「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目)

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reaction substrateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1714件

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例文

First, raw gases of three components are introduced in a reaction layer 1 to cause a CuInS2 thin film to phase-grow on a substrate 4, in such a state that the temperature of the substrate 4 is held at a temperature of 440°C.例文帳に追加

先ず、反応層１内に３成分の原料ガスを導入して、基板４の温度を４４０℃に保持した状態で、ＣｕＩｎＳ_2 薄膜を気相成長させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing device capable of suppressing chemical reaction of a by-product produced in substrate processing as it comes into contact with water remaining in a load lock chamber.例文帳に追加

基板処理時に生成する副生成物がロードロック室に残留する水分と接触し化学反応することを抑制することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The reaction at the surface of the silicon substrate with the active oxygen and nitrogen species is caused by simultaneously emitting the active oxygen and nitrogen species upon the surface of the substrate.例文帳に追加

ここで、シリコン基板表面に酸素の活性種と窒素の活性種とを同時に照射し、シリコン基板表面と上記酸素および窒素の活性種とを反応させる。 - 特許庁

The SOFC is comprised by arranging a single cell component comprised by inscribing a porous metal substrate A in the electrode reaction parts in an insertion hole of the porous metal substrate B.例文帳に追加

電極反応部に多孔質金属基体Ａを内接して成る単セル構成部位を多孔質金属基体Ｂの挿入孔に配設して成るＳＯＦＣである。 - 特許庁

例文

Thus, the organic matter such as a resist sticking to the surface of the substrate W is removed by an oxidation/decomposition reaction of the ozone water sticking to the surface of the substrate W.例文帳に追加

このようにして付着したオゾン水の酸化分解反応により、基板Ｗの表面に付着していたレジスト等の有機物が除去されることとなる。 - 特許庁

例文

The organic precursor serves as a catalyst for a reaction of itself with the inorganic precursor and the substrate to form a dielectric layer on the substrate.例文帳に追加

有機前駆物質は、基板上に誘電体層を形成するために、自分自身と、無機前駆物質および基板との間の反応に対して、触媒としての働きをする。 - 特許庁

Fluorine radicals are supplied onto the surface of the substrate to be treated, and the surface of the substrate to be treated is treated by reaction of the fluorine radicals and hydrogen radicals.例文帳に追加

被処理基板表面にフッ素ラジカルを供給すると共に水素ラジカルを供給し、フッ素ラジカルと水素ラジカルとの反応により、被処理基板表面を処理する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus is provided with a reaction tube 30 to form a substrate processing region to process a wafer W, a furnace flange 4 to support the reaction tube 30, a gas supply pipe 7 provided to the furnace flange 4 to supply the gas to the reaction tube 30, and a plasma generating means 32 to generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管４内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成するプラズマ生成手段３２とを備える。 - 特許庁

To provide a method for hydrolyzing a substrate using hydrolase, with which the active state of hydrolase is retained from the start point to the end point of hydrolysis reaction between the substrate and the hydrolase by effectively using the activation function of the hydrolase in water formed by electrolysis and the hydrolysis reaction is promoted without using a buffer solution in a reaction system.例文帳に追加

電解生成水の加水分解酵素の活性化機能を有効に利用して、基質と加水分解酵素との加水分解反応の開始時点から終了時点までの間、加水分解酵素の活性状態を保持して、反応系に緩衝液を使用することなく、加水分解反応を促進すること。 - 特許庁

例文

The deposition film forming apparatus is configured such that, when a substrate holder with a substrate held thereon is set inside a reaction vessel, a conductive rod is moved or extends to come into contact with a valve element of a gate valve of the reaction vessel with a lateral surface thereof, thereby establishing an electrical connection between the conductive rod and the reaction vessel.例文帳に追加

基体が装着された基体ホルダが反応容器内に設置されると、導電性棒状体が移動または伸張して、導電性棒状体の側面が反応容器のゲート弁の弁体に接触し、導電性棒状体が反応容器と電気的に接続されることを特徴とする堆積膜形成装置。 - 特許庁

例文

The substrate treatment device is provided with a reaction tube 30 forming a substrate area for treating a wafer W, a furnace inlet flange 4 holding the reaction tube 30, a gas supply tube 7 that is provided at the furnace inlet flange 4 to supply gas into the reaction tube 30, and a plasma generating means 32 to generate plasma.例文帳に追加

The apparatus for vacuum treating a substrate, which arranges the substrate in a reaction vessel capable of being vacuum airtight provided with an air exhausting means and a gas supplying means, and decomposes introduced gas in the reaction vessel into plasma, is characterized by arranging heating means so as to make the inner wall temperature in the reaction vessel uneven.例文帳に追加

排気手段とガス供給手段を備えた真空気密可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器中に導入したガスを分解してプラズマを形成し、該基体を処理する真空処理装置において、該反応容器内壁の温度を不均一にする加熱手段を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is provided with a reaction chamber 5 processing a substrate 22, a gas supply port 9 for supplying gas to the reaction chamber, a susceptor 14 for supporting the substrate in the reaction chamber, an exhaust port 17 installed at the outer periphery of the base of the susceptor and an exhaust port plate 23 fitted to the exhaust port, having a prescribed interval (d) with the susceptor.例文帳に追加

基板２２を処理する反応室５と、該反応室にガスを供給するガス供給口９と、前記反応室で前記基板を支持するサセプタ１４と、該サセプタの基部外周に設けた排気口１７と、前記サセプタと所定の隙間ｄを以て前記排気口に取付けた排気口プレート２３とを有する。 - 特許庁

Substrate treatment equipment is provided with a reaction tube 30 which forms a substrate treatment region for treating a wafer W, the furnace throat flange 4 which supports the reaction tube 30, a gas supply line 7 which is arranged in the furnace throat flange 4 and supplies gas inside the reaction tube 30, and an electrode 32a and a ground electrode 32b which generate plasma.例文帳に追加

基板処理装置は、ウェーハＷを処理する基板処理領域を形成する反応管３０と、反応管３０を支持する炉口フランジ４と、炉口フランジ４に設けられて反応管３０内にガスを供給するガス供給管７と、プラズマを生成する電極３２ａとアース電極３２ｂとを備える。 - 特許庁

The etching equipment 20 is provided with: a reaction chamber 10 having an exhaust vent 9; a table 2 which is installed in the reaction chamber and on which a silicon substrate 1 is mounted; a rotatingly driving part 8 for rotating the table; and gas supply piping having a nozzle 3 which supplies gas to the silicon substrate in the reaction chamber.例文帳に追加

エッチング装置２０は、排気口９を有する反応室１０と、前記反応室の内部に設けられ、シリコン基板１を載置するテーブル２と、前記テーブルを回転させる回転駆動部８と、前記反応室の内部で前記シリコン基板上にガスを供給するノズル３を有するガス供給配管とを備える。 - 特許庁

The method includes immersing a substrate having a miscut surface into a reaction solution containing a precursor compound for a perovskite-type ferroelectric and water, and implementing a hydrothermal reaction in the reaction solution at a temperature lower than the phase transition temperature of the perovskite-type ferroelectric, thereby a perovskite-type ferroelectric layer is formed on the miscut surface of the substrate.例文帳に追加

ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。 - 特許庁

In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 - 特許庁

The singly coiled coil-shaped carbon fiber 10 is produced by using particles of ironic metal stuck to a ceramic substrate obtained by rubbing the ironic metal on the ceramic substrate as a catalyst, arranging the catalyst in a reaction vessel, feeding a raw material gas forming carbon by being thermally decomposed, and a gas for accelerating the reaction to the reaction vessel, and heating the reaction vessel to carry out the thermal decomposition.例文帳に追加

この一重巻きのコイル状炭素繊維１０は、鉄系金属をセラミック基板に摺り付けて鉄系金属の粒子をセラミック基板上に密着させたものを触媒として用い、該触媒を反応容器中に配置し、同反応容器中に熱分解して炭素を生成する原料ガス及び反応促進用ガスを供給し、加熱して熱分解反応を行うことにより得られる。 - 特許庁

An MOCVD apparatus 10 includes a chamber 11; a reaction pipe 12 where a processing space 50 is located with a substrate 14 positioned, and which is located in the chamber 11; and a pyrometer 25 which is located outside the reaction pipe 12, and observes the inside of the reaction pipe 12.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置１０は、チャンバ１１と、基板１４が設置される処理空間５０を規定し、チャンバ１１内に配置される反応管１２と、反応管１２の外側に設けられ、反応管１２内を観測するパイロメータ２５とを備える。 - 特許庁

The device is provided with an upstream reaction tube introducing material gas; and a center reaction tube which makes material gas introduced from the upstream reaction tube react with the substrate held toward an inner part, and which ejects reacted materials gas.例文帳に追加

原料ガスを導入する上流部反応管と、上流部反応管から導入された原料ガスとその内部に向かって保持された基板とを反応させ、反応した原料ガスを排出する中央部反応管とを有している。 - 特許庁

This substrate processor is provided with a gas inlet space 3 inside a reaction chamber, reaction gas flowing in from a gas supply pipe 2 to the gas inlet space 3 is supplied from the gas distribution hole 4a of a gas distribution plate 4 to the reaction chamber and a wafer is processed.例文帳に追加

基板処理装置は、反応室内にガス導入空間３を有し、このガス導入空間３にガス供給管２から流入した反応ガスを、ガス分散板４のガス分散孔４ａから反応室に供給してウェハを処理する。 - 特許庁

This allows the probe to be adsorbed and fixed to the substrate in a natural reaction without any chemical reaction upon fixing the probe, thereby making it possible to restrict the probe from being modified with change in pH and temperature in a chemical reaction.例文帳に追加

これにより、プローブが固定化する際に、化学反応を伴うことがなくプローブを自然反応的に基板に吸着し固定することができるため、化学反応におけるｐＨや温度の変化に伴ったプローブの変性を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing device includes a load lock chamber 40 having a lid 31 and a body 32 into which a substrate to be processed is carried, a reaction chamber 40 to which the substrate is carried from the load lock chamber 30 for processing the substrate, and a buffer chamber 1 for connecting the load lock chamber 30 with the reaction chamber 40 permitting the substrate being carried to pass through inside.例文帳に追加

本発明に係る半導体製造装置は、被処理基板が搬入され、蓋３１と本体３２とを有するロードロック室４０と、ロードロック室３０から被処理基板が搬送され、該被処理基板に処理を行う反応室４０と、ロードロック室３０と反応室４０を繋ぎ、搬送中の被処理基板が内部を通るバッファー室１とを具備する。 - 特許庁

To suppress low the energy consumption of a heating means of heating a substrate when the substrate is mounted in a substrate mounting region on a table in a vacuum container, at least two kinds of reaction gas are supplied to the substrate sequentially, and this supply cycle is repeated a plurality of times to form a thin film by laminating layers of reaction products.例文帳に追加

真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置して、少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板を加熱する加熱手段の消費エネルギーを小さく抑えること。 - 特許庁

A material gas is introduced into a reaction container in which a substrate is placed, and a semiconductor material generated by the chemical reaction of the material gas is deposited on the main surface of the substrate, thereby epitaxially growing the semiconductor layer serving as the light-emitting layer section.例文帳に追加

基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

To preferentially promote only a reaction participating in the formation of a film on a substrate surface by reducing a reaction for producing fine particles without directly participating in the formation of the film in a reactional solution and suppressing the formation of the film onto a part other than the substrate surface.例文帳に追加

反応液中において、被膜形成に直接関与しない微粒子生成反応を低減し、また基材表面以外への被膜形成を抑制して、基材表面における被膜形成に関与した反応だけを優先的に促進させる。 - 特許庁

Regarding the horizontally carrying electroless copper plating process, in a treatment stage directly before a substrate is charged into an electroless copper plating liquid, as reaction promotion treatment, the substrate is treated with an alkali aqueous solution of formalin, and a roll with grooves is used as a carrier roll after the reaction promotion treatment.例文帳に追加

水平搬送無電解銅めっき工程において、無電解銅めっき液に入る直前の処理工程で、反応促進処理として、ホルマリンのアルカリ水溶液で基板を処理し、反応促進処理後の搬送ロールに用いる溝付ロール。 - 特許庁

Alternatively, a method for etching a substrate in a chemical reaction can be used as a method to thin or eliminate the substrate, thus forming a stopper layer by the use of a material having resistance characteristics for an etchant used when etching is performed by the chemical reaction.例文帳に追加

または、基板の薄膜化または基板の除去の方法として、基板を化学反応によりエッチングする方法を用い、化学反応によるエッチングを行う際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料によりストッパー層を形成する。 - 特許庁

As to a thin film forming device, a rotating electrode 18 is confronted with a substrate, and, while plasma is generated between both, this plasma is fed with reaction gas to cause chemical reaction, by which a thin film is formed on the substrate.例文帳に追加

回転する電極１８を基板１４に対向させて両者間にプラズマを発生させながら、このプラズマに反応ガスを供給して化学反応を起こさせることにより基板１４上に薄膜２３を形成する薄膜形成装置。 - 特許庁

According to the plasma processing apparatus, a process gas is taken in from a suction port 28 formed in an electrode 20, so that the adherence of the reaction product from the reaction between a radical and a substrate 16 to the surface of the substrate 16 can be suppressed.例文帳に追加

このプラズマプロセス装置によれば、電極２０に形成された吸引口２８から、プロセスガスを吸い込むので、ラジカルと基板１６の表面との反応で生成した反応生成物が基板１６の表面に付着することを抑制できる。 - 特許庁

To provide a catalyst for a hydrogenolysis reaction which has high activity even to a substrate composed of an organic compound of an intricate or bulky structure, is free of a side reaction and has high selectivity, and to provide a hydrogenolysis method for the substrate using the same.例文帳に追加

複雑な或いは嵩高い構造の有機化合物からなる基質に対しても高活性で且つ副反応が無く選択性の高い水素化分解反応用触媒、およびそれを使用する該基質の水素化分解方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the fine pore structural body has a process for preparing a reaction solution containing a metallic compound and the surfactant, a process for applying the reaction solution on a substrate and a process for holding the substrate in an atmosphere containing steam.例文帳に追加

金属化合物と界面活性剤を含有する反応溶液を用意する工程、該反応溶液を基板上に塗布する工程及び該基板を水蒸気を含む雰囲気中に保持する工程を有する細孔構造体の製造方法。 - 特許庁

A second interlayer insulating film and first wiring, or a second wiring layer and a hard mask are formed on the surface of a silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is conveyed to a reaction chamber S, and N_2 gas excited by microwaves is introduced to the reaction chamber S.例文帳に追加

第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。 - 特許庁

A substrate on which a catalyst layer has been formed is set in a reaction vessel, the atmosphere in the reaction vessel is set to be a depressurized atmosphere including a carbon-containing gas having a partial pressure of 10 Pa or less, and the substrate is heated to grow carbon fibers on the catalyst layer.例文帳に追加

触媒層を形成した基板を反応容器内に配置し、該反応容器内の雰囲気を、分圧が１０Ｐａ以下の炭素含有ガスを含む減圧雰囲気として上記基板を加熱し、触媒層上にカーボンファイバーを成長させる。 - 特許庁

A recessed part 56a is formed to a first substrate 54 and closed by joining the first substrate 54 to a second substrate 55 to form a reaction vessel body 50 having a chamber 56 as an internal space.例文帳に追加

第一基板５４には凹部５６ａが形成され、第一基板５４を第二基板５５に接合することによって凹部５６ａが蓋されて、内部空間としてのチャンバー５６を有した反応容器本体５０が形成される。 - 特許庁

The separator for fuel cell is equipped with a substrate 21, a reaction gas flow path 23 provided on one surface of the substrate 21, and a cooling flow path 24 that is provided on an opposite surface to the one surface of the substrate 21.例文帳に追加

燃料電池用セパレータは、基板２１と、基板２１の一方の面に設けられた反応ガス流路２３と、基板２１の一方の面と反対の面に設けられた冷却用流路２４とを備えている。 - 特許庁

A diamond substrate 5-11 is prepared, and a diamond thin film 5-12 is laminated by 1 μm on the diamond substrate 5-11 at a substrate temperature of 700 °C by using a microwave plasma CVD device and by using methane as reaction gas.例文帳に追加

ダイヤモンド基板５−１１を用意し、そのダイヤモンド基板５−１１上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとして基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜５−１２を１μｍ積層する。 - 特許庁

To provide a setter for firing a dielectric substrate in which adhesion and reaction are not caused at the contact part of the dielectric substrate with the setter in firing, not resulting in the increase of the cost of the dielectric substrate.例文帳に追加

誘電体成形体の焼成においてセッターとの接触部で接着や、反応の発生がなく、誘電体基板のコストアップとならない誘電体基板焼成用セッター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A microarray cartridge is provided with a solid phase substrate for the array and a cover plate facing the substrate and slidably installed, and has a reaction chamber formed from the substrate and the cover plate.例文帳に追加

ならびに、アレイ用固相基板と、該基板に対向し且つスライド可能な様に設置されたカバープレートとを備え、更に前記基板と前記カバープレートが反応チャンバーを形成することを特徴とする、マイクロアレイカートリッジ。 - 特許庁

The method for analyzing the enzyme reaction using the polyhydroxy compound as the substrate comprises injecting each of the enzyme using the polyhydroxy compound dissolved in a biochemically usable buffer as the substrate, and the substrate for the enzyme into a capillary, and carrying out the enzyme reaction and the separation of the reaction product by the capillary electrophoresis using a buffer forming a complex with the polyhydroxy group.例文帳に追加

生化学的に使用し得る緩衝液に溶解したポリヒドロキシ化合物を基質とする酵素と該酵素の基質をそれぞれキャピラリーに注入し、ポリヒドロキシル基と錯体を形成し得る緩衝液を用いたキャピラリー電気泳動により該酵素反応と、反応生成物の分離を行うことを特徴とする、ポリヒドロキシ化合物を基質とする酵素反応解析方法。 - 特許庁

A gas introduction hole 12 is formed at the target 6, and a reaction gas is fed from the gas introduction hole 12 toward the substrate S to be processed.例文帳に追加