「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An LED, a collector lens and a fly-eye lens are so located that the value obtained by multiplying the magnification determine from the fly-eye lens and the collector lens by an area of a light emitting region is made smaller than the respective areas of a plurality of exit surfaces.例文帳に追加

フライアイレンズとコレクタレンズとから定まる倍率に発光領域の面積を乗じた値が、複数の出射面の各々の面積よりも小さくなるように、ＬＥＤとコレクタレンズとフライアイレンズとを位置付ける。 - 特許庁

The end part in horizontal direction of an anode sheet b extends exceeding the corresponding end part of a cathode q and the current collector e, and forms a projected region.例文帳に追加

アノードシートｂの横方向端部はカソードｑ及び集電体ｅの対応端部を超えて延びており、突出領域を形成している。 - 特許庁

A double-side exposure region 21E exposing the positive collector 21A is on a spirally-winding center side, and a lead 25 is attached to the spirally-winding center side.例文帳に追加

巻回中心側には正極集電体２１Ａが露出された両面露出領域２１Ｅがあり、リード２５が取り付けられている。 - 特許庁

The window 50 is arranged at a part of an area where a collector region 31 exists in the vertical direction of the main surface of the semiconductor substrate 30.例文帳に追加

窓部５０は、半導体基板３０の主面の垂直方向において、コレクタ領域３１が存在する範囲の一部に配置されている。 - 特許庁

A base region (channel region) formed by intermittently processing a gate electrode 14 coming closest to a collector is intermittently changed to suppress occurrence of latch-up in the vicinity of the proximate channel region which determines latch-up resistance of an element.例文帳に追加

コレクタに最近接するゲート電極１４を断続的に加工する事で、それに伴い形成されるベース領域(チャネル領域)を断続的に変化させ、素子のラッチアップ耐性を決める最近接チャネル領域付近でのラッチアップの発生を抑える。 - 特許庁

A conductive region 15 is provided between the collector electrode 10 and the gate electrode 8 closest to it to a position deeper than the pn junction surface of a base region 4 and a drift region 3, potential is made to float and it is turned to a field plate.例文帳に追加

コレクタ電極１０とこれに最も近いゲート電極８との間に、ベース領域４とドリフト領域３とのＰＮ接合面よりも深い位置まで、導電性領域１５を設け、その電位をフローティングにしてフィールドプレートとする。 - 特許庁

Further, since an insulation member 28 is arranged at least at an opposing region (a region R2) of a positive electrode collector 21A against a negative electrode active material layer 22B, local potential rise of the positive electrode 21 at its opposing region can be restrained.例文帳に追加

しかも、少なくとも正極集電体２１Ａと負極活物質層２２Ｂとの対向領域（領域Ｒ２）に絶縁部材２８が配設されているため、その対向領域における正極２１の局所的な電位上昇が抑制される。 - 特許庁

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

This semiconductor device includes, in a cell region for arranging an IGBT therein, a control gate electrode 13 capable of adjusting the quantity of holes in a p+ type substrate 1 becoming a collector region and the quantity of electrons in an FS layer 2a.例文帳に追加

ＩＧＢＴが配置されるセル領域にコレクタ領域となるｐ^+型基板１内のホールの量やＦＳ層２ａ内の電子の量を調整することができるコントロールゲート電極１３を備える。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

The first and the second collector regions 6B and 8B are a prescribed distance away from the emitter region 5B and also apart from each other, and mutually connected by the resistive connection region 9.例文帳に追加

第１および第２コレクタ領域６Ｂ,８Ｂは、エミッタ領域５Ｂと所定の距離以上だけ離れ、お互いの間も互いに離れており、その間が抵抗性接続領域９によって接続されている。 - 特許庁

A PN junction diode between an emitter electrode (22) and a collector electrode (23) of the insulated gate bipolar transistor is built through a PN junction formed between the peripheral base region (27) and the first base region (16).例文帳に追加

周辺ベース領域(27)と第１のベース領域(16)との間に形成されるＰＮ接合により、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ電極(22)とコレクタ電極(23)との間にＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁

The comparatively thin semiconductor area 4 between the base region 3 and the collector region 1, allows ultrafast bipolar transistors with a high cutoff frequency and an improved breakdown voltage to be manufactured.例文帳に追加

ベース領域３とコレクタ領域１との間の比較的薄い半導体領域４により、高い遮断周波数及び改善された降伏電圧を備える著しく高速なバイポーラトランジスタが製造される。 - 特許庁

This device comprises a SiGe base bipolar transistor having an inclined profile of Ge wherein the Ge density of a SiGe base layer increases from an emitter region side toward a collector region side from 0% to 10%.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース層のＧｅ濃度をエミッタ領域側からコレクタ領域側に向かって０％から１０％まで増加するような傾斜Ｇｅプロファイルを備えたＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタを有する。 - 特許庁

At least one of the emitter layer 4 and the collector layer 6 comprises a semiconductor layer containing aluminum, and a selective oxidation region 3 containing aluminum and a semiconductor region 4 surrounded with it are provided.例文帳に追加

エミッタ層4とコレクタ層6の少なくとも１つの層が、アルミニウムを含む半導体層から成り、アルミニウムを含む選択酸化領域3と該選択酸化領域3に囲まれた半導体領域4とを有している。 - 特許庁

The second semiconductor region 23n is arranged neighboring the first semiconductor region 23p in the face-direction of the current collector 23, and includes a second conductive type different from the first conductive type.例文帳に追加

第２の半導体領域２３ｎは、集電体２３の面方向において第１の半導体領域２３ｐに隣接して配置され、第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する。 - 特許庁

An IGBT 100 includes a body region 4 formed on the surface layer of a drift layer 16 in an active region, a guard ring 10 formed on the surface layer of the drift layer 16 in the peripheral region to encircle the body region 4, and a collector layer 20 on a backside of the drift layer 16 ranging over the active region and the peripheral region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、活性領域におけるドリフト層１６の表層に形成されているボディ領域４と、周辺領域におけるドリフト層１６の表層に形成されており、ボディ領域４を囲んでいるガードリング１０と、ドリフト層１６の裏面側に形成されており、活性領域と周辺領域に拡がっているコレクタ層２０を備えている。 - 特許庁

Then, the silicon oxide film and the silicon nitride film are masked and a selective silicon oxide film 9 is grown by thermal oxidation, a base region 10 and a collector compensation region 11 are formed at a part other than the region of the selective silicon oxide film 9, and a second-conductive type emitter region 16 is formed in the base region 10.例文帳に追加

その後ベースより濃度が高くベースとは逆導電型の不純物をイオン注入法等で導入し、不純物が単結晶シリコン領域に入り込むような熱処理工程前にエミッタ領域となる直上部分以外を除去し、熱処理で不純物を単結晶シリコン中に拡散させエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

An external base region 13 containing the impurities of the first conductive type is formed in a crust portion of the base region 11 in an outer periphery of the first semiconductor region 12, and the impurities of the second conductive type are introduced through the first insulating film 20 and the first semiconductor region 12 which are processed as the predetermined pattern, to form a collector region 14.例文帳に追加

第１の半導体領域１２の外周部におけるベース領域１１の表層部分に第１導電型の不純物を含有する外部ベース領域１３を形成し、所定のパターンに加工された第１の絶縁膜２０および第１の半導体領域１２を介して第２導電型の不純物を導入し、コレクタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has an MOS gate structure comprising an N^- drift layer 1, a field stop layer 3, a P collector layer 4, a collector electrode 9, a P base layer 2, an N^+ emitter region 8, a gate insulating film 6, and a gate electrode 7, and an emitter electrode 5.例文帳に追加

半導体装置は、Ｎ^-ドリフト層１、フィールドストップ層３、Ｐコレクタ層４、コレクタ電極９、Ｐベース層２、Ｎ^+エミッタ領域８、ゲート絶縁膜６とゲート電極７とからなるＭＯＳゲート構造、エミッタ電極５を備える。 - 特許庁

Metal foil 1 is arranged on the surface of a single side coated part of a positive current collector 2 out of the electrode body forming the outermost peripheral part of the wound body and joined and fixed to the region of the single surface coated part of the positive current collector 2.例文帳に追加

捲回体の最外周部をなす電極体のうちの、正極集電体２の片面塗布部の表面に金属箔１を配置して、その正極集電体２の片面塗布部の領域に接合固定させる。 - 特許庁

A selective epitaxial growth is performed in this region to form collector layers 210a, 210b, and a base layer 213 is formed on the collector layer 210a, and an emitter layer 216 is formed on a partial surface of the base layer 213.例文帳に追加

この領域に選択的エピタキシャル成長を行ってコレクタ層２１０ａ及び２１０ｂを形成し、コレクタ層２１０ａ上にベース層２１３を形成し、ベース層２１３の表面のー部分にエミッタ層２１６を形成する。 - 特許庁

The p^--type leakage stopper region 112 is formed so as to be in contact with both of an insulating film 102 and the collector electrode film 201, and is further Schottky-joined to the collector electrode film 101 together with the n^+-type buffer layer 103.例文帳に追加

Ｐ^−型リークストッパ領域１１２は、絶縁膜１０２とコレクタ電極膜２０１との双方に接するように形成され、さらに、Ｎ^＋型バッファ層１０３と共にコレクタ電極膜１０１に対してショットキー接合されている。 - 特許庁

An insulating member 28 is disposed at least at a part of a region 27 where a negative electrode active material layer 22B and a positive electrode collector 21A face each other.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂと正極集電体２１Ａとが対向している領域２７の少なくとも一部には、絶縁部材２８が配設されている。 - 特許庁

As shown in Fig. B, concentration distribution of the base region on the side nearer base-to- collector junction face is made deeper than that of a base-to-emitter junction face.例文帳に追加

図１Ｂに示すように、ベース領域の濃度分布が、ベースエミッタ接合面側よりもベースコレクタ接合面側に近づくにつれて濃くなっている。 - 特許庁

At this time, the first current collector electrode 28 is formed over the back electrode 26 and the transparent electrode layer 22 in a removal region A at a panel end.例文帳に追加

このとき、第１集電電極２８は、裏面電極２６とパネル端部の除去領域Ａの透明導電層２２とに跨って形成する。 - 特許庁

This semiconductor device includes: an n^- layer 6 and a p^- layer 7; a guard ring 12; a channel stopper region 14; equipotential aluminum 15; and a collector electrode 8.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ^-層６およびｐ^-層７と、ガードリング１２と、チャネルストッパ領域１４と、等電位アルミ１５と、コレクタ電極８とを備える。 - 特許庁

A collector layer 12 is formed on a region on the vicinity of the surface of an Si substrate 10 and an Si1-xGex/Si layer 21 is formed on the layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面付近の領域にはコレクタ層１２が形成され、コレクタ層１２の上にはＳｉ_1-x Ｇｅ_x ／Ｓｉ層２１が形成されている。 - 特許庁

Metal plugs 10 and 23 to be a collector are led from the sixth semiconductor region 12 to the semiconductor device surface through the trenches 20 and 21.例文帳に追加

第６の半導体領域１２からトレンチ２０，２１を通って半導体装置の表面にコレクタ電極となる金属プラグ１０，２３を引き出す。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

Then, a first conductivity base layer 104 and a second conductivity emitter layer 105 are formed in a specified region in a surface part of the collector layer 102.例文帳に追加

その後、コレクタ層１０２の表面部における所定の領域に第１導電型のベース層１０４及び第２導電型のエミッタ層１０５を形成する。 - 特許庁

A conductor region 16 penetrating a p-type collector layer 12 and intruding into an n-type base layer 10 is formed on the backside of an IGBT 100.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、裏面側にｐ型コレクタ層１２を貫通してｎ型ベース層１０に侵入している導電体領域１６が形成されている。 - 特許庁

A dielectric layer (160) is deposited on the substrate (102), and a connection is made to the external base structure (156), the emitter structure (134), and the collector region (113).例文帳に追加

誘電体層（１６０）は基板（１０２）の上に堆積し、外部ベース構造（１５６）、エミッタ構造（１３４）およびコレクタ領域（１１３）への接続が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a parallel connection of transistor units capable of feeding a current effectively to a collector region while reducing the size of the device.例文帳に追加

装置の小型化が図れ、コレクタ領域に対して有効に電流を流すことができるトランジスタユニットを並列接続してなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a SiGe bipolar transistor substantially excluding dislocation defects present between an emitter and collector region.例文帳に追加

エミッタ領域とコレクタ領域の間に存在する転位欠陥を実質上含まないＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress the generation of leakage current from a base to a collector region and to uniformized the thickness of a film in a base thin film, the distribution of germanium and the concentration of impurities.例文帳に追加

ベースからコレクタ領域への漏洩電流の発生を抑え、ベース薄膜における膜厚、ゲルマニウムの分布、及び、不純物濃度を均一にする。 - 特許庁

Majority carrier layers are induced adjacent to the insulator in the doped region of the collector, by applying a bias voltage to the back surface electrode.例文帳に追加

多数キャリア蓄積層が、背面電極にバイアス電圧を印加することによって、コレクタのドープした領域中で絶縁体に隣接して誘起される。 - 特許庁

The collector 5a is extended in a specified axial direction crossing the main surface 3a of the subcollector layer 3, and is provided in the first region 3b of the subcollector layer 3.例文帳に追加

コレクタ部５ａは、サブコレクタ層３の主面３ａに交差する所定の軸の方向に伸びており、サブコレクタ層３の第１の領域３ｂに設けられる。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor region 16 is charged positive because electrons of atoms of the high-concentration n-type impurity are drawn to a collector electrode 33.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型不純物原子の電子がコレクタ電極３３に引きつけられるため、ｎ^＋型半導体領域１６は正に帯電する。 - 特許庁

A base region (P impurity layer 4) is formed on a surface of an epitaxial layer 2, an emitter region (N+ impurity layer 5) is formed on a surface of the P impurity layer 4, and a collector region comprising the epitaxial layer 2 and an N+ impurity layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面にベース領域（Ｐ不純物層４）が形成され、Ｐ不純物層４の表面にエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）が形成され、エピタキシャル層２とＮ＋不純物層６とから成るコレクタ領域が構成されている。 - 特許庁

Additionally, on the upper surface of the base region 14, a recombination layer 17, which functions as the recombination center of minority carriers(electrons in this case), is formed, and a groove section 18 is formed at the side of the emitter region 15 and at the side of the collector region 16 in the recombination layer 17.例文帳に追加

更に、ベース領域１４の上面には、少数キャリア（ここでは、電子）の再結合中心として機能する再結合層１７が形成され、再結合層１７のエミッタ領域１５側及びコレクタ領域１６側に溝部１８が形成されている。 - 特許庁

Trenches 16a and 16b are formed on the entire surface of a wafer between an n^+ emitter region 6a and a p^+ collector region 12a, and the inside thereof is filled with a trench embedding insulating film 17, thereby bending a drift region for carrying breakdown voltage to increase an effective drift length.例文帳に追加

ｎ^+エミッタ領域６ａとｐ^+コレクタ領域１２ａとの間のウェハ全面にトレンチ１６ａ，１６ｂを形成し、その中をトレンチ埋め込み絶縁膜１７で埋めることによって、耐圧を担持するドリフト領域を折り曲げて、実効的なドリフト長を長くする。 - 特許庁

Then, n-type impurities are further diffused laterally (around the first trench 13) from the first trench 13 to form an n-type emitter region 13, whereby a lateral bipolar transistor, where the emitter region 3, the vase region 2, the collector region 1 are jointed with one another, is formed.例文帳に追加

そして、そのベース領域２に第１の溝１３からさらにｎ形不純物が横方向に（第１の溝１３の周囲に）拡散されてｎ形のエミッタ領域３が形成されることにより、横方向にエミッタ領域３、ベース領域２、コレクタ領域１が接合されるラテラルバイポーラトランジスタが形成されている。 - 特許庁

The holes that have moved from the first base region 12 to the collector region 11 are prevented from moving/diffusing to/into the low voltage emitter electrode 30 in the presence of a positively charged n^+-type semiconductor region 16 on the way, and have to stay in the vicinity of the first base region 12.例文帳に追加

第１ベース領域１２からコレクタ領域１１に移動した正孔は、低電圧が印加されるエミッタ電極３０に向かって移動・拡散しようとするが、途中に正に帯電したｎ^＋型半導体領域１６が存在するため、移動・拡散が妨げられ、第１ベース領域１２の近傍に留まる。 - 特許庁

Further, the IGBT is provided with a collector electrode 22, an emitter electrode 40, and a gate electrode 36 neighbored to the p-_-type body region 42 connecting the n+_-type emitter region 38 to the n+_-type virtual emitter region 32 and the n-_-type drift region 28 ( in which the channel 44 is formed) through an insulation film 34.例文帳に追加

さらに、コレクタ電極２２と、エミッタ電極４０と、ｎ^＋型エミッタ領域３８とｎ^＋型仮想エミッタ領域３２を繋ぐ前記ｐ型ボディ領域４２及びｎ^−型ドリフト領域２８（チャネル４４が形成される領域）に絶縁膜３４を介して隣合うゲート電極３６を備えている。 - 特許庁