「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

In an LED mount substrate in which a wiring substrate and a metal reflection member are arranged through an adhesive layer, and an LED mount portion is provided to the surface of the metal reflection member exposed to the bottom portion of an opening penetrating through the wiring substrate and the adhesive layer, the adhesive layer has a wavelength range of 460 ± 10 nm and a reflectivity of 50% or more at maximum.例文帳に追加

配線基板と金属製反射部材とが接着層を介して配置され、ＬＥＤ搭載部が前記配線基板及び接着層を貫通する開口の底部に露出した前記金属製反射部材の表面に設けられるＬＥＤ搭載用基板において、前記接着層が４６０±１０ｎｍの波長範囲で最大５０％以上の反射率を有するＬＥＤ搭載用基板。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring board includes: sticking two substrates together via an adhesive within a frame-shaped range 0.1 to 50 mm inside outer circumferences of the two substrates into one substrate and forming wirings on both surfaces of the one substrate; and then removing adhesion parts stuck together through the adhesive to separate the one substrate into independent wiring boards.例文帳に追加

本発明は、２枚の基板を、該２枚の基板の外周より内側に０．１〜５０ｍｍの枠状の範囲で接着剤を介して貼り合せて１枚の基板とし、該１枚の基板の両面に配線の形成を行った後、前記接着剤を介して貼り合せた接着部分を除去することで前記１枚の基板を分離して、それぞれ独立した配線板とすることを特徴とする配線板の製造方法である。 - 特許庁

A wiring substrate 3 is provided with output terminals supplied with the high potential source voltage and the low potential source voltage, and the liquid crystal driving integrated circuit 1 and the wiring substrate 3 are electrically connected by the relay substrate 2 dividing the potential between the high potential source voltage and the low potential source voltage, generating the middle reference voltage and inputting it to the reference voltage input terminal VREF.例文帳に追加

配線基板３は、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧とが供給される出力端子を有し、液晶駆動用の集積回路１と配線基板３とは、高電位の電源電圧と低電位の電源電圧との間の電位を分圧して中間の基準電圧を生成し、基準電圧入力端子ＶＲＥＦに入力する中継基板２により電気的に接続される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a substrate 101 having a wiring layer 114, a semiconductor chip 102 mounted on one surface of the substrate 101, an external connection terminal 104 formed on the one surface of the substrate in the periphery of the semiconductor chip 102 and a conductive portion 103 which has a melting point higher than that of the external connection terminal 104 and which is electrically insulated from the wiring layer 114.例文帳に追加

半導体装置１００は、配線層１１４を有する基板１０１と、基板１０１の一方の面に搭載された半導体チップ１０２と、前記一方の面であって、前記半導体チップ１０２の周辺に形成された外部接続端子１０４と外部接続端子１０４よりも融点が高く、かつ配線層１１４と電気的に絶縁されている導電部１０３とを有する。 - 特許庁

The conductive wiring structure where a continuous conductive pattern 3 is formed on the surface of the plastic substrate 2 is provided with a catalyst particle group 4 which is embedded inside the plastic substrate or/and is formed in a predetermined pattern with a part thereof exposed to the surface of the plastic substrate embedded, and a conductive wiring pattern integrated with the catalyst particle group.例文帳に追加

プラスチック基材２表面に連続的な導体配線パターン３が形成された導体配線構造体において、プラスチック基材内部に埋没した埋設状態、或いは／及び、該プラスチック基材表面に一部が露出した埋設状態にて所定のパターン状に形成された触媒粒子群４と、該触媒粒子群に一体化された導体配線パターンと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the resin-sealed module device, in which a plurality of circuit elements are mounted on a wiring substrate and the elements are electrically connected to outer leads, at least one of the elements is sealed with a thermosetting resin composition, and the entire wiring substrate, all the elements and the connection side of the outer leads with the substrate are sealed with resin by transfer molding.例文帳に追加

本発明は、配線基板上に複数の回路素子が搭載され、該素子がアウターリードに電気的に接続された樹脂封止型モジュール装置において、前記素子の少なくとも１つが熱硬化性樹脂組成物を用いて封止されており、前記配線基板の全体と素子の全部及び前記アウターリードの前記基板との接続側がトランスファーモールドにて樹脂封止されていることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁

The method of wiring the substrate with the wiring pattern formed in a treatment container 100 which is maintained in a vacuum includes a pre-process of cleaning the wiring pattern on a wafer with a desired cleaning gas, and an embedding process of embedding metal nano-particles into the wiring pattern using a clustered metal gas (a metal gas cluster Cg) after the pre-process.例文帳に追加

真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film III1 so formed as to cover a switching element TR formed over a main surface of a semiconductor substrate SUB; flat plate-like lead wiring LEL; coupling wiring ICL coupling the lead wiring LEL and the switching element TR with each other; and a magnetoresistive element TMR including a magnetization free layer MFL the orientation of magnetization of which is variable and which is formed over the lead wiring LEL.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition having sufficient flame resistance even when not containing a halogen flame retardant, excellent in filler dispersibility, hardly generating bleeding between wiring even when printing on a wiring board to form a hardened film, and capable of sufficiently decrease the warp of a substrate after hardening, a method of forming a protective film of a flexible wiring board using the same, and a flexible wiring board.例文帳に追加

ハロゲン系難燃剤を含有しない場合であっても十分な難燃性を有するとともに、充填剤の分散性に優れ、配線板上に印刷して硬化膜を形成する場合であっても配線間への流れ出しが生じにくく、なおかつ硬化後の基材の反りを十分小さくできる熱硬化性樹脂組成物、それを用いたフレキシブル配線板の保護膜の形成方法及びフレキシブル配線板を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a wiring electrode 1 formed on a semiconductor substrate; the insulation film 2 formed on the wiring electrode 1 and including an opening for exposing the wiring electrode 1; the bump electrode 3 formed on the wiring electrode 1 exposed from the opening of the insulation film 2; and a filling material 5 arranged between the insulation film 2 and the bump electrode 3.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された配線電極１と、配線電極１上に形成され、配線電極１を露出する開口部を備える絶縁膜２と、絶縁膜２の開口部において露出する配線電極１上に形成されたバンプ電極３と、絶縁膜２とバンプ電極３との間に設けられた充填材５とを備える。 - 特許庁

The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加

電気光学装置２は、画素トランジスタ３８を備えた画素が複数配列された画素領域２０が形成された素子基板１２と、素子基板１２上の配線層にて、画素トランジスタ３８の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層２８と、を有する。 - 特許庁

Also, buried wiring 48 where one end is electrically connected to the second integrated circuit and the other is exposed from a back surface is formed on the semiconductor substrate 30, and a third integrated circuit that is formed on the surface layer of a third semiconductor substrate 40 is electrically connected to the second integrated circuit by the buried wiring 48.例文帳に追加

また、第２の半導体基板３０には一端が第２の集積回路に電気的に接続されかつ他端が裏面から露出された埋め込み配線４８が形成され、第３の半導体基板４０の表層に形成された第３の集積回路と第２の集積回路とが埋め込み配線４８により電気的に接続されている。 - 特許庁

After forming an organic insulation layer 12 on wiring layers 21 and 22, a short-circuit portion 23 of the wiring layers 21 and 22 is irradiated with a laser beam LB of a wavelength having transparency to the organic insulation layer 12 through the organic insulation layer 12, or a laser beam LB of a wavelength having transparency to a substrate 11 through the substrate 11.例文帳に追加

配線層２１，２２の上に有機絶縁層１２を形成したのち、配線層２１，２２の短絡部２３に、有機絶縁層１２に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを有機絶縁層１２を介して照射、または基板１１に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを基板１１を介して照射する。 - 特許庁

A signal line 350 connected to a semiconductor integrated circuit 180 of the lower semiconductor package 54 is connected to the upper semiconductor package 52 via an upper-face electrode 154 on the wiring-substrate upper face 122 of the lower semiconductor package 54 and extracted from the upper-face electrode 154 to a land 200 on the wiring-substrate lower face 124.例文帳に追加

下側半導体パッケージ５４の半導体集積回路１８０に接続された信号線３５０は、下側半導体パッケージ５４の配線基板上面１２２の上面電極１５４を介して上側半導体パッケージ５２に接続されているとともに、上面電極１５４から配線基板下面１２４のランド２００へ引き出されている。 - 特許庁

To provide a liquid drop ejection production apparatus capable of producing a high quality, high accuracy and high reliability pattern wiring board or a device substrate with high yield and exhibiting reliability in long term use, and to provide a high accuracy, high quality and high reliability pattern wiring board or a device substrate being produced by the apparatus.例文帳に追加

高品質かつ高精度で信頼性の高いパターン配線基板あるいはデバイス基板を歩留まり良く製造でき、長期使用における信頼性のある液滴噴射製造装置を提供し、さらにその製造装置により製作される高精度かつ高品質で信頼性の高い機能を付与されたパターン配線基板、デバイス基板を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 having a structure where a semiconductor chip 8 mounted on a principal surface of a package substrate 2 is sealed by a sealing member 11, conductor patterns 4 for wiring are arranged on the principal surface and a back surface of the package substrate 2, and the conductor pattern 4 for a dummy is arranged in a region where no conductor patterns 4 for the wiring are arranged.例文帳に追加

パッケージ基板２の主面上に実装された半導体チップ８を封止部材１１によって封止した構成を持つ半導体装置１において、パッケージ基板２の主面および裏面に、配線用の導体パターン４を配置した他に、その配線用の導体パターン４が配置されていない領域にダミー用の導体パターン４とを配置した。 - 特許庁

An electronic apparatus 10 includes: a substrate 11 in which wiring 21 is formed on an insulation base material 20 made of a synthetic resin and having lands 21a formed on one surface 20a of the insulation base material 20 as the wiring 21; an electronic component 12 electrically connecting with the lands 21a; and a housing 13 housing the substrate 11 and the electronic component 12.例文帳に追加

電子装置１０は、合成樹脂からなる絶縁基材２０に配線２１が形成され、該配線２１として絶縁基材２０の一面２０ａに形成されたランド２１ａを有する基板１１と、ランド２１ａと電気的に接続された電子部品１２と、基板１１及び電子部品１２を収容する筐体１３と、を備える。 - 特許庁

To provide a solution ejection production apparatus capable of producing a high quality, high accuracy and high reliability pattern wiring board or a device substrate with high yield and exhibiting reliability in long term use, and to provide a high accuracy, high quality and high precision pattern wiring board or a device substrate being produced by the apparatus.例文帳に追加

高品質かつ高精度で信頼性の高いパターン配線基板あるいはデバイス基板を歩留まり良く製造でき、長期使用における信頼性のある溶液噴射製造装置を提供し、さらにその製造装置により製作される高精度かつ高品質で信頼性の高い機能を付与されたパターン配線基板、デバイス基板を提供する。 - 特許庁

A holder 120 and a probe 611 are provided as a means for voltage impression connected to a conductor fitted on a substrate 110 and enabling impression of voltage on en electrode wiring formed on the substrate 110, as well as a positioning means tracking and adjusting the position of the probe 611 against position change of the electrode wiring.例文帳に追加

基板１１０上に設けられた導電体に接続され該基板１１０上に形成されている電極配線への電圧印加を可能にする電圧印加手段としてホルダ１２０及びプローブ６１１等を有し、前記電極配線の位置変化に対して、プローブ６１１の位置を追従合致させる位置合わせ手段を備える。 - 特許庁

The constitution of an illuminator has a substrate, a wiring and a reflection board arranged on the substrate, the LED element connected to the wiring, and transparent resin sealing the LED element.例文帳に追加

上記課題を解決するため本発明では、基板と、前記基板上に配置した配線及び反射板と、前記配線に接続されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子を封止した透明樹脂と、を有し、前記透明樹脂は上面に凹部を有し、前記凹部は、前記基板面内の何れかの軸方向を長軸とする形状を有する照明装置の構成を採る。 - 特許庁

To prevent the reduction of the connective reliability of a semiconductor device subjected to a flip-chip connection between its semiconductor element and its wiring substrate wherein the filling properties of the sealing resins of the gap between its semiconductor element and its wiring substrate are so made poor in the four corner portions of its semiconductor element as to generate the defections of the sealing resins in the four corner portions of its semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子と配線基板とをフリップチップ接続した半導体装置に関し、半導体素子の４隅のコーナー部において半導体素子と配線基板の間隙の封止樹脂充填性が悪いため、半導体素子の４隅のコーナー部において封止樹脂が不足し、半導体装置の接続信頼性低下が懸念される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域４０、トランジスタ領域３６、及びシリサイド配線領域３８に形成された活性領域と、シリサイド配線領域３８上からトランジスタ領域３６上に亘って形成されたゲート電極２１と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層４４ａとを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a structure, where a semiconductor element (chip) 30 is mounted in a cavity 27 formed on a wiring substrate 20, with an adhesive material 33 disposed between the chip and the bottom surface of the cavity, and the electrode terminal 31 of the chip is connected with wiring portions 22a and 22b, formed in the periphery of the cavity on the substrate through a wire 32.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体素子（チップ）３０が配線基板２０に形成されたキャビティ２７内にその底面との間に接着材料３３を介在させて搭載され、チップの電極端子３１がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分２２ａ，２２ｂにワイヤ３２を介して接続された構造を有する。 - 特許庁

LSI chips 30A to 30D electrically connected to a package substrate 10 are connected by a wiring pattern 26a of a silicon interposer 20 disposed on the opposite side from the package substrate, and a thin film circuit 31 of an LSI chip and the wiring pattern 26a of the silicon interposer 20 are electrically connected to each other through a via hole 32 formed penetrating the LSI chip.例文帳に追加

パッケージ基板１０と電気的に接続されたＬＳＩチップ３０Ａ〜３０Ｄが、パッケージ基板とは反対側に配置されたシリコンインタポーザ２０の配線パターン２６ａにより接続され、ＬＳＩチップの薄膜回路３１とシリコンインタポーザ２０の配線パターン２６ａが、ＬＳＩチップに貫通形成されたビア穴３２を介して、電気的に接続される。 - 特許庁

The method of manufacturing the ceramic substrate 3 includes a blasting process for forming a curved surface 34 where the outer edge side is recessed more than the inside by blasting the outer edge side of the substantially flat backside in the ceramic substrate 3, and a wiring layer forming process for forming a wiring layer 6 on the curved surface 34 formed by the blasting process.例文帳に追加

セラミック基板３を製造するにあたり、セラミック基板３における略平坦な裏面の外縁側に、ブラスト加工を施して、内側より外縁側が凹んだ湾曲面３４を形成するブラスト加工工程と、ブラスト加工工程により形成された湾曲面３４に、配線層６を形成する配線層形成工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The optical transmission module 1 is equipped wit: a light reception processing section 3 for converting an optical signal transmitted by optical wiring 4 to an electric signal; a reception side substrate part 35 including an electric wiring 5 for transmitting the electric signal; and a reception side connector section 36 for providing the electric signal to the light reception processing section 3 and the reception side substrate part 35.例文帳に追加

本発明の光伝送モジュール１は、光配線４によって伝送される光信号を電気信号に変換する光受信処理部３と、電気信号を伝送する電気配線５を備えた受信側基板部３５と、光受信処理部３および受信側基板部３５に電気信号を供給する受信側コネクタ部３６とを備えている。 - 特許庁

At a step of separating the dry film resists in the process of manufacturing a buildup wiring substrate according to a semi-additive method, an electromagnetic induction coil for enclosing a transfer portion of a buildup wiring substrate 51 is formed to ensure that an insulating-coated conductor 61 for flowing high-frequency current reciprocates for many times between cores of an upper transfer roll 71 and a lower transfer roll 72.例文帳に追加

ビルドアップ配線基板のセミアディティブ工法による製造工程における、ドライフィルムレジストを剥離する工程において、高周波電流を流すための絶縁被覆された導体６１が、上搬送ロール７１と下搬送ロール７２の芯を何度も往復するようにビルドアップ配線基板５１の搬送部を囲う電磁誘導コイルを形成する。 - 特許庁

To provide a photoresist stick proofing tape for preventing a photoresist from sticking on the surface of a substrate plate through such a way that, in the step of exposing high-energy beams to a printed wiring board coated with the photoresist on each of both surfaces of the printed wiring board in producing the board, the tape is stuck on the surface of the substrate plate for the photoresist-coated board to be left to stand at rest on.例文帳に追加

プリント配線基板製造における両面にフォトレジストを塗工した基板に高エネルギー線を露光する工程において、フォトレジストを塗工した基板を静置する支持板の表面に貼付することにより、フォトレジストが前記支持板の表面に付着するのを防止するためのフォトレジスト付着防止テープを提供する。 - 特許庁

A connection wiring 53 for connecting the bias electrode 24 in this container 60 to the power supply electrode 51 outside the container is provided via a bypass wiring 53c provided on the backside of the substrate 10 so as to make a detour around one side wall 60a of the container, and the entire periphery of the shielding container 60 is bonded on the substrate 10 without any gap.例文帳に追加

この容器６０内のバイアス電極２４と容器の外にある電源用端子５１とを接続する接続配線５３が、基板１０の裏面側に容器の一側壁６０ａを迂回するように設けられるバイパス配線５３ｃを介して設けられることにより、遮蔽用容器６０は全周に亘って隙間なく基板１０に接着されている。 - 特許庁

The wiring substrate 18 includes a first conductive layer 18g for mounting an electric part 19 provided on the part mounting surface 18a, a second conductive layer 18e provided on the facing surface 18b, and a conductive part 18f for connecting the first conductive layer 18g and the second conductive layer 18c provided through the wiring substrate.例文帳に追加

配線基板１８は、部品搭載面１８ａ上に設けられた電子部品１９が搭載される第１の導電層１８ｇ、対向面１８ｂ上に設けられた第２の導電層１８ｅ、及び配線基板１８を貫通するように設けられた第１の導電層１８ｇと第２の導電層１８ｅとを接続する導電部１８ｆを有する。 - 特許庁

This electrostatic absorber is provided with an electrostatic absorption electrode sheet 20, a substrate 11, boosting circuits 7 and 8, and electric wiring 5 and 6 electrically connecting an electrostatic absorption electrode sheet 20 and boosting circuits 7 and 8, and the boosting circuits 7 and 8 and electric wiring 5 and 6 are internally arranged in the substrate 11, and shielded from an external pressure atmosphere.例文帳に追加

静電吸着電極シートと２０、基盤１１と、昇圧回路７、８と、静電吸着電極シート２０と昇圧回路７、８とを電気的に接続する電気配線５、６とを有する静電吸着装置であって、基盤１１内に昇圧回路７、８及び電気配線５、６が内設し、外部の圧力雰囲気から遮蔽されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring substrate and a burying mask of the printed wiring substrate, in which even when the diameter of a through-hole and a recess is reduced and further they are disposed so that a distance between these centers is at a narrow pitch, a resinous paste can precisely be filled without imperfection in burying nor inclusion of bubbles (voids).例文帳に追加

前記貫通孔や凹所の直径が小径化し、また、これらの中心間距離が狭ピッチで配置されている場合でも、穴埋めが不完全になることなく、気泡（ボイド）を含むことなく、また精度よく樹脂ペーストを充填することができるプリント配線板の製造方法およびプリント配線板の穴埋用マスクを提供する。 - 特許庁

The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明による表示装置は、主面と主面に対向する裏面とを有する基板と、基板の主面上に設けられた配線群およびアクティブ素子と、樹脂材料から形成され、配線群およびアクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備えている。 - 特許庁

A liquid crystal display panel 1 for use as the electro-optical panel includes: an array substrate AR where first and second connection wirings L1 and L2 are formed in a regular wiring pattern extending along a perimeter part; and defective wiring detecting patterns D1 and D2 formed between the perimeter of the array substrate AR and the first and second connection wirings L1 and L2.例文帳に追加

本発明の電気光学パネルとしての液晶表示パネル１は、周縁部に沿って延在する正規配線パターンである第１、第２接続配線Ｌ１、Ｌ２が形成されたアレイ基板ＡＲを有し、前記アレイ基板ＡＲの周縁と前記第１、第２接続配線Ｌ１、Ｌ２との間に不良配線検出パターンＤ１、Ｄ２が形成されている。 - 特許庁

This liquid crystal display device is characterized in that when the lead terminals 7 formed on the liquid crystal panel 4 are connected with the lead terminals 8 formed on the wiring substrate 5, a positioning reference hole 9 is formed at a position corresponding to the position of a positioning reference hole 12 formed on the wiring substrate 5 in the state that each of lead terminals are coincided.例文帳に追加

液晶表示パネル４の、前記液晶表示パネル４に形成されるリード端子７と配線基板５に形成されるリード端子８との接続時に、前記各リード端子７，８を一致させた状態で、前記配線基板５に形成された位置決め用孔１２に対応する位置に、位置決め用孔９を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The optical module includes a mounting substrate having a wiring portion on a surface, and an optical device which includes an optical element and a connection terminal portion formed while curved including a portion horizontal to the surface of the mounting substrate, and has an element mounting portion for mounting the optical element, the parallel part of the connection terminal being connected to a wiring portion through a connection member.例文帳に追加

本発明に係る光モジュールは、配線部を表面に有する搭載基板と光素子と、搭載基板の表面に水平な部分を含んで湾曲して形成される接続端子部を含むと共に光素子を搭載する素子搭載部とを有する光デバイスとを備え、接続端子の平行な部分と配線部とが接続部材を介して接続される。 - 特許庁

This laminated circuit board having Al wiring coated with a transparent conductive film is formed on a transparent substrate and wiring formed on the substrate.例文帳に追加

透明基板と、前記透明基板上に設けられた配線であって、ＡｌあるいはＡｌ合金からなるＡｌ配線と、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層回路基板を構成する。 - 特許庁

In the method for mounting an electronic device 10 on a substrate 20 having a wiring pattern, joints 34 and 35 for electrically connecting a terminal part on one side of the electronic device 10 with the wiring pattern on the substrate 20 are partially formed by liquid drop ejection method and the other part is formed by other method.例文帳に追加

本発明の実装方法は、配線パターンを有する基板２０に電子デバイス１０を実装する方法であって、電子デバイス１０の一面側の端子部と基板２０の配線パターンとを電気的に接続するための接続部３４，３５について、一部を液滴吐出法を用いて形成し、他部を他の手法を用いて形成する。 - 特許庁

A first rotational connection mechanism part 6 connects the first case part 11 to the second case part 13 so as to make it rotatable with a first center axis CL1 as a center, and elastically bends a flexible wiring board 51 to electrically connect the first substrate 41 to the second substrate 43 with respect to the thickness direction of the flexible wiring board 51.例文帳に追加

第１回転接続機構部６１は、第１筐体部分１１を第２筐体部分１３に対して第１中心軸ＣＬ１を中心として回転可能に接続し、第１基板４１と第２基板４３を電気的に接続するフレキシブル配線板５１を、フレキシブル配線板５１の板厚方向に関して弾性的に曲げる。 - 特許庁

To provide a multi-piece wiring board easy to handle and to mount sealing electronic components with high reliability by preventing cracks or the like in a ceramic mother substrate along the extension line of the division groove from the end of the division groove, in the multi-piece wiring board providing the division groove on the ceramic mother substrate.例文帳に追加

セラミック母基板に分割溝を設けた多数個取り配線基板において、分割溝の端から分割溝の延長線に沿ってセラミック母基板に亀裂等が発生することが効果的に防止され、取り扱いが容易で電子部品を高い信頼性で搭載し封止することができる多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁

The printed wiring board has wiring lines formed on the surface of an insulating substrate and having a layered structure in which a first copper layer and a second copper layer are laminated, wherein the first copper layer side is affixed to the insulating substrate, and the average crystal grain size of the second copper layer is larger than that of the first copper layer.例文帳に追加

絶縁基板の表面に配線を形成したプリント配線板であって、当該配線が第１銅層と第２銅層とが積層した層構成を備え、当該第１銅層側を前記絶縁基板に張り合わせ、当該第２銅層の平均結晶粒径が当該第１銅層の平均結晶粒径より大きいことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a wiring substrate 40, a first semiconductor device 10 mounted on the wiring substrate 40, a second semiconductor device 20 which is laminated on the first semiconductor device 10, and in which a projected portion 20b projects from an outer edge of the first semiconductor device 10, and a sealed resin layer 50 which seals each of the semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置は、配線基板４０と、配線基板４０上に実装された第１の半導体素子１０と、第１の半導体素子１０上に積層され、突出部２０ｂが第１の半導体素子１０の外縁から突出する第２の半導体素子２０と、各半導体素子を封止する封止樹脂層５０と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 20 having an electrode 22, a substrate 10 on which a wiring pattern 12 is formed, a protective film 30 formed to cover the wiring pattern 12 in a second region 28 other than a first region 26 for mounting the semiconductor element 20, and an adhesive sheet 40 for bonding the semiconductor element 20 and the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置は、電極２２を有する半導体素子２０と、配線パターン１２が形成された基板１０と、半導体素子２０が搭載される第１の領域２６以外の第２の領域２８で、配線パターン１２を覆うように形成された保護膜３０と、半導体素子２０と基板１０とを接着する接着シート４０とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁