「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁

The transistor comprises: a semiconductive metal oxide channel layer (51); a source region (64) and a drain region (65) provided in the semiconductive metal oxide channel layer (51); and a gate structure which is positioned between the source region (64) and the drain region (65) and on the semiconductive metal oxide channel layer (51).例文帳に追加

本発明によるトランジスタは、半導電性金属酸化物チャネル層（５１）と、半導電性金属酸化物チャネル層（５１）に提供されたソース領域（６４）およびドレイン領域（６５）と、ソース領域（６４）とドレイン領域（６５）との間、かつ半導電性金属酸化物層（５１）の上のゲート構造とを備える。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

This semiconductor device 100 includes: a first transistor 120 formed in the DRAM region 200, and including a first source/drain region 126 containing arsenic and phosphorus as impurities; and a second transistor 140 formed in the logic region 210, and including a second source/drain region 146 containing at least arsenic as an impurity.例文帳に追加

半導体装置１００は、ＤＲＡＭ領域２００に形成され、不純物としてヒ素とリンとを含む第１のソースドレイン領域１２６を含む第１のトランジスタ１２０と、ロジック領域２１０に形成され、不純物として少なくともヒ素を含む第２のソースドレイン領域１４６を含む第２のトランジスタ１４０とを含む。 - 特許庁

The rounded sections have a second width narrower than the first width, a source region of a first conductivity type is disposed at or near a top surface of the pillar, and a body region of a second conductivity type is disposed in the pillar below the source region.例文帳に追加

丸みのある領域は、第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、ピラーの最上面にまたは最上面の近くに第１の導電型のソース領域が配置されており、ピラーの中、ソース領域の下に第２の導電型のボディ領域が配置されている。 - 特許庁

In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.例文帳に追加

これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁

The light source unit is provided with a semiconductor laser light source 300 consisted of a light emitting section (active layer region) 301, a phase variable section (phase adjusting region) 302 and a wavelength variable section (DBR region) 303 and a waveguide-type QPM-SHG device 304.例文帳に追加

発光部（活性層領域）３０１と位相可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源装置である。 - 特許庁

The light source unit is provided with the semiconductor laser light source 300 which is composed of a light emitting part (active layer region) 301, a phase variable part (phase adjusting region) 302 and a wavelength variable part (DBR region) 303 and a QPM-SHG device 304 of wave guide type.例文帳に追加

発光部（活性層領域）３０１と位相可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３とにより構成される半導体レーザ光源３００と、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４とを備えた光源装置である。 - 特許庁

The source region and the drain region 15 are formed on the surface of the well so as to sandwich a channel region beneath the gate electrode while having a second conductivity type opposite to the first conductivity type wherein one of them is connected electrically with the ground potential thus constituting the source and the drain.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域１５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むようにウェルの表面に形成され、第１導電型と反対の第２導電型を有し、一方が接地電位と電気的に接続され、ソースおよびドレインを構成する。 - 特許庁

The hydrogen concentration in an undercoat contacted to a source-drain region is set to be higher than that in an undercoat contacted to a channel region, to thereby improve the hydrogen terminating effect of the source-drain region and suppress the hydrogen supply to a gate insulation film to a minimum.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域に接するアンダーコート中の水素濃度をチャネル領域に接するアンダーコート中の水素濃度よりも高くすることで、ソース・ドレイン領域の水素終端効果を向上するとともに、ゲート絶縁膜への水素供給を最小限に抑える。 - 特許庁

A first dielectric region is formed between the first source/drain region and the second source/drain region in the MOS device, and defines the boundary of a trench which extends downward into the semiconductor layer from the upper surface of the semiconductor layer to a first distance.例文帳に追加

第１の誘電領域が、ＭＯＳデバイス内に形成され、半導体層の上面から下方に第１の距離まで半導体層の中へ延在するトレンチの境界を画定し、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間に形成されている。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

A reverse bias voltage Vb which has a voltage value (0.8 to 1.0 V) between the source voltage Vs and the drain voltage Vd and turns on a diode formed by the n-type source region 8s, and a p-type body region 2 is applied to the body region 2.例文帳に追加

このときボディ領域２に対しては、ソース電圧Ｖｓとドレイン電圧Ｖｄの間の電圧値（０．８〜１．０Ｖ）を有し、Ｎ型のソース領域８ｓとＰ型のボディ領域２とにより形成されるダイオードをオンさせるバックバイアス電圧Ｖｂを印加する。 - 特許庁

The semiconductor comprises a source part and a drain part formed by using a selective epitaxial growth technique in a source region and a drain region, respectively, formed on a semiconductor substrate and a MOS transistor equipped with a channel region provided therebetween, wherein the height of the source part formed by the selective epitaxial growth from the channel region is different from that of the drain part.例文帳に追加

本発明は、半導体基板に形成されたソース領域とドレイン領域をそれぞれ選択エピタキシャル成長技術を用い成長させて形成したソース部とドレイン部とそれらの間に設けられたチャネル領域を備えたＭＯＳトランジスタを備え、前記選択エピタキシャル成長によって形成されたソース部とドレイン部の前記チャネル領域からの高さが異なることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an underlying insulation film on a glass substrate, a crystalline silicon film having a source region, a channel forming region and a drain region formed on the underlying insulation film, a gate insulation film on the crystalline silicon film, and a gate electrode on the gate insulation film wherein the gate insulation film is formed thicker on the channel forming region than on the source region and the drain region.例文帳に追加

ガラス基板上の下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上の、ソース領域、チャネル形成領域及びドレイン領域が形成された結晶性珪素膜と、前記結晶性珪素膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜は前記ソース領域及びドレイン領域上のゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

In such case, according to the change of the video image display size, a light source for backlight for illuminating a display region of the image turns on while a light source for illuminating a non-display region of the image turns off.例文帳に追加

その際，映像表示サイズの切り替えに応じて，映像の表示領域を照明するバックライト用の光源を点灯させるとともに映像の非表示領域を照明する前記光源を消灯させる。 - 特許庁

A gate oxide film 9 and a gate polysilicon film 10 are formed successively, and a sidewall 11 is used for simultaneously forming an n-source/drain region 12 and an n-well region 13, and p-source/drain regions 14 and 15.例文帳に追加

次に、ゲート酸化膜９、ゲートポリシリコン膜１０を順次形成後、サイドウォール１１を用いてｎソース／ドレイン領域１２とｎウェル領域１３、ｐソース／ドレイン領域１４と１５をそれぞれ同時に形成する。 - 特許庁

A patch 32B radiates fluorescence to the light of the light source LA that has a first spectral radiance characteristic outside the visible region and the light of the light source LB that has a second spectral radiance characteristic outside the visible region.例文帳に追加

パッチ32Bは、可視域外において第一の分光放射輝度特性を有する光源LAの光、および、可視域外において第二の分光放射輝度特性を有する光源LBの光に対して蛍光を放射する。 - 特許庁

At this time, the region exclusive of the execute effective scanning region is subjected to the exposure, i.e., print-skipping by an LED light source 2 arranged in a position offset from the optical axis of the laser beam source 1 by an arbitrary quantity in the sub-scanning direction.例文帳に追加

このとき、レーザ光源１の光軸から副走査方向に任意の量だけずらした位置に配置してあるＬＥＤ光源２によって、露光有効走査領域外が露光すなわち焼き飛ばされる。 - 特許庁

To provide a display device capable of clearly discriminating a region reacting to a light source from a region reacted to external environmental light in a display screen, and of specifying the precise position coordinate of the light source.例文帳に追加

表示画面において、外部の環境光に反応した領域と、光源に反応した領域とを明確に区別し、光源の正確な位置座標を特定することが可能な表示装置を提供する。 - 特許庁

The second transistor 5 has: a second gate electrode 22 formed on the semiconductor substrate 100 via a second gate insulating film 51; a second source-drain region 31; and the first common source-drain region 30.例文帳に追加

第２トランジスタ５は、半導体基板１００上に第２ゲート絶縁膜５１を介して形成された第２ゲート電極２２と第２ソース・ドレイン領域３１と第１共通ソース・ドレイン領域３０とを備える。 - 特許庁

The minimum value of film thickness of the part formed on a second source-drain region 22B in the liner insulating film 25 is larger than the minimum value of film thickness of the part formed on a first source-drain region 22A.例文帳に追加

ライナ絶縁膜２５における第２のソースドレイン領域２２Ｂ上に形成された部分の膜厚の最小値は、第１のソースドレイン領域２２Ａ上に形成された部分の膜厚の最小値よりも大きい。 - 特許庁

The first transistor 2 has: a first gate electrode 21 formed on a semiconductor substrate 100 via a first gate insulating film 51; a first source-drain region 31; and a first common source-drain region 30.例文帳に追加

第１トランジスタ２は、半導体基板１００上に第１ゲート絶縁膜５１を介して形成された第１ゲート電極２１と第１ソース・ドレイン領域３１と第１共通ソース・ドレイン領域３０とを備える。 - 特許庁

The conductive type impurity region, which faces a contact 16 communicated to a source line 17a, and in contact with a source side n- impurity region 6, is programmed to a p-type or n-type according to the contents of stored data.例文帳に追加

ソース側のｎ−不純物領域６と接し、ソース線１７ａにつながるコンタクト１６と面した不純物領域の導電型が、記憶データの内容に応じてｐ型またはｎ型にプログラムされる。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

A measured value of the spectral radiance in a visible region of the light source, and measured values of the spectral radiances of a plurality of samples including fluorescent materials, in a visible region of reflected light to the light of the light source are input.例文帳に追加

光源の可視域における分光放射輝度の測定値、および、蛍光物質を含む複数の試料の、光源の光に対する反射光の可視域における分光放射輝度の測定値を入力する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a silicide film is formed on a source-drain region, the silicide film penetrates through the source-drain region or an SOI layer disappears, because Si is consumed by a silicification reaction.例文帳に追加

従来のサリサイド法により、ソース・ドレイン領域上にシリサイド膜を形成すると、Ｓｉがシリサイド化反応によって消費されるため、シリサイド膜がソース・ドレイン領域を突き抜けたり、ＳＯＩ層が消失したりする。 - 特許庁

The plane pattern of each trench 3 is made to be a closed curve, a first n source region 12 surrounded by the trench 3 is made to be a straight-shaped island, a plurality of straight-shaped islands are formed, and a second n source region 14 is formed on the outside of these islands.例文帳に追加

トレンチ３の平面パターンを閉曲線とし、トレンチ３で囲まれる第１ｎソース領域１２を直線状の島にして、この島を複数個形成し、その外側に第２ｎソース領域１４を形成する。 - 特許庁

A source electrode 12 and a drain electrode 13 are formed via a silicide film 10 on the source region 7 and the drain region 8, and an insulating film 6 formed by anode oxidization is formed so that the gate electrode 5 can be covered.例文帳に追加

ソース領域７、ドレイン領域８上にシリサイド膜１０を介してソース電極１２、ドレイン電極１３が設けられ、陽極酸化による絶縁膜６がゲート電極５を覆うように設けられている。 - 特許庁

The second threshold voltage defined between the gate electrode and N-type source/drain region 5 is larger than the first threshold voltage defined between the gate electrode and the N-type source/drain region 4 in the MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおけるゲート電極とＮ型ソース・ドレイン領域５との間で規定される第２の閾値電圧は、ゲート電極とＮ型ソース・ドレイン領域４との間で規定される第１の閾値電圧よりも大きい。 - 特許庁

The lighting device includes the light source 12, and a light-transmitting and reflecting layer 16 having a light-transmitting region 17 for transmitting light and a light-reflecting region 18 for reflecting light and arranged by being opposite to the light source.例文帳に追加

照明装置は、光源１２と、光を透過する光透過領域１７と光を反射する光反射領域１８とを有し、光源に対向して設けられた透過反射層１６と、を備えている。 - 特許庁

Since each center of a lens 52b is provided so as to be deviated outward more than each light source 51b with respect to a central point 11 of an unit region 15, light distribution of each light source 51 is deviated to the outside of the unit region 15.例文帳に追加

レンズ５２ｂの各中心が、単位領域１５の中心点１１に対して、各光源５１ｂより外側にずれるように設けられるので、各光源５１の配光は単位領域１５の外側にずれる。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with: an n+ type buffer region 17; an n type drift region 16; a p type base region; a gate electrode 8; a source electrode 4; guard rings 12a and 12b; a channel stopper region 14; and a drain electrode 18.例文帳に追加

半導体装置１００は、ｎ^+型のバッファ領域１７と、ｎ型のドリフト領域１６と、ｐ型のベース領域２と、ゲート電極８と、ソース電極４と、ガードリング１２ａ、１２ｂと、チャネルストッパ領域１４と、ドレイン電極１８を備えている。 - 特許庁

This SOIMOSFET is equipped with a channel region 18 consisting of the section corresponding to the section right below the gate electrode 15 out of a top silicon layer 13, and the source region 16 and the drain region 17 consisting of the sections adjacent to this channel region 18 out of the top silicon layer 13.例文帳に追加

トップシリコン層１３のうちゲート電極１５直下に相当する部分からなるチャネル領域１８と、トップシリコン層１３のうちこのチャネル領域１８に隣接する部分からなるソース領域１６およびドレイン領域１７を備える。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

This device has a floating gate electrode 11, a drain region 4, which is used for potential control over the floating gate electrode 11 and has a diode structure, and a source region 3 which is formed sandwiching the channel region 5 with the drain region 4.例文帳に追加

浮遊ゲート電極１１と、その浮遊ゲート電極１１の電位制御に用いられ、ダイオード構造を有するドレイン領域４と、ドレイン領域４との間でチャネル領域５を挟むように形成されたソース領域３とを備えている。 - 特許庁

In the high voltage resistant p-channel MOS transistor formed on an SOI substrate, p^+-source regions 8, an n-type body region 4, and an n^+-body/contact diffusion region 10 are surrounded by a p^+-drain region 9 and a p-type drift region 5.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成される高耐圧ＰｃｈＭＯＳトランジスタであって、Ｐ^＋ソース領域８、Ｎ型ボディ領域４およびＮ^＋ボディ・コンタクト拡散領域１０を、Ｐ^＋ドレイン領域９およびＰ型ドリフト領域５で包囲している。 - 特許庁

On both end sides of gate in the lengthwise direction of a gate region 1 of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, i.e., on a source region 2 side and a drain region 3 side, a control gate 5 is installed which forms a control gate channel region 6 along with gate width direction and over full width.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート領域１のゲート長方向両端側、つまりソース領域２側とドレイン領域３側とに、ゲート幅方向に沿ってその全幅に渡る制御ゲートチャネル領域６を形成する制御ゲート５が設けられる。 - 特許庁

A high-density N-type diffusion region 104 is formed in the high-density P-type diffusion region 106, and the N-type diffusion region 104 is connected to a source or a drain region 113 or 114 above a contact 107 with the contact 107 interposed.例文帳に追加

前記高濃度Ｐ型拡散領域１０６の内方には、高濃度Ｎ型拡散領域１０４が形成され、このＮ型拡散領域１０４は、コンタクト１０７を介してその上層のソース又はドレイン領域１１３、１１４に接続される。 - 特許庁

Then, in a plane view from the side of an irradiation region Ar, the light sources 2a to 2d arranged adjacently to the strongly inclined region are arranged closer to an outer edge of the irradiation region than the light source 2e arranged adjacently to the slightly inclined region.例文帳に追加

そして、照射領域Ａｒ側から平面視すると、大傾斜領域に隣接して配置されている光源２ａ〜２ｄは、小傾斜領域に隣接して配置される光源２ｅよりも、照射領域の外縁近くに配置されている。 - 特許庁

A source region 8a and a drain region 8b of relatively high impurity concentration are formed in the semiconductor substrate 3 on an element isolation region 2 side of the silicide block film 9 and in the semiconductor substrate 3 on the LDD region 7a side, respectively.例文帳に追加

そして、そのシリサイドブロック膜９の素子分離領域２側の半導体基板３内、およびＬＤＤ領域７ａ側の半導体基板３内に、比較的高不純物濃度のソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂをそれぞれ形成する。 - 特許庁

This aperture is formed longer in the direction parallel to the propagating direction of carrier moving within the channel region of the nMOS transistor Tr for an electric connecting region (contact plug forming region) to the source/drain region 5.例文帳に追加

この開口部は、ソース／ドレイン領域５に対する電気的な接続領域（コンタクトプラグの形成領域）に対してｎＭＯＳトランジスタＴｒのチャネル領域内を移動するキャリアの伝播方向に平行な方向に対して長く形成されている。 - 特許庁

A trench reaching a first n^+-drain region 15 from the surface of a p-base region 12 is formed to a position of the p-base region close to a gate electrode 19 at a side opposite to an n^+-source region 14 across the gate electrode 19.例文帳に追加

ｐベース領域１２の、ゲート電極１９を挟んでｎ^＋ソース領域１４の反対側でゲート電極１９に近接する位置に、ｐベース領域１２の表面から第１のｎ^＋ドレイン領域１５まで達するトレンチを形成する。 - 特許庁

A source region is formed by an n^+-type substrate, a trench 2 is formed on a principal surface of the n^+-type substrate, and then a p-type base region 3, an n^--type drift region 4, and an n^+-type drain region 5 are sequentially epitaxially grown in the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１によってソース領域を構成し、ｎ^+型基板１の主表面にトレンチ２を形成したのち、トレンチ２内にｐ型ベース領域３、ｎ^-型ドリフト領域４およびｎ^+型ドレイン領域５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁