「wiring substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the signal extracted from the semiconductor chip C is immediately isolated from the chip loading face of the package substrate P, so that it is possible to reduce stray capacitance between the wiring and the chip on the package substrate P and to improve signal quality as a result.例文帳に追加

これにより、半導体チップＣから引き出された信号は、すぐにパッケージ基板Ｐのチップ搭載面から遠ざけられるため、パッケージ基板Ｐ上の配線とチップとの間の浮遊容量が低減される結果、信号品質が高められる。 - 特許庁

A semiconductor element comprises: a first substrate 100 where a capacitor cell 111 is formed; a second substrate 200 where a circuit section having transistors and wiring is formed; and a connection electrode 300 for electrically connecting the capacitor cell 111 to the circuit section.例文帳に追加

半導体素子は、キャパシタセル１１１が形成された第１基板１００と、トランジスタと配線を備える回路部が形成された第２基板２００と、前記キャパシタセル１１１と前記回路部とを電気的に連結する連結電極３００と、を備える。 - 特許庁

To provide a wiring substrate and a semiconductor device capable of restricting a positional misalignment in a lateral direction in a bonding wire, when a same substrate is used for a variety of semiconductor chips or when a position of the semiconductor chip is misaligned.例文帳に追加

多種多様の半導体チップに対して同一基板を使用した場合や、半導体チップの位置ずれが生じた場合においても、ボンディングワイヤにおける横方向への位置ずれを抑制することができる配線基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A substrate 1 on which a wiring 3 is formed, is electrically connected to the cathode of a direct current source and an electrode electrically connected to the substrate 1 and the anode of the direct current source is dipped in a resist tank filled with colloid electrodeposition resist liquid.例文帳に追加

配線３の形成された基板１を直流電源の陰極と電気的に接続し、基板１およびその直流電源の陽極と電気的に接続した電極をコロイド状の電着レジスト液で満たされたレジスト槽に浸す。 - 特許庁

A semiconductor chip 4 comprises a substrate 100, a device layer 80 formed on one surface of the substrate, heater wiring 302 that generates heat by radiation of electromagnetic waves, and an electrode 103 that is electrically connected to the device layer.例文帳に追加

半導体チップ４は、基板１００と、前記基板の一方の面に形成されたデバイス層８０と、電磁波の輻射により発熱するヒータ配線３０２と、前記デバイス層と電気的に接続される電極１０３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A spherical surface acoustic wave element 10 includes a barrel-shaped piezoelectric crystal substrate 11, and an interdigital electrode 13 and a heating wiring pattern 14 formed on a surface acoustic wave circuit path 12 of the substrate 11.例文帳に追加

球状弾性表面波素子１０は、樽型形状の圧電性結晶基材１１と、この基材１１の弾性表面波周回径路１２上に形成されたすだれ状電極１３および加熱用配線パターン１４とを具備して構成される。 - 特許庁

According to the light-emitting device, a primer 10 made of an acrylic resin having a gas cut-off property higher than that of a sealing resin portion 3 made of a silicone resin covers a substrate 2 and wiring patterns 5A and 5B formed on the surface of the substrate 2.例文帳に追加

この発光装置によれば、シリコーン樹脂で作製された封止樹脂部３よりもガス遮断性が高いアクリル系樹脂で作製されたプライマー１０が基板２および基板２の表面に形成された配線パターン５Ａ,５Ｂを覆っている。 - 特許庁

The liquid ejection recording head includes a recording element substrate 101 including an ejection energy generation element and a plurality of electrode pads 102 and an electric wiring substrate 104 including a plurality of lead electrodes 103, 109 connected to the electrode pads 102.例文帳に追加

液体吐出記録ヘッドは、吐出エネルギー発生素子と複数の電極パッド１０２とを有する記録素子基板１０１と、電極パッド１０２に接続される複数のリード電極１０３，１０９を有する電気配線基板１０４とを有している。 - 特許庁

The wiring or electrode 56 formed on the substrate 51 has a stack structure consisting of a first thin film 52 of a nitride-containing aluminum alloy and a second thin film 53 of an aluminum alloy in the order from the substrate 51.例文帳に追加

基板５１の上に設けられた配線または電極５６であって、配線または電極５６は、基板５１側から順に、窒素含有アルミニウム合金の第１の薄膜５２と、アルミニウム合金の第２の薄膜５３とからなる積層構造を有している。 - 特許庁

Thus the copper diffusion preventive film DCF1b is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1S before the copper wiring forming step, thereby the diffusion of copper atoms (including copper compounds) from the back surface of the semiconductor substrate 1S can be prevented.例文帳に追加

このように、銅配線の形成工程の前に、半導体基板１Ｓの裏面に銅拡散防止膜ＤＣＦ１ｂを形成することにより、半導体基板１Ｓの裏面から銅原子（銅化合物を含む）が拡散することを防止できる。 - 特許庁

When many wiring boards 9 are formed by cutting and parting one ceramic substrate 7 along parting grooves 6, cavities 5 are formed within areas of one half in the ceramic substrate right below the parting grooves along the thickness direction.例文帳に追加

１枚のセラミック基板７を分割溝６に沿って切断分離し、多数の配線基板９を形成するにあたって、前記セラミック基板７の分割溝直下領域の、厚み方向に１／２以内の領域内部に空洞部５を形成した。 - 特許庁

The support substrate 2 and a base insulating layer 3 to be laminated thereupon are prepared and bonded together by using a laser beam 9, the conductor pattern 4 is formed on the base insulating layer 3, and then the support substrate 2 is removed to obtain the wiring circuit board 1.例文帳に追加

支持基板２とその上に積層されるベース絶縁層３とを用意し、それらをレーザー光９を用いて接合し、ベース絶縁層３の上に導体パターン４を形成し、その後、支持基板２を除去することにより、配線回路基板１を得る。 - 特許庁

A flexible substrate for forming wiring is prepared by respectively laminating copper foil 31 and 32 having thicknesses of about 1-5 μm, releasable layers 32 and 35, and carrier copper foil 33 and 36 having thicknesses of about 18-50 μm upon both surfaces of a film substrate 21.例文帳に追加

配線形成用フレキシブル基板として、フィルム基板２１の両面に厚さ１〜５μｍ程度の銅箔３１、３４、剥離層３２、３５および厚さ１８〜５０μｍ程度のキャリア銅箔３３、３６がこの順で積層されたものを用意する。 - 特許庁

When a substrate upper face at the upper part of the center of lamination is cambered so as to be recessed in a ceramic multilayer substrate whose internal multilayers are formed with wiring patterns, a dummy pattern is set at the outer periphery of a product at the lower face side at the lower part of the center of lamination.例文帳に追加

内部の複数の層に配線パターンを形成したセラミックス多層基板において、積層中央から上部にある基板上面が凹に反る場合は、積層中央から下部にある下面側の製品部分の外周部にダミーパターンを設ける。 - 特許庁

The wiring board is equipped with a plurality of optical fibers wired on a substrate 2 and with an extension part 10 for which the optical fibers are drawn from the substrate; in the extension part, there is an optical fiber singly or plurally drawn in a state adjacent to each other side by side.例文帳に追加

基板２上に配線された複数の光ファイバと、前記光ファイバが基板から引き出された延出部１０とを備え、該延出部において光ファイバが単心で、又は複数本が横方向に隣接した状態で引き出されている。 - 特許庁

This bonding sheet comprising a prepreg prepared by impregnating a woven fabric substrate or non-woven fabric substrate with an epoxy resin composition and used for a multilayer flexible printed wiring board is characterized in that the melt viscosity of the prepreg at 130°C is in a range of 3,000 to 70,000 poises.例文帳に追加

エポキシ樹脂組成物を織布基材または不織布基材に含浸したプリプレグからなる多層フレキシブルプリント配線板用ボンディングシートであって、プリプレグの１３０℃における溶融粘度が３０００〜７００００ポイズの範囲であることとする。 - 特許庁

The planar bottom part back surface of the LED package is fixed to a heat dissipation body, a wall upper part of the LED package is attached to the glass epoxy substrate, and an external connection electrode is connected with the wiring of the glass epoxy substrate on the attached part.例文帳に追加

このＬＥＤパッケージの平板状底部裏面を放熱体に固着すると共に、ＬＥＤパッケージの壁部上部をガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で外部接続電極をガラスエポキシ基板の配線と接続する。 - 特許庁

The optical fiber wiring board 220 is equipped with a substrate 221 where a plurality of opening parts 223 are formed, and a plurality of optical fibers 222 which are each wired to the substrate 221 so that one fiber end 222a is exposed from a plurality of opening parts 223.例文帳に追加

光ファイバ配線板２００は、複数の開口部２２３が形成された基板２２１と、各々、一方のファイバ端部２２２ａが複数の開口部２２３から露出するように基板２２１に布線された複数の光ファイバ２２２と、を備える。 - 特許庁

The printed wiring board consists of a substrate 1 wherein an inner layer conductor circuit 2 for electrical conduction is formed in both upper and lower surfaces and an outer layer conductor circuit 4 which is formed in an upper surface 81 and a lover surface 82 of the substrate 1 with a layer insulation layer 3 interposed.例文帳に追加

上下両面に電気導通用の内層導体回路２を形成した基板１と，基板１の上面８１及び下面８２に層間絶縁層３を介して形成した外層導体回路４とからなるプリント配線板である。 - 特許庁

A ring-shape resist height position regulating part 27 is formed in the circumferential part of the upper surface of a substrate metal layer 8 which is formed on the whole surface of a semiconductor wafer 21, and the upper metal layers 9 for wiring are formed on the upper surface of the substrate metal layer.例文帳に追加

半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層８の上面周辺部にリング状のレジスト高さ位置規制部２７が形成され、下地金属層の上面には配線用上部金属層９が形成されている。 - 特許庁

In the surface light source unit 3, a plurality of chip-shaped LEDs 333 as the light emitting elements are mounted on an LED mounting substrate 330 of a multilayered wiring structure and the substrate is disposed so that the surface on which the LEDs 333 are mounted faces downward.例文帳に追加

面光源ユニット３において、発光素子としての複数のチップ形のＬＥＤ３３３は、多層配線構造のＬＥＤ実装基板３３０に実装され、この基板は、ＬＥＤ３３３が実装されている面を下向きに配置されている。 - 特許庁

The LED package is fastened to or brought into contact with a heat radiator, an upper part of a wall of the LED package is adhered to the glass epoxy substrate, and the pair of the external connection electrodes are connected to the wiring of the glass epoxy substrate on an adhesion part.例文帳に追加

このＬＥＤパッケージを放熱体に固着或いは接触させると共に、ＬＥＤパッケージの壁部上部をガラスエポキシ基板に対して接着し、かつ、この接着部の上で、一対の外部接続電極をガラスエポキシ基板の配線と接続する。 - 特許庁

The submount 1 and a light-receiving element substrate 18 are manufactured on the same semiconductor wafer 30, cut and separated, the submount 1, a light path converting mirror 3, and the light-receiving element substrate 18 are mounted on a wiring board 24, then the optical device is manufactured.例文帳に追加

サブマウント１と受光素子基板１８とを、同一の半導体ウエハ３０上において作製し、切断分離させ、サブマウント１、光路変換ミラー３及び受光素子基板１８を配線基板２４上に搭載して、光デバイスを製造する。 - 特許庁

The printed wiring board module 26, constituting a camera module of a portable phone set with a camera, comprises a ceramic substrate 35, a CCD 36 mounted to the ceramic substrate 35, a CCD driver IC 37, a motor driver IC 38, and a ceramic capacitor 39.例文帳に追加

カメラ付き携帯電話機のカメラモジュールを構成するプリント配線板モジュール２６を、セラミック基板３５と、セラミック基板３５に実装されたＣＣＤ３６と、ＣＣＤドライバＩＣ３７と、モータドライバＩＣ３８と、セラミックコンデンサ３９とから構成する。 - 特許庁

The laminate for forming the wiring substrate is provided with a conductor layer which is formed on a substrate, a cap layer which is formed on the conductor layer and includes Ni and an Ni diffusion preventing layer which is made between the conductor layer and the cap layer and does not include Ni.例文帳に追加

基体上に、導体層と、前記導体層の上にＮｉを含むキャップ層と、前記導体層と前記キャップ層との間にＮｉを含まないＮｉ拡散防止層とを有することを特徴とする配線付き基体形成用の積層体。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can improve design flexibility for formation of a wiring pattern in the upper conductive layer by reducing the plane size of a pad to be formed in a via position; and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

ビア位置に形成されるパッドの平面寸法を小さくすることにより、上層の導電層における配線パターン形成の設計自由度を向上させることができる半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁

On the surface of the second substrate 11, the metal wiring 13 for electrically connecting the sensor circuit arranged in the internal space and the outer electrode 14 arranged at the outer part of the sensor circuit and the first substrate 1, is laminatedly formed.例文帳に追加

前記第２基板１１の表面には、内部空間内に配置されたセンサー回路と、当該センサー回路と前記第１基板１の外部に配置された外部電極１４とを電気的に接続する金属配線１３が積層形成される。 - 特許庁

A method for producing a substrate with a fine metal wiring selectively formed on the patternized undercoat for plating comprises, immersing the substrate on which the base film is formed into a catalyzing treatment bath to provide a catalyst layer for plating thereon, and then electroless plating.例文帳に追加

この下地膜を形成した基板を触媒化処理浴中に浸漬してメッキ触媒を付与し、次いで、無電解メッキすることによって、パターン化されたメッキ下地膜上に選択的にメッキ皮膜が形成された微細金属配線付き基板を得る。 - 特許庁

The plurality of Peltier elements 4 are sectioned into a plurality of Peltier element groups 4A and 4B, wherein the first insulating substrate or the second insulating substrate 3 is provided with a wiring pattern 3c for connecting the plurality of Peltier element groups in units of Peltier element group.例文帳に追加

複数のペルチェ素子４は、複数のペルチェ素子群４Ａ，４Ｂに区分され、第１絶縁基板又は第２絶縁基板３は、複数のペルチェ素子群を各ペルチェ素子群単位で電気接続する配線パターン３ｃが設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having an electrode 14; a resin protrusion 20 formed on the semiconductor substrate 10; and wiring 30 electrically connected to the electrode 14 and formed so as to reach the top of the resin protrusion 20.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 having an electrode 14, a resin layer 30 provided on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, and wiring 40 formed from the electrode 14 on the resin layer 30.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に設けられた樹脂層３０と、電極１４から樹脂層３０上に形成された配線４０と、を有する。 - 特許庁

When an area array type semiconductor chip is soldered to a substrate having wiring capable of mounting the semiconductor chip, reflow soldering is performed using flux generating such a capillary force as the chip and the substrate attract each other when solder fuses.例文帳に追加

半導体チップ搭載可能な配線を有する基板上にエリアアレイ型半導体チップをはんだ付け実装する際に、はんだ溶融時に該チップと該基板が引き合うような毛細管力を発生させるフラックスを用いてリフローはんだ付けを行なう。 - 特許庁

To provide a highly reliable optical transmission substrate of which optical transmission direction can be fully efficiently changed in the in-plane direction and vertical direction and which can easily be manufactured, and to provide an optoelectronic hybrid substrate/wiring board and an optical module.例文帳に追加

十分高効率に基板の面内方向と垂直方向の光伝送方向の変換を行うことができ、かつ容易に製造することができて信頼性の高い光伝送基板、光電子混載基板線基板および光モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring substrate, along with a semiconductor device using it, wherein a sufficient bonding space is assured for a band-like bond pad pattern on a substrate and, even if the mounting position of a semiconductor chip is displaced, contacting between adjoining wires is prevented.例文帳に追加

基板上の帯状ボンドパッドパターンにおける十分なボンディングスペースを確保し、かつ半導体チップの搭載位置がずれても隣接するワイヤー同士の接触を防止することができる配線基板およびそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the first circuit part substrate 11 is provided with a dummy card 13 which can be mounted in the card slot 2A and the dummy card 13 is provided with a terminal and wiring to electrically connect the card slot 2A and the first circuit part substrate 11.例文帳に追加

また、第１回路部基板１１はカードスロット２Ａへ装着可能なダミーカード１３を有し、このダミーカード１３はカードスロット２Ａと第１回路部基板１１の回路との間を電気的に接続するための端子及び配線を備えている。 - 特許庁

A printed wiring board 1 has a surface-layer insulating substrate 2, carrying a surface-side conductor pattern 31 on its front surface 21 and a rear-side conductor pattern 32 on its rear surface 22 and a flat plug 4 is formed in the insulating substrate 2.例文帳に追加

表側面２１に設けた表側導体パターン３１と裏側面２２に設けた裏側導体パターン３２を有する表層絶縁基板２を有するプリント配線板１であって，表層絶縁基板２には，フラットプラグ４が形成されている。 - 特許庁

The wiring board is provided with a flexible insulating substrate, a plurality of conductor wirings 2 arranged in line on the flexible insulating substrate, and a projection electrode 3 which is located at ends in an area wherein semiconductor elements 4 of the respective conductor wirings are mounted.例文帳に追加

可撓性絶縁基材と、可撓性絶縁性基材上に整列して設けられた複数本の導体配線２と、各導体配線の半導体素子４を搭載する領域に位置する端部に設けられた突起電極３とを備える。 - 特許庁

The wiring board 1 is employed under an oxidation atmosphere and comprises: an insulation substrate 2; an electrode 3 at least part of which is provided on the surface of the insulation substrate 2; and an oxidation-resistant coating layer 4 for covering an electrode 3a provided on the surface.例文帳に追加

酸化雰囲気下で用いられる配線基板１であって、絶縁基板２と、少なくとも一部が絶縁基板２の表面に設けられた電極３と、表面に設けられた電極３ａを覆う耐酸化性の被覆層４とを備える。 - 特許庁

To improve workability for arranging an element substrate on an attaching face of a wiring member, and to enhance magnetic field detection precision, by providing a plurality of vector detecting type magneto-resistance effect elements with the substantially same pin layer magnetization direction on the same element substrate.例文帳に追加

ピン層磁化方向が略同一のベクトル検知型磁気抵抗効果素子を複数個同一素子基板上に設けることにより、素子基板を配線部材の取付面上に配置するための作業性を改善し、磁界検知精度の向上を図る。 - 特許庁

Since two processes of a heat treatment after a doping process and a heat treatment after the formation of a wiring can be substituted by a process for irradiating the substrate by a laser beam from the backside of the substrate, it is possible to reduce the number of processes.例文帳に追加

また、ドーピング処理後の熱処理と、配線形成後の熱処理という２つの工程を、配線形成後に基板の裏面側からレーザ光を照射するという１つの工程で行なうことで、工程数を削減することを可能とする。 - 特許庁

An adaptor 11 to separate the contact 5 from the wiring pattern 7 by relative movement of the substrate 6 to push up the contact 5 and elastically deform it before the substrate 6 reaches the mounting position to a subassembly 10 is provided.例文帳に追加

基板６がサブアセンブリ１０に対する取付位置に到達する前に、当該基板６の相対移動によって、一時的にコンタクト５を押し上げて弾性変形させ、当該コンタクト５を配線パターン７から離間させるアダプタ１１を設けた。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board further includes a pressurizing step of arranging a conductive bump 71 and the second substrate projection part 66a facing each other and then imparting a pressurizing force between the conductive bump 71 and the second substrate projection part 66a.例文帳に追加

多層プリント配線板の製造方法は、さらに、導電性バンプ７１と第二基板凸部６６ａとを対向させて配置した後、導電性バンプ７１と第二基板凸部６６ａとの間に押圧力を付与する押圧工程を備えている。 - 特許庁

To provide a means capable of repeatedly using a support substrate when manufacturing a semiconductor device using the support substrate and capable of removing the support substrate in a short time without causing any trouble in a wiring layer and the like constituting the semiconductor device, thereby manufacturing the semiconductor device easily in a short time.例文帳に追加

支持基板を使用して半導体装置を製造するに際し、前記支持基板を繰り返し使用でき、前記支持基板の除去を、前記半導体装置を構成する配線層等に不具合を生じることなく短時間で行うことができ、もって前記半導体装置を簡易かつ短時間で製造できる手段を提供する。 - 特許庁

To provide a packaging method for electronic components that allows an adhesive to be evenly disposed on a surface of a supporting substrate, such as a wiring substrate, on which electronic components are firmly fixed in response to pneumatic discharged from a semiconductor bonding tool for firmly fixing electronic components on the substrate using the adhesive.例文帳に追加

半導体素子などの電子部品を複数個、配線基板などの支持基板上に接着剤を用いて固着する際に、半導体素子ボンディング用ツールから放出される圧気に対応して、前記接着剤を電子部品の被固着面に均等に配設することができる電子部品の実装方法を提供。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁