「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

An emitter E, a collector C1 and a sub-collector C2 of a transistor Q1 are formed of n-type regions and a base B is formed of a p-type region.例文帳に追加

トランジスタＱ１のエミッタＥ、コレクタＣ１及びサブコレクタＣ２はｎ型領域からなり、ベースＢはｐ型領域からなる。 - 特許庁

The IGBT selectively forms an n^+-type extended region (9) in a p^+-type collector region (1), and forms a p-type base region (3) and a diode together with an n-type base region (2).例文帳に追加

ＩＧＢＴは、Ｎ＋型延長領域(9)をＰ＋型コレクタ領域(1)内に選択的に形成して、Ｎ型ベース領域(2)と共にＰ型ベース領域(3)とダイオードを形成する。 - 特許庁

The emitter region 3 and the sense region 5 are arranged to align in a second direction perpendicular to a first direction which directs toward a base region 2 from a collector region 7.例文帳に追加

エミッタ領域３及びセンス領域５は、コレクタ領域７からベース領域２に向かう第１の方向に対して垂直な第２の方向に並ぶように配置されている。 - 特許庁

In the collector forming part 11, there are formed an N-type buffer region 4 reaching the embedded oxide film 2 from the surface and a P-type collector region 5 formed on the surface of the N-type buffer region 4.例文帳に追加

当該コレクタ形成部１１に、表面から埋め込み酸化膜２に達するＮ型バッファ領域４と、Ｎ型バッファ領域４の表面部に形成されたＰ型コレクタ領域５とが形成される。 - 特許庁

The semiconductor layers comprises a doped region used for a collector and a heavily-doped region which is adjacent to the doped region and used as a reach-through structure, between the insulator layers and a collector contacts electrode.例文帳に追加

この半導体層は、コレクタとして使用するドープした領域と、このドープした領域に隣接し、絶縁体層とコレクタ接点電極の間のリーチスルーとして使用する濃くドープした領域とを含む。 - 特許庁

With a forward bias voltage applied to the Darlington transistor 1, some holes in a first base region 12 are attracted by electrons in a collector region 11, and move into the collector region 11.例文帳に追加

ダーリントントランジスタ１に順バイアス電圧が印加されたオン状態では、第１ベース領域１２中の正孔の一部がコレクタ領域１１中の電子に引き寄せられて、コレクタ領域１１に移動する。 - 特許庁

A p^+-type collector region 11 is formed on a lower surface of the n^--type substrate 1.例文帳に追加

ｎ^−型基板１の下面にｐ^＋型コレクタ領域１１が形成されている。 - 特許庁

The second collector 5b is separated from the second region 3c of the subcollector layer 3.例文帳に追加

第２のコレクタ部５ｂは、サブコレクタ層３の第２の領域３ｃから離れている。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁

Current through the hole flows through the channel of the collector region to the emitter layer, becoming base current for an npn transistor made up of the embedded collector region, base layer, and emitter layer.例文帳に追加

ホールによる電流はコレクタ領域からのチャネルを通ってエミッタ層へ流れ、埋込コレクタ領域、ベース層、エミッタ層で構成されるｎｐｎトランジスタのベース電流となる。 - 特許庁

IGBT1 is provided with a collector region 2, a drift region 3, base regions 4, emitter regions 5, gate electrodes 7, an emitter electrode 9, and a collector electrode 10.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１は、コレクタ領域２と、ドリフト領域３と、ベース領域４と、エミッタ領域５と、ゲート電極７と、エミッタ電極９と、コレクタ電極１０とを備えている。 - 特許庁

In the lateral transistor, a polysilicon layer 14 is formed on a LOCOS (local oxidation of silicon) oxide film (a field insulating film) 12 so as to cover a collector region 5 and a base region 4 towards an emitter region 6 from the collector region 5.例文帳に追加

本発明に係るラテラルトランジスタは、ＬＯＣＯＳ酸化膜（フィールド絶縁膜）１２上に、コレクタ領域５からエミッタ領域６に向けて、コレクタ領域５とベース領域４とを覆うようにポリシリコン層１４を形成する。 - 特許庁

A collector/drain electrode electrically connected with both collector region 203 and the drain region 213, and an emitter/source electrode electrically connected with both base region and emitter/source region 206, are provided.例文帳に追加

コレクタ領域２０３及びドレイン領域２１３の両方に電気的に接続されたコレクタ／ドレイン電極と、ベース領域及びエミッタ／ソース領域２０６の両方に電気的に接続されたエミッタ／ソース電極とが設けられている。 - 特許庁

An impurity concentration of the reverse portion diffusion region 62 increases in a lateral direction from the side of a body region 88 to the side of a collector region 72.例文帳に追加

裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 - 特許庁

In an region facing the sense region in a second principal plane side of the semiconductor substrate, only a collector region (p+) is provided where current proportional to current which flows through an IGBT element flows between the collector region and an emitter region (n+) provided in the first principal plane side.例文帳に追加

半導体基板の第２主面側の、センス領域との対向領域には、第１主面側に設けたエミッタ領域（ｎ＋）との間で、ＩＧＢＴ素子に流れる電流に比例した電流が流れるコレクタ領域（ｐ＋）のみが設けられている。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 11 is formed between a p-type collector region 10 of a reverse blocking IGBT and a collector electrode 13, so that spinkings can be prevented from invading from an Al collector electrode to the p-type collector region, to obtain a high breakdown voltage non-detectiveness ratio.例文帳に追加

逆阻止ＩＧＢＴのｐ型コレクタ領域１０とコレクタ電極１３の間にｐ型ポリシリコン層１１を形成することで、Ａｌのコレクタ電極からｐ型コレクタ領域へスパイキングが侵入すること防止し、高い耐圧良品率を得ることができる。 - 特許庁

The drift region 1 has such a resistivity that a depletion layer extended from a collector region 10 provided on the rear surface of the n^- type drift region 1 toward the shell region 5 does not reach the shell region 5.例文帳に追加

ドリフト領域１は、ｎ^-型のドリフト領域１の裏面に設けられたコレクタ領域１０からシェル領域５に向かって拡がる空乏層がシェル領域５に到達しない抵抗率を有する。 - 特許庁

The collector region 20A contains a plurality of adjacent subregions 23, 24, 25, and 26.例文帳に追加

コレクタ領域２０Ａは、隣接した複数のサブ領域２３，２４，２５，２６を含んでいる。 - 特許庁

The trench 120 penetrates the p-type collector layer 32 and intrudes into the base region 110.例文帳に追加

トレンチ１２０は、ｐ型コレクタ層３２を貫通してベース領域１１０に侵入している。 - 特許庁

The P-type impurity region 19a is electrically connected to the collector electrode 23.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域１９ａはコレクタ電極２３に電気的に接続されている。 - 特許庁

The bottom surface of the guard ring region has a mesa structure in which the collector layer 12 is removed.例文帳に追加

ガードリング領域の下面は、コレクタ層１２が除去されたメサ構造となっている。 - 特許庁

A collector region 2 is formed by carrying out ion implantation in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１にイオン注入を行うことでコレクタ領域２を形成する。 - 特許庁

The region between the cylindrical container of the dust collector and the buff powder receiving bag from the filter of the dust collector mounted in the container is held to negative pressure.例文帳に追加

集塵機の筒状容器と、容器内に装着した集塵機フィルタからのバフ粉受け取り袋との間を負圧に維持する。 - 特許庁

An n^+ collector withdrawal layer 107 is formed in a region separated from a collector layer 102 in the substrate 100 by the STI103.例文帳に追加

ＳＴＩ１０３によって基板１００内のコレクタ層１０２から分離された領域にＮ^＋コレクタ引き出し層１０７を形成する。 - 特許庁

Ascending gaseous phase flows are collected at the collector (40) and distributed to the entire region of the transverse surface in the tower at the upper side of the collector from a vent cylinder (50).例文帳に追加

上昇気相流は捕集器(40)で捕集され、通気筒(50)から捕集器上方の塔内横断面全域に分配される。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor that includes: an emitter region or a collector region of doped silicon; a base region containing silicon- germanium; and a spacer.例文帳に追加

ドープされたシリコンのエミッタまたはコレクタ領域、シリコン−ゲルマニウムを含むベース領域、およびスペーサを含むヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

At least a part of the first embedded region 180 is located between the emitter region 170 and the collector region 140 in a plan view.例文帳に追加

そして第１埋込領域１８０は、平面視において、エミッタ領域１７０とコレクタ領域１４０の間に少なくとも一部が位置している。 - 特許庁

The lateral main transistor operates with an emitter region 31, a surface portion of a base region 14B and a collector side region 13B serving as a current channel.例文帳に追加

横型の主トランジスタ部は、エミッタ領域３１と、ベース領域１４Ｂの表面側部分とコレクタ側部領域１３Ｂとを電流チャネルとして動作する。 - 特許庁

A P^+ base region 8, an N^+ emitter region 10, and an N^+ collector region 11 are formed on the N^- silicon substrate 1 to constitute an NPN transistor.例文帳に追加

また、Ｎ^-シリコン基板１にはＰ^+ベース領域８、Ｎ^+エミッタ領域１０、Ｎ^+コレクタ領域１１が形成されＮＰＮトランジスタが構成されている。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device provided with a protection element having an emitter diffusion region, a base contact region and a collector contact region and with a bonding pad which is electrically connected to the collector contact region.例文帳に追加

本発明は、エミッタ拡散領域、ベースコンタクト領域、及びコレクタコンタクト領域を有する保護素子と、コレクタコンタクト領域と電気的に接続されるボンディングパッドとを備えた半導体装置に関し、半導体装置の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

One part of the P-type collector region 303a is a part other than the part flat with the upper surface of a silicon substrate 301 and a part in contact with the drain region 306b in the collector region 303a.例文帳に追加

Ｐ型コレクタ領域３０３ａの一部分は、コレクタ領域３０３ａのうちシリコン基板３０１の上面と面一である部分およびドレイン領域３０６ｂに接している部分以外の部分である。 - 特許庁

Moreover, there are provided a collector electrode 109 electrically connected with the collector region 107; and an emitter electrode 115 electrically connected with the base region 102, the emitter region 104, and the second gate electrode 113.例文帳に追加

また、コレクタ領域１０７と電気的に接続するコレクタ電極１０９と、ベース領域１０２、エミッタ領域１０４、及び第２ゲート電極１１３と電気的に接続するエミッタ電極１１５とが設けられている。 - 特許庁

An Si film is grown on a base region 3-a of a horizontal bipolar and on a collector region 3-b of a vertical bipolar at the same time to form an emitter region 9-a and a collector region 9-c of the horizontal bipolar and a base region 9-b of the vertical bipolar.例文帳に追加

横型バイポーラのベース領域３−ａの上、および縦型バイポーラのコレクタ領域３−ｂの上にシリコン膜を同時に成長させ、横型バイポーラのエミッタ領域９−ａおよびコレクタ領域９−ｃを形成するとともに、縦型バイポーラのベース領域９−ｂを形成する。 - 特許庁

Thus, the bonding area between the collector-region bottom plane and a base region can be made narrow, and the bonding area between the emitter-region bottom plane and the base region can be also narrowed.例文帳に追加

これにより、コレクタ領域底面とベース領域との接合面積を狭くすることができ、また、エミッタ領域底面とベース領域との接合面積を狭くすることができる。 - 特許庁

A resistance R2 between the p-type base region 11 and the n^+-type cathode region 13 is greater than a resistance R1 between the p-type base region 11 and the p^+-type collector region 14.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１１とｎ^＋型カソード領域１３との間の抵抗Ｒ２は、ｐ型ベース領域１１とｐ^＋型コレクタ領域１４との間の抵抗Ｒ１より大きい。 - 特許庁

Further, there are provided an electrode electrically connected to the collector region 203 and drain region 213, and an electrode electrically connected to the base region and emitter/source region 206.例文帳に追加

コレクタ領域２０３及びドレイン領域２１３に電気的に接続された電極と、ベース領域及びエミッタ／ソース領域２０６に電気的に接続された電極とが設けられている。 - 特許庁

The vertical auxiliary transistor operates with the emitter region 31, a deep side portion of the base region 14B contacting the bottom of the emitter region, and a collector deep region 12B serving as a current channel.例文帳に追加

縦型の補助トランジスタ部は、エミッタ領域３１と、その底面に接するベース領域１４Ｂの深部側部と、コレクタ深部領域１２Ｂとを電流チャネルとして動作する。 - 特許庁

The current collector 23 is the plate-like current collector 23 to constitute a battery electrode, and includes a first semiconductor region 23p and a second semiconductor region 23n.例文帳に追加

本発明の集電体２３は、電池電極を構成する板状の集電体２３であって、第１の半導体領域２３ｐと第２の半導体領域２３ｎとを有する。 - 特許庁

The first collector region 303 is constituted of a plurality of portions having a length X1, and the second collector region 314 is constituted of a plurality of portions having a length X2 shorter than the length X1.例文帳に追加

第１コレクタ領域３０３は長さＸ１を有する複数の部分からなり、第２コレクタ領域３１４は長さＸ１よりも短い長さＸ２を有する複数の部分からなる。 - 特許庁

The transparent conductive film 4 has a low oxygen concentration region 4a disposed on the region corresponding to the region formed at least with the collector electrode 5, and a high oxygen concentration region 4b disposed on the region corresponding to the region in which the collector electrode 5 is not formed and having a lower light absorption coefficient than the low oxygen concentration region 4a.例文帳に追加

そして、透明導電膜４は、少なくとも集電極５が形成されている領域に対応する領域に位置する低酸素濃度領域４ａと、集電極５が形成されていない領域に対応する領域に位置し、低酸素濃度領域４ａよりも光吸収係数が低い高酸素濃度領域４ｂとを含む。 - 特許庁

The bipolar transistor 20 includes a bipolar transistor formed of a third collector region 22, a second base region 23 and an emitter region 25 in the direction of the lamination, and a bipolar transistor formed of a first collector region 21, a second base region 23, a first base region 24 and the emitter region 25 in a direction that crosses the direction of the lamination (a lateral direction).例文帳に追加

バイポーラトランジスタ２０は、第３コレクタ領域２２、第２ベース領域２３およびエミッタ領域２５によって積層方向に形成されたバイポーラトランジスタと、第１コレクタ領域２１、第２ベース領域２３、第１ベース領域２４およびエミッタ領域２５によって積層方向と交差する方向（横方向）に形成されたバイポーラトランジスタとを有する。 - 特許庁

The IGBT has an n-type emitter region, a p-type body region, an n-type drift region, a p-type collector region, and a gate electrode opposed to the body region, within a range wherein the emitter region and drift region are isolated, with an insulating film interposed.例文帳に追加

ＩＧＢＴは、ｎ型のエミッタ領域と、ｐ型のボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、ｐ型のコレクタ領域と、エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を有している。 - 特許庁

A collector region 33, a field dielectric 38, and a base region 44 are formed on one main surface of a semiconductor substrate 30.例文帳に追加

半導体基板３０の一主表面にコレクタ領域３３、フィールド絶縁膜３８及びベース領域４４を形成する。 - 特許庁

A p-type collector region 215 is formed in a surface portion of the resurf region 202 to be spaced from the top semiconductor layer 205.例文帳に追加

リサーフ領域２０２の表面部には頂上半導体層２０５と離隔してＰ型コレクタ領域２１５が形成されている。 - 特許庁