「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Distances (S1, D1) between one end of an active region and a gate electrode in the first and second transistors are almost equal between the first and second transistors in each of a source region and a drain region.例文帳に追加

そして、第１及び第２のトランジスタにおける活性領域の一端とゲート電極との間の距離（S1,D1）が、ソース領域とドレイン領域それぞれにおいて、第１及び第２のトランジスタの間でほぼ等しい。 - 特許庁

An atom for accelerating an oxidation is injected into an uppper oxide film 4 of the source region 2 and the drain region 3, and a low concentration diffusion region segregated by an impurity is formed as offset regions 2a, 3a.例文帳に追加

ソース領域２、ドレイン領域３の上部酸化膜４に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域２ａ、３ａとして形成されている。 - 特許庁

For instance, there are restrictions on drawing in selecting the region on the composite destination image, and it is necessary to correct the region on the composite destination image and the region on the composite source image according to the restrictions.例文帳に追加

例えば合成先の画像上の領域の選択には描画をする上での制約があり、その制約に応じて、合成先の画像上の領域と、合成元の画像上の領域を補正する必要がある。 - 特許庁

Therefore, when a FET, comprising the source region 12 the drain region 13 and the gate region 14, is turned off, the offset regions 16 under the second gate electrodes 17 are turned off, and channel generation is suppressed.例文帳に追加

そのため、ソース領域１２、ドレイン領域１３、及びゲート領域１４で構成されるＦＥＴのオフ状態の時に、第２のゲート電極１７下のオフセット領域１６がオフ状態になり、チャネル発生を抑制する。 - 特許庁

In particular, as for n channel MISFETs, the diode is connected such that the direction from the body region of one MISFET to the source region or drain region of an adjacent MISFET is a forward direction.例文帳に追加

そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 - 特許庁

On the gate insulating film 106, there formed: a gate electrode 108a which crosses the active pattern 104 and defines a source region 105S/drain region 105D and a channel region 105C, and an insulating interlayer film 110.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０６上には、アクティブパターン１０４を横切ってソース領域１０５Ｓ/ドレーン領域１０５Ｄとチャネル領域１０５Ｃを限定するゲート電極１０８ａと、層間絶縁膜１１０を形成する。 - 特許庁

The first light guide plate guides light projected from the second light source to a second region being a region on the display panel and closer to the edge of the display panel than the first region.例文帳に追加

第１の導光板は、前記第２の光源より照射された光を、前記表示パネル上の領域であって、前記第１の領域よりも前記表示パネルの縁に近い第２の領域に向かって導く。 - 特許庁

The thin film transistor is composed of a semiconductor layer, gate insulation film, gate electrode having conductive material-made side-walls, low-concentration N-type impurity region, source region and drain region, all formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上の半導体層、ゲート絶縁膜、導電性材料から成るサイドウォールを有するゲート電極、低濃度Ｎ型不純物領域、ソース領域及びドレイン領域から構成される薄膜トランジスタ。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁

The semiconductor device furthermore includes a source region and a drain region, wherein one of these regions is electrically coupled to the metal carrier substrate and includes a conductive region extending through the first semiconductor layer.例文帳に追加

半導体デバイスはさらに、ソース領域およびドレイン領域を含み、これらの領域のうちの一方が金属キャリア基板と電気的に接続され、第１の半導体層を介して延在する導電性領域を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, with which a bottom gate thin film transistor that has an improved S value and a channel forming region with a smaller thickness than that of a source region and a drain region can be manufactured in a simple step.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

By the provision of the microscopic cavities in the source region and the drain region formed in the oxide semiconductor film, hydrogen contained in the channel region of the oxide semiconductor film can be captured in the microscopic cavities.例文帳に追加

酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 - 特許庁

In order to prepare a local interconnector for the said source region and the said drain region through the said insulator layer, etching is executed for preparing a pattern while using an etching region.例文帳に追加

前記絶縁体層を通して前記ソース領域および前記ドレイン領域に対する局所的相互接続体を作成するために、エッチング領域を用いてパターンに作成するためのエッチングが実行される。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

An electronic mail message creation means 6 extracts the transmission source number from data 4 received by the reception section 1, refers to the transmission source information table 2 to obtain the transmission source name corresponding to the transmission source number, and creates an electronic mail message 5 including the transmission source name in the subject field of a header region and the contents of the received data in the text region.例文帳に追加

電子メールメッセージ作成手段６は、受信部１が受信したデータ４から発信元番号を抽出し、発信元情報テーブル２を参照して、該発信元番号に対応した発信元名を取得し、該発信元名をヘッダ領域のサブジェクトフィールドに含むとともに該受信したデータの内容を本文領域に含む電子メールメッセージ５を作成する。 - 特許庁

A first wirable region 20 is arranged along the second data line 18, and a first power source wire 31 is wired at the first wirable region 20.例文帳に追加

第２のデータ線１８に沿って第１の配線可能領域２０が設けられ、この第１の配線可能領域２０に第１の電源配線３１が配置される。 - 特許庁

Potential of an impurity layer for forming the channel region of the current source transistor is set independently from the potential of the impurity layer for forming the channel region of other transistor.例文帳に追加

電流源トランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定される。 - 特許庁

The thin film transistor comprises a gate electrode 202 with at least one notch, a gate dielectric layer 205, a source region 208, a drain region 210, and a channel layer 206.例文帳に追加

少なくとも１つの切欠きを有するゲート電極２０２と、ゲート絶縁層２０５と、ソース領域２０８と、ドレイン領域２１０と、チャンネル層２０６とを具えている。 - 特許庁

The photoelectric conversion apparatus further comprises a first ground pattern 201 for the constant current source region 200, and a second ground pattern 301 for the differential circuit region 300.例文帳に追加

光電変換装置は、更に、定電流源領域２００のための第１グランドパターン２０１と、差分回路領域３００のための第２グランドパターン３０１とを備える。 - 特許庁

In this image pickup device, an object 4 is irradiated by with light by a light source 2 so that a shade region is formed surrounding an object region in images to be obtained by photographing with a camera 6.例文帳に追加

光源２はカメラ６の撮像によって得られる画像上の物体領域の周囲に影領域が形成されるように物体４に光を照射する。 - 特許庁

The illumination optical system comprises a first filter 15 of reflecting ultraviolet region light and a second filter 16 of absorbing ultraviolet region light, on the light source side rather than the polarization converter 4.例文帳に追加

偏光変換素子よりも光源側には、紫外域光を反射する第１のフィルタ１５と、紫外域光を吸収する第２のフィルタ１６を有する。 - 特許庁

When a MOS type transistor is constituted in this way, the influence of a drain electric field in a channel region and a source region is reduced, and a short channel effect is suppressed.例文帳に追加

このようにＭＯＳ型トランジスタを構成すれば、チャンネル領域やソース領域におけるドレイン電界の影響を軽減させ短チャンネル効果を抑えることが可能となる。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極３の中抜き部分内のソース拡散領域３を除外した箇所に、高濃度Ｐ型のボディーコンタクト用拡散領域９を形成する。 - 特許庁

The first transistor has a source region connected to a data line, a drain region connected to a gate of the driving transistor, and the gate connected to the first scanning line.例文帳に追加

第１トランジスタはデータラインに結合されたソース領域と、駆動トランジスタのゲートに結合されたドレイン領域と、第１走査ラインに結合されたゲートとを有する。 - 特許庁

In a transistor 40A, a source region 420 and a drain region 430 are heavily doped regions where impurities are introduced in self-alignment with a gate electrode 460.例文帳に追加

トランジスタ４０Ａにおいて、ソース領域４２０およびドレイン領域４３０は、ゲート電極４６０に対してセルフアライン的に不純物が導入された高濃度領域である。 - 特許庁

To provide a trigate field effect transistor provided with a fin-shaped semiconductor body with a channel region and source/drain regions on either side of the channel region.例文帳に追加

チャネル領域と、このチャネル領域の両側にソース／ドレイン領域とを有するフィン形半導体ボディを備えるトライ・ゲート型電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type diffusion layer 6 is formed as a source region so that it is convoluted with a P-type diffusion layer 5 as a backgate region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、バックゲート領域としてのＰ型の拡散層５と重畳するように、ソース領域としてのＮ型の拡散層６が形成されている。 - 特許庁

Source/drain diffusion regions 107a and 107b are formed in active regions formed by dividing the surface portion of the p-type well region 102 by an element separating region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散領域１０７ａ，１０７ｂを、Ｐ型ウェル領域１０２の表面部分が素子分離領域で区画されてなる活性領域に形成する。 - 特許庁

Meanwhile, the saturable absorber region is applied with inverse bias voltage from a constant voltage source 38 via the n-side common electrode and a p-side electrode 12 of the saturable absorber region.例文帳に追加

可飽和吸収領域には、n側共通電極と可飽和吸収領域のp側電極12とを介して定電圧源38によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

Also included is an offline transistor having source and gate regions separated by a channel region and a gate disposed over the channel region of the offline transistor.例文帳に追加

さらに、チャネル領域によって分離されたソース領域及びゲート領域と、オフライン・トランジスタのチャネル領域上に配置されたゲートとを有するオフライン・トランジスタが含まれている。 - 特許庁

In a special light observation mode of an endoscope system, a rotational filter 32 for the special light observation is arranged on an optical path of a broad band region light BB emitted from a broad band region light source 30.例文帳に追加

特殊光観察モード時に、広帯域光源３０から出射される広帯域光ＢＢの光路上に特殊光観察用回転フィルタ３２を配置する。 - 特許庁

A gate electrode 70 is formed on the n^--type extended drain region 20 through the intermediary of a gate insulating film 65, and covers the end of the p^++-type source region 40 and its vicinity.例文帳に追加

ゲート電極７０は、Ｎ^-型延長ドレイン領域２０上に、ゲート絶縁膜６５を介して形成されており、Ｐ^++型ソース領域４０の端部付近をも覆っている。 - 特許庁

To bring a source-drain region composed of a silicon mixed crystal layer in an MIS transistor close to a channel region while preventing trouble due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタにおけるシリコン混晶層からなるソースドレイン領域を、不純物の拡散による不具合を防止しながらチャネル領域に近づけることができるようにする。 - 特許庁

On a second region R2 of the surface 301S1, a cathode electrode or an ohmic source electrode 303 having ohmic contact with the second region R2 is formed as well.例文帳に追加

表面３０１Ｓ１の第２領域Ｒ２上にも、第２領域Ｒ２とのオーミック接触を有する陰極電極ないしはオーミックソース電極３０３が形成される。 - 特許庁

The gate electrode 12 of a MOS transistor is connected to a power supply voltage VDD while a source region 16, a drain region 18 and a semiconductor base board 14 are grounded.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極１２を電源電圧ＶＤＤに接続し、ソース領域１６とドレイン領域１８と半導体基板１４とを、グランドに接続する。 - 特許庁

On the front surface of the substrate 10, a first element isolation region 12 of an STI structure is formed, which separates diffusion layers 14 that function as a source drain region.例文帳に追加

基板１０の表面には、ソース・ドレイン領域として機能する拡散層１４どうしを分離するSTI構造の第一の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

Thereafter, after a p-type pocket region 7 is formed, an insulated side wall 8 is formed on the side of the gate electrode 4 and a high concentration source/drain region 9 is formed.例文帳に追加

その後、ｐ型ポケット領域７を形成した後、ゲート電極４の側面上に絶縁性サイドウォール８を形成し、高濃度ソース・ドレイン領域９を形成する。 - 特許庁

A first conductive type well 3 is formed at a first conductive type semiconductor substrate 1, and a second conductive type drain region 4 and a source region 5 are formed at the well 3.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１に第１導電型のウェル３を形成し、そのウェル３に第２導電型のドレイン領域４とソース領域５を形成する。 - 特許庁

The source region and the drain region have silicide layers 36 on their surfaces, and this semiconductor device has a protective layer 52 on the surface of the n-type impurity diffused layer 54 of the Zener diode 220.例文帳に追加

ソース領域とドレイン領域はその表面にシリサイド層３６を有し、ツェナダイオード２２０のＮ型不純物拡散層５４の表面には保護層５２を有している。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an n-type stretched drain region 101 and a source region 102 which are formed with an interval, on a p-type semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、ｐ型の半導体基板１００に、互いに間隔をおいて形成されたｎ型の延長ドレイン領域１０１及びソース領域１０２を備えている。 - 特許庁

The n-type source-drain region 8 in an NMIS region 130 contains n-type impurities at a relatively high concentration and it is connected with silicide 26.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０におけるＮ型ソースドレイン領域８は、比較的に高濃度のＮ型不純物を含んでおり、シリサイド２６と電気的に接続されている。 - 特許庁

The source electrode 28 is connected only with either of the first contact region or the second contact region on an arbitrary cross section vertical to a length direction of the gate electrode 11.例文帳に追加

ソース電極28は、ゲート電極11の長手方向に垂直な任意の断面において、第1のコンタクト領域と第2のコンタクト領域のいずれか一方のみと接続される。 - 特許庁

The region is continuously lighted by a large number of stroboscopic light emissions of a light source to photograph the region for a whole period by the camera.例文帳に追加

光源を多数回ストロボ状に発光することによってその領域の連続的な照光が行われ、その領域がカメラによって全期間に亘って撮影される。 - 特許庁