「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

A globe has a hole at a region where light emitted from the light source passes through, and is connected with the base.例文帳に追加

グローブは光源から発光された光が通過する領域に穴があり口金と繋がれている。 - 特許庁

The light source unit 5 generates warning light which rotates artificially and radiates in all circumferential region of a vehicle.例文帳に追加

光源ユニット５は擬似的に回転する警告光を生成し、車両の全周域に放射する。 - 特許庁

The source and drain regions comprise a material that induces physical stress upon the semiconductor channel region.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域は、半導体チャネル領域に物理的な応力を与える材料で構成される。 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

To form a conductive plug having a desired contact size on the source/drain region of a transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース・ドレイン領域上に、所望のコンタクトサイズを有する導電性プラグを形成する。 - 特許庁

The light source is arranged on the first frame and between the first reflecting region and the light entering surface.例文帳に追加

さらに、光源は第１のフレームで、そして、第１の反射域と光入射面の間で配置される。 - 特許庁

A silicide film is arranged on the surface of the source/drain region and is extended to the element isolation insulating film.例文帳に追加

シリサイド膜は、ソース／ドレイン領域の表面上に配設され、素子分離絶縁膜上まで延在する。 - 特許庁

The stress applying film 7 is formed over a source/drain region 5 of an nMOS transistor Tr.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース／ドレイン領域５を覆うように応力付与膜７が形成されている。 - 特許庁

The source/drain region 14 is formed at a recess section 10a formed outside the sidewall 19.例文帳に追加

ソースドレイン領域１４は、サイドウォール１９の外側方に形成されたリセス部１０ａに形成されている。 - 特許庁

Impurity region is formed by source or drain on a semiconductor substrate 100 close to a gate 501.例文帳に追加

ゲート５０１に近接する半導体基板１００にソースまたはドレインで不純物領域を形成する。 - 特許庁

A lightly doped source/drain region is formed on the substrate surface between the second insulating film and the gate structure.例文帳に追加

第２絶縁膜とゲート構造物間の基板表面に低濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

First and second diffusion layers 54 and 52 of first conductivity-type are formed in the source region Sc.例文帳に追加

ソース領域Ｓｃに、第１導電型の第１及び第２の拡散層５４、５２とが形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in narrower area shared by source drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域の占有面積が小さい半導体装置およびそれを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A p-conductive-type region (14) having an end portion extending toward the drain (17) is provided under the source.例文帳に追加

ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。 - 特許庁

A user terminal 10 designates an image region desired to perform picture tone conversion thereon in a source image by using a window image.例文帳に追加

ユーザ端末１０が原画像中の画調変換したい画像領域をウインドウ画像で指定する。 - 特許庁

This laser is provided with a resonator 1 and an exciting source 10 which works as a gain region exciting means.例文帳に追加

レーザ装置は、共振器１と、利得領域励起手段としての励起源１０とを備えている。 - 特許庁

The data line 1 is extended in a column direction and connected to the source region of TFTs 53.例文帳に追加

データ線１は、そのデータ線が接続された画素電極に隣接する画素電極に重畳している。 - 特許庁

Other regions than a source region are covered with resist 31, and etching is performed by using the control gate electrode 12 as a mask.例文帳に追加

レジスト３１でソース領域以外の部分を覆い、コントロールゲート電極１２をマスクとしてエッチングする。 - 特許庁

A drain area 11 and a source area 12 are formed in the element region of a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の素子領域にドレイン領域１１及びソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

Consequently, a refresh characteristic is improved and then the occurrence of the punch through between the source and the drain region is prevented.例文帳に追加

従って、リフレッシュ特性を改善し、ソース／ドレーン間のパンチスルー発生を防止することができる。 - 特許庁

Around the trench 6 in the surface layer part of the epitaxial layer 3, a source region 9 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層３の表層部におけるトレンチ６の周囲には、ソース領域９が形成されている。 - 特許庁

The source/drain extension region 10 is formed by a cluster injection in place of an ordinary ion implantation.例文帳に追加

ソース／ドレイン・エクステンション領域１０を、通常のイオン注入ではなく、クラスタ注入によって形成する。 - 特許庁

A gate electrode 26 is formed through a gate dielectric film 25 on a channel region, and a source electrode 27 is formed.例文帳に追加

チャネル領域上にゲート絶縁膜25を介してゲート電極26を形成し、ソース電極27を形成する。 - 特許庁

A high dielectric constant insulating region 5 is formed at least at the tip part 2a of the electron emission source 2.例文帳に追加

電子放出源２の少なくとも尖端部２ａには、高誘電率絶縁領域５が形成される。 - 特許庁

Consequently, the edge of the spacer and the edge of the source-drain region 10 are separated on both the sides in the width direction.例文帳に追加

これによりスペーサのエッジと２つのソース・ドレイン領域１０のエッジとを幅方向両側で離す。 - 特許庁

Wiring in the pixel connects the drain region of the reset transistor with the gate electrode of the source follower transistor.例文帳に追加

画素内配線が、リセットトランジスタのドレイン領域とソースフォロワトランジスタのゲート電極とを接続する。 - 特許庁

A band path filter 11 restricts white light from a white light source 10 to a specific frequency band region.例文帳に追加

バンドパスフィルタ１１は、白色光源１０からの白色光を特定周波数帯域に制限する。 - 特許庁

To reduce junction electric field strength in a semiconductor region for a source and a drain of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタのソース・ドレイン用の半導体領域における接合電界強度を低減する。 - 特許庁

Each pupil facet directs the received radiation source image toward a predetermined region and forms projection beams PB.例文帳に追加

各瞳ファセットは、受けた線源像を予め定められた領域へ向けて投影ビームＰＢを形成する。 - 特許庁

This shows that, comparatively speaking, the source region for imports to India is shifting from the United States and Europe to East Asia.例文帳に追加

これは相対的に、輸入元の地域が欧米から東アジアへシフトしていることを表している。 - 経済産業省

To provide a semiconductor device capable of reducing a junction capacity with respect to a source and drain region.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域に纏わる接合容量を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 110 includes: first and second transistors 121, 122 each having a gate electrode, a source region and a drain region; and a diffusion region 150 connecting either of the source and drain regions of the first transistor 121 and either of the source and drain regions of the second transistor 122 to each other.例文帳に追加

ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域をそれぞれが有する第１および第２のトランジスタ１２１，１２２と、第１トランジスタ１２１のソースおよびドレイン領域の一方と第２トランジスタ１２２のソースおよびドレイン領域の一方と互いに連結する拡散領域１５０とを備える半導体装置１１０を採用する。 - 特許庁

The configuration includes a movable member 202 mounted to an actuator; a light-emitting phosphor region 210 associated with the movable member; an input light source 212, that illuminates the light-emitting phosphor region at a spot that is fixed relative to an emitted light output region; and a light source controller 218 for controlling the movable member actuator 204 and the input light source.例文帳に追加

本構成は、アクチュエータに取り付けられた可動部材と、可動部材に関連する発光蛍光体領域と、放射光出射領域に対し固定された点において発光蛍光体領域を照射する入射光源と、可動部材アクチュエータと入射光源を制御する光源制御装置と、を含む。 - 特許庁

The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.例文帳に追加

半導体素子は、ソース／ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース／ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース／ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁

The main light source 11 illuminates a first region containing the illuminating optical system 13 on the focal plane FC of the illuminating optical system 13, and the auxiliary light source 12 is controlled apart from the main light source 11 and illuminates a second region placed around the first region on the focal plane FC.例文帳に追加

主光源１１は照明光学系１３の焦点面ＦＣ上における照明光学系１３の焦点を含む第１領域を照明し、補助光源１２は主光源１１とは独立して制御されて焦点面ＦＣ上における第１領域の周囲に位置する第２領域を照明する。 - 特許庁

The eye fundus observation apparatus has a first light source which emits light in the visible region, a second light source which emits light in the near infrared region, a first polarization filter device which polarizes the light from the second light source, and a photographing device which photographs the light from the first light source and the light from the second light source.例文帳に追加

本発明の眼底観察装置は、可視領域の光を発する第一の光源と、近赤外領域の光を発する第二の光源と、第二の光源装置の光を偏光にする第一の偏光フィルター装置と、第一の光源装置からの光及び第二の光源装置からの光を撮影する撮影装置と、を有する。 - 特許庁

This chemical sensor includes a semiconductor layer where a body region is formed between a drain region and a source region, the sensitive film formed at the upper surface side of the body region, a gate insulation film formed at the under surface side of the body region, and a gate electrode formed at the under surface side of the gate insulation film.例文帳に追加

化学センサは、ドレイン領域とソース領域との間にボディ領域が形成された半導体層と、ボディ領域の上面側に形成された感応膜と、ボディ領域の下面側に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の下面側に形成されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

The insulation layer has a region 8 containing fixed charge in contact with the silicon substrate 1 and the source region 10 and also in contact with the silicon substrate 1 and the drain region 11 across the border between the substrate 1 and the region 10 and the border between the substrate 1 and the region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a 1st conductive type semiconductor substrate, a 2nd conductive type extended drain region, a 2nd conductive type high-concentration drain region, a 2nd conductive type source region, a 1st conductive type adjacent region, and a 1st conductive type high-concentration drain adjacent region.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、第２導電型の延長ドレイン領域と、第２導電型の高濃度ドレイン領域と、第２導電型のソース領域と、第１導電型の隣接領域と、第１導電型の高濃度ドレイン隣接領域とを備えている。 - 特許庁

The source region 32 of the third semiconductor element 3 is connected to a p+ region 24 through a wiring 50 and connected to the body region (p-form region) 20 of the second semiconductor element 2, while the gate region 33 of the third semiconductor element 3 is connected to the terminal 45 of pulse Vpulse.例文帳に追加

さらに、第３の半導体素子３のソース領域３２が、配線５０を通じてｐ^＋ 領域２４に接続されて、第２の半導体素子２のボディ領域（ｐ形領域）２０に接続され、第３の半導体素子３のゲート領域３３が、パルスＶｐｕｌｓｅ の端子４５ に接続される。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

An n+-type drain diffused region 2 is formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11; and a drift region 1a, a p-type well diffused region 4, an n+-type source diffused layer 3 and a n+-type base diffused region 9 are formed so as to surround the diffused region 2.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内に、ｎ^+形ドレイン拡散領域２が形成され、ドリフト領域１ａ、ｐ形ウェル拡散領域４、ｎ^+形ソース拡散領域３、ｐ^+形ベース拡散領域９がｎ^+形ドレイン拡散領域２を囲むように形成されている。 - 特許庁

An inversely conductive high concentration region for suppressing the stretch of a depletion layer is formed immediately below at least a drain layer while a threshold voltage regulating high concentration region, higher in impurity concentration than that of a channel region, is formed between a source region and the channel region.例文帳に追加

少なくともドレイン領域の直下に、空乏層の延びを抑制する逆導電型の高濃度領域と、ソース領域とチャネル領域との間に、チャネル領域より不純物濃度が高い逆導電型の閾値電圧調整用高濃度領域とを形成する。 - 特許庁

Further, the semiconductor integrated circuit device has a power source sequencer for starting the first internal power source generation circuit to drive the first region to overdrive potential higher than positive internal power source potential while clamping the second region to prescribed potential, subsequently releasing the clamped state of the second region to step down the first region from the overdrive potential toward positive internal power source potential and stepping down the second region to negative potential by capacity coupling.例文帳に追加

更に、半導体集積回路装置は、電源起動時において、第１の内部電源発生回路を起動して第２の領域を所定の電位にクランプしながら第１の領域を正の内部電源電位より高いオーバードライブ電位に駆動し、その後、第２の領域のクランプ状態を解除して第１の領域をオーバードライブ電位から正の内部電源電位に向かって降圧して、容量のカップリングにより第２の領域を負の電位に降圧する電源シーケンサを有する。 - 特許庁

To provide an illumination device capable of illuminating an illumination region with the luminous intensity equal to that of a conventional light source even in a light source smaller than before.例文帳に追加

従来より小さい光源でも従来の光源と同等の照度で照明領域を照明することのできる照明装置を提供する。 - 特許庁