「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid raw material is gasified by a vaporizer 13 so as to be fed into a reaction chamber 24, and a substrate W is treated.例文帳に追加

液体原料は気化器１３で気化して反応室２４内に供給して基板Ｗを処理する。 - 特許庁

Inside the reaction tube 1 for treating a substrate, the insert tube 2 to insert various types of sensors is arranged.例文帳に追加

基板を処理する反応管１の内部には、各種センサを挿入するための挿入管２が配管されている。 - 特許庁

A substrate 1 to be treated is set on a stage 2 in a reaction chamber 3 and the stage 2 is rotated at a prescribed rotating speed.例文帳に追加

被処理基板１は反応室３内のステージ２にセットされ、ステージ２は所定の回転数で回転される。 - 特許庁

Thereby, XeF_2 is absorbed onto the Si substrate and an chemical reaction is caused, so that SiF_4 and Xe are produced.例文帳に追加

これにより、Ｓｉ基板にＸｅＦ_2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ_4及びＸｅが生成される。 - 特許庁

The substrate processing system comprises a reaction tube 23 for processing a wafer W, and a boat 20 for holding the wafer W.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する反応管２３と、ウェーハＷを保持するボート２０を備える。 - 特許庁

The susceptor 3 holds a substrate 15 as a treatment subject treated by reaction gas, and can rotate.例文帳に追加

サセプタ３は反応ガスにより処理される処理対象物としての基板１５を保持し、回転可能になっている。 - 特許庁

A semiconductor substrate is held in a reaction chamber for evacuation into vacuum and heating.例文帳に追加

真空排気された反応チャンバ内で半導体基板を保持しかつ加熱する半導体基板保持装置が与えられる。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

A treated substrate 9 is conveyed along a conveyance path 3 by conveyance means 2 and carried in a reaction chamber 10.例文帳に追加

搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。 - 特許庁

To make the density of a plasma in a reaction chamber uniform, as well as the thickness of a film formed on a substrate to be uniform.例文帳に追加

反応室内のプラズマ密度の均一化を図り、基板上に形成する膜厚の均一化を実現する。 - 特許庁

METHOD OF IDENTIFYING POSITIONAL INFORMATION OR THE LIKE IN REACTION REGION BLOCK, AND METHOD RELATED TO SUBSTRATE FOR BIOASSAY USING THE SAME例文帳に追加

反応領域ブロックの位置情報等識別方法と該方法を用いたバイオアッセイ用基板に係わる方法。 - 特許庁

To provide a method for highly selectively, efficiently and safely advancing the fluorination reaction of a desired substrate.例文帳に追加

所望する基質のフッ素化反応を高選択的、効率的、かつ安全に進行させる方法を提供する。 - 特許庁

An oxynitride film 30 is formed through the reaction at the surface of a silicon substrate with active oxygen species and active nitrogen species.例文帳に追加

酸窒化膜はシリコン基板表面と酸素の活性種および窒素の活性種との反応で形成される。 - 特許庁

Consequently, the reaction state between the surface of a sample substrate W and ions impinging thereon can be varied.例文帳に追加

従って試料基板Ｗの表面と、これに入射するイオンとの反応状態を変化させることができる。 - 特許庁

A feedstock containing an aromatic substrate and a 2-4C alkylating agent is supplied to an inlet side of the reaction zone.例文帳に追加

芳香族基質とＣ_2〜Ｃ_4アルキル化剤とを含む供給原料を反応区域の入口側に供給する。 - 特許庁

NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR, SUBSTRATE USED FOR NUCLEIC ACID AMPLIFICATION REACTOR AND REACTION METHOD FOR AMPLIFYING NUCLEIC ACID例文帳に追加

核酸増幅反応装置、当該核酸増幅反応装置に用いる基板、及び核酸増幅反応方法 - 特許庁

A second embodiment comprises the reaction chamber, the carrier gas, a precursor target, a laser beam and the collection substrate.例文帳に追加

本発明の第二実施形態は、反応チャンバ、キャリアガス、前駆体標的、レーザービームおよび収集基材からなる。 - 特許庁

A surface denaturation layer 20 and reaction layer 31 is disposed, between the GaN substrate 1 and n electrode 10.例文帳に追加

ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、表面変性層２０および反応層３１が設けられる。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EPITAXIALLY DEPOSITING ATOM OR MOLECULE FROM REACTION GAS ONTO DEPOSITION SURFACE OF SUBSTRATE例文帳に追加

基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法及び装置 - 特許庁

A treatment chamber 16a is provided with substrate treatment bases 44a and 44b in the same space of a reaction chamber 50.例文帳に追加

処理室１６ａは、反応室５０の同一空間内に基板処理台４４ａ，４４ｂが設けられている。 - 特許庁

A treated substrate 42 is transferred to the chemical liquid vessel 3 from the reaction vessel 4 together with the jig 34.例文帳に追加

処理が施された後の基板４２は、治具３４とともに反応槽４から薬液槽３に搬送される。 - 特許庁

The film deposition method includes a heating step of heating a substrate at the predetermined temperature of substantially 200°C, and a reaction step of performing the film deposition by exposing the surface of the substrate to the alternate surface reaction of a reactive object such as TMA in vacuum while maintaining the surface of the substrate at the predetermined temperature, and growing a thin film on the substrate.例文帳に追加

成膜方法では、基板を所定の温度である略２００℃に加熱する加熱工程と、基板の表面を当該所定の温度に維持しながら真空中でＴＭＡ等の反応物の交互表面反応に曝して基板上に薄膜を成長させて成膜する反応工程とを行う。 - 特許庁

A stage wherein a reaction liquid at least comprising ferrous ions is brought into contact with a substrate 4; a stage wherein the reaction liquid is removed from the substrate; a stage wherein an oxidation liquid is brought into contact with the substrate; and a stage wherein the oxidation liquid is removed from the substrate are repeated to obtain the ferrite film as the aggregate of homogeneous columnar crystals 10.例文帳に追加

少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体４に接触させる工程、反応液を基体から除去する工程、酸化液を基体に接触させる工程、酸化液を基体から除去する工程を繰り返すことにより、均質な柱状結晶１０の集合体であるフェライト膜１３が得られる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a nearly cylindrical reaction tube 203 wherein a processing chamber 201 is provided inside to process a substrate while holding a plurality of substrates by a substrate holding jig so that they may be vertical to the processing face of the substrate, and a nearly cylindrical heater that is provided surrounding the outer periphery of the reaction tube 203.例文帳に追加

基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室２０１を内部に有する略筒状の反応管２０３と、該反応管２０３の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

To provide a nucleic acid analysis device in which the size of a reaction substrate for carrying out a base elongation reaction at one molecule unit is minimized without being influenced by the size of object lens, when the object lens is disposed as closely as to the reaction substrate and a base elongation reaction of one molecule unit is fluorescently observed, the observation accuracy is improved.例文帳に追加

一分子単位で塩基伸長反応を行う反応基板の寸法を、対物レンズ寸法の影響を受けることなく最小化でき、しかも対物レンズを、反応基板に極力接近配置して、一分子単位の塩基伸長反応を蛍光観察する場合に観察精度を高める核酸分析デバイスを提供する。 - 特許庁

The reaction vessel of minute volume, in which temperature in a plurality of reaction regions contained in one reaction vessel is controlled, is equipped with reaction regions not less than 3 series paralleled on the same plane of a substrate and with temperature controlling means arranged at every series of the reaction regions and the above series are equipped with two or more reaction regions.例文帳に追加

１の反応容器に含まれる複数の反応領域の温度を制御する微小量反応容器であって、基体の同一平面上に並列する３系列以上の反応領域と、この反応領域の各系列毎配置された温度制御手段とを具備し、且つ前記系列が２以上の反応領域を具備することを特徴とする微小量反応容器。 - 特許庁

Further, the substrate cooling mechanism for cooling the substrate in the reaction chamber is included, due to which the force cooling of the substrate after the film deposition is made possible and the additional reduction of the thermal load exerted on the substrate is made possible.例文帳に追加

更に、反応室内の基板を冷却する基板冷却機構を備えることで、成膜後において基板の強制冷却が可能となり、これにより基板に加わる熱的負荷の更なる低減を図れるようになる。 - 特許庁

To provide a method for forming a deposition film, which can form a reaction film in a satisfactory bottom-coverage rate even on a substrate with a groove of a high aspect ratio and a hole and even on a substrate with a low heat-resistance such as a resin substrate, regardless of material of the substrate.例文帳に追加

アスペクト比の高い溝、及びホールを有する基板に基板の材質を問わず、例えば樹脂基板のような耐熱性の低い基板にボトムカバレッジ率よく反応膜を成膜できる堆積膜形成法を提供すること。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device comprises a reaction tube including a plurality of gas introduction sections and a plurality of gas reaction sections located below the plurality of gas introduction sections, and a susceptor which has a surface exposed to the interior of the gas reaction section of the reaction tube and mounting and fixing a substrate on the surface.例文帳に追加

実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。 - 特許庁

The reaction chamber 14 in a vacuum tank 10 is made smaller than an evacuation chamber 16 and, when a membrane is grown, a substrate stage 13 is moved toward the reaction chamber 14 and raw material gas is introduced into the reaction chamber 14 in such a state that the exhaustion conductance of the reaction chamber 14 is made small.例文帳に追加

真空槽１０内の反応室１４を退避室１６よりも小さくし、薄膜を成長させる際には、基板ステージ１３を反応室１４側に移動させ、反応室１４の排気コンダクタンスを小さくした状態で、反応室１４内に原料ガスを導入する。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device comprises a reaction tube including a gas introduction section and a gas reaction section provided so as to be continuous to the gas introduction section, and a susceptor which exposes the surface to the interior of the gas reaction section of the reaction tube and mounts and fixes a substrate on the surface.例文帳に追加

実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。 - 特許庁

To provide a technique capable of performing a superior process by preventing a plurality of reaction gases from being mixed with one another on a substrate when forming a thin film by mounting the substrate on a rotary table to rotate the substrate, and sequentially supplying the plurality of reaction gases reacting with one another to laminate multiple layers of reaction products.例文帳に追加

回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

The plasma CVD device to form a thin film on a substrate 2 comprises a reaction vessel 1, a grounding electrode 3 which is provided inside the reaction vessel 1 and provided with the substrate 2 thereon, and a counter electrode 4 which is provided inside the reaction vessel 1 and arranged opposite to the substrate 2, and a surface 4a of the counter electrode 4 is mirror finished.例文帳に追加

基板２上に薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置であって、反応容器１と、反応容器１の内部に設けられ基板２が配置される接地電極３と、反応容器１の内部に設けられ基板２と対向するように配置された対向電極４とを備え、対向電極４の表面４ａは、鏡面仕上げにされている。 - 特許庁

A reactor assembly 70 includes: the reaction chamber 2 containing a porous metal substrate; two membrane assemblies; a fuel supply line 207; a reaction fuel supply line 205; a tail gas supply line 209; and a reaction product line 210.例文帳に追加

反応器アセンブリ７０は、多孔性金属支持体を含む反応室２、二つの膜アセンブリ、燃料供給ライン２０７、反応燃料供給ライン２０５、排ガス供給ライン２０９、及び反応生成物ライン２１０を具える。 - 特許庁

A substrate holder 30 having one face 31 with a groove 32 being formed in the one face 31 is arranged in a reaction chamber 11 for heating a substrate 40, and the substrate 40 is arranged in the groove 32.例文帳に追加

基板４０を加熱処理するための反応室１１に、一面３１を有すると共に一面３１に溝３２が設けられた基板ホルダ３０を配置し、溝３２に基板４０を配置する。 - 特許庁

To provide a substrate processing system and a dark room for substrate processing by which photochemical reaction during processing of a substrate can be sufficiently prevented without complicating a constitution, control, and manufacturing processes.例文帳に追加

構成、制御および製造工程を複雑化することなく、基板の処理時における光化学反応を十分に防止することができる基板処理システムおよび基板処理用暗室を提供する。 - 特許庁

The atmospheric pressure of a substrate 10 is set higher than 200 Pa and lower than atmospheric pressure in the case of charging the substrate 10 supported by a substrate holding implement 8 in a reaction furnace 5, and an inner temperature in the furnace is set to 300°C or lower.例文帳に追加

基板保持具８により支持した基板１０を反応炉５に装入する際の、基板の雰囲気圧力を２００Ｐａ以上大気圧未満とすると共に、炉内温度を３００℃以下とする。 - 特許庁

The substrate processor has a reaction chamber 10 for processing a substrate 41, process-gas feeding means 11, 12, 13 for feeding a process gas into the reaction chamber 10, and heat sources 20 for activating the process gas to generate active species in it.例文帳に追加

基板４１に処理を施す反応室１０と、反応室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生成するための熱源２０とを備える。 - 特許庁

A rotating electrode 18 is confronted with a substrate, and, while plasma is generated on the space therebetween, this plasma is fed with reaction gas to cause chemical reaction, by which a thin film is formed on the substrate.例文帳に追加

回転する電極１８を基板１４に対向させて両者間にプラズマを発生させながら、このプラズマに反応ガスを供給して化学反応を起こさせることにより基板１４上に薄膜を形成する薄膜形成装置。 - 特許庁

Before introducing the raw material gas into the reaction vessel after carrying, the substrate carrying the catalyst particles is heated for a prescribed time in the reaction vessel, and thereby the catalyst particles on the substrate are developed to increase the catalyst particle size.例文帳に追加

担持後であって原料ガスを反応容器内に導入させる前に、触媒粒子を担持した基板を反応容器内において所定時間加熱させて基体上の触媒粒子を成長させて触媒粒子サイズを増加させる。 - 特許庁

A roll-shape long substrate 1 prepared by winding a long substrate multiple times into a roll shape with a prescribed space between the respective rolled parts is immersed in a reaction solution 6 for inorganic film formation in a reaction tank 5, to deposit an inorganic film on a surface of the long substrate.例文帳に追加

長尺基板を各巻部同士の間に所定の間隔を設けた状態でロール状に複数回巻回してなるロール状長尺基板１を、反応槽５内の無機薄膜形成用反応液６に浸漬して長尺基板表面に無機薄膜を析出させる。 - 特許庁

The device for producing a semiconductor comprises a reaction tube 31, a susceptor 11 for supporting a substrate disposed in the reaction tube, an adapter 35 for supporting the susceptor 11 and moving it up and down, and a substrate carrying robot having a susceptor replacing tweezer 28 for transferring the substrate onto the susceptor 11.例文帳に追加

半導体製造装置は、反応管３１と、反応管内に設けられ基板を支持するサセプタ１１と、サセプタ１１を支持し且つ上下動させるアダプタ３５と、基板をサセプタ１１上に移載するサセプタ交換用ツィーザ２８を有する基板搬送ロボットとを備える。 - 特許庁

In a microbial fuel cell, a substrate tank 12 where a substrate to be decomposed by an anaerobic microorganism is stored and a reaction tank 14 to store a medium for the anaerobic microorganism are separated by a negative electrode 16, and the anaerobic microorganism which releases electron by decomposing the substrate is supported at a reaction tank side of the negative electrode 16.例文帳に追加

嫌気性微生物により分解される基質が収容される基質槽１２と、嫌気性微生物の培地を収容する反応槽１４とが、陰極１６により分離され、基質を分解して電子を放出する嫌気性微生物が陰極１６の反応槽１４側に担持されている。 - 特許庁

When the enzyme activity is exalted in the enzyme reaction liquid, an enzyme suspension, or an organism, the substrate concentration is set to a concentration approximately equal to, or higher than, a substrate concentration (optimum substrate concentration) required for realizing a maximum rate (Vmax) of the enzyme reaction, and then the liquid, the suspension, or the organism is irradiated with the magnetic field.例文帳に追加

酵素反応液、酵素懸濁液又は生体内の酵素活性を亢進させる場合、基質濃度を、その酵素の最大反応速度（Ｖｍａｘ）に必要な基質濃度（至適基質濃度）の前後、又は、それ以上の濃度に設定し、磁界を照射する。 - 特許庁