「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The backlight light source 120 has an emission intensity peak in each wavelength region corresponding to red, green and blue.例文帳に追加

バックライト光源１２０は、赤、緑、青に対応する波長領域にそれぞれ発光強度のピーク値を有する。 - 特許庁

Droplets to be the source electrode and the drain electrodes are jetted on the formation region based on droplet jetting data.例文帳に追加

この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 - 特許庁

Low energy doping is performed on the source/drain region and the gate electrode 302 after an extension is formed.例文帳に追加

エクステンション形成が行われた後、ソース／ドレイン領域とゲート電極３０２に低エネルギーのドーピングを行う。 - 特許庁

The n-epitaxial layer 3 is partially implanted with ions to form a p well 4 and a source region 5.例文帳に追加

ｎ−エピタキシャル層３の一部にイオン注入を行なって、ｐウェル４およびソース領域５を形成する。 - 特許庁

By implanting ions into a predetermined area of the semiconductor layer 22, an n^+-type source region 4 is formed.例文帳に追加

そして、半導体層２２の所定領域にイオン注入を行うことで、ｎ^+型ソース領域５を形成する。 - 特許庁

An N^+-type source region 9 is formed on a surface layer portion of the epitaxial layer 3 along the trench 6.例文帳に追加

また、エピタキシャル層３の表層部には、Ｎ^+型のソース領域９がトレンチ６に沿って形成されている。 - 特許庁

The first and second gate electrodes share the same source/drain region to form first and second transistors.例文帳に追加

第１と第２ゲート電極は、同一のソース／ドレイン領域を共有し、第１と第２トランジスタが形成される。 - 特許庁

The stereoscopic structure has a channel region 13Qa between a source electrode 13Sa and a drain electrode 13Da.例文帳に追加

立体構造はソース電極１３Ｓａとドレイン電極１３Ｄａとの間にチャネル領域１３Ｑａを有する。 - 特許庁

A pair of source/drain regions S/D are provided on the surface of the semiconductor substrate across the channel region.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが、チャネル領域を挟むように半導体基板の表面に設けられる。 - 特許庁

A light source 5 irradiates the substrate 7 with a light having a wavelength longer than 210 nm as a light of the ultraviolet region.例文帳に追加

光源５は紫外光領域の光として２１０ｎｍより長波長の光を基板７に照射する。 - 特許庁

Next, ion implantation with the films 21 and 24 as masks is performed to form an n^+ type source region 4.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜２１、２４をマスクとしたイオン注入を行ってｎ^+型ソース領域４を形成する。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable composition having excellent sensitivity to light in a wavelength region of a short-wavelength light source.例文帳に追加

短波長光源の波長領域の光に対し、優れた感度を有する光重合性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photo-polymerizable composition which has excellent sensitivity to light in a wavelength region of a short-wavelength light source.例文帳に追加

短波長光源の波長領域の光に対し、優れた感度を有する光重合性組成物の提供。 - 特許庁

It is therefore possible to secure withstand voltage in the low concentration source region 7a and prevent a short channel effect.例文帳に追加

このため、低濃度のソース領域７ａで耐圧を確保すると共に短チャネル効果を防止することができる。 - 特許庁

Thus, when the recording starting time comes, a power source is turned ON and the recording operation to the time shift region is started.例文帳に追加

これにより、録画開始時刻になると、電源をＯＮされてタイムシフト領域への録画動作が開始される。 - 特許庁

A contact part is set in a self-aligning manner on a source/drain region using an approximately triangular insulator 22.例文帳に追加

概略三角形状の絶縁物２２によって、ソース／ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。 - 特許庁

A heat treatment at high temperatures is carried out for activating impurity in the source/drain region.例文帳に追加

この後、深いソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎ中の不純物を活性化するための高温熱処理を行う。 - 特許庁

On the front surface in the p+ type well region 5, two n++ type source regions 6a, 6b are formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域５内の表面側には、２つのｎ^++形ソース領域６ａ，６ｂが形成されている。 - 特許庁

The source/ drain region 2 has the first section 3a which adjoins the channel region and the second section 3b where a part of the peripheral hem of the source/drain region 2 is made to project in the channel widthwise direction from the first section 3a, such that it moves away from the gate electrode 1 in plan view.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域２は、チャネル領域に隣接する第１部分３ａと、ソース・ドレイン領域２の外周縁の一部が平面視上ゲート電極１から遠ざかるように、第１部分３ａからチャネル幅方向に突出して形成された第２部分３ｂとを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode or in the enhancement mode by forming a Schottky electrode in a source region of a semiconductor element such as an FET and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

半導体素子、例えばＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフまたはエンハンスメントモード動作する半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor region 2 is formed on an SiC substrate 1, after that, a gate electrode 4g, a source electrode 4s, and a drain electrode 4d are formed on the compound semiconductor region 2, and an Au film 10 to be connected to the source electrode 4s is further formed on the compound semiconductor region 2.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２を形成し、その後、化合物半導体領域２上にゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成し、更に、化合物半導体領域２上にソース電極４ｓに接続されるＡｕ膜１０を形成する。 - 特許庁

By using non-selective epitaxial growth, a polycrystalline silicon layer is formed on a field oxide film simultaneously to formation of a single crystal silicon layer on an active region, a source/drain region is formed on a polycrystalline silicon layer is formed on the field oxide film 3, and a source/drain region is formed on the polycrystalline silicon layer formed on the field oxide film 3.例文帳に追加

非選択エピタキシャル成長を用いることで、アクティブ領域上に単結晶シリコン層を形成するのと同時に、フィールド酸化膜３上に多結晶シリコン層を形成し、フィールド酸化膜３上に形成された多結晶シリコン層にソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

A drain region 2a is formed in the vicinity of a gate electrode MG1 and a source region 2b is formed on a surface layer of a silicon substrate 2 while the source region 2b is separated from the side end (end part) of a gate electrode MG1 in a plane direction by the film thicknesses of a silicon oxide film 11 and a silicon nitride film 12.例文帳に追加

ドレイン領域２ａはゲート電極ＭＧ１の近傍に位置して形成されており、ソース領域２ｂはシリコン酸化膜１１およびシリコン窒化膜１２の膜厚分だけゲート電極ＭＧ１の側端（端部）から平面方向に離間してシリコン基板２の表層に形成されている。 - 特許庁

To form a lightly-doped source/drain region by self-matching and to prevent implanted ions from being passed through a channel region in the production of an MOS-type semiconductor device for forming the lightly-doped source/drain region of deep junction, in order to acquire high-withstand voltage characteristics.例文帳に追加

高耐圧特性を得るために、深ジャンクションの低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するＭＯＳ型半導体装置の製造において、低不純物濃度ソース・ドレイン領域を自己整合法にて形成すると共に注入イオンがチャネル領域へ突き抜けることのないようにする。 - 特許庁

The image for which the source image 2 is compressed to the position and size of the left region can be displayed inside the left area and simultaneously the image for which the image quality of the image for which the source image 2 is compressed to the position and size of the right region is adjusted can be displayed inside the right region.例文帳に追加

原画像２を左領域内の位置および大きさに圧縮した画像を左領域内に表示すると同時に、原画像２を右領域内の位置および大きさに圧縮した画像を画質調整した状態の画像を右領域内に表示してもよい。 - 特許庁

The electrooptical device is provided with a transistor (30) including a semiconductor layer having a channel region (1a'), a data line side source-drain region (1d) electrically connected to a data line (6a) and a pixel electrode side source-drain region (1e) electrically connected to a pixel electrode (9a).例文帳に追加

電気光学装置は、チャネル領域（１ａ´）と、データ線（６ａ）に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）と、画素電極（９ａ）に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）とを有する半導体層を含むトランジスタ（３０）を備える。 - 特許庁

A polyimide film 20 which surrounds the outer periphery of the region to be occupied by each of a source/drain region 22, the color filter 23 and pixel electrode 24 and the source line 26 with the wall is formed on a glass substrate 10 after forming a gate electrode 13, a gate insulation film 16 and a channel region 18.例文帳に追加

ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１６及びチャネル領域１８を形成した後のガラス基板１０上に、ソース／ドレイン領域２２、カラーフィルタ２３及び画素電極２４、ソース線２６の各々を形成すべき領域の外周を壁で囲むポリイミド膜２０を形成する。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁

The first light emitting surface 121 includes a transmissive region located on the center side, which transmits light emitted from the light source and reaches it, and a total reflection region located on the outer circumferential side of the transmissive region, which totally reflects light emitted from the light source and reaches it.例文帳に追加

第１出射面１２１は、中心側に位置する領域であって光源から放射されて到達する光を透過させる透過領域と、透過領域の外周側に位置する領域であって光源から放射されて到達する光を全反射する全反射領域と、を含んでいる。 - 特許庁

The electro-optical device has a transistor (30) comprising a first semiconductor layer having a channel region (1a'), a data line side source drain region (1d) electrically connected to a data line (6a), and a pixel electrode side source drain region (1e) electrically connected to a pixel electrode (9a).例文帳に追加

電気光学装置は、チャネル領域（１ａ´）と、データ線（６ａ）に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）と、画素電極（９ａ）に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）とを有する第１の半導体層を含むトランジスタ（３０）を備える。 - 特許庁

Further, the irradiation light control plate 5 is demarcated into a plurality of regions opposing an area not more than one fifth of the irradiation face of the light guide body 1, with an average interval of the convex parts 8 in each region sparse at a region near the light source 2 and dense at a region away from the light source 2.例文帳に追加

また、出射光制御板５を導光体１の出射面の１／５以下の面積に対向する複数の領域に区画し、各領域内の凸部８の平均間隔が、光源２に近い領域で疎であり、光源２から離れた領域で密である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first element region as a source/drain region having a gate electrode formed within the semiconductor substrate, an element region formed in the periphery of the first element region, and recessed portions formed to the two sides provided facing each other of the first element region having the element isolation region formed therein in the inside.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、ゲート電極を有するソース／ドレイン領域としての第１の素子領域と、前記第１の素子領域の周囲に形成された素子分離領域と、前記第１の素子領域の対向する２辺に形成され、内部に前記素子分離領域が形成された凹部とを有する。 - 特許庁

At least a channel region 10C arranged between the source region 10S/the drain region 10D and at least a partial region extended from the channel region within a region facing the openings H1, H2 within the lower semiconductor layer 11 are each a polycrystalline semiconductor layer, and the upper semiconductor layer is an amorphous semiconductor layer.例文帳に追加

下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 - 特許庁

In addition to n-type impurity regions 33b and 33c functioning as a channel forming region 33a and a source region or a drain region, a semiconductor layer 33 has an impurity region 33d where boron is added below the channel forming region 33a, i.e., in the vicinity of the surface of the channel forming region 33a on the side touching an insulating layer 32.例文帳に追加

半導体層３３は、チャネル形成領域３３ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｎ型を示す不純物領域３３ｂ、３３ｃとに加えて、チャネル形成領域３３ａの下方、ここではチャネル形成領域３３ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３３ｄを有している。 - 特許庁

In the body region, a channel region portion, and a gate dielectric material 8 on the channel region portion, a gate electrode 4 on the gate dielectric material 8 are formed, and a source region portion 5 and a drain region portion 3 are formed by doping impurity atoms having an opposite conductivity type to the channel region portion by using a self-alignment mask of the gate electrode 4.例文帳に追加

上記本体領域に、チャネル領域部、上記チャネル領域部上のゲート誘電体８、ゲート誘電体８上のゲート電極４、および、ゲート電極４の自己整合マスクにより、チャネル領域部とは反対の伝導性型である不純物原子のドープによりソース領域部５およびドレイン領域部３を形成する。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

A through hole is formed at a flat surface mirror reflecting the light from the first light source toward an integrator in such a region of low radiation intensity as surrounded with a region where the light from the first light source is irradiated, and the light from the second light source is guided through the through hole.例文帳に追加

第１の光源からの光をインテグレータの方向に反射する平面ミラーの、第１の光源からの光が照射される領域に囲まれた放射強度の弱い領域に貫通孔を形成し、この貫通孔から第２の光源からの光を導入する。 - 特許庁

A light source 5 for generating light in an infrared region, a detector 6 for detecting the light of the infrared region from the light source 5, a filter 7, provided in the middle of a light passage L between the light source 5 and the detector 6 are provided for a wave guide tube 2 to which the gas to be measured is supplied.例文帳に追加

赤外領域の光を発生する光源５と、光源５からの赤外領域の光を検出する検出器６と、光源５と検出器６の間の光路Ｌの途中に配置されるフィルタ７と、を測定対象ガスが供給される導波管２に備える。 - 特許庁

A drain cell 12 is formed shorter than a source cell 11, and an edge 12a in the drain cell 12 is arranged inside the formation region of an LDMOS 20 as compared with an edge 11a in the source cell 11, so that no opposing drain region exists at the edge 11a of the source cell 11.例文帳に追加

ドレインセル１２はソースセル１１より短く形成され、ドレインセル１２の端部１２ａは、ソースセル１１の端部１１ａよりＬＤＭＯＳ２０の形成領域の内側に配置されているため、ソースセル１１の端部１１ａにおいて、対向するドレイン領域が存在しない。 - 特許庁

A channel formation region 12 in stripe structure of which a planar shape is band-like, an n^+-source region 13, an n^+-drain region 20, and a gate electrode, are formed on a top layer of n well layers on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板でのＮウェル層の表層部に、平面形状が帯状をなすストライプ構造のチャネル形成領域１２、Ｎ^＋ソース領域１３、Ｎ^＋ドレイン領域２０、ゲート電極が形成されている。 - 特許庁

A memory insulating film 4 and a gate insulating film 3 are separately provided on a channel region 13 without a clearance between them, and are provided in the direction orthogonal to the direction where the source region 7 and the drain region 8 are opposed.例文帳に追加

チャネル領域１３上にメモリ絶縁膜４と、ゲート絶縁膜３とが隙間なく区分けして設け、かつソース領域７とドレイン領域８とが直行する方向と対向する方向に設けている。 - 特許庁

An n^- type impurity region 7 is formed at the inner side (channel side) of a part situated, at the end part of the source region 4 or the drain region 5 from among the layer 6, so as to come into contact with the end part of the layer 6.例文帳に追加

また、ｐ^-型拡散層６のうちソース領域４又はドレイン領域５の端部に位置する部位の内側（チャネル側）に、ｐ^-型拡散層６の端部に接するようにｎ^-型不純物領域７を形成する。 - 特許庁

The photoelectric conversion apparatus comprises a pixel array region 100, a constant current source region 200 having a plurality of constant current sources arranged to be connected to a plurality of column signal lines respectively, and a differential circuit region 300.例文帳に追加

光電変換装置は、画素アレイ領域１００と、複数の列信号線にそれぞれ接続された複数の定電流源が配置された定電流源領域２００と、差分回路領域３００とを備える。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 is provided with a silicon substrate 16 including an element forming region 21 on the upper side of which a MIS transistor source-drain diffusion layer is formed, and a scribe region 22 for surrounding the element forming region 21.例文帳に追加

半導体チップ１１は、ＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン拡散層を上面に有する素子形成領域２１と、素子形成領域２１の周囲を囲むスクライブ領域２２とを有するシリコン基板１６を備える。 - 特許庁

To prevent deterioration of reliability caused by the direct contact of a silicon nitride film with the surface of the source/drain region of a high breakdown voltage transistor of a peripheral circuit region, with the composition forming the silicon nitride film in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域にシリコン窒化膜を形成する構成で、周辺回路領域の高耐圧トランジスタのソース／ドレイン領域の表面に直接シリコン窒化膜が接することで信頼性が劣化するのを改善する。 - 特許庁