ejecting opening.例文帳に追加

反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間、反応容器の内部への外気の侵入と気相の逆流とを抑制することができるようにする。 - 特許庁

The resist 2 coated side of a substrate is cooled by bringing a cooling plate 1a cooled to a temperature at which the reaction of the resist 2 stops or below near to the resist 2 coated side to quickly stop the reaction of the resist 2.例文帳に追加

基板のレジスト２塗布面側にレジスト２の反応の停止する温度以下まで冷却した冷却プレート１ａを近接させて冷却することで、急速にレジスト２の反応を停止させる。 - 特許庁

It is estimated that the unsaturated bond of the allyl group captures hydrogen chloride dissociated/generated by heating, whereby a side reaction wherein the hydrogen chloride acts as a catalyst or a reaction substrate, is suppressed.例文帳に追加

アリル基の不飽和結合が、加熱により脱離して生じる塩化水素を捕捉することによって、該塩化水素が触媒又は反応基質として作用する副反応が抑制されるものと推測される。 - 特許庁

The hydrolysis reaction is promoted by making electrolyzed water exist in the reaction system of the substrate, the hydrolase and a decomposition product from the start point to the end point of the hydrolysis.例文帳に追加

加水分解の開始時点から終了時点まで間、基質、加水分解酵素および分解生成物の反応系に電解生成水を常に存在させることによって、加水分解反応を促進させる。 - 特許庁

Thereby the first part of the second reaction material chemically reacts with the chemically adsorbed first part of the first reaction material, to form a solid material containing silicon on the substrate.例文帳に追加

これにより、第２反応物質の第１部分が第１反応物質の化学吸着された第１部分と化学的に反応することにより、基板上にシリコン含有固体物質が形成される。 - 特許庁

A biochemical reaction of a specimen is generated inside a biochemical reaction cartridge 1, and resultantly a sample of a fluorescent material or the like adhering to a DNA microarray 12 of a substrate 33 is detected optically.例文帳に追加

生化学反応カートリッジ１の内部で検体の生化学反応を行わせ、その結果、基板３３のＤＮＡマイクロアレイ１２に付着した蛍光物質等のサンプルを光学的に検出する。 - 特許庁

To provide substrate treatment equipment equipped with a reaction tube which makes it possible to easily position an insert to be inserted into an insert tube arranged inside the reaction tube and to clean the insert tube and remove a liquid out of it easily.例文帳に追加

反応管内に配管された挿入管へ挿入される挿入物の位置決めと、挿入管内の洗浄や液抜きが容易にできる反応管を備えた基板処理装置を提供する。 - 特許庁

This reaction container having a heating portion and having reaction portions for thermal reactions and reagent-receiving portions in an identical substrate is characterized in that the shortest distance between the heating portion of the reaction portions and the reagent-receiving portions is ≥15 mm.例文帳に追加

同一基板に、加熱領域を有し加熱反応を行う反応部および試薬収容部を有してなる反応容器であって、反応部の加熱部と試薬収容部の最短の距離が１５ｍｍ以上であることを特徴とする反応容器とする。 - 特許庁

To provide a method for separating a reaction product and a catalyst, by which the reaction product and the catalyst and/or its changed product can simply and efficiently be separated from the reaction mixture using an imide compound such as N-hydroxyphthalimide as the catalyst and a hydrocarbon or the like as a substrate.例文帳に追加

Ｎ−ヒドロキシフタルイミドなどのイミド化合物を触媒とし炭化水素類などを基質として用いた反応混合物から、反応生成物と触媒及び／又は該触媒の変質体とを簡単な操作で効率よく分離できる方法を提供する。 - 特許庁

For example, a reaction inhibitor is supplied from the independent chemical substance supply port 50 and an enzyme and a substrate corresponding to the enzyme are supplied from the common chemical substance supply port 60, a reaction is performed in the flow channels 40 to screen a plurality of reaction inhibitors.例文帳に追加

独立化学物質供給口５０からは例えば反応阻害剤を、共通化学物質強供給口６０からは酵素とそれに合わせた基質とを供給し、流路４０内で反応させることにより、複数の反応阻害剤のスクリーニングを行う。 - 特許庁

Then, while reducing the flow rate of the inert gas to be supplied to the reaction chamber 2, a raw material gas is supplied into the reaction chamber 2 while increasing the flow rate, and the film is formed on the substrate 10 to be processed while maintaining the pressure inside the reaction chamber 2 at the deposition pressure.例文帳に追加

次に、反応室２に供給される不活性ガスの流量を減少させつつ、反応室２内に流量を増加させながら原料ガスを供給して、反応室２内の圧力を成膜圧力に維持しつつ被処理基板１０に膜を形成する。 - 特許庁

In an evacuating reaction vessel 101, a holder 106 with a substrate 105 installed therein is connected to a rotating device 114 outside the reaction vessel 101, and rotatably supported by a rotary shaft 107 extended penetrating a bottom part of the reaction vessel 101.例文帳に追加

減圧可能な反応容器１０１内には、基板１０５が設置されるホルダー１０６が、反応容器１０１外の回転駆動装置１１４に接続され、反応容器１０１の底部を貫通して延びる回転軸シャフト１０７によって回転可能に支持されている。 - 特許庁

In the organic electrolytic synthesis method and the organic electrolytic synthesis device by which a reaction substrate is subjected to an electrolytic reaction in a solvent to obtain a corresponding product, the electrolytic reaction is performed in the presence of a solid carrying type base.例文帳に追加

溶媒中で、反応基質を電解反応させて対応生成物を得る有機電解合成方法であって、前記電解反応を、固体担持型塩基の存在下に行なうことを特徴とする有機電解合成方法および有機電解合成装置。 - 特許庁

The generated GaCl_3 gas is supplied to the second reaction unit 30 through a group III halide supply pipe 50 connected to the first reaction unit 20 and reacts with the NH_3 gas to vapor-phase grow the GaN film on the substrate 35 provided in the second reaction unit 30.例文帳に追加

生成したGaCl_3ガスは、第１の反応部２０に接続されたIII族ハロゲン化物供給管５０を通じて、第２の反応部３０に供給され、NH_3ガスと反応することにより、第２の反応部３０に設けられた基板３５の上にGaN膜が気相成長する。 - 特許庁

To provide a vacuum treating apparatus for diffusing reaction gas across the whole surface of a substrate to be treated with uniform distribution by easily and quickly adjusting and controlling the feeding of reaction gas at the changing of the dimensions or processing condition of the substrate to be treated.例文帳に追加

被処理基板の寸法や処理条件などの変更に際しても反応ガスの供給を容易、且つ迅速に調節制御して、被処理基板の表面全体にわたり反応ガスを均等な分布で分散させることのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A silicon insulation film is formed on a substrate by plasma reaction by introducing (i) a source gas comprising silicon hydrocarbon containing a cross-linked groups, (ii) a cross-linked gas, and (iii) an inert gas into a reaction chamber wherein a substrate is disposed.例文帳に追加

(i)複数の架橋可能基を含むシリコン系炭化水素化合物から成るソースガスと、(ii)架橋ガスと、(iii)不活性ガスと、を含む反応ガスを基板が載置される反応チャンバに導入することによって、プラズマ反応によってシリコン系絶縁膜が基板上に形成される。 - 特許庁

The thermal block 28 is brought to the surface contact with the substrate 33 which forms the flat surface with the base of the biochemical reaction cassette 19, and the support 29 is locked with the recessed 45 formed in a position separate from the substrate 33 of the base of the biochemical reaction cassette 19.例文帳に追加

サーマルブロック２８は、生化学反応カセット１９の底面の、平坦面を形成している基板３３に面接触し、支持部２９は、生化学反応カセット１９の底面の、基板３３とは別の位置に形成された凹み部４５に係合している。 - 特許庁

The lithographic apparatus can have a reaction mass, a balance mass, and a base frame, and the substrate support drive is formed so as to generate a force, at least in one direction between the substrate support and the reaction mass, the balance mass, or a support frame.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、反動質量と、つり合い質量と、ベース・フレームとを有することができ、基板サポート・ドライブは、基板サポートと反動質量、つり合い質量又はサポート・フレームとの間に少なくとも１つの方向の力を生成するようになされている。 - 特許庁

To provide a reaction kit (a reaction implement) for causing a small amount of specimen solution to efficiently and simply react with molecules fixed on a substrate without using a large amount of specimen solution even if the substrate has unevenness.例文帳に追加

本発明は、凹凸を有する基板にも多量の試料溶液を使用することなく、少量の試料溶液で効率よく基板上に固定された分子との反応を簡便に行うことが可能な反応キット（反応器具）を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the film forming method, a thin film of a reaction product generated by the reaction of first material gas and second material gas is deposited on a substrate by alternately supplying at least the first material gas and second material gas to the substrate.例文帳に追加

少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。 - 特許庁

So as to prevent the mutual mixing of 1st reaction gas B and the remaining gas A, via individual gas inlet ports, respectively, the 1st reaction gas B is flowed in toward the edge parts of a substrate 110, and the remaining gas A is flowed in toward the center part of the substrate 110.例文帳に追加

第１反応ガスＢと残りの反応ガスＡとが互いに混合しないように、個々のガス注入口を介して、第１反応ガスＢは基板１１０の縁部に向けて流入し、残りの反応ガスＡは基板１１０の中心部に向けて個々に流入する。 - 特許庁

To provide the chemical liquid treatment device and method of a substrate for preventing a wafer from being discolored due to the reaction between bubbles and the chemical liquid in the case of the chemical liquid treatment of the substrate.例文帳に追加

基板の薬液処理時に気泡と薬液の反応によりウェーハが変色することを防止することができる基板の薬液処理装置及び薬液処理方法を提供する。 - 特許庁

Etchants 3, 18 are vaporized, the semi conductor substrate 6 is heated, and the semi conductor substrate 6 is etched to a predetermined depth by the etching vapor while exhausting a generated reaction gas.例文帳に追加

エッチング液３、１８を蒸気化させ、半導体基板６を加熱し、かつ反応生成ガスを排気しながら、エッチング蒸気で半導体基板６を所定の深さまでエッチングする。 - 特許庁

A diamond thin film 12 is stacked (Fig.5(b)) with a thickness of 1 micrometer on a diamond substrate 11 (Fig.5(a)) by using a microwave plasma CVD apparatus under conditions that methane is used as a reaction gas and the temperature of the substrate is 700°C.例文帳に追加

ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。 - 特許庁