「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When an applied voltage between the collector electrode and the emitter and base electrode rises, a current flows through the PN junction composed of a collector region and a part of the base region of the elctrostatic discharge damage before the internal circuit.例文帳に追加

コレクタ電極とエミッタ及びベース電極間の印加電位が上昇したとき、内部回路より先に、静電破壊保護素子のコレクタ領域とベース領域の一部とで構成されるＰＮ接合に電流が流れる。 - 特許庁

Each of the sense region 5, the emitter region 3, the portion of the base region 2 which adjoins the sense region 5, and the portion of the base region 2 which adjoins the emitter region 3 has a width in the second direction set up so that a sense ratio will exhibit a desirous change corresponding to a change of collector current.例文帳に追加

センス比がコレクタ電流の変化に対応して所望の変化を生じるように、第２の方向におけるセンス領域５、エミッタ領域３、センス領域５に隣接する部分のベース領域２、及びエミッタ領域３に隣接する部分のベース領域２のそれぞれの幅が設定されている。 - 特許庁

The n-type base region (2) has a recombination region (21) formed between the p-type base region (3) and a collector electrode (8), and the recombination region (21) acquires minority carriers accumulated around the recombination region (21) within the n-type base region (2) and improves the recovery property of the diode.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域(2)は、Ｐ型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、Ｎ型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

A base region 3 consisting of a p-type region is formed in an n-type semiconductor layer 2 which is epitaxially grown on an n+-type semiconductor substrate 1 e.g. made into a collector region, and an emitter region 4 consisting of an n-type region is formed in the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域とするたとえばｎ^＋形半導体基板１上にエピタキシャル成長されたｎ形半導体層２にｐ形領域からなるベース領域３が設けられ、そのベース領域３内にｎ形領域からなるエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

More specifically, the structure of the bipolar transistor has an emitter region 4 formed on an N^+ type buried layer 3 in the element region, a base region 6 formed in the surface layer of the emitter region 4, and a collector region 7 formed in the surface layer of the base region 6.例文帳に追加

すなわち、そのバイポーラトランジスタを素子領域にてＮ^＋型埋め込み層３の上に形成されたエミッタ領域４と、エミッタ領域４の表層内部に形成されたベース領域６と、ベース領域６の表層内部に形成されたコレクタ領域７とを有する構造とする。 - 特許庁

A base region 4 has a first region 4a and a second region 4b each having a Ge composition ratio continuously reducing from an emitter region 9 to a collector region 3, and a reduction rate of the Ge composition ratio in the first region 4a is smaller than that in the second region 4b.例文帳に追加

ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。 - 特許庁

In the high-voltage semiconductor device (horizontal IGBT), an N-type drift region 104 and a P-type body region 105 are formed in an SOI layer 103, an N-type emitter region 106 is formed in the body region 105, and an N-type buffer region 115 and a P-type collector region 116 are formed in the drift region 104.例文帳に追加

高耐圧半導体装置（横型ＩＧＢＴ）において、ＳＯＩ層１０３内にＮ型ドリフト領域１０４、Ｐ型ボディ領域１０５が形成され、ボディ領域内１０５内にＮ型エミッタ領域１０６、ドリフト領域１０４内にＮ型バッファ領域１１５とＰ型コレクタ領域１１６が形成される。 - 特許庁

Thus, the occurrence of punch through in the PNP transistor 50 is suppressed, a carrier passing route in the collector region is shortened and collector resistance can be reduced.例文帳に追加

このため、ＰＮＰトランジスタ５０におけるパンチスルーの発生が抑えられるとともに、コレクタ領域内のキャリア通過経路を短くしてコレクタ抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

The trench 120 elongates from the backside of a p-type collector layer 32 toward the surface side thereof and passes the surface of the p-type collector layer 32 to intrude into a base region 110.例文帳に追加

トレンチ１２０は、ｐ型コレクタ層３２の裏面から表面側に向けて伸び、ｐ型コレクタ層３２の表面を通過してベース領域１１０に侵入している。 - 特許庁

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

Adhesion between the negative electrode current collector 22 and the negative electrode active material layer 23 is enhanced, and when the wound body 30 is deformed, the separator 31 is broken with the projecting parts, the exposed region of the positive electrode current collector 12 and the exposed region of the negative electrode current collector 22 are short-circuited.例文帳に追加

これにより、負極集電体２２と負極活物質層２３との密着性が高まる一方、巻回体３０が変形した場合には、セパレータ３１が突起部によって裂かれ、正極集電体１２の露出領域と負極集電体２２の露出領域とが短絡する。 - 特許庁

In a silicon layer 13 of the magnetic sensor 1, an emitter region 15 comprising an n-type semiconductor, and a collector region 16 comprising an n-type semiconductor are formed, and a base region 14 comprising a p-type semiconductor is formed between the emitter and collector regions 15, 16.例文帳に追加

磁気センサ１のシリコン層１３には、ｎ型半導体からなるエミッタ領域１５と、ｎ型半導体からなるコレクタ領域１６とが形成され、エミッタ領域１５とコレクタ領域１６との間に、ｐ型半導体からなるベース領域１４が形成されている。 - 特許庁

The N-type buffer region 314 is formed in a state of being separated from one part of the P-type collector region 303a so as to cover the one part.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域３１４は、Ｐ型コレクタ領域３０３ａの一部分から離隔した状態でその一部分を覆うように設けられている。 - 特許庁

In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁

It is structured such that a collector P layer 5 is provided in a region A on a second principal plane side of the substrate 1 and a cathode N layer 4 is provided in a region B.例文帳に追加

また、半導体基板１の第２主面側の領域ＡにコレクタＰ層５が設けられ、領域ＢにカソードＮ層４が設けられた構造とする。 - 特許庁

A distance L1 from a main surface 9 on the emitter region 6 side to the step part 13 is longer than a distance L2 from the main surface 9 to the first collector region 2.例文帳に追加

エミッタ領域６側の主面９から段部１３までの距離Ｌ1 を主面９から第１のコレクタ領域２までの距離Ｌ2 よりも大きくする。 - 特許庁

A negative electrode collector 22 includes a covered region 22A, and exposed regions 22S, 22E each having a smaller surface roughness Rz value than the covered region 22a.例文帳に追加

負極集電体２２は、被覆領域２２Ａと、被覆領域２２Ａよりも小さな表面粗さＲｚ値を有する露出領域２２Ｓ，２２Ｅとを含む。 - 特許庁

A P-type collector region 4 is formed in the surface layer under the other main surface of the substrate 1, and an anode electrode 7 is formed on this region 4.例文帳に追加

半導体基板１の他方の主面の表面層にｐ形のコレクタ領域４を形成し、このコレクタ領域４上に陽極電極７を形成する。 - 特許庁

A trench 16 is formed on a wafer surface between an n+ emitter region 6 and a p+ collector region 12, and the inside thereof is embedded with a trench embedding insulation film 17.例文帳に追加

ｎ^+エミッタ領域６とｐ^+コレクタ領域１２との間のウェハ表面にトレンチ１６を形成し、その中をトレンチ埋め込み絶縁膜１７で埋める。 - 特許庁

A collector electrode 12 is brought into ohmic contact with a p^+-type region 4a, and brought into Schottky contact with a p-type region 4b.例文帳に追加

コレクタ電極１２がｐ^+型領域４ａに対してオーミック接触させられ、かつ、ｐ型領域４ｂに対してショットキー接触させられるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the collector resistance of a bipolar transistor having an intrinsic emitter region, intrinsic base region and intrinsic collector region arranged in the vertical direction in a thin SOI layer of several tens to several hundreds of nanometers, and avoid deteriorating characteristics due to current concentration on the intrinsic collector region.例文帳に追加

本発明は、厚さ数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ程度の薄膜ＳＯＩ層中に、トランジスタの真性エミッタ領域、真性ベース領域及び真性コレクタ領域が垂直方向に配列しているバイポーラ・トランジスタのコレクタ抵抗の低減と、この真性コレクタ領域での電流の集中による特性劣化を防ぐことができる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

An impurity adjustment region 119 with P-type impurities introduced in the heavily doped part 115b is formed in a collector region 116 side part, and carrier (electron) concentration of the part is reduced, whereby the efficiency of minority carrier injection into the buffer region 115 and the drift region 104 from the collector region 116 is improved, and the on-voltage is reduced.例文帳に追加

一方、高不純物濃度部分１１５ｂ中にＰ型不純物を導入した不純物調整領域１１９をコレクタ領域１１６側部に設け、この部分のキャリア（電子）濃度を低減させることで、コレクタ領域１１６からバッファ領域１１５、ドリフト領域１０４への少数キャリア注入効率を向上させ、オン電圧を低減させる。 - 特許庁

In the wound electrode body 30, the positive electrode 6 has a region where an inside positive current collector exposed part 6ib and a both side positive current collector exposed part 6b are continued in the winding end direction, and the negative electrode 7 has a region where an outside negative current collector exposed part 7ob and a both side negative current collector exposed part 7b are continued.例文帳に追加

巻回電極体３０において、正極６は巻回終端の方向に内側正極集電体露出部６ｉｂと両側正極集電体露出部６ｂとが連続した領域を有し、負極７は外側負極集電体露出部７ｏｂと両側負極集電体露出部７ｂとが連続した領域を有する。 - 特許庁

Drive to the deeply saturated region of Q1 is avoided and rise of base voltage is no longer transferred to the collector.例文帳に追加

Ｑ１の深い飽和領域への駆動が回避され、ベース電圧の上昇がコレクタに伝達されなくなる。 - 特許庁

Consequently, the parasitic capacitance between the region 5b and a collector is reduced, and an operation at a high speed is enabled.例文帳に追加

このため、外部ベース領域５ｂとコレクタとの間の寄生容量が低減され、高速動作が可能となる。 - 特許庁

The method of this invention includes a step of forming a silicon epitaxial layer that defines the collector region on a substrate.例文帳に追加

本発明の方法が、基板上に、コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層を形成するステップを含む。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 6 as a collector region is formed across the substrate 2 and the epitaxial layer 3.例文帳に追加

コレクタ領域としてのＮ型の埋め込み拡散層６が基板２とエピタキシャル層３に渡り形成されている。 - 特許庁

An embedded collector region is partially formed onto a base layer formed on an emitter layer of an SiC semiconductor.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体のエミッタ層の上に形成したベース層に、部分的に埋込コレクタ領域を形成する。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

The base includes a deposited region 21 where the electrode layer is formed and an extra region 22 of a width of 1.5 mm or less up to the deposited region 21 toward the inner side from an outer circumferential edge of the base 20, and the extra region 22 has a plurality of cut-out parts 23 for positioning a collector holder 200 for holding the collector 100 in deposition.例文帳に追加

基体部は、電極層が成膜される成膜領域21と、その基体部20の外周縁から内側に向かって成膜領域21までの幅が1.5mm以下の余尺領域22とを備えており、その余尺領域22は、成膜時に集電体100を保持する集電体ホルダ200に対する位置決め用に、複数の切欠部23を有する。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type upper impurity diffusion region 115 with its peak concentration higher than that of an n-type drift layer 102 is formed in the region positioning between a collector region 110 and an emitter region 104 out of the surface part of the drift layer 102.例文帳に追加

ドリフト層１０２の表面部のうちコレクタ領域１１０とエミッタ領域１０４との間に位置する領域に、ピーク濃度がＮ型ドリフト層１０２よりも高いＮ型上部不純物拡散領域１１５を形成する。 - 特許庁

A collector region 13 having relatively lower impurity concentration is formed on a semiconductor substrate 16 containing two impurities (phosphorus and arsenic) having different diffusion coefficients and constituting a collector contact region 12 by an epitaxial growing method.例文帳に追加

コレクタコンタクト領域１２を構成する、拡散係数の異なる２つの不純物（リンおよびヒ素）を含む半導体基板１６上に、エピタキシャル成長方法により相対的に不純物濃度の低いコレクタ領域１３を形成する。 - 特許庁

The FWD-integrated IGBT has a p^+ heavily-doped collector layer 12 which determines the hole injection quantity, a p^- light-doped collector layer 11 serving for absorbing the variations in the wafer backside polishing quantity, and an n^+ collector short-circuited region 13 piercing the p^+ heavily-doped collector layer 12 and the p^- lightly-doped collector layer 11.例文帳に追加

本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^−低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ^−低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。 - 特許庁

The band gap of a first single crystalline semiconductor layer a base region is fixed in an area near a junction with a second single crystalline semiconductor layer of an emitter region, and reduces toward a junction with a third single crystalline semiconductor layer of a collector region.例文帳に追加

本願発明の一例は、ベース領域のバンドギャップが、エミッタ、コレクタのバンドギャップより小さく、かつエミッタとの接合部近傍で一定で、コレクタとの接合部に向かって減少する分布を有する。 - 特許庁

A p-type emitter region 12 is formed on the undersurface of the n+ type buffer region 13, and a collector electrode 11 is formed to be electrically connected to the undersurface of the p-type emitter region 12.例文帳に追加

また、ｎ＋型バッファ領域１３の下面にはｐ型エミッタ領域１２が設けられ、ｐ型エミッタ領域１２の下面に電気的に接続するようにコレクタ電極１１が設けられている。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

A connection part of a base electrode 8 to the base region (P impurity layer 4) is positioned between an end on a collector electrode 10 side of the base region (P impurity layer 4) and the emitter region (N+ impurity layer 5).例文帳に追加

ベース電極８とベース領域（Ｐ不純物層４）の接続部が、ベース領域（Ｐ不純物層４）のコレクタ電極１０側の端部とエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）との間に位置する。 - 特許庁

Thereby, the difference between a base-to-emitter voltage Vbe and a base-to-collector voltage Vbc, ΔV is reduced, and thus a collector-to-emitter saturation voltage Vce in a low current region can be reduced.例文帳に追加

これにより、ベースエミッタ間電圧Ｖｂｅとベースコレクタ間電圧Ｖｂｃの差ΔＶが小さくなり、低電流域におけるコレクタエミッタ間飽和電圧Ｖｃｅを小さくすることができる。 - 特許庁

When the positive electrode collector plate 110 is welded to the laminate electrode body 100, the positive electrode collector plate 110 is welded in a state where the non-sulfonation region X is arranged in a place to which heat is transmitted easily.例文帳に追加

正極集電板１１０を積層電極体１００に溶接する際に，未スルホン化領域Ｘを熱の伝わりやすい箇所に配置した状態で溶接する。 - 特許庁

A collector layer 3 forming the first island-shaped region is in an electrical floating state, so the collector layer 3 and isolation layer 4 do not operate as a parasitic diode.例文帳に追加

また、第１の島状領域を形成するコレクタ層３は電気的に浮遊な状態になっているため、コレクタ層３およびアイソレーション層４が寄生ダイオードとして動作しない。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, an emitter mesa section 105 and base mesa sections 104 and 103 are formed, and the surface of a sub- collector layer 102 is exposed in a region outside a collector layer 103.例文帳に追加

半導体基板１０１上にエミッタメサ部１０５、ベースメサ部１０４，１０３を形成するとともに、コレクタ層１０３の外側の領域にサブコレクタ層１０２の表面を露出させる。 - 特許庁

The cathode 22 has a coating region 22C where a cathode collector 22A is coated with a cathode active substance layer 22B.例文帳に追加

負極２２は、負極集電体２２Ａが負極活物質層２２Ｂで覆われた被覆領域２２Ｃを有する。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 21 to be used as the collector region is exposed from a rear surface 56 of the substrate 4.例文帳に追加

基板４の裏面５６からはコレクタ領域として用いられるＮ型の埋込拡散層２１が露出している。 - 特許庁