「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

This bipolar transistor comprises a GaAs substrate, an n-type collector region formed on the GaAs substrate, a p-type base region having a base layer consisting of p-type SiGe and having a composition, capable of lattice matching with the GaAs substrate and formed on the n-type collector region, and an n-type emitter region formed on the p-type base region.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に形成されたｎ型コレクタ領域と、前記ｎ型コレクタ領域上に形成され前記ＧａＡｓ基板と格子整合する組成のｐ型のＳｉＧｅからなるベース層を有するｐ型ベース領域と、前記ｐ型ベース領域上に形成されたｎ型エミッタ領域と、を備えることを特徴とするバイポーラ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

In a region RB, a P-type well 4a to be a base B, an N+ diffusion region 15a to be an emitter E, and a bottom N-type well 6 to be a collector C are formed.例文帳に追加

領域ＲＢには、ベースＢとなるＰ型ウェル４ａ、エミッタＥとなるＮ＋拡散領域１５ａおよびコレクタＣとなるボトムＮ型ウェル６が形成されている。 - 特許庁

A surface layer on a side wall and a bottom surface of the recess 6 is provided with a p-type region 8, and the p^+-type isolation layer 11 and p-type collector region 7 are electrically connected.例文帳に追加

凹部６の側壁および底面の表面層には、ｐ型領域８が設けられており、ｐ^+型分離層１１とｐ型コレクタ領域７とを電気的に接続する。 - 特許庁

A high-concentration region 15 for reducing the saturation voltage VCE (sat) between the collector and emitter is formed so that a base region 13 of an NPN transistor 10 is surrounded.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタ１０のベース領域１３を囲むようにして、コレクタ−エミッタ間飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）を低減させるための高濃度領域１５を形成した。 - 特許庁

A withstand voltage holding section is formed in the direction of depth of the semiconductor device by providing a sixth semiconductor region 12 to be a collector region at the bottoms of trenches 20 and 21.例文帳に追加

コレクタ領域となる第６の半導体領域１２をトレンチ２０，２１の底に設けることによって、耐圧を保持する部分を半導体装置の深さ方向に設ける。 - 特許庁

After that, the anode collector 12 is made to travel for a given distance by the travelling mechanism, and the next active material layer forming region is moved to the evaporation region A.例文帳に追加

この後、走行機構によって所定の長さだけ負極集電体１２を走行させ、次の活物質層形成領域を蒸着領域Ａに移動させる。 - 特許庁

A base region 13 is formed of an epitaxial layer on the surface of a semiconductor substrate 11 turning to a collector, and a trench 15 is formed on the surface of the base region 13.例文帳に追加

コレクタとなる半導体基板１１の表面にエピタキシャル層によってベース領域１３を形成し、ベース領域１３の表面に溝１５を形成する。 - 特許庁

In the first conductivity- type region, grooves 12b to 12e that reach the collector region, and separation grooves 12a and 12f that are arranged around the vertical bipolar transistor are formed.例文帳に追加

第１導電型領域には、コレクタ領域に到達する溝１２ｂ〜１２ｅと、縦型バイポーラトランジスタの周囲に配置された分離溝１２ａ、１２ｆとが形成されている。 - 特許庁

In addition, simultaneously as the drain/source regions 40, 41 of the P-MOS transistor, an emitter region 49 and an electrode extraction part 48 of a collector region of the bipolar transistor are formed.例文帳に追加

また、Ｐ−ＭＯＳトランジスタのドレイン／ソース領域４０，４１と同時に、バイポーラトランジスタのエミッタ領域４９及びコレクタ領域の電極取り出し部４８が形成される。 - 特許庁

To provide a treating method of a collector and a treating device of the collector capable of selectively and uniformly performing the pretreatment of the collector only in a required region and obtaining an electrode for battery exhibiting highly reliable function in a high yield.例文帳に追加

集電体の前処理を所要領域のみに選択的に、かつ均一に行うことが可能で、信頼性の高い機能を呈する電池用電極を歩留まりよく得ることができる集電体処理方法、および集電体処理装置の提供。 - 特許庁

This human body detector comprises the collector sensor for outputting a signal, according to the motion of the human body in the detection region, and an estimating section for existence of the human body in the detection region, based on the output signal of the collector sensor.例文帳に追加

人体検出装置は、検出領域内における人体の動きに応じた信号を出力する焦電センサと、焦電センサの出力信号に基づいて、前記検出領域内における人体の存否を推定する推定部と、を備える。 - 特許庁

The surface roughness in a covered region covered with a negative electrode active material layer 23 and in the exposed region other than the covered region out of the negative electrode current collector 22 is 2.0-10.0 μm in an Rz value.例文帳に追加

したがって、負極集電体２２のうち、負極活物質層２３によって覆われる被覆領域およびそれ以外の露出領域における表面粗さは、Ｒｚ値で２．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。 - 特許庁

An n-type impurity layer 6 with a different conductivity type from that of an adjacent region is provided between a p-type impurity layer 4 of the collector region of the outermost region of a pnp bipolar transistor 5 and a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐｎｐバイポーラトランジスタ５の最外領域のコレクタ領域であるｐ型不純物層４とｐ型シリコン基板１との間に、隣接領域と導電形が異なるｎ型の不純物層６を設ける。 - 特許庁

Shortest distance L1, between the outer edge off the second base region 3 and a base electrode opening 16 of an insulating film 10, is longer than a longest distance L2 between the first base region 2 and the second collector region 6.例文帳に追加

第２のベース領域３の外周縁を絶縁膜１０のベース電極用開口１６との最短距離Ｌ1 を第１のベース領域２と第２のコレクタ領域６との最大距離Ｌ2 よりも長くする。 - 特許庁

In this semiconductor device, in a transistor having a base region 11, an emitter region 12, and first and second collector regions 13, 14, there are provided a shallow first part 11a and a deep second part 11b in the base region 11.例文帳に追加

ベース領域１１とエミツタ領域１２と第１及び第２のコレクタ領域１３、１４とを有するトランジスタにおいて、ベース領域１１に浅い第１の部分１１ａと深い第２の部分１１ｂとを設ける。 - 特許庁

An n-region CLL of a collector region CL of the bipolar transistor BT has an impurity density distribution identical to that of an n-channel forming region NC of a p-MOS transistor PT in the direction of thickness of the SOI layer SL.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのコレクタ領域ＣＬのｎ^-領域ＣＬＬは、ＳＯＩ層ＳＬの厚み方向に対してｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣと同じ不純物濃度分布を有している。 - 特許庁

At the position on the surface of the base region 3 which is away from the emitter region 5, at least a pair of collector regions 6A and 6B formed, away from each other, with the pattern symmetrical about the emitter region 5 are provided.例文帳に追加

ベース領域３の表面のうちエミッタ領域５から離間した位置に、エミッタ領域５に対して対称なパターンで互いに離間して形成された少なくとも一対のコレクタ領域６Ａ，６Ｂを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a BiCMOS device comprising a deep sub-collector region and a self-aligning mark.例文帳に追加

深いサブコレクタ領域および自己整合性位置合せマークを有するＢｉＣＭＯＳデバイスを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor and a method of manufacturing the same, the transistor comprising a substrate having a collector region and a base structure on the substrate.例文帳に追加

コレクタ領域を有する基板およびその上のベース構造を備えたバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An n^--type diffusion layer 4 is formed in an SOI layer on an SOI substrate, an unnecessary part is removed, and a collector region is formed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上のＳＯＩ層にＮ^-型拡散層４を形成し、不要部分を除去してコレクタ領域を形成する。 - 特許庁

A bipolar transistor is formed having a collector region 4 provided to a bottom of a trench formed in a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１に形成されたトレンチの底部に設けられたコレクタ領域４を有するバイポーラトランジスタを形成する。 - 特許庁

Collector regions of the transistors Q1 and Q2 are separated from each other, and a first region 11 of the first conductive type is formed between the collector regions 101 of the transistors Q1 and Q2.例文帳に追加

各トランジスタＱ１，Ｑ２の各コレクタ領域１０１は、離間配置されるとともに、各トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタ領域１０１間には、第一導電型の第一領域１１が形成されている。 - 特許庁

A p-type well area 8 and an n-type collector region 6 are separately formed in a p-type element formation region 3a that is a portion of a p-type silicon layer 3 as a semiconductor layer, and an n-type emitter region 5 is formed at the surface side of the well region 8.例文帳に追加

半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。 - 特許庁

The thickness of a part 41 in a first region AR1 of a buried layer 40 is arranged to be thinner as it goes away from a second region AR2, and the distance between an emitter region 70E and the buried layer 40 is longer than the distance between a collector region 70C and the buried layer 40.例文帳に追加

埋め込み層４０の第１領域ＡＲ１内の部分４１の厚さは第２領域ＡＲ２から遠ざかるほど薄くなっており、エミッタ領域７０Ｅと埋め込み層４０との距離は、コレクタ領域７０Ｃと埋め込み層４０との距離よりも長い。 - 特許庁

An insulating region for bypassing current flowing from a first region to a second region 42 is formed on a line which is the shortest distance of lines connecting an outside connecting part 42 and a plurality of current collecting parts 41 in the first region in a current collector 4.例文帳に追加

集電体4に、外部接続部42と第1領域における複数個の集電部41とが結ばれる線の中で少なくとも最短距離となる線上に、第1領域から第2領域42へと流れる電流を迂回させるための絶縁性領域を形成する。 - 特許庁

When internal short circuit occurs by a conductive contaminant X, electrons are moved from each region 33 of the negative current collector 23 toward the conductive contaminant X, and electrons are moved from the conductive contaminant X toward each region 32 of the positive current collector 20.例文帳に追加

導電性異物Ｘによる内部短絡発生時には、負極集電体２３の各領域３３から導電性異物Ｘに向けて電子が移動し、導電性異物Ｘから正極集電体２０の各領域３２に向けて電子が移動する。 - 特許庁

To distinctively estimate whether a human body stays at rest in a detection region or has gone out of the detection region, when a collector sensor or the like is used.例文帳に追加

焦電センサなどを用いた場合において、人体が検出領域内に留まって静止しているのか、或いは、人体が検出領域外に出て行ったのかを区別して推定する。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon 119 and the insulating film 116 are etched, the sidewall of an NMOS is formed, and the collector take-out region of the NPN and the source/drain region of the NMOS are formed.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン１１９と絶縁膜１１６をエッチングし、ＮＭＯＳのサイドウォールを形成し、ＮＰＮのコレクタ取出し領域とＮＭＯＳのソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The negative electrode is formed by installing, on a negative electrode current collector 101, a negative electrode active material layer 102 having a first layered region 102A and a second layered region 102B in this order.例文帳に追加

負極は、負極集電体１０１の上に、層状の第１の領域１０２Ａと第２の領域１０２Ｂとを順に有する負極活物質層１０２が設けられたものである。 - 特許庁

To enable a heterojunction bipolar transistor to attain high operating efficiency by enabling movable charge carriers to pass through the collector region of the transistor from the base region of the transistor, without encountering any barrier.例文帳に追加

可動電荷担体がバリアに遭遇することなくベース領域からコレクタ領域を通過でき、したがって高動作効率を達成できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

More specifically, a barrier metal 12a is arranged on the surface of the p-type region 4b so that the contact parts of the collector electrode 12 and the p-type region 4b come into Schottky contact reliably.例文帳に追加

具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。 - 特許庁

A collector region 23 is formed on the ground backside of the wafer, and then a back electrode 42 is formed, thereby allowing the cathode region 32 to make an ohmic contact with the back electrode 42.例文帳に追加

そして、研削したウェハー裏面にコレクタ領域２３を形成した後、裏面電極４２を形成することによって、カソード領域３２を裏面電極４２にオーミック接触させる。 - 特許庁

On the surface side of a semiconductor substrate of a first conductive type (for example, n-type) of a collector region 1, a base region 3 of a second conductive type (for example, p-type) is formed.例文帳に追加

コレクタ領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体基板の表面側に第２導電形（たとえばｐ形）のベース領域３が形成されている。 - 特許庁

In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter.例文帳に追加

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第３Ｐ型導電領域１２、第４Ｐ型導電領域１３及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域３をエミッタとする第１のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁

A p^+-type collector region 8, an n^+-type buffer region 9, an n-type base region 10 formed of first and second regions 10a and 10b, a p-type base region 11 formed of first and second parts 11a and 11b and an emitter region 12 are formed in a semiconductor substrate 1 having a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５を有する半導体基板１には、Ｐ^+型コレクタ領域８とＮ^+型バッファ領域９と第１及び第２の領域１０ａ、１０ｂから成るＮ型ベース領域１０と第１及び第２の部分１１ａ、１１ｂから成るＰ型ベース領域１１とエミッタ領域１２とが形成されている。 - 特許庁

In addition, the membrane-electrode assembly 10 approximately faces the cooling water path 32 with part of the collector member 30 in-between and contains a first region which is easily cooled by the cooling water and a second region which is a region that is other than the first region and which is not as easily cooled as the first region.例文帳に追加

そして、膜電極接合体１０は、集電部材３０の一部を挟んで冷却水流路３２とほぼ対向し、冷却水によって冷却されやすい第１の領域と、第１の領域以外の領域であって、第１の領域よりも、冷却水によって冷却されにくい第２の領域とを含んでいる。 - 特許庁

The protection circuit 25 includes an n^- layer 26 laminated on a p^- layer 27, a p^+ base region 29 formed on an n^- layer, an n^+ collector region 33 etc. formed on the p+ base region, and an npn transistor 30 etc. which is formed on the n^- layer and is formed on an n+ emitter region 37 etc. overlapped with the p+ base region.例文帳に追加

保護回路２５は、ｐ^−層２７上に積層されたｎ^−層２６、ｎ^−層に形成されたｐ^＋ベース領域２９、ｐ^＋ベース領域に形成されたｎ^＋コレクタ領域３３等、及びｎ^−層に形成されｐ^＋ベース領域とオーバラップしたｎ^＋エミッタ領域３７等で形成されたｎｐｎトランジスタ３０等を含む。 - 特許庁

A ring-like LOCOS oxide film 3b for isolation deeper than the outer base region 6 is formed around the outer base region 6 and a ring-like second conductivity type collector plug region 8 deeper than the oxide film 3b is provided around the oxide film 3b.例文帳に追加

外部ベース領域６の周囲にこれよりも深いリング状の素子内分離用ＬＯＣＯＳ酸化膜３ｂを設け、さらにその周囲にそれよりも深いリング状の第２導電型のコレクタプラグ領域８を設ける。 - 特許庁

The collector region 215 and the top semiconductor layer 205 have substantially the same impurity concentration and are disposed at substantially the same depth.例文帳に追加

コレクタ領域２１５及び頂上半導体層２０５は実質的に同じ濃度を有すると共に実質的に同じ深さに位置する。 - 特許庁

A collector region 3 is formed in the central part of a unit cell 1 at the surface layer part of the element forming layer 6b of an SOI substrate 6.例文帳に追加

ＳＯＩ基板６の素子形成層６ｂの表層部のうち単位セル１の中心部にコレクタ領域３が形成されている。 - 特許庁

The roll center is a double-side exposure region 21E exposing the positive collector 21A, and has a lead 25 attached.例文帳に追加

巻回中心側には正極集電体２１Ａが露出された両面露出領域２１Ｅがあり、リード２５が取り付けられている。 - 特許庁

The electrode for battery includes: a current collector of metal foil; a lead portion 5 of metal foil, extended from the current collector; and an active material-containing layer which is formed on both sides of the current collector and in a region 6 including a root portion X of the lead portion 5.例文帳に追加

金属箔製の集電体と、前記集電体から延出された金属箔製のリード部５と、前記集電体の両面と、前記リード部５の付け根部分Ｘを含む領域６とに形成された活物質含有層とを具備することを特徴とする電池用電極。 - 特許庁

Related to a bipolar transistor, an external base region is formed of a base region 4B, having low impurity concentration and a heavily-doped external base region 8 with high impurity concentration, so that the resistive contact in the external base region is satisfactory, reducing parasitic capacity between a base and collector.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、外部ベース領域が不純物濃度が低いベース領域４Ｂ、及び、不純物濃度が高い高濃度外部ベース領域８で形成されるので、外部ベ−ス領域の抵抗性接触が良好となり、ベース・コレクタ間の寄生容量が低減する。 - 特許庁

A second-conductivity-type collector region 16 delimited by element isolation regions 20 is formed on a first-conductivity-type semiconductor substrate 10, and a first-conductivity-type first base semiconductor layer 40 extends from the top face of the collector region 16 to the top faces of the element isolation regions 20.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１０上に素子分離領域２０によって限定される第２導電型のコレクタ領域１６が形成され、第１導電型の第１ベース半導体層４０がコレクタ領域１６の上面から素子分離領域２０の上面まで延びている。 - 特許庁