「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composition curable by a metathesis reaction upon mixing its components and comprising an olefin-containing substrate, a metathesis catalyst, and a reaction control agent for slowing the progress of the metathesis reaction.例文帳に追加

その成分の混合後のメタセシス反応によって硬化可能な組成物であって、オレフィン含有基剤、メタセシス触媒、およびメタセシス反応の進行を遅延させるための反応制御剤を含む組成物を提供する。 - 特許庁

As the etching reaction advances, the concentration of the fluorine radical decreases, and in due course, an atmosphere in the reaction vessel is replaced by the thin-film formation process gas, a deposition reaction is started, and a film grows on the thin-film formation surface of the substrate.例文帳に追加

エッチング反応の進行によりフッ素ラジカルの濃度は減少し、やがて、薄膜形成用プロセスガスに反応容器内の雰囲気が置換されて、堆積反応が開始し、基板の被形成面に膜が成長する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which uses a plurality of substrate holding tools and verifies a holding condition of a substrate even if the transfer/collection position is not just under the reaction furnace, collects a normal substrate from one substrate holding tool when the one substrate holding tool detects failure and also collects the normal substrate from the other substrate holding tool.例文帳に追加

複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate holding structure of vapor depositing equipment which can take out a rotating shaft and a bearing pipe from an inside of a reaction tube and easily adjust a location of the substrate without atmosphere entering in the reaction tube.例文帳に追加

反応管内から回転軸及び軸受管を簡単に取り出し可能であり、反応管内に大気が入ることなく基板の位置を容易に調整可能な気相成長装置の基板保持構造を提供する。 - 特許庁

A reaction phase formed through reaction of ceramics component in the ceramics substrate layers 21, 24 and glass component in the surface conductor 5 is deposited on the interface of the ceramics substrate layers 21, 24 and the surface conductor 5.例文帳に追加

セラミックス基板層２１，２４中のセラミックス成分と表面導体５中のガラス成分とが反応することにより形成された反応相がセラミックス基板層２１，２４と表面導体５の界面に析出している。 - 特許庁

To decrease a leakage amount to improve substrate treatment quality and to reduce running cost when sealing the boundary between a reaction tube and an adapter using a sealing gas in substrate treatment equipment having the reaction tube and the adapter.例文帳に追加

反応管とアダプタを有する基板処理装置に於いて、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減する。 - 特許庁

When the brush is arranged on a reference position, the substrate bites into the brush only by slight prescribed quantity and the brush receives vertical reaction from the substrate, so that the load vertically applied to the brush is changed before and after receiving the reaction.例文帳に追加

ブラシが基準位置に配置されると、ブラシに基板が微小な所定量だけ食い込み、ブラシが基板から鉛直方向の反力を受けるので、その前後でブラシに対して鉛直方向に加わる荷重が変化する。 - 特許庁

The raw material gas is introduced into a reaction chamber to generate plasma, and a substrate support part 1, on which a semiconductor substrate as the processing object is placed, is arranged within the reaction chamber in the plasma processing apparatus provided for the plasma processing.例文帳に追加

反応室内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させて、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、反応室の内部に、処理対象となる半導体基板が載置される基板支持部１を配置する。 - 特許庁

Vertical-type CVD system as substrate treatment equipment, which treats a substrate W at a prescribed treatment temperature is provided with an external reaction tube 11, formed of quartz and an internal reaction tube 12 formed of quartz which are arranged concentrically.例文帳に追加

所定の処理温度で基板Ｗを処理する基板処理装置としての縦型ＣＶＤ装置は、同心状に配設された石英製外部反応管１１と石英製内部反応管１２とを備える。 - 特許庁

The deposited film formation device comprises: a reaction vessel 111 in which a substrate 112 is installed, and pressure can be reduced; and an exhaust means capable of reducing the pressure in the reaction vessel, and forming a deposited film on the substrate 112.例文帳に追加

基体１１２が設置される減圧可能な反応容器１１１と、該反応容器内を減圧可能とする排気手段とを含み、基体１１２上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置である。 - 特許庁

To develop a catalyst which is used for asymmetric aldol reactions in water and can overcome the problem of substrate generality, and to provide a reaction system in which an aldehyde compound except formaldehyde can be used as a reaction substrate.例文帳に追加

基質一般性の問題が克服できる水中での不斉アルドール反応用の触媒を開発し、ホルムアルデヒド以外のアルデヒド化合物を反応基質として用いることのできる反応系を提供する。 - 特許庁

A vapor deposition source of magnesium, a vapor deposition source of boron and a substrate 11 are arranged in a reaction chamber 2, and magnesium and boron are simultaneously evaporated in the reaction chamber 2 to form magnesium diboride on the substrate 11.例文帳に追加

マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device forms a film on a substrate, by utilizing the catalytic cracking reaction between the wire 16 provided near a substrate 15, set up in a reaction chamber 12 and a gaseous starting material supplied to the chamber 12.例文帳に追加

半導体製造装置は、反応室１２内の基板１５の近傍に設けられた素線１６と、反応室１２内に供給される原料ガスとの接触分解反応を利用して基板１５に成膜する。 - 特許庁

While the gas flowing toward the near part of the axis of the substrate carrier contains a relatively high-concentration carrier gas and a relatively low-concentration reaction gas, the gas flowing toward the distant part from the axis of the substrate carrier contains the relatively high-concentration reaction gas.例文帳に追加

基板キャリアの軸に近い部分に向かうガスは、比較的高濃度のキャリアガスと比較的低濃度の反応ガスを含み、基板キャリアの軸から遠い部分に向かうガスは、高濃度の反応ガスを含む。 - 特許庁

The state of the reaction product left on the reaction furnace component 11 is detected by irradiating a predetermined wavelength of light, for example, a black light 16 to the reaction furnace component 11 so as to detect the light emitting state of the reaction product left on the reaction furnace component 11 after cleaning the reaction product adhered to the reaction furnace component 11 after vapor phase growth of the thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 - 特許庁

To provide a method for forming a monomolecular film on an Si substrate by which the monomolecular film can be accumulated directly on the Si substrate by utilizing a radical reaction.例文帳に追加

Ｓｉ基板上へダイレクトにラジカル反応を利用して集積化することができるＳｉ基板上への単分子膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an oxidation-reduction reaction between an electrode and an alignment layer caused by incident light, to improve resistance properties of a substrate and to suppress deterioration of the substrate.例文帳に追加

入射光による電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、基板の耐性を向上させると共に、基板の劣化を抑制する。 - 特許庁

A cover substrate 11 and a base substrate 13 are laminated to form flow passages 17 and 23 for allowing a liquid to flow and the reaction container 15 to the joined surfaces of both substrates.例文帳に追加

カバー基板１１及びベース基板１３が貼り合わされ、その接合面には液体を流す流路１７，２３と反応容器１５が形成されている。 - 特許庁

A second gas is supplied in the vicinity of the substrate and mixed with the activated free radical of the first gas and the mixed gas causes surface reaction on the substrate to form the film.例文帳に追加

第２のガスを基板近傍に供給し、第１のガスの活性化ラジカルと混合し、この混合ガスが基板にて表面反応を起こし成膜する。 - 特許庁

When choosing the material of the film substrate 30, consideration has to be paid for only avoiding reaction with the lithium foil 10, so that the range of options for choosing the material of the film substrate 30 is widened.例文帳に追加

基材フィルム３０の材種の選択に際し、リチウム箔１０との反応だけを避ければよいので、基材フィルム３０の選択の幅が拡大する。 - 特許庁

The plurality of reaction tanks 2 are formed on an outer peripheral portion of the substrate 1A at an intermediate portion in a thickness direction of the substrate 1A, at intervals in a circumferential direction.例文帳に追加

複数の反応槽２は、基板１Ａの厚さ方向の中間部で該基板１Ａの外周部に周方向に間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

Secondly, a substrate 140 for diffusion reaction, including a glass substrate 142 and a diffusion film 144 formed on its surface and made of, e.g. silver, is prepared.例文帳に追加

次に、ガラス基板１４２とその表面に形成された例えば銀から成る拡散膜１４４とを備えている拡散反応用の基板１４０を用意する。 - 特許庁

The microreactor 30 is constituted so that a substrate 31 is laminated with a substrate 32 with stripe-shaped grooves formed as flow paths 32a for reaction gas.例文帳に追加

マイクロリアクタ３０は、基板３１と、反応ガスの流路３２ａとなるストライプ状の溝が形成された基板３２とを重ね合わせて構成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processor with which the removal of reaction products and organic substances is completed in a short time.例文帳に追加

反応生成物や有機物の除去処理を短時間に完了することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供するこを目的とする。 - 特許庁

In this state, a remover is fed to the surface of the substrate W from a remover feed mechanism so as to remove reaction products on the substrate W.例文帳に追加

この状態において、除去液供給機構により基板Ｗの表面に除去液を供給し、基板上の反応生成物を除去する。 - 特許庁

The substrate 1 may contain many alkali metals in the substrate 1, and almost all amount of the alkali metal to be included can be utilized as the absorption and reduction reaction.例文帳に追加

基材１には多くのアルカリ金属を含むことができ、かつ含まれるアルカリ金属のほぼ全量をNO_x 吸蔵還元反応に利用することができる。 - 特許庁

The substrate specificity of multiple-resistant proteins is evaluated by analyzing the ATP consumption associated with the reaction between the multiple-resistant proteins and the substrate.例文帳に追加

多剤耐性蛋白と基質との反応にともなうＡＴＰ消費を分析することにより多剤耐性蛋白の基質特異性を評価する。 - 特許庁

The anaerobic microorganism decomposes the substrate transmitting the negative electrode 16 from the substrate tank 12 to a side of the reaction tank 14 and releases the electron to the negative electrode 16.例文帳に追加

基質槽１２から陰極１６を反応槽１４側に透過した基質を嫌気性微生物が分解し、陰極１６に電子を放出する。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on a substrate (112) by supplying trisilyl amine and ammonium into a CVD reaction chamber (11) to store the substrate (112).例文帳に追加

基板（１１２）を収容するＣＶＤ反応チャンバ（１１）内にトリシリルアミンとアンモニアを供給することによりシリコン窒化物膜を基板（１１２）上に形成させる。 - 特許庁

To provide a method for processing a substrate and an apparatus for processing the substrate, which is capable of completing a removal process of reaction products in a short time.例文帳に追加

反応生成物の除去処理を短時間に完了することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供するこを目的とする。 - 特許庁

The two perpendicular/horizontal transport mechanisms 100 insert the substrate-holding tool 18 into a reaction pipe 5, through a hole 13 for installing a substrate-holding tool in a rotating carriage 9 and an opening 6 of the reaction pipe 5, in a state of making the jointing member 32 hold the substrate-holding tool 18.例文帳に追加

２つの垂直・水平移動機構１００は、基板保持器具１８が連結部材３２に保持された状態で、回転台９の基板保持器具設置孔１３および反応管５の開口部６を介して、基板保持器具１８を反応管５内に挿入する。 - 特許庁

By this method, the leaving of dust adhering to component parts in the reaction vessel 103 and its re-adhesion to the substrate to be treated in the reaction vessel 103 can be prevented.例文帳に追加

これにより、反応容器１０３内の構成部品に付着しているダストが離脱して反応容器１０３内の被処理基体に付着するということが防止される。 - 特許庁

A vapor growth device comprises a reaction chamber group 18X and a reaction chamber group 18Y in which a substrate 20 is arranged, a gas supply member 30, and a gas flow regulating member 40.例文帳に追加

気相成長装置は、基板２０が配置される反応室群１８Ｘおよび反応室群１８Ｙと、ガス供給部材３０と、ガス流れ規制部材４０とを備える。 - 特許庁

In a process of manufacturing a semiconductor device by forming a structure film on a substrate in the reaction tank of a manufacturing device, the inside of the reaction bath is cleaned.例文帳に追加

製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。 - 特許庁

A lens 5 forms each image of the plurality of reaction faces 10a-10c of a reaction face substrate 10 loaded on a loading part 1, on each color measuring region corresponding to each reactive face.例文帳に追加

レンズ５は、搭載部１に搭載された反応面基板１０の複数の反応面１０ａ〜１０ｃの各像を、反応面に対応する色測定領域に形成する。 - 特許庁

A reactor 40 has the reaction tube 42 for receiving a substrate carrier 30, and a heater 46 having heater sections 46a-46e is formed around the reaction tube 42.例文帳に追加

反応炉４０は、基板支持具３０を収容する反応管４２を有し、反応管４２の周囲にはヒータ部４６ａ〜４６ｅを有するヒータ４６が形成される。 - 特許庁

The crosslinking density measuring sheet shows crosslinking reaction by the lamination treatment and is not adhered to both of the transparent substrate and the back material by crosslinking reaction.例文帳に追加

架橋密度測定用シートはラミネート処理によって架橋反応を呈し、架橋反応によって透明基板、及び裏面材のいずれとも接着が生じない。 - 特許庁

The alkoxysilane compound forms a strong bond by the dealcoholizing condensation reaction or so-called sol-gel reaction on the surface of a substrate composed of an inorganic material.例文帳に追加

アルコキシシラン化合物は、無機系の材料からなる基材表面と脱アルコールによる縮合反応、所謂ゾルゲル反応を起こして強固な結合を形成する。 - 特許庁

In such a case, the substrate is located on a chuck within a reaction chamber, and fluorocarbon gas is led into the reaction chamber under influences of a first plasma source and a second plasma source.例文帳に追加

この場合、基板を反応チャンバ内のチャック上に配置し、第１のプラズマ源及び第２のプラズマ源の影響下でフルオロカーボンガスを反応チャンバ内に導入する。 - 特許庁

Also, a reaction chamber for treating a substrate, by bringing a reaction gas into contact with the electrical heating element unit 28 for decomposition, is suitably divided to form a plurality of regions 23-27.例文帳に追加

また、発熱体ユニット２８に反応ガスを接触させ分解して基板を処理する反応室を適宜分割して複数の領域２３〜２７を形成する。 - 特許庁

This method for promoting decomposition of a hydrophobic substrate comprises using the reaction promoter together with a reaction mediator under action of oxidase and decomposing preferentially a colored substance lignin.例文帳に追加

この反応促進剤を酸化酵素の作用下に反応メディエータと共に用い、着色物質リグニンを優先的に分解する疎水性基質の分解促進方法。 - 特許庁

The reaction of the nitrogen ions 17 with the carbon ions 38 is increased to form a nitrided carbon film with sufficient reaction of both ions on the substrate 4.例文帳に追加

これにより、窒素イオン１７と炭素イオン３８との反応を高め、基板４上に双方のイオンが十分に反応した窒化炭素膜を形成することができる。 - 特許庁

A silicon substrate (Sub) formed with carbon nanotube is mounted on a susceptor 110 having a micro heater in a reaction tank 100 and the reaction tank 100 is filled with supercritical CO_2 of 100°C.例文帳に追加

反応槽１００内のマイクロヒータを有するサセプタ１１０にカーボンナノチューブを形成したシリコン基板を載置し、反応槽１００内を１００℃の超臨界ＣＯ_2で満たした。 - 特許庁

A substrate 6 is immersed in a source liquid L in a reaction chamber 4, and source gas G is supplied to the reaction chamber 4 to allow the source liquid L to react with the source gas G to grow a crystal 7 of a compound by the reaction of the source liquid L and the source gas G on the substrate 6.例文帳に追加

反応容器４内の原料液Ｌ中に基板６を浸漬し、反応容器４に原料ガスＧを供給することにより原料液Ｌと原料ガスＧとを反応させ、反応による原料液Ｌと原料ガスＧとの化合物の結晶７を基板６上に成長させる。 - 特許庁

Parasitic deposits are controlled in a deposition system (100) for depositing a film on a substrate (20), the deposition system of the type defining a reaction chamber for receiving the substrate and including a process gas (P) in the reaction chamber and an interior surface contiguous with the reaction chamber.例文帳に追加

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。 - 特許庁