例文 (999件) |
wiring substrateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9428件
Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess.例文帳に追加
基板上に形成された凹部3を有する絶縁膜2の表面に、AlまたはAl合金(以下「Al系金属」という)よりなる薄膜5をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Al系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 特許庁
The MIM type capacitance element is formed by forming the lower electrode 12a and the upper electrode leadout layer 12b in the same wiring layer on the substrate, forming a capacitance insulating film 13 only on the lower electrode 12a, forming the upper electrode 14 covering the upper electrode leadout layer 12b from the capacitance insulating film 13, and electrically connecting the upper electrode 14 and the upper electrode leadout layer 12b.例文帳に追加
基板上に下部電極12a及び上部電極引き出し層12bを同一配線層に形成し、下部電極12a上にのみ容量絶縁膜13を形成し、容量絶縁膜13上から上部電極引き出し層12bを覆う上部電極14を形成し、上部電極14と上部電極引き出し層12bを電気的に接続することにより、MIM型容量素子を形成する。 - 特許庁
The power semiconductor devices Mpu to Mnw of power module PMU and the signal terminals 24a to 24f are electrically connected via the flexible conductors (wires) 16a to 16f, and the signal terminals 24a to 24f and the wire (conductor) of the driver circuit substrate 30 of the driver circuit device DCU are electrically connected via wiring which is flexible conductor for solving 19.例文帳に追加
上記課題は、パワーモジュールPMUのパワー半導体素子Mpu〜Mnwと信号用端子24a〜24fとを、フレキシブル導体であるワイヤ配線16a〜16fによって電気的に接続すると共に、信号用端子24a〜24fと駆動回路装置DCUの駆動回路基板30の配線導体とを、フレキシブル導体であるワイヤ配線19によって電気的に接続することにより解決できる。 - 特許庁
The COG fluorescent display tube is subjected to conductive connection in exterior of an airtight envelope 11 on a translucent substrate 1, forming a part of the airtight envelope 11 by means of anisotropic conductive materials 13, dispersed uniformly with electroconductive particles in an adhesive between wiring conductors 4 wired, by extending outward from the airtight envelope 11 and a semiconductor element 12 having a metal vamp 12a at the bottom face.例文帳に追加
COG蛍光表示管は、気密外囲器11の一部をなす透光性を有する基板1上に気密外囲器11内から外部に延出して配線された配線導体4と、底面部に金属バンプ12aを有する半導体素子12との間が、接着材中に導電粒子が均一に分散された異方性導電材13により気密外囲器11外で導通接続される。 - 特許庁
In a memory module, a plurality of memories 2 are mounted on a module substrate 1, Vref-Vss impedance near the memories 2 is coupled with Vss by a decoupling capacitor 5 and Vref planes 4 to reduce impedance, the Vref plane 4 is individually provided for each memory 2, and the Vref planes 4 are connected by high-impedance wiring or high-impedance chip components 3-1, 3-2.例文帳に追加
メモリモジュールにおいて、モジュール基板1上にメモリ2を複数実装し、このメモリ2の近傍のVref−Vss間インピーダンスをデカップリングコンデンサ5とVrefプレーン4でVssと結合させて広い周波数領域で低インピーダンス化を図り、Vrefプレーン4は各メモリ2毎に個別に設け、Vrefプレーン4間を高インピーダンス配線、又は高インピーダンスチップ部品3−1,3−2で接続する。 - 特許庁
An etching device 10 is provided with carrying rollers 12 which carry the wiring board 1 in the direction of its flat surface in the etchant L, upper and lower paired water wheels 14 which transport the etchant L to the front and rear surfaces of the substrate 1 under pressure, and flow straightening plates 22 and 23 respectively positioned on both sides of the water wheels 14 and having curved surfaces 20.例文帳に追加
また、エッチング液L中において薄板形状の配線基板1をその平面方向に沿って搬送する搬送ローラ12と、配線基板1の表裏面に対向して配設され、係る表裏面に上記エッチング液Lを圧送する上下一対ずつの水車14と、各水車14の両側に配置したカーブ面20を有する整流板22,23と、を含む、配線基板の表面エッチング装置10も提案する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having an electrode 14; a resin projection 20 including a plurality of first portions 22 provided on the semiconductor device 10 and a second portion 24 arranged between adjacent two first portions 22; and a wiring 30 electrically connected to the electrode 14, and formed so as to wired over any one of the first portions 22 of the resin projection 20.例文帳に追加
半導体装置は、電極14を有する半導体基板10と、半導体基板10上に設けられた、複数の第1の部分22と、隣り合う2つの第1の部分22の間に配置された第2の部分24とを含む樹脂突起20と、電極14と電気的に接続されてなり、樹脂突起20のいずれかの第1の部分22上を通るように形成された配線30とを含む。 - 特許庁
The circuit substrate includes a wiring pattern 11, an electrical insulating layer 12 comprising a hat-conductive mixture containing inorganic filler of 70 to 95 wt.% and a thermosetting resin of 5 to 30 wt.%, and a heat sink 13, and is fixed to an external heat dissipation member.例文帳に追加
配線パターン11、無機質フィラー70-95重量%と熱硬化性樹脂を5-30重量%含む熱伝導混合物からなる電気絶縁層12、および放熱板13を含み、外部放熱部材に固定されて使用される回路基板であって、前記外部放熱部材に対する前記回路基板のそりが基板長さに対して1/500以下であり、温度が上昇するに従って前記回路基板のそりが前記放熱板側に凸になる方向に変化する。 - 特許庁
This method for manufacturing printed wiring board includes a step (1) of forming the interlayer insulating resin layer 2 on the conductor circuits 5 of a substrate 1, a step (2) of flattening the surface of the resin layer by heating and pressing the resin layer, and a step (3) of forming conductor circuits on the flattened interlayer insulating resin layer.例文帳に追加
多層プリント配線板を製造するに当たり、少なくとも下記 〜 の工程、即ち、 .基板1の導体回路5上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層2を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。 - 特許庁
In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the azole compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed aqueous solution of an acidic etchant and the azole compound.例文帳に追加
アゾール化合物と酸性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びアゾール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜を酸性エッチング液とアゾール化合物の混合水溶液で処理して、酸化膜のエッチングと同時にアゾール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁
An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.例文帳に追加
半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜11を形成し、該層間絶縁膜11に溝部13を形成し、溝部13の底面上及び側壁上に所定の第1の金属元素及び第2の金属元素を含む補助膜14を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層19を、溝部13の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁
An intermediate wiring body 42 for electrically connecting the corresponding ones between the pixel electrode driving transistor TFT and the pixel electrode 68 is interposed between the substrate 40 having the circuit including the plurality of pixel electrode driving transistors TFT on the surface part thereof and the display part 60 having at least the pixel electrodes 68 corresponding to the pixel electrode driving transistors TFT.例文帳に追加
複数の画素電極駆動用トランジスタTFTを含む回路を表面部に形成した基板40と、画素電極駆動用トランジスタTFTに対応する画素電極68を少なくとも有する表示部42との間に、少なくとも画素電極駆動用トランジスタTFTと画素電極68との対応するもの同士の間を電気的に接続する中間配線体42を介在させる。 - 特許庁
An integrated circuit surface of a third semiconductor substrate 40, where a third integrated circuit is formed on a surface layer is bonded to the backside of the second semiconductor substrate 30, so that the third integrated circuit is connected electrically to the exposed part of the embedded wiring 48.例文帳に追加
第1の半導体基板20と第2の半導体基板30とを接着した後、第2の半導体基板30の裏面側を研磨し、第2の半導体基板30に一端が第1の集積回路及び前記第2の集積回路の少なくとも一方に電気的に接続され第2の半導体基板30の裏面側に他端が露出した埋め込み配線48を形成し、表層に第3の集積回路が形成された第3の半導体基板40の集積回路面を該第3の集積回路が前記埋め込み配線48の露出部に電気的に接続されるように第2の半導体基板30の裏面側に接着する。 - 特許庁
To provide a cover-lay film with a white resin insulating film which obtains at least one or more effects including no process contamination, no occurrence of sticking during hot pressing, rich flexibility, high whiteness and reflectance, excellent solder heat resistance, organic solvent resistance, and flame retardancy, reduced warpage of a substrate after being cured, and reduced reflectance-hue change after high temperature heat history or irradiation and a printed wiring board.例文帳に追加
本発明の課題は、工程汚染がない、熱プレス時に貼りつきが発生しない、柔軟性に富む、白色度および反射率が高い、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性、難燃性に優れる、硬化後の基板の反りが小さい、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ないなどの少なくとも1以上の効果を奏する白色樹脂絶縁膜付きカバーレイフィルム及びプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁
In such a bendable rigid printed wiring board 10, two sheets of substrate portions 6a and 6b arranged while holding the bending portion 5 between are coupled by a reinforcing member 20.例文帳に追加
硬質のコア材1に耐熱性樹脂層2を介して積層された厚さ100μm以下の導体層3に回路パターンが形成されたリジットプリント配線板の一部に、前記コア材1が介在せず一層の耐熱性樹脂層と一層の導体層とからなる屈曲部5が形成され、前記屈曲部にてリジットプリント配線板が屈曲する屈曲式リジットプリント配線板10において、前記屈曲部5を挟んで配設される2枚の基板部6a,6bを補強部材20で連結した。 - 特許庁
In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the imidazole-alcohol compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed solution of an alkaline etchant and a specific imidazole-alcohol compound.例文帳に追加
イミダゾールアルコール化合物とアルカリ性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びイミダゾールアルコール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜をアルカリ性エッチング液と特定イミダゾールアルコール化合物の混合溶液で処理して、酸化膜をエッチングと同時にイミダゾールアルコール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。 - 特許庁
To provide an electronic device which has first and second semiconductor devices disposed on a mounting substrate and differing in thickness and a wiring board having a conductor pattern connecting a first terminal electrode and a second terminal electrode formed on top portion surfaces of the first and second semiconductor devices to each other, the electronic device capable of suppressing variation in high frequency characteristics without making manufacturing processes complicated.例文帳に追加
実装基板上に配置された、互いに厚みが異なる第1及び第2の半導体装置と、第1及び第2の半導体装置の頂部表面にそれぞれ形成された第1の端子電極及び第2の端子電極を相互に接続する導体パターンを有する配線用基板と、を有する電子装置において、製造プロセスを煩雑化することなく、高周波特性のばらつきを抑制できる電子装置を提供する。 - 特許庁
In the LED mounting substrate 1a in which the LED element 20 is mounted on the printed circuit board 10a applied with a white solder resist 12, pads 13 connected to terminals 23 of the LED element are formed on the printed circuit board and a white resin 30 containing a white pigment is applied on the surface of the printed circuit board so as to cover the wiring region between terminal and the pads.例文帳に追加
白色のソルダーレジスト12が塗布されたプリント配線板10a上にLED素子20が実装されたLED実装基板1aであって、前記プリント配線板には、LED素子の端子23と接続されるパッド13が形成され、前記端子と前記パッドとの配線領域を覆うように前記プリント配線板の表面に白色顔料を含んだ白色樹脂30が塗布されているLED実装基板としている。 - 特許庁
An electric circuit board 336 is disposed facing a lower main surface (the other main surface) of an electrode substrate 332 disposed with a plurality of first electrodes 333 and is formed with a plurality of wires 337 at ends of wiring regions Ra of the plurality of first electrodes 333 corresponding one-to-one therewith on the electric circuit board 336 so as to be electrically connected to the plurality of first electrodes 333 by inductive coupling.例文帳に追加
複数の第1電極333が配置された電極基板332の下方主面(他方主面)に対向して電気回路基板336が配置されるとともに、当該電気回路基板336に対し、複数の第1電極333の配線領域Ra上の端部に一対一で対応して複数の配線337が形成されて誘導結合により複数の第1電極333とそれぞれ電気的に接続される。 - 特許庁
The method for manufacturing semiconductor devices related to the present invention has processes of: forming a conductive membrane on a semiconductor substrate; forming a sacrificial membrane on the conductive membrane; patterning the sacrificial membrane; forming a side wall on the side of the patterned sacrificial membrane; removing the patterned sacrificial membrane; and patterning the conductive membrane by using the side wall as a mask and form wiring.例文帳に追加
半導体基板上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上に犠牲膜を形成する工程と、前記犠牲膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記犠牲膜の側面に、サイドウォールを形成する工程と、パターニングされた前記犠牲膜を除去する工程と、前記サイドウォールをマスクとして用いて前記導電性膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁
The method is provided for manufacturing a re-releasable process film laminated on the flexible printed wiring board, the film having a base film and an adhesive layer formed of a specific composition and provided on one surface of the substrate film, in which the adhesive layer having three specific physical properties is obtained by controlling the amount of a cross linking agent contained in the adhesive layer, and the base film is coated with the adhesive layer.例文帳に追加
基材フィルムと、その一方の面に設けられた特定の組成からなる粘着剤層を有する、フレキシブルプリント配線基板貼付用の再剥離性工程フィルムの製造方法であって、前記粘着剤層に含まれる架橋剤の配合を調節することによって、特定の3項目の物性性状を有する粘着剤層を得て、該粘着剤層を基剤フィルムに塗布して、フレキシブルプリント配線基板貼付用の再剥離性工程フィルムを製造する方法。 - 特許庁
A semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, an electrode 12 arranged on a first side 15 thereof, a resin protrusion 20 arranged on the first side 15 that extends in a first direction A, which has a recess 22 extending in a second direction B intersecting the first direction A, and wiring 30 electrically connected to the electrode 12 and formed at least on the recess 22 of the resin protrusion 20.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置1は、半導体基板10と、半導体基板10の第1の面15の上に設けられた電極12と、第1の面15の上に設けられ、第1の方向Aに沿って延びる樹脂突起20であって、第1の方向Aと交差する第2の方向Bに沿って延びる窪み部22を有する樹脂突起20と、電極12と電気的に接続され、少なくとも樹脂突起20の窪み部22の上に形成された配線30と、を含む。 - 特許庁
In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加
フォトダイオードや読み出し回路(n型領域750、n+型領域760)等を設けたエピタキシャル基板710の第1面(表面)に配線層720を設け、第2面(裏面)に受光面を設けた裏面入射型のCMOSイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のP型ウェル領域740を基板裏面(受光面)に到達しない層構造で配置し、かつ、基板710中に電場を形成して基板裏面(受光面)から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁
The integrated circuit device has a wiring substrate 1200' including: a first vibrating membrane 714-1 constituting a first microphone; a second vibrating membrane 714-2 constituting a second microphone; and a difference signal generating circuit 720 which receives a first signal voltage acquired by the first microphone and a second signal voltage acquired by the second microphone and generates a difference signal indicating the difference between the first and second voltage signals.例文帳に追加
第1のマイクロフォンを構成する第1の振動膜714−1と、第2のマイクロフォンを構成する第2の振動膜714−2と、前記第1のマイクロフォンで取得された第1の信号電圧と、前記第2のマイクロフォンで取得された第2の信号電圧とを受け取って、前記第1及び第2の電圧信号の差を示す差分信号を生成する差分信号生成回路720と、を含む配線基板1200’を有することを特徴とする集積回路装置である。 - 特許庁
In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加
半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にCu−Ti合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のCu系配線の製造方法であって、前記Cu−Ti合金が、Tiを0.5原子%以上3.0原子%以下含むものであり、かつ、前記Cu−Ti合金をスパッタリング法で形成し、該Cu−Ti合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Cu−Ti合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のCu系配線の製造方法。 - 特許庁
The film carrier tape for mounting electronic component 10 having a mounting unit where a wiring pattern 22 is formed on a substrate by etching and the final defect marking method of the film carrier tape for mounting electronic component are characterised in that the unit has a target mark 30 being a reference for positioning to perform final defect marking in the target position on the mounting unit by a marking means.例文帳に追加
基材上にエッチングにより配線パターン22を形成した実装ユニットを有する、電子部品実装用フィルムキャリアテープ10であって、前記実装ユニットは、前記エッチングにより前記基材上に形成したパターンとして、マーキング手段により前記実装ユニット上の目標位置に最終不良マーキングを行うための位置合わせの基準となるターゲットマーク30を有することを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ、および電子部品実装用フィルムキャリアテープの最終不良マーキング方法。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring board and a core substrate used therefor in which the number of build-up layers to be laminated is reduced.例文帳に追加
ア基板の両面に複数のビルドアップ層を備え、一方の面にはフリップチップ方式により半導体チップを搭載するための接続パッドを有し、他方の面には外部回路と接続用の外部接続端子を有するビルドアップ型の半導体パッケージ用の多層配線基板であ、近年の益々の半導体素子の高密度化、高機能化に伴なう半導体素子の多端子化に対応でき、且つ、従来のめっきスルホールのみを配設した多層配線基板のビルドアップ層の積層数に比べ、ビルドアップ層の積層数を少なくて済む、多層配線基板を提供する。 - 特許庁
The conductive layer may be formed by etching a metal foil by arranging thin metal wires substantially in parallel, by combining a plurality of wiring bodies arranged with thin metal wires substantially in parallel to conduct each other, by printing conductive ink, by coating a transparent substrate with photosensitive conductive ink and patterning the ink through exposure and development, or by metal plating a woven cloth produced by plain weaving short synthetic fibers.例文帳に追加
前記導電層は、金属箔をエッチングすることにより形成したもの、金属細線を略平行に配列したもの、あるいは金属細線を略平行に配列した複数の配線体を互いに導通するように組み合わせることにより形成したもの、導電性インクを印刷することにより形成したもの、感光性導電性インクを透明基板に塗布し、露光、現像によりパターン形成したもの、合成繊維の短繊維を平織りした織布に金属めっきを施したものとすることができる。 - 特許庁
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