「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

A field effect transistor includes a conductive film containing a high-concentration impurity above parts constituting a source region and a drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。 - 特許庁

A high breakdown voltage lateral MOS transistor having a source region SO and a drain region DR is completed on a surface of a semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの表面に、ソース領域ＳＯおよびドレイン領域ＤＲを有する高耐圧横型ＭＯＳトランジスタが完成される。 - 特許庁

P-type impurity ions are implanted without a mask to form a rediffusion region 43 continuous with a source and drain region 36a in an N well 16.例文帳に追加

マスクを用いずに、Ｐ型の不純物イオンが注入され、Ｎウェル１６内のソース・ドレイン領域３６ａと連続する再拡散領域４３が形成される。 - 特許庁

Thereafter, an n-type high-concentration source region 6 and an n-type high-concentration drain region 7 are formed by performing ion implantation by using the gate electrode 3 as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極３をマスクとしてイオン注入を行い、ｎ型の高濃度ソース領域６及び高濃度ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

A source region 5 and a drain region 6 of a p-channel MOS transistor 20 are formed in an n^--type semiconductor layer 3 in an SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４におけるｎ^-型の半導体層３にはｐチャネル型のＭＯＳトランジスタ２０のソース領域５及びドレイン領域６が形成されている。 - 特許庁

Next, the n- source region 6, the n- drain region 7, and a selective oxide film 10 are formed in a self-aligned manner by using the nitride film 4 as a mask (see FIG. (c)).例文帳に追加

つぎに、窒化膜４をマスクとして、前記のｎ^- ソース領域６、ｎ^- ドレイン領域７と選択酸化膜１０をセルフアライン（自己整合）で形成する（同図（ｃ））。 - 特許庁

Into the gain region, a current is injected from a constant current source 36 via an n-side common electrode 26 and a p-side electrode 22 of the gain region.例文帳に追加

利得領域には、n側共通電極26と利得領域のp側電極22とを介して定電流源36によって電流注入がなされる。 - 特許庁

The source region is existent on the gate insulating later, wherein it is over a region outside the notch 203 of the gate electrode, and overlaps a portion of the gate electrode.例文帳に追加

ソース領域はゲート絶縁層上にあり、そしてゲート電極の切欠き２０３の外部の領域上にあってゲート電極の一部にオーバラップする。 - 特許庁

The carbon nanotube is synthesized on catalyst particulates by using a gaseous carbon source decomposed in the second region kept at the temperature lower than the temperature of the first region.例文帳に追加

第１領域より低温に保たれる第２領域で分解されたカーボンソースガスを用いて触媒微粒子上にカーボンナノチューブを合成する。 - 特許庁

A transistor element is made up of a gate electrode 2 on a silicon substrate 1, a source region 3 and a drain region 4 on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極２と、シリコン基板１表面のソース領域３およびドレイン領域４とによってトランジスタ素子を形成する。 - 特許庁

An impurity is injected in the semiconductor thin-film 8 through a resist 9 corresponding to the gate electrode 5, so that a source region S and a drain region D are formed.例文帳に追加

ゲート電極５に対応するレジスト９を介して半導体薄膜８に不純物を注入してソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを形成する。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

Electrode pads 20, 22, 24 and 26 which are electrode pads for supply to a drain region, a source region and a gate electrode, respectively, are shown on an FET 10.例文帳に追加

ＦＥＴ１０上には、ドレイン領域、ソース領域、ゲート電極それぞれへの給電用電極パッドである電極パッド２０，２２，２４，２６が示されている。 - 特許庁

The bottom surface of the source region 3a and drain region 4a is close to the upper surface of the porous silicon layer 2 above the upper surface of it.例文帳に追加

ソース領域３ａ及びドレイン領域４ａの底面は、ポーラスシリコン層２の上面に近接してポーラスシリコン層２の上面よりも上方に位置している。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 4, a source region 7, and a drain region 8 are formed on a substrate 1, and a spacer 5 is formed on the sidewall of the gate electrode 4 (Fig.1 (a)).例文帳に追加

基板１上に、ゲート電極４やソース領域７、ドレイン領域８を形成し、ゲート電極４の側壁にスペーサ５を形成する（図１（ａ））。 - 特許庁

A source region 9 is formed on one side of the gate electrode 7 in the gate length direction, and a drain region 10 is formed on the other side thereof.例文帳に追加

ゲート電極７のゲート長方向の一方の側にはソース領域９が形成されており、他方の側にはドレイン領域１０が形成されている。 - 特許庁

Laser beams are radiated on a formation region of the source electrode and the drain electrode based on the first correction data to make the formation region lyophilic.例文帳に追加

この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。 - 特許庁

A source region 12 is formed on the one side in a gate length direction of the gate electrode 10, and a drain region 13 is formed on the other side.例文帳に追加

ゲート電極１０のゲート長方向の一方の側にはソース領域１２が形成されており、他方の側にはドレイン領域１３が形成されている。 - 特許庁

A source layer 5 and a drain layer 6 are formed in a predetermined region on a surface of the well layer 4, and a gate electrode 7 is formed on a channel region.例文帳に追加

ウェル層４の表面の所定領域にはソース層５及びドレイン層６が形成され、チャネル領域上にはゲート電極７が形成されている。 - 特許庁

The maximum distance between the trenches T in the N-type source region 4 is larger than the maximum distance between the trenches T in the high-concentration P-type body region 5.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域４におけるトレンチＴ間の最大距離は、高濃度Ｐ型ボディ領域５におけるトレンチＴ間の最大距離よりも大きい。 - 特許庁

A side wall spacer of the second MISFET coats the side surface of the gate electrode, and does not extend to the surfaces of a source region and a drain region.例文帳に追加

第２のＭＩＳＦＥＴのサイドウォールスペーサは、ゲート電極の側面を覆い、ソース領域及びドレイン領域の表面上までは延在していない。 - 特許庁

The gate electrode 8 is formed so as to surround the semiconductor part 3 of a Fin shape through a gate insulating film between the source region and the drain region.例文帳に追加

ゲート電極８は、ソース領域とドレイン領域との間で、Ｆｉｎ状の半導体部３をゲート絶縁膜を介して囲むように形成される。 - 特許庁

A source S and a drain D comprising an N type impurity region are provided in the semiconductor region 11 in the vicinity of both sides of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３両側近傍の半導体領域１１にＮ型の不純物領域で構成されるソースＳ、ドレインＤ設けられている。 - 特許庁

A first spacer layer is formed between the source and the gate above the active region, and a second spacer layer is formed between the drain and the gate above the active region.例文帳に追加

第１のスペーサ層が、活性領域の上方でソースとゲートの間にあり、第２のスペーサ層が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。 - 特許庁

The storage capacitor is formed as a contact hole capacitor KK in at least one contact hole for a source region S or a drain region D.例文帳に追加

ストレージキャパシタは、ソース領域Ｓまたはドレイン領域Ｄのための少なくとも１つのコンタクトホールにおいて、コンタクトホールキャパシタＫＫとして形成されている。 - 特許庁

The region in which the 2DEG layer 13 is formed between a source electrode 14 and a drain electrode 15 is a channel region of the semiconductor device 10.例文帳に追加

ソース電極１４からドレイン電極１５の間の２ＤＥＧ層１３が形成された領域がこの半導体装置１０におけるチャンネル領域となる。 - 特許庁

The semiconductor device has a monitor region 26, and the monitor region is provided with a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode for monitoring.例文帳に追加

この半導体装置は、モニタ領域２６を有しており、当該モニタ領域に、モニタ用のゲート電極、ソース電極、及び、ドレイン電極が、設けられている。 - 特許庁

In a semiconductor region below a drain finger 3 and a source finger 2, a doping region 4 for thermal resistance reduction is formed only nearby a gate finger 1.例文帳に追加

ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 - 特許庁

The width of the fin in the y direction in a source/drain extension region adjacent to the channel region in the x direction is Wext (>Wch).例文帳に追加

また、チャネル領域に対して、ｘ方向に隣接するソース／ドレインエクステンション領域におけるフィンのｙ方向の幅は、Ｗｅｘｔ（＞Ｗｃｈ）である。 - 特許庁

An effective irradiation region 2 and an irradiation restricted region 1 different from each other in electron radiation efficiency are formed on the electron emission surface of an electron source.例文帳に追加

電子源の電子放出表面には電子放射効率の異なる照射有効領域２と照射制限領域１が形成されている。 - 特許庁

Then B is obliquely ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks to form a packet region 16 surrounding the source-drain expansion region 15.例文帳に追加

その後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＢを斜めイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を囲むポケット領域１６を形成する。 - 特許庁

This insulating film 6 interrupts a leakage current path between the source region 7 and the gate electrode 5 or between the grain region 8 and the gate electrode 5.例文帳に追加

この絶縁膜６が、ソース領域７とゲート電極５との間またはドレイン領域８とゲート電極５との間のリーク電流経路を遮断する。 - 特許庁

A gate region 9b is formed by diffusing p-type impurities in the surface layer of the active region 1ac between the source electrode 7s and the drain electrode 7d.例文帳に追加

ソース電極７ｓ−ドレイン電極７ｄ間における活性領域１acの表面層にｐ型不純物を拡散させてゲート領域９ｂを形成する。 - 特許庁

A source region 22 and a drain region 23 are formed on the silicon film 200 by such a method that automatic positioning is performed for the gate electrode 21.例文帳に追加

ソース領域２２およびドレイン領域２３はゲート電極２１に自動位置合はせをするような方法でシリコン膜２００上に形成される。 - 特許庁

An auxiliary source region 44 formed in the MOS transistor 40 is connected to the trench gate electrode via a gate electrode extension region 54.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳトランジスタ４０に形成されている補助ソース領域４４が、ゲート電極引き出し領域５４を介してトレンチゲート電極に接続している。 - 特許庁

The second conductive drain region and the second conductive source region are formed in the conductive substrate, and on both the sides of the gate.例文帳に追加

前記第二導電性のドレイン領域と前記第二導電性のソース領域とは、前記導電性基板中、前記ゲートの両側に形成される。 - 特許庁

A source electrode 32 and a drain electrode 34 are formed on the surface layer 28 of the first region 20 and second region 22 to which the plasma treatment is applied.例文帳に追加

プラズマ処理が行われた第１領域２０及び第２領域２２の表層２８上に、それぞれ、ソース電極３２及びドレイン電極３４を形成する。 - 特許庁

The conducting region 26 is formed by angled injection that allows a portion of the conducting region 26 to function as a source of an MOS transistor 32.例文帳に追加

導通領域２６は、導通領域２６の一部がＭＯＳトランジスタ３２のソースとして機能できるようにする角度付き注入によって形成される。 - 特許庁

In an n-well, a p-channel transistor 10, having a drain region 11 and a source region 12 both of which contain an injected p-type impurity, is formed.例文帳に追加

ｎウェル内には、ｐ型不純物が注入されたドレイン領域１１及びソース領域１２を備えたｐチャネルトランジスタ１０が形成されている。 - 特許庁

P base regions 20 and 21, an n^+-source region 22, and an n^+-drain region 25 are formed on a surface portion on a principal plane 3a of an n^--silicon layer 3.例文帳に追加

Ｎ^-シリコン層３における主表面３ａでの表層部にＰベース領域２０，２１とＮ^+ソース領域２２とＮ^+ドレイン領域２５が形成されている。 - 特許庁

An insulated common source line 73 is also formed in the gap region in between the floating gates 65a.例文帳に追加

また、浮遊ゲート６５ａの間のギャップ領域内に絶縁された共通ソースライン７３を形成する。 - 特許庁

Thus, both of complete depletion operation and reduction of parasitic resistance in the source/drain region are made compatible.例文帳に追加

こうして、完全空乏動作とソース・ドレイン領域の寄生抵抗の低減との両立を可能にする。 - 特許庁

Contacts 17 are arranged in common with the source region and the lead-out layer or can be arranged individually.例文帳に追加

コンタクト１７は、ソース領域と引き出し層とに共通にしても良く、別々に形成しても良い。 - 特許庁

A source region 12 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 10 at the bottom part of the channel 11.例文帳に追加

この溝１１底部における半導体基板１０表面側にソース領域１２を形成する。 - 特許庁