「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In a power transistor composed by arranging a plurality of vertical type PNP transistors on a P type silicon substrate 1, one or a plurality of electrodes parts a of N+ type embedded layer 2 for separating the collector of the plurality of vertical type PNP transistors from the P type silicon substrate 1 are provided in an active region of the power transistor.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上に縦型ＰＮＰトランジスタを複数並べて構成されたパワートランジスタにおいて、前記Ｐ型シリコン基板１と前記複数の縦型ＰＮＰトランジスタのコレクタを分離するためのＮ+型埋込層２の電極部aをパワートランジスタの能動領域内に1箇所または複数有する。 - 特許庁

This photovoltaic device includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which the light is incident from a surface side, a transparent conductive film 4 made of an ITO film formed on the photoelectric conversion layer, and a collector electrode 5 formed on a predetermined region on the transparent conductive film 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層上に形成されたＩＴＯ膜からなる透明導電膜４と、透明導電膜４上の所定領域に形成された集電極５とを備えている。 - 特許庁

On a non-application surface 37 of the negative electrode collector 33 located on the side opposite to the application surface 36 with the negative-electrode electrode 32 applied thereto, a sticking part 38 of a strip-like region extending in parallel to the extraction direction of a tab 34 is set, and lithium metal 39 for doping lithium ions is stuck to the sticking part 38.例文帳に追加

負極集電体３３における負極電極３２が塗布された塗布面３６の反対側に位置する非塗布面３７において、タブ３４の引出方向と平行に延びる帯状領域の貼付部３８が設定され、その貼付部３８にリチウムイオンをドープするためのリチウム金属３９が貼り付けられている。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor of which pressure resistance can be increased easily by lowering a collector concentration in a section just under a base region having a large effect on the pressure resistance of the bipolar transistor, and a semiconductor device in which such a bipolar transistor for the high pressure resistance and the bipolar transistor for a high frequency are loaded on the same substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの耐圧性に大きな影響をもつベース領域直下となる部分のコレクタ濃度を低下させることで、高耐圧化を容易に図ることができるバイポーラトランジスタ、及びかかる高耐圧用のバイポーラトランジスタと高周波用のバイポーラトランジスタとを同一基板上に搭載した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a BiCMOS integrated circuit has a step for forming a base region 211 of a bipolar transistor and a P-type well 212 of an N-channel MOS transistor in one injecting step, and a step for forming a collector contact body well 213 of the bipolar transistor and an N-type well 208 of a P-channel MOS transistor in one injecting step.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ集積回路を製造する方法は、バイポーラ・トランジスタのベース領域２１１とＮチヤンネルＭＯＳトランジスタのＰ形ウエル２１２とを１つの注入段階で作成する段階と、バイポーラ・トランジスタのコレクタ接触体ウエル２１３とＰチヤンネルＭＯＳトランジスタのＮ形ウエル２０８とを１つの注入段階で作成する段階とを有する。 - 特許庁

When an impurity layer of a region shallow from the front surface of a wafer 1, for example a p^+ collector layer 8 in an FS type IGBT and an NPT type IGBT is activated by laser annealing, a particle 20 on the front surface of the wafer 1 is blown away by irradiating a first laser with pulse laser having irradiation energy density of 1.0 J/cm^2 or greater.例文帳に追加

ウエハー１の表面から浅い領域の不純物層、例えばＦＳ型ＩＧＢＴやＮＰＴ型ＩＧＢＴにおけるｐ^+コレクタ層８をレーザーアニールによって活性化する際に、１台目に照射エネルギー密度が１．０Ｊ／ｃｍ^2以上のパルス状のレーザーを照射することで、ウエハー１の表面のパーティクル２０を吹き飛ばす。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁

A high-concentration n-type diffusion layer 116 is formed in an isolation region 115 to reduce collector currents flowing through a parasitic npn transistor 102, thereby providing the drive circuit and the data line driver which improves resistance to noises between adjacent terminals while inhibiting an increase in a chip size, using a normal CMOS process.例文帳に追加

分離領域１１５に高濃度Ｎ型拡散層１１６を設けることにより、寄生ＮＰＮトランジスタ１０２のコレクタ電流を削減することができるので、通常のＣＭＯＳプロセスを用いて、チップサイズを抑制しながら隣接端子間のノイズに対する耐性を向上することのできる駆動回路およびデータ線ドライバを提供することができる。 - 特許庁

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance.例文帳に追加

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。 - 特許庁

A large heat recovery is enabled by arranging a heat exchanger 130 in which PFA or FEP fluororesin lining is applied to the region between a dust collector 121 and a desulfurization apparatus 128 in a waste gas passage of the lime kiln 110 to prevent the acid dew point corrosion by sulfur oxide in the waste gas, and recovering the heat till a gas temperature not higher than the dew point of the sulfur oxide contained in the waste gas.例文帳に追加

ライムキルン１１０の排ガス流路の集塵装置１２１と脱硫装置１２８の間に排ガス中の硫黄酸化物による酸露点腐食を防止するためにＰＦＡ又はＦＥＰフッ素樹脂ライニングを施した熱交換器１３０を配し、排ガス中に含まれる硫黄酸化物の露点以下のガス温度まで熱回収することで、大きな熱回収をすることが可能となる。 - 特許庁

The lithium ion capacitor includes an electrode sheet, constituted by arranging a positive electrode sheet and a negative electrode sheet each having an electrode layer formed on a current collector, one over the other with a sheet type separator interposed, and an electrolyte including lithium salt, wherein the separator has a low-melting-point part which is formed locally in a region positioned between the positive electrode sheet and negative electrode sheet, and also molten at lower temperature than other parts.例文帳に追加

それぞれ集電体に電極層が形成されてなる正極電極シートおよび負極電極シートが、シート状のセパレータを介して重なるよう配置されてなる電極ユニットと、リチウム塩を含む電解液とを有してなるリチウムイオンキャパシタであって、前記セパレータは、前記正極電極シートと前記負極電極シートとの間に位置する領域に局部的に形成された、他の部分より低い温度で溶融する低融点部分を有することを特徴とする。 - 特許庁