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「region」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索
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例文

In the boundary region to the n-type layer 12, the p-type region 13 includes a low impurity region 13A having a conductivity type closer to p-type than a high impurity region 13B in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

p型領域13は、n型層12との境界領域において、境界領域に隣接するp型領域13内の領域である高不純物領域13Bよりも導電型がp型であるp型不純物の濃度の低い低不純物領域13Aを含んでいる。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばn型のチャネル形成不純物領域2の一方と他方に接続したn型のソース不純物領域3とドレイン不純物領域4、チャネル形成不純物領域2内の表面側領域に形成されたp型のゲート不純物領域6およびゲート電極9を有する。 - 特許庁

The oxide thin film transistor includes: a first oxide semiconductor layer having a first source region, a first drain region, and a first channel region between the first source region and the first drain region; and a first gate insulating layer and a first gate electrode which are sequentially stacked on the first channel region.例文帳に追加

酸化物薄膜トランジスタは、第1ソース領域、第1ドレイン領域、及びそれらの間の第1チャンネル領域を有する第1酸化物半導体層、及び第1チャンネル領域上に順次積層された第1ゲート絶縁層及び第1ゲート電極を含みうる。 - 特許庁

The impurity concentration in the embedded region 31 is made higher than those in the substrate region 11 and first drain region 12 and the extent of a depletion layer to the first drain region 12 side is restricted to the boundary between the embedded region 31 and first drain region 12 or its vicinity.例文帳に追加

埋め込み領域31の不純物濃度をサブストレート領域11及び第1のドレイン領域12よりも高くし、第1のドレイン領域12側への空乏層の広がりを埋め込み領域31と第1のドレイン領域12との境界又はこの近くに制限する。 - 特許庁

例文

A mask pattern is divided into a region 102 near a region 101 of a flare distribution calculation object and a region 103 far there from; a pattern density distribution is calculated for the region 102 by mesh division; and pattern coverage in the whole region 103 is calculated for the region 103.例文帳に追加

マスクパターンをフレア分布計算対象の領域101から近い領域102と遠い領域103とに分割し、領域102についてメッシュ分割によりパターン密度分布を算出し、領域103については領域103全体におけるパターン被覆率を算出する。 - 特許庁


例文

In the outer circumferential region of the linear part in the anode region which touches the linear part, a high concentration region and a low concentration region having the p-type impurity concentration lower than that of the high concentration region are formed to appear repeatedly when viewed along the outer line of the anode region.例文帳に追加

アノード領域のうちの前記直線部に接する直線部外周領域には、高濃度領域と、高濃度領域よりもp型不純物濃度が低い低濃度領域が、アノード領域の外周線に沿って視たときに繰り返し出現するように形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10.例文帳に追加

半導体装置1においては、SOI基板10のシリコン層13内に、N^−型のボディ領域22、P^+型のドレイン領域23a及びソース領域23b、ボディ領域22から見てソース領域23b側に配置されたN^+型のボディコンタクト領域24が形成されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device includes a channel stopper region (N-type channel stopper region 9) which is a first conductivity type, and has a higher impurity concentration than the impurity region and comes into contact with a bottom surface of the element isolation region 6 and a low-concentration diffusion region adjoining the element isolation region 6.例文帳に追加

更に、第1導電型であり、不純物領域よりも不純物濃度が高く、素子分離領域6の底面と、素子分離領域6に隣接する低濃度拡散領域の各々とに接しているチャネルストッパー領域(N型チャネルストッパー領域9)を有する。 - 特許庁

The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタ(30)は、基板(10)上に、ソース領域(1s)、チャネル領域(1c)、ドレイン領域(1d)、第1LDD領域(1sc)及び第2LDD領域(1cd)を有する半導体層(1a)と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極(2a)とを備える。 - 特許庁

例文

Each of the sense region 5, the emitter region 3, the portion of the base region 2 which adjoins the sense region 5, and the portion of the base region 2 which adjoins the emitter region 3 has a width in the second direction set up so that a sense ratio will exhibit a desirous change corresponding to a change of collector current.例文帳に追加

センス比がコレクタ電流の変化に対応して所望の変化を生じるように、第2の方向におけるセンス領域5、エミッタ領域3、センス領域5に隣接する部分のベース領域2、及びエミッタ領域3に隣接する部分のベース領域2のそれぞれの幅が設定されている。 - 特許庁

例文

The drift distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the body contact diode region 13 is set shorter than the distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the MOSFET region 14.例文帳に追加

ボディコンタクトダイオード領域13におけるn^++形ドレイン領域4とp^+形ウェル領域5との間のドリフト距離がMOSFET領域14におけるn^++形ドレイン領域4とp^+形ウェル領域5との間のドリフト距離よりも短く設定してある。 - 特許庁

The n-type base region (2) has a recombination region (21) formed between the p-type base region (3) and a collector electrode (8), and the recombination region (21) acquires minority carriers accumulated around the recombination region (21) within the n-type base region (2) and improves the recovery property of the diode.例文帳に追加

N型ベース領域(2)は、P型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、N型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

The body region (5) is provided with another semiconductor region (5b) which is jointed to the drain region (6) and is mainly composed of a semiconductor material except for SiGe and with a SiGe region (5a) which is arranged between the other semiconductor region (5b) and the source region (4) and which is mainly composed of SiGe.例文帳に追加

ボディ領域(5)は、ドレイン領域(6)に接合され、SiGe以外の半導体材料を主成分とする他半導体領域(5b)と、他半導体領域(5b)とソース領域(4)との間に介設され、SiGeを主成分とするSiGe領域(5a)とを備えている。 - 特許庁

In addition, the substrate processing apparatus 1 has a carrying region and a processing region having different required accuracy, an x-directional movement supporting apparatus 5 is provided over the carrying region and the processing region, an alignment supporting apparatus 7 is provided in the carrying region, and the processing supporting apparatus 9 is provided in the processing region.例文帳に追加

また、基板加工装置1は、要求精度が異なる搬送領域及び加工領域を有し、搬送領域及び加工領域に渡ってX方向移動支持装置5が設けられ、搬送領域にアライメント支持装置7が設けられ、加工領域に加工支持装置9が設けられる。 - 特許庁

A mask region setting section 31e sets the outside of the boundary of the reduced region as a mask region and a first foreign matter inspection section 31g inspects the mixture of foreign matters for an inspection region inside the mask region set by an inspection region setting section 31f.例文帳に追加

マスク領域設定部31eが縮小領域の境界より外側をマスク領域として設定し、検査領域設定部31fにおいて設定されたマスク領域よりも内側の検査領域について、第1異物検出部31gが異物混入の検査を行う。 - 特許庁

A logic region data distribution apparatus 115 organizes the logic region data from the logic region data forming parts 114-1 and 114-2 on each physical region of the physical page, and distributes a plurality of logic region data included in respective corresponding physical region to marking processing parts 122A and 122B.例文帳に追加

論理区域データ分配装置115は、論理区域データ生成部114−1,114−2からの論理区域データを、物理ページの物理区域ごとに編成し、マーキング処理部122A及び122Bに対し、それぞれ対応する物理区域に含まれる複数の論理区域データを分配する。 - 特許庁

The silicon semiconductor layer 13 includes an emitter region 14 in contact with an emitter electrode 20, a collector region 15 in contact with a collector electrode 21, and a center semiconductor region composed of a body region 17, a part of a buffer region 19, and a drift region 16.例文帳に追加

シリコン半導体層13は、エミッタ電極20に接しているエミッタ領域14と、コレクタ電極21に接しているコレクタ領域15と、ボディ領域17及びバッファ領域19の一部とドリフト領域16とからなる中央半導体領域とを備えている。 - 特許庁

In a blade surface region data preparation step 45, the entire-region data on the waterwheel runner blade surfaces as a whole are prepared, on the basis of the measurement region data prepared in the measurement region data preparation step and the unmeasured region data prepared in the unmeasured region data preparation step.例文帳に追加

羽根面全域データ作成工程45は、前記計測領域データ作成工程によって作成された前記計測領域データと、前記未計測領域データ作成工程によって作成された前記未計測領域データとに基づいて、水車ランナ羽根面全体の全域データを作成する。 - 特許庁

A delivering surface 13 of a delivering head 3 comprises a nozzle region 27 having nozzle openings 23 formed therein, a detection region 28 adjacent to the nozzle region 27 and having a humidity sensor 26 arranged therein, and a dummy region 29 opposed to the detection region 28 across the nozzle region 27.例文帳に追加

吐出ヘッド3の吐出面13は、ノズル開口23が形成されているノズル領域27と、ノズル領域27に隣接して湿度センサ26が配設されている検知領域28と、ノズル領域27を挟んで検知領域28と対向する領域であるダミー領域29とを有している。 - 特許庁

The second wells are formed in the first conductivity type region formed extensively over the surface layer region of the side face of the step from a region adjacent to the impurity diffusion region of a flat region between the first well and the impurity diffusion region and having an impurity concentration lower than that of the first well.例文帳に追加

第2ウェルは、第1ウェルと不純物拡散領域との間に、平坦領域の不純物拡散領域に隣接する領域からステップ部の側面の表層領域にわたって形成された第1ウェルよりも不純物濃度が低い第1導電型の領域である。 - 特許庁

When no worker is available at the desired date and time in the high order region where the customer belongs, a low order region corresponding to the customer's zip code is acquired from a low order region master table and a low order region adjacent to the acquired low order region is acquired from an adjacent region master table.例文帳に追加

顧客の属する上位地域に希望日時に対応可能な作業員がいなかった場合、顧客の郵便番号に対応する下位地域を下位地域マスタテーブルから取得し、この取得した下位地域の隣接下位地域を隣接地域マスタテーブルから取得する。 - 特許庁

The surface facing an inorganic material layer 18 of a first resin layer 16 includes a frame-shaped region 30 overlapping with a seal 28, an inside region 32 enclosed by the frame-shaped region 30 and an outside region 34 which is on the outer side of the inside region 32 and the frame-shaped region 30.例文帳に追加

第1の樹脂層16の無機材料層18を向く面は、シール28とオーバーラップする枠状領域30と、枠状領域30によって囲まれる内側領域32と、内側領域32及び枠状領域30の外側にある外側領域34と、を含む。 - 特許庁

The optical waveguide 20 has a core region 22 and a clad region 21, 23 surrounding the core region and having a lower refractive index than that of the core region, and is characterized by that both of the core region and the clad region or one of them contains hydrogen.例文帳に追加

本発明による光導波路20は、コア領域22と、コア領域を取り囲みコア領域の屈折率よりも低い屈折率を有するクラッド領域21,23とを備え、コア領域及びクラッド領域の双方または何れか一方が水素を含んでいることを特徴とする。 - 特許庁

A base region 3 consisting of a p-type region is formed in an n-type semiconductor layer 2 which is epitaxially grown on an n+-type semiconductor substrate 1 e.g. made into a collector region, and an emitter region 4 consisting of an n-type region is formed in the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域とするたとえばn^+形半導体基板1上にエピタキシャル成長されたn形半導体層2にp形領域からなるベース領域3が設けられ、そのベース領域3内にn形領域からなるエミッタ領域4が形成されている。 - 特許庁

The image processor is provided with: a reliability calculation part for calculating face region reliability showing probability that the face region is truly an image region corresponding to the image of the face based on the detection result of the face region and the detection result of the organ region for the detected face region.例文帳に追加

画像処理装置は、また、検出された顔領域について、顔領域の検出結果と器官領域の検出結果とに基づき、顔領域が真に顔の画像に対応する画像領域であることの確からしさを表す顔領域信頼度を算出する信頼度算出部と、を備える。 - 特許庁

The parallax optical part 20 has a reflective region having the reflective layer 23 formed therein, in a region facing the transmissive region of the display part 10 and has a transmissive region which has the reflective layer 23 not formed therein and is transmissive to light, in a region facing the pixel region of the display part 10.例文帳に追加

また、視差光学部20は、表示部10における透過領域の対向領域に反射層23が形成されている反射領域を有し、表示部10における画素領域の対向領域には反射層23が形成されておらず光が透過可能な透過領域を有している。 - 特許庁

Furthermore, the unnecessary region rate decision means is provided with an unnecessary region release processing means for, when a preliminarily set threshold is exceeded according to the size of the unnecessary region and the rate of the unnecessary region in the page, releasing the data belonging to the unnecessary region of the page from the position of the unnecessary region.例文帳に追加

更に、不要領域比率判断手段は、不要領域のサイズと、ページにおける不要領域の比率とに基づいて、予め設定された閾値を超えた場合には、当該ページの不要領域に属するデータを不要領域の位置から解放する不要領域解放処理手段を備える。 - 特許庁

At a source-terminating part, a sectorial region 14 which does not form the extension drain region is formed so as to surround the source region 2, in order to prevent the concentration of an electric field and further a region 15 which does not inject a p-type embedded region is formed so as to be overlapped with the sector form region 14.例文帳に追加

ソース終端部では、電界の集中を防ぐためソース領域2を取り囲むように延長ドレイン領域を形成しない扇形の領域14が、さらに、扇形の領域14と重なるようにP型埋め込み領域を注入しない領域15が形成されている。 - 特許庁

On the CD, it is preferable, for example, to set the linear velocity in the reading region is set to the same as the program region-readout region, only the track pitch is modified, the track pitch in the reading region are to the same as that in the program region-readout region with only the linear velocity being modified, respectively.例文帳に追加

このCDでは例えば、リードイン領域の線速度をプログラム領域・リードアウト領域と同じ設定にし、トラックピッチのみを変更させること、リードイン領域のトラックピッチをプログラム領域・リードアウト領域と同じ設定にし、線速度のみを変更させることが、それぞれ好ましい。 - 特許庁

A ratio of the main subject region with respect to the photographed image region is calculated for each photographed image region (step S5), and the photographed image region where the ratio of the main subject region with respect to the photographed image region is the maximum is selected (step S7).例文帳に追加

次に、撮影画像領域毎に、主要被写体領域の撮影画像領域に対する比率を算出し(ステップS5)、複数の撮影画像領域のうち、主要被写体領域の撮影画像領域に対する比率が最も大きい一の撮影画像領域を選択する(ステップS7)。 - 特許庁

On the basis of the first image and the second image, the detection of a plane region including a road candidate region by a plane region detection part 36 and the detection of an identical region including the candidate region of a road by an identical region detection part 40 are repeatedly performed by using the detection results.例文帳に追加

第1の画像及び第2の画像に基づいて、平面領域検出部36による道路候補領域を含む平面領域の検出と、同一領域検出部40による道路の候補領域を含む同一領域の検出とを、相互に検出結果を利用して繰り返し行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a source region, a channel region and a drain region layered vertically on the semiconductor substrate, and gates formed on both sidewalls at the layered source region, channel region and drain region via an gate insulating film.例文帳に追加

半導体素子は、半導体基板、前記半導体基板上に垂直に積層されたソース領域、チャンネル領域及びドレーン領域、並びに前記積層されたソース領域、チャンネル領域及びドレーン領域の両側壁にゲート絶縁膜の介在下に形成されたゲートを含む。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第1のドーピング濃度を有する第1の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第1の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第2の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

The electro-optic device 1 can select a full screen display mode that renders the entire region of a display screen A into a display region or a partial display mode that renders a part of the entire region of the display screen A into a display region while rendering the other region into a nondisplay region.例文帳に追加

電気光学装置1は、表示画面Aの全ての領域を表示領域とする全画面表示モードと、表示画面Aの全ての領域のうち一部の領域を表示領域とし、他の領域を非表示領域とする部分表示モードと、が選択可能である。 - 特許庁

Optical filters 256R and 256G are provided between a light source device and the polarization conversion device 257 so as to remove a light beam including at least one of a light beam of a wavelength region between the first wavelength region and the third wavelength region and a light beam of a wavelength region between the second wavelength region and the third wavelength region.例文帳に追加

そして、光学フィルター256R,256Gを、光源装置と偏光変換装置257の間に設け、第1波長域と第3波長域との間の波長域の光及び第2波長域と第3波長域との間の波長域の光の少なくとも一方を含む光を除去する。 - 特許庁

A face region coordinate is calculated from a face image stored in an image memory, the calculated face region coordinate is stored in a face region register while a nose line search region coordinate is calculated from the face region coordinate, which is stored in a nose line search region coordinate register (100).例文帳に追加

画像メモリに記憶されている顔画像から顔領域座標を算出し、算出した顔領域座標を顔領域レジスタに記憶すると共に、顔領域座標から鼻筋探索領域座標を算出し鼻筋探索領域座標レジスタに記憶する(100)。 - 特許庁

On an n^+ SiC substrate 5, an n^- SiC epitaxial layer 8 is formed which has a body region 12, a drift region 13 and a source region 14, and a gate trench 15 is formed which passes through the source region 14 and the body region 12 and reaches the drift region 13.例文帳に追加

n^+型のSiC基板5上に、ボディ領域12、ドリフト領域13およびソース領域14を有するn^−型のSiCエピタキシャル層8を形成し、ソース領域14およびボディ領域12を貫通し、ドリフト領域13に達するゲートトレンチ15を形成する。 - 特許庁

Thus, reinforcement work of the compression region side and the tension region side becomes easier, the reinforcement materials 2 can be surely disposed on the compression region side and on the tension region side, the tensile stress of the tension region side and the compressive stress of the compression region side are improved, and the bearing force against a load is enhanced.例文帳に追加

これにより引張領域側と圧縮領域側の補強作業が簡便となり、引張領域側と圧縮領域側に補強材2を確実に配設でき、引張領域側の引張応力と圧縮領域側の圧縮応力が向上し、荷重に対する耐力が向上する。 - 特許庁

To obtain a multilayer structure metal mask in which by putting an electroless plating layer the difference of plate thicknesses between a region inside the pattern region and a region outside the pattern region becomes smaller and the plate thickness of the region outside the pattern region becomes thicker as compared with electroplating, the strength as the metal mask entirety is raised, and the elongation at the time of printing can be decreased.例文帳に追加

無電解めっき層を入れることで、パターン領域以内とパターン領域以外とで板厚の差が小さく、パターン領域外の板厚が電気めっきに比べて厚くなりメタルマスク全体としての強度が上がり、印刷時の伸びを減少できる多層構造メタルマスクを得る。 - 特許庁

In a fixing device for an image forming apparatus, the control range of power control is divided into three regions: a large power region; a medium power region; and a small power region, wherein, frequency control is performed in the large power region, duty control is performed in the medium power region and intermittent control is performed in the small power region.例文帳に追加

本発明に係る画像形成装置の定着装置においては、電力制御の制御範囲を大電力域、中電力域、小電力息に三分割し、大電力域では周波数制御を、中電力域ではデューティ制御を、小電力域では断続制御を行う。 - 特許庁

More specifically, the structure of the bipolar transistor has an emitter region 4 formed on an N^+ type buried layer 3 in the element region, a base region 6 formed in the surface layer of the emitter region 4, and a collector region 7 formed in the surface layer of the base region 6.例文帳に追加

すなわち、そのバイポーラトランジスタを素子領域にてN^+型埋め込み層3の上に形成されたエミッタ領域4と、エミッタ領域4の表層内部に形成されたベース領域6と、ベース領域6の表層内部に形成されたコレクタ領域7とを有する構造とする。 - 特許庁

Also, the region of the image data discriminated as the face region is processed by using a first color conversion table for the face region by a first image processing part 210, and the region of the image data discriminated as any region other than the face region is processed by using a second color conversion table for any region other than the face region by a second image processing part 220.例文帳に追加

また、顔領域と判別される画像データの領域に対しては第1の画像処理部210により顔領域のための第1の色変換テーブルを用いて処理を施し、顔以外の領域と判別される画像データの領域に対しては第2の画像処理部220により顔以外の領域のための第2の色変換テーブルを用いて処理を施す。 - 特許庁

In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.例文帳に追加

半導体基板にチャネル領域、ソース領域6、ボディコンタクト領域7、オフセット領域およびドレイン領域9を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域7形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域6およびドレイン領域9形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁

The image encoding device includes: a small image display region detection section 26 for detecting a region for displaying another small image different from a region of the main image of input image data (small image display region; wipe screen); and a small image display region quantization section 34 for quantizing the detected region (small image display region; wipe screen) independently of the another region.例文帳に追加

画像符号化装置は、入力画像データの主画像とは別の小画像を表示する領域(小画像表示領域;ワイプ画面)を検出する小画像表示領域検出部26と、前記検出した領域(小画像表示領域;ワイプ画面)について、他の領域とは独立して、量子化する小画像表示領域量子化部34と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域10と、ESD保護素子領域30とからなり、第1導電型の半導体層からなるドレイン領域11と、ドレイン領域11上に形成された第1導電型半導体領域から成るドリフト領域12と、ドリフト領域12に形成された第2導電型半導体領域から成るボディ領域14,34とを備える。 - 特許庁

The light-emitting substrate 1003 comprises a picture element region 110 that has a bank region 220 and a light-emitting region 230 divided by the bank region 220, a landing accuracy testing region 210 provided other than the picture element region 110, a function layer provided in the light-emitting region 230, and a landing accuracy testing layer 226 provided in the landing accuracy testing region 210.例文帳に追加

本発明の発光用基板1003は、バンク領域220およびバンク領域220によって区画された発光領域230を有する画素領域110と、画素領域110以外に設けられた着弾精度試験用領域210と、発光領域230に設けられた機能層と、着弾精度試験用領域210に設けられた着弾精度試験用層226と、を備える。 - 特許庁

The balloon 16 includes a bonded region 58 bonded to the distal end 32 of a distal shaft 13 on the proximal end side from the proximal end side cone region 54 constituting a part of an inflation/contraction region, and a separation region 59 provided between the bonded region 58 and the base end cone region 54 to separate the bonded region 58 from the base end cone region 54.例文帳に追加

バルーン16は、膨張・収縮領域の一部を構成する基端側コーン領域54よりも基端側に、ディスタールシャフト13の先端部32に接合される接合領域58を備えているとともに、当該接合領域58と基端側コーン領域54との間には、接合領域58を基端側コーン領域54から離間させるための離間領域59を備えている。 - 特許庁

The organic EL element 1 has a luminous region 70B, a luminous region 70R, and a luminous region 70G, each of nearly a rectangular shape.例文帳に追加

有機EL表示素子1は、各々略矩形である発光領域70B、発光領域70R、及び発光領域70Gを有する。 - 特許庁

The optical fiber 1 is provided with an optical core region 10 including a center axis and an optical clad region 14 surrounding the optical core region 10.例文帳に追加

光ファイバ1は、中心軸を含む光学コア領域10と、この光学コア領域10を囲む光学クラッド領域11とを備える。 - 特許庁

例文

The drain region of the protective transistor is connected to the pad terminal and the gate electrode and source region of the transistor are connected to a power supply line by setting the electrode and region to the same potential.例文帳に追加

保護トランジスタのドレイン領域をパッド端子に接続し、ゲート電極及びソース領域を同電位にして電源ラインに接続する。 - 特許庁




  
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