「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a source aluminum layer (h) is formed on the gate finger region with no interruption, the resistance of the source aluminum layer (h) itself is reduced.例文帳に追加

また、ソースアルミ層ｈが、ゲートフィンガー領域上でも途切れることなく形成されていることから、ソースアルミ層ｈ自体の抵抗を低減できる。 - 特許庁

A metal semiconductor alloy portion 82 is formed directly on the two source regions and the top surface of the exposed body region between the two source regions.例文帳に追加

２つのソース領域と、２つのソース領域間の露出されたボディ領域の上面のすぐ上に、金属半導体合金部分８２が形成される。 - 特許庁

Each source region is formed in a trapezoidal shape, whose lower side is located under the gate electrode (a gate insulative film) and whose upper side is exposed inside the source contact hole.例文帳に追加

各ソース領域は台形となり、台形の下辺はゲート電極（ゲート絶縁膜）の下に位置し、台形の上辺部分はソースコンタクト孔内に露出する。 - 特許庁

A source pad electrode 18 connected to a source region is formed on a front surface of a semiconductor substrate 10 for composing a vertical MOS transistor.例文帳に追加

縦型ＭＯＳトランジスタを構成する半導体基板１０の表面上に、ソース領域と接続したソースパッド電極１８が形成されている。 - 特許庁

The goods are illuminated by an auxiliary light source 16 with blue light which supplements the wavelength region having melatonin secretion suppression effect reduced by the main light source 13.例文帳に追加

補助光源16により、主光源13で低減されたメラトニン分泌抑制効果のある波長域を補う青色の光で、商品を照明する。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL WITH LOW RESISTANCE SOURCE REGION AND HIGH SOURCE COUPLING, AND MEMORY ARRAY MADE THEREBY例文帳に追加

低抵抗ソール領域と高ソース結合を持つフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより作られたメモリアレイ - 特許庁

The display source divider receives the video display source and generates a plurality of video streams each of which corresponds to a different display region of the partitioned display.例文帳に追加

ディスプレイソースデバイダが、ビデオディスプレイソースを受け取り、区分化されたディスプレイの異なる表示領域にそれぞれが対応する複数のビデオストリームを生成する。 - 特許庁

A judging portion 240 determines whether the light source is the right one which is assumed based on the average region size by light source supplied from the half-plane generator 220.例文帳に追加

判定部２４０は半平面生成部２２０から供給された光源毎の平均領域サイズに基づいて仮定した光源が正しいかを判定する。 - 特許庁

As viewed in the cross-section, a body region 40 is formed in a shallow layer of the semiconductor substrate 2 within a range where at least the source region 20 and the body contact region 30 are arranged.例文帳に追加

ボディ領域４０は、前記の断面視した状態で、少なくともソース領域２０とボディコンタクト領域３０が配置されている範囲における半導体基板２の浅層に形成されている。 - 特許庁

To be more specific, regions of the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c on the side closer to a channel region 1a' out of their respective regions are partly superposed on the intersection Cd.例文帳に追加

より具体的には、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃの夫々の領域のうちチャネル領域１ａ´に近い側の領域が交差部Ｃｄに部分的に重なっている。 - 特許庁

A source region (s) and a drain region (d) of a TFT are formed in a region including a plurality of crystal grains within the alignment of the crystal grains 5 so that an electric current may flow in the direction of the crystal growth.例文帳に追加

この結晶粒列（５）の中の複数の結晶粒を含む領域に、結晶成長方向に電流が流れるように、ＴＦＴのソース領域（ｓ）及びドレイン領域（ｄ）を形成する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor having a region of high crystallization in a channel formation region and a high resistance region between a source and a drain, and thus having a high electric effect mobility and a large on-current.例文帳に追加

チャネル形成領域に結晶化率の高い領域を配し、ソースとドレインの間に高抵抗な領域を配し、電界効果移動度が高くオン電流が大きい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A concentration difference is generated in an end of the substrate 1 because there is no generation source of steam outside the coating region while steam keeps being generated in the coating region 2 so that the steam diffuses outside the coating region 2.例文帳に追加

基板１端部は、塗布領域２内では蒸気が発生し続けるのに対し、塗布領域外には蒸気の発生源がなく、塗布領域２外への拡散が起こるために濃度差が発生する。 - 特許庁

The generation of a phenomenon can be prevented in which current leaks along the active layer 6 of the circumference of a gate electrode 18 between the source region 12 and the drain region 13 of the active layer 6 while detouring the channel region 11.例文帳に追加

活性層６のソース領域12とドレイン領域13との間でゲート電極18周辺の活性層６を伝ってチャネル領域11を迂回して電流がリークする現象の発生を防止できる。 - 特許庁

A first conductivity dopant is injected and implanted into the recess 117 adjacent to the source region 106, by which a shallow emitter region 114 is formed in a well region 105 under the recess 117.例文帳に追加

第一導電型ドーパントを、ソース領域の凹部１１７に注入し且つ打ち込むことにより、ソース領域の凹部１１７の下に位置するウェル領域１０５に浅いエミッタ領域１１４を形成する。 - 特許庁

First thermal treatment (750°C) is performed in a nitrogen atmosphere to self-aligningly form silicide films 31, 32 and 33 (thickness: 30 nm each) on a gate region, a source region, and a drain region, respectively.例文帳に追加

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

The punch-through stopper is formed in a channel region, apart from the source and drain region and in a vertical direction to a substrate so as to reach a well under the channel region or the vicinity of the well.例文帳に追加

パンチスルーストッパを、チャネル領域中、ソースおよびドレイン領域から離間して、基板面に垂直方向に、チャネル領域下のウェルあるいはその近傍にまで到達するように形成する。 - 特許庁

A gate electrode 14, a source-drain region 13, and a N-type diffusion region 15 are formed on the surface of the region 12, and the capacitive element is formed with a gate oxide 16 as a dielectric.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１２の表面にゲート電極１４、ソース・ドレイン領域１３、Ｎ型の拡散領域１５を形成し、ゲート酸化膜１６を誘電体として容量素子を形成する。 - 特許庁

The region 17 is electrically connected to the pad 9, the region 15 is electrically connected to a digital power source DVcc, and the region 19 is electrically connected to a digital ground DGND.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１７はパッド９に、Ｎ型拡散領域１５はデジタル電源ＤＶｃｃに、Ｎ型拡散領域１９はデジタルグランドＤＧＮＤにそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

On the surface part of a semiconductor substrate 1, an n-type source region 2, a p-type substrate contact region 7 adjacent to it and a p-type anti-punch-through region 9 surrounding them are formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面部にはＮ型ソース領域２とそれに隣接するＰ型基板コンタクト領域７と、それらを囲むようにＰ型アンチパンチスルー領域９が形成されている。 - 特許庁

The cell A has a P-type MIS transistor which includes a P-type source region 13PS, a P-type drain region 13PD, and a gate electrode 16A; and an N-type substrate contact region 13NSC.例文帳に追加

セルＡは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ａとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｎ型基板コンタクト領域１３ＮＳＣとを有している。 - 特許庁

To provide a transistor reduced in off-state current by improving interface properties of highly doped silicon films which constitute a source region and a drain region and a polycrystalline silicon film which constitutes a channel region.例文帳に追加

ソース領域・ドレイン領域を構成する高濃度不純物添加シリコン膜とチャネル領域を構成する多結晶シリコン膜との界面特性を改善し、オフ電流の少ないトランジスタを得る。 - 特許庁

In this semiconductor device, at least one transistor 10 comprising a source region 11, a drain region 12, and a channel region 13 is formed in a unitary crystal grain (nearly single crystal grain 42).例文帳に追加

単一の結晶粒（略単結晶粒４２）に、ソース領域１１及びドレイン領域１２と、チャネル領域１３とを有してなるトランジスタ１０が少なくとも一つ形成されてなる半導体装置である。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

A field effect transistor has source and drain regions 26, 28, a channel region 24 between them, an isolating region 22 in a substrate, and a gate 30 including gate dopant on the channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ソース及びドレイン領域２６、２８と、ソース及びドレイン領域間のチャネル領域２４と、基板内の分離領域２２と、チャネル領域上のゲート・ドーパントを含むゲート３０とを含む。 - 特許庁

A gate electrode 9 is formed through the intermediary of a gate insulating film 8 on a part interposed between the n-type source region 6 and the n-type drain region 4 in the p-type well region 5.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域５においてｎ形ソース領域６とｎ形ドレイン領域４との間に介在する部位の上には、ゲート絶縁膜８を介してゲート電極９が形成される。 - 特許庁

To provide a thick liner film where stress is applied to a channel region, and to securely form a contact with respect to a source region and a drain region in a semiconductor device having a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置において、チャネル領域に応力を印加する厚いライナー膜を設けると共に、ソース領域・ドレイン領域に対するコンタクトを確実に形成する。 - 特許庁

The source region and the drain region are formed, a section as a channel region is coated with an insulating film functioning as a channel protective film and the insular semiconductor film is formed.例文帳に追加

このように、島状の半導体領域を形成する際には、レジストマスクを露光、現像工程や液滴吐出工程を経て形成する必要があり、工程数、材料の種類の増加を招いていた。 - 特許庁

In part of the Si layer 14 located between the source and drain regions 17, a channel region 18 constituted of the p-type Si layer, and a body region 19 located below the channel region 18 are formed.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７の間に位置する領域には、上記ｐ型Ｓｉ層からなるチャネル領域１８と、チャネル領域１８の下方に位置するボディ領域１９とが設けられている。 - 特許庁

A P-type well region 2 is selectively formed in a surface layer under the main surface on one side of the main surfaces of an N-type semiconductor substrate 1, and an N-type source region 3 is formed in the surface layer of this region 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１の一方の主面の表面層にｐ形のウエル領域２を選択的に形成し、このウエル領域２の表面層にｎ形のソース領域３を形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of forming an element region 8, made of a source region 6 and a drain region 7 selectively diffusing arsenic (As) which is an n-type impurity at a high concentration on both sides of the gate electrode 5.例文帳に追加

また、ゲート電極５の両側には、Ｎ型不純物であるヒ素（Ａｓ）が高濃度に選択拡散されたソース領域６及びドレイン領域７からなる素子領域８が形成されている。 - 特許庁

At a surface layer portion of a semiconductor substrate 2, a source region 13 and a drain region comprising a deep N-type well 8, an N-type well 10 and a contact region 11 are formed leaving a gap.例文帳に追加

半導体基板２の表層部には、ソース領域１３とディープＮ型ウェル８、Ｎ型ウェル１０およびコンタクト領域１１からなるドレイン領域とが間隔を空けて形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a substrate region and a source region shared by two adjacent cells and a common contact to both regions placed nearer to the inside of a cell than the center of the substrate region.例文帳に追加

この発明は、隣接するセル間でサブストレート領域およびソース領域を共有し、両領域に共通のコンタクトをサブストレート領域の中心からセルの内側よりに設けて構成される。 - 特許庁

The light source device 31 is capable of emitting a laser beam having a certain wavelength that belongs to one of three regions, a red wavelength region, a green wavelength region, and a blue wavelength region.例文帳に追加

光源装置３１は、赤色の波長領域、緑色の波長領域、および青色の波長領域のうちいずれかの波長領域内の波長を有するレーザ光を射出する光源装置である。 - 特許庁

The majority carrier capturing region and the minority carrier capturing region are formed of the same diffusion layer as that in the source or drain region of the MOS transistor formed in the high power supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

The manufacturing cost can be suppressed by forming the island semiconductor film which is to be the channel formation region and the semiconductor film which is to be the source region or the drain region without using a doping device.例文帳に追加

チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。 - 特許庁

A gate electrode 104 is formed so that the entire channel forming region 106 and portions adjacent to both sides of the channel forming region 106 in the source/drain forming region 107 are covered.例文帳に追加

チャネル形成領域１０６の全体、及びソース・ドレイン形成領域１０７のうちチャネル形成領域１０６の両側に隣接する部分を覆うようにゲート電極１０４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor, in which the contact resistance of a storage node contact is reduced by forming a heavily-doped region in a prescribed region of the source region of an access transistor.例文帳に追加

アクセストランジスタのソース領域の所定領域へ高濃度の不純物領域が形成され、かつ、記憶ノードコンタクトにおけるコンタクト抵抗が低減する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A heat treatment (750°C) of a first time is performed in a nitrogen atmosphere, and the silicide films 31, 32 and 33 (film thickness is 30 nm) are formed in a self-aligning manner respectively in a gate region, a source region and a drain region.例文帳に追加

窒素雰囲気中で１回目の熱処理（７５０℃）を行い，ゲート領域，ソース領域，およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜３１，３２，３３（膜厚３０ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

This ferroelectric memory transistor comprises a substrate including a source region, a gate region and a drain region, a gate stack arranged on the gate region, passivation oxide layers arranged on the substrate and the gate stack, and metallized parts for having each contact with the source/drain regions and the gate stack.例文帳に追加

本発明による強誘電体メモリトランジスタは、ソース領域、ゲート領域およびドレイン領域を有する基板と、ゲート領域上に位置するゲートスタックと、基板とゲートスタック上に位置するパッシベーション酸化物層と、ソース領域、ドレイン領域およびゲートスタックそれぞれへのコンタクトを形成するためのメタライゼーションとを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has, on a silicon substrate 110, an N well source region 170 and an N well drain region 160 formed apart from each other, and a gate electrode 130 provided while a gate insulating film 131 formed from above the N well source region 170 toward on the N well drain region 160 is interposed therebetween.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１１０上に、離間して形成されたＮウェルソース領域１７０およびＮウェルドレイン領域１６０と、Ｎウェルソース領域１７０上からＮウェルドレイン領域１６０上にわたって形成されたゲート絶縁膜１３１を介して設けられたゲート電極１３０と、を備えている。 - 特許庁

More specifically, each floating gate 5, 6 of each memory cell 1 has a profile descending gently from the select gate electrode 11 side (channel region 4 side) toward the source-drain region 3, where the select gate electrode 11 side (channel region 4 side) is higher than the source/ drain region 3 side.例文帳に追加

つまり、当該各メモリセル１の各浮遊ゲート電極５，６の形状は、選択ゲート電極１１側（チャネル領域４側）からソース・ドレイン領域３側に向けて緩やかに傾斜下降し、選択ゲート電極１１側（チャネル領域４側）の高さの方がソース・ドレイン領域３側よりも高くなっている。 - 特許庁

In a region AR6 located above the base diffusion region 201a and above the source diffusion region 201c, an M0 wire 301f capable of providing a predetermined voltage for preventing the source diffusion region 201c from being depleted when transferring a voltage used for writing by the transfer transistor QNi is formed.例文帳に追加

ベース拡散領域２０１ａの上部であり且つソース拡散領域２０１ｃの上部である領域ＡＲ６には、転送トランジスタＱＮｉが書込みに用いられる電圧を転送する際にソース拡散領域２０１ｃが空乏化することを防止するための所定電圧を与えられるＭ０配線３０１ｆが形成されている。 - 特許庁

A vertical semiconductor layer 7 is provided on the semiconductor layer 6 right over the vacancy 4, a drain region (9, 10) is provided in a top part of the semiconductor layer 7, being separate from and opposite to it, a source region 8 is provided in a bottom part thereof, and the source region 8 extends to be provided in a whole of the semiconductor region 6.例文帳に追加

半導体層６上の、空孔４直上部に縦方向半導体層７が設けられ、半導体層７の上部にドレイン領域（１０，９）が設けられ、離間し、相対して下部にソース領域８が設けられ、ソース領域８は延在して、半導体層６全体に設けられている。 - 特許庁

Here, the trench gate 118 is so formed that a fist path P_1 reaching the drain region 106 from the source region 108 through below the trench gate 118 is shorter than a second path P_2 or third path P_3 reaching the drain region 106 from the source region 108 through the location being lateral to the trench gate 118.例文帳に追加

ここで、トレンチゲート１１８は、ソース領域１０８からトレンチゲート１１８の下方を介してドレイン領域１０６に到る第１の経路Ｐ_１が、ソース領域１０８からトレンチゲート１１８の側方を介してドレイン領域１０６に到る第２の経路Ｐ_２または第３の経路Ｐ_３よりも短くなるように形成される。 - 特許庁