「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The emitter region or the collector region forms the base region and heterojunction.例文帳に追加

エミッタまたはコレクタ領域はベース領域とヘテロ接合を形成する。 - 特許庁

The collector region is formed in the first conductivity-type region.例文帳に追加

コレクタ領域は第１導電型領域に形成されている。 - 特許庁

A collector electrode 12 is connected to the p^+-type collector region 11.例文帳に追加

ｐ^＋型コレクタ領域１１にコレクタ電極１２が接続されている。 - 特許庁

The base layer 7 is provided on the first collector 5a and the collector 5b of the collector region 5.例文帳に追加

ベース層７は、コレクタ領域５の第１のコレクタ部５ａ及びコレクタ部５ｂ上に設けられる。 - 特許庁

A first collector region 303, a second collector region 314, and a drain region 313 are formed in the resurf region 302 to be spaced from the base region.例文帳に追加

リサーフ領域３０２内にベース領域とは離隔して第１コレクタ領域３０３、第２コレクタ領域３１４及びドレイン領域３１３が形成されている。 - 特許庁

The collector well region 44 encloses the collector regions 46, 48 to contact with the collector regions 46, 48.例文帳に追加

コレクタウェル領域４４は、コレクタ領域４６，４８を取り囲んでコレクタ領域４６，４８に接している。 - 特許庁

The base region is positioned on the collector region in the first conductivity-type region.例文帳に追加

ベース領域は第１導電型領域においてコレクタ領域上に位置している。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a collector region 1, an emitter region 2 and a base region 3, and a semiconductor area 4 extends between the collector region 1 and the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域１、エミッタ領域２、ベース領域３とを有するバイポーラトランジスタであって、半導体領域４がコレクタ領域１とベース領域３との間に延在する。 - 特許庁

The protective element includes a semiconductor substrate 1, a P well 2, an emitter region 5B, a first collector region 6B, a second collector region 8B, and a resistive connection region 9.例文帳に追加

半導体基板１、Ｐウェル２、エミッタ領域５Ｂ、第１コレクタ領域６Ｂ、第２コレクタ領域８Ｂおよび抵抗性接続領域９を有する。 - 特許庁

METHOD OF COUNTER-DOPING COLLECTOR REGION OF BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

バイポーラ・トランジスタのコレクタ領域をカウンタ・ドープする方法 - 特許庁

A collector region is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にコレクタ領域が形成されている。 - 特許庁

The NPN transistor forms an N-type collector region 60 through diffusion in the island region 25, to form a collector layer.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタは、島領域２５にＮ型のコレクタ領域６０を拡散により形成して、コレクタ層とする。 - 特許庁

The spacer is arranged to electrically insulate the emitter region or the collector region from an external region.例文帳に追加

スペーサはエミッタまたはコレクタ領域を外部領域から電気的に絶縁するために配置される。 - 特許庁

A p^+ collector region is provided on the surface layer of an n buffer region 7.例文帳に追加

ｎバッファ領域７の表面層には、ｐ^+コレクタ領域が設けられている。 - 特許庁

A collector layer 3 is formed on a sub-collector layer 2, and an intrinsic base region 5a is formed on the collector layer 3.例文帳に追加

サブコレクタ層２上にコレクタ層３が形成され、コレクタ層３上に真性ベース領域５ａが形成されている。 - 特許庁

The dummy contact portion 9a is located on the collector region 6 side rather than on the depletion region 21 side in the base region 3b between the emitter region 5 and the collector region 6.例文帳に追加

このダミーコンタクト部９ａは、エミッタ領域５とコレクタ領域６との間のベース領域３ｂのうち、空乏層領域２１よりもコレクタ領域６側の領域に配置する。 - 特許庁

A cathode region 30 in the diode region 20 and a collector region 52 in the IGBT region 40 adjoin each other.例文帳に追加

ダイオード領域２０内のカソード領域３０と、ＩＧＢＴ領域４０内のコレクタ領域５２は隣接している。 - 特許庁

A base region 2 is formed in a collector region 1, and the emitter region 3 is formed in the base region 2.例文帳に追加

コレクタ領域１にはベース領域２が形成され、さらに、ベース領域２にはエミッタ領域３が形成されている。 - 特許庁

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40.例文帳に追加

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。 - 特許庁

The N+ type first collector region 2 is so formed as to be enclosed with the second collector region 3 in top view.例文帳に追加

Ｎ^＋形の第１のコレクタ領域２を平面的に見て第２のコレクタ領域３で包囲されるように形成する。 - 特許庁

Thus, the collector region 3c of a low impurity concentration is provided right below the base layer, and the collector resistance is set to the low resistance by the annular collector region 3b where the impurity concentration is increased around the collector region.例文帳に追加

これによりベース層直下に不純物濃度が低いコレクタ領域３ｃを持ち、コレクタ領域の周囲は不純物濃度を高めた環状のコレクタ領域３ｂによってコレクタ抵抗を低抵抗に設定できる。 - 特許庁

The power semiconductor device has a first conductivity type emitter region, a second conductivity type base region touching the emitter region, a first conductivity type withstand voltage maintaining region touching the base region, a second conductivity type collector region touching the withstand voltage maintaining region, and a collector region arranged in contact with the collector region.例文帳に追加

第一導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域と接する第二導電型のベース領域と、該ベース領域と接する第一導電型の耐圧維持領域と、該耐圧維持領域と接する第二導電型であるコレクタ領域と、該コレクタ領域と接して配置される電極であるコレクタ電極とを備える。 - 特許庁

As a semiconductor device, the IGBT 10 has a semiconductor region 25 between a collector region 22 and a drift region 28.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間に、半導体領域２５を備えている。 - 特許庁

The collector part consists of: an N-type buffer region 14; a P^+ type collector region 15; and an N^+ type contact region 18 formed in the N-type buffer region 14.例文帳に追加

前記コレクタ部は、Ｎ型バッファ領域１４と、Ｎ型バッファ領域１４に形成されたＰ^＋型コレクタ領域１５及びＮ^＋型コンタクト領域１８とで構成されている。 - 特許庁

The PN junction between the base region and the collector region is terminated by an oxide film reaching the collector region through the base region.例文帳に追加

本発明は、全面に設けたベース領域とコレクタ領域のＰＮ接合を、ベース領域を貫通しコレクタ領域に達する酸化膜により終端させるものである。 - 特許庁

To reduce displacement of a collector region and an emitter region within a base region for formation of the collector and emitter regions within the base region that constitutes a transistor.例文帳に追加

トランジスタを構成するベース領域にコレクタ領域やエミッタ領域を形成するに際し、ベース領域内におけるコレクタ領域やエミッタ領域の位置ずれを低減する。 - 特許庁

A side of the first P-type collector region 3b is also surrounded by the N-type region.例文帳に追加

第１のＰ型コレクタ領域３ｂの側面もＮ型領域に囲まれている。 - 特許庁

The emitter region 7 and the collector plug region 8 are short-circuited through a wiring 10.例文帳に追加

エミッタ領域７とコレクタプラグ領域８とは配線１０によって短絡する。 - 特許庁

A collector region 21 on the rear surface has an MPS structure of the p^+ collector region 19 and the Schottky junction 20 and the p^+ collector region 19 on the rear surface has a thickness of about 1 μm.例文帳に追加

この裏面のコレクタ領域部２１をｐ^+ コレクタ領域１９とショットキー接合２０で構成されたＭＰＳ構造とし、裏面のｐ^+ コレクタ領域１９の厚さを１μｍ程度とする。 - 特許庁

The semiconductor device has an n-type collector region 1 disposed on a collector electrode CD1, a low-concentration n-type collector region 2 disposed on the region 1, and a p-type base region 3 disposed on the region 2.例文帳に追加

コレクタ電極ＣＤ１上に配設されたＮ型コレクタ領域１と、Ｎ型コレクタ領域１上に配設された低濃度Ｎ型コレクタ領域２と、低濃度Ｎ型コレクタ領域２上に配設されたＰ型ベース領域３とを備えている。 - 特許庁

Thereupon, the phosphorus having the higher diffusion coefficient diffuses to the collector region 13 from the collector contact region 12, whereby a first collector region 13a containing the diffusing phosphorus and a second collector region 13b not substantially containing the phosphorus are formed.例文帳に追加

このとき、コレクタコンタクト領域１２からは、拡散係数の高いリンがコレクタ領域１３に拡散し、これにより、拡散したリンを含む第１のコレクタ領域１３ａと、リンを実質的に含まない第２のコレクタ領域１３ｂと、が形成される。 - 特許庁

In the transistor 40, a high concentration collector region 42 and a base region 43 are in contact with a low concentration collector region 41 formed in the semiconductor layer 23.例文帳に追加

トランジスタ４０では、高濃度コレクタ領域４２及びベース領域４３が、半導体層２３に設けられた低濃度コレクタ領域４１に接する。 - 特許庁

An n-type body region 52a and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ボディ領域５２ａと、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

A p-type source region 210 and the n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｐ型ソース領域２１０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DEEP SUB-COLLECTOR REGION例文帳に追加

深いサブコレクタ領域を有する半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

A transistor 100 has an emitter region 10, a base region 20 and a collector region 50.例文帳に追加

本発明におけるトランジスタ１００が、エミッタ領域１０、ベース領域２０およびコレクタ領域５０を有する。 - 特許庁

Further, the impurity concentration of the semiconductor region 25 is varied between the collector region 22 and the drift region 28.例文帳に追加

さらに、半導体領域２５の不純物濃度は、コレクタ領域２２とドリフト領域２８の間で変化している。 - 特許庁

A base region 13 of a semiconductor device 1 includes an emitter region 14, a collector region 15, a base contact region 16, and a current suppression region 17.例文帳に追加

半導体素子１のベース領域１３は、エミッタ領域１４と、コレクタ領域１５と、ベースコンタクト領域１６と、電流抑制領域１７とを有している。 - 特許庁

The PNP type transistor is a perpendicular type and comprises a p-type emitter region 70, an n-type base region 72, a p-type collector region 74, and a collector electrode leading region 76.例文帳に追加

ＰＮＰ型トランジスタは、垂直型であって、ｐ型エミッタ領域７０、ｎ型ベース領域７２、ｐ型コレクタ領域７４、及びコレクタ電極引き出し領域７６を備える。 - 特許庁

The present method includes ion implantation of carbon C into one of the following element regions i.e. a collector region, subcollector region, external base region, and collector-base junction region.例文帳に追加

本発明の方法は、以下の素子領域、すなわちコレクタ領域、サブコレクタ領域、外部ベース領域、およびコレクタ−ベース接合領域の１つへの、炭素、Ｃのイオン打込みを含む。 - 特許庁

A p^+-type collector region 203 and an N^+-type drain region 213, are formed in separation from the base region within the resurf region 202.例文帳に追加

リサーフ領域２０２内にベース領域とは離隔してｐ^+ 型コレクタ領域２０３及びＮ^+ 型ドレイン領域２１３が形成されている。 - 特許庁

Further, in a base region 5 contacting the emitter region 9, a Ge composition ratio increases from the emitter region 9 to the collector region 3.例文帳に追加

また、エミッタ領域９に接するベース領域５は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かいＧｅ組成比が増加している。 - 特許庁

The impurity density of the collector well region 44 is lower than those of the collector regions 46, 48.例文帳に追加

コレクタウェル領域４４の不純物濃度は、コレクタ領域４６，４８の不純物濃度よりも薄い。 - 特許庁

In a plane, the second and third collector regions 7, 8 are surrounded by the first collector region 6.例文帳に追加

平面的に見て第２及び第３のコレクタ領域７、８を第１のコレクタ領域６で包囲する。 - 特許庁

This structure enables the metal layer 55 to be used as collector region, and can remarkably reduce the sheet resistance value in the collector region.例文帳に追加

この構造により、金属層５５がコレクタ領域として用いられ、コレクタ領域でのシート抵抗値を大幅に低減することができる。 - 特許庁