「collector region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type drain region 130 and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１３０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

The well region 148 encloses a collector region 192 in a lateral PNP type transistor.例文帳に追加

井戸領域１４８が横形ＰＮＰ形トランジスタ内のコレクタ領域１９２を取囲んでいる。 - 特許庁

The bipolar transistor includes: (1) a collector region 15 located at least in-part within a semiconductor substrate; (2) a base region 16 contacting the collector region; and (3) an emitter region 24 contacting the base region.例文帳に追加

バイポーラ・トランジスタは、（１）半導体基板内に少なくとも部分的に位置決めされたコレクタ領域１５と、（２）コレクタ領域に接触するベース領域１６と、（３）ベース領域に接触するエミッタ領域１６Ａとを含む。 - 特許庁

Furthermore, depletion layers 32 are respectively formed adjacent to the base layer in the intrinsic collector region and in the outer collector region thereof, and the thickness of the depletion layer formed in the outer collector region is set at two times or more and three times or less that formed in the intrinsic collector region.例文帳に追加

さらに、真性コレクタ領域内のベース層近傍位置及び外部コレクタ領域にそれぞれ空乏層３２を形成し、かつ、外部コレクタ領域に形成された空乏層の厚さが真性コレクタ領域内に形成された空乏層の厚さの２倍以上でかつ３倍以下に設定している。 - 特許庁

The width of the transition region of the collector layer is made about 70% of the thickness of the collector layer so that both reduction in the width of its low-impurity concentration region and an increase in the impurity concentration of its transition region can be attained concurrently.例文帳に追加

コレクタ層となるＮ−型エピタキシャル層を形成後、第１の熱酸化膜を形成し、その後熱処理を行って不純物の再拡散を行う。 - 特許庁

The light receiving element 10 is a phototransistor comprising a collector region (Si substrate 11), a base region 12, and an emitter region 13.例文帳に追加

受光素子１０は、コレクタ領域（Ｓｉ基板１１）、ベース領域１２、エミッタ領域１３からなるフォトトランジスタである。 - 特許庁

The collector region 15 is formed to be isolated from the emitter region 14 and to surround the emitter region 14.例文帳に追加

コレクタ領域１５は、エミッタ領域１４と離間するとともにエミッタ領域１４を包囲するように形成されている。 - 特許庁

A collector region 209 is formed in the resurf region 202 isolated from the base region 206 so that a distance from the collector region 209 to the emitter/source region 208 may become shorter than a distance from the drain region 214 to the emitter/source region 208.例文帳に追加

リサーフ領域２０２内には、ベース領域２０６とは隔離してコレクタ領域２０９が、コレクタ領域２０９からエミッタ／ソース領域２０８までの距離がドレイン領域２１４からエミッタ／ソース領域２０８までの距離よりも短くなるように形勢されている。 - 特許庁

In the N-type region 202, an N-type drain region 213 and a P-type collector region 203 are formed separately from the base region.例文帳に追加

Ｎ型領域２０２内にベース領域とは離隔してＮ型のドレイン領域２１３及びＰ型のコレクタ領域２０３が形成されている。 - 特許庁

In an n-type silicon substrate, a high-concentration collector region 11 is formed and a low-concentration collector region 12 is formed on the entire surface.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１０内に高濃度のコレクタ領域１１が形成され、全面に低濃度のコレクタ領域１２が形成されている。 - 特許庁

This structure enables the metal layer 57 to be used as the collector region, and can remarkably reduce the sheet resistance value in the collector region.例文帳に追加

この構造により、金属層５７がコレクタ領域として用いられ、コレクタ領域でのシート抵抗値を大幅に低減することができる。 - 特許庁

The second collector region 14 confronts the first part 11a of the base region 11 via the first collector region 13, and does not confront the second part 11b and an FLR(field-limiting ring) region 15.例文帳に追加

第２のコレクタ領域１４を第１のコレクタ領域１３を介してベース領域１１の第１の部分１１ａに対向させ、第２の部分１１ｂ及びＦＬＲ領域１５には対向させない。 - 特許庁

A diffusion suppression layer for suppressing the diffusion of an impurity contained in a base region in a collector region is provided in the connecting surface of a collector region and the base region of the bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのコレクタ領域とベース領域との接合面に、ベース領域に含有させた不純物がコレクタ領域に拡散するのを抑制するための拡散抑制層を設けることとした。 - 特許庁

An IGBT region 20 has a p^+-type collector region 30a, an n^--type drift region 34a, a p-type body region 36a, and an n^+-type emitter region 46.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域２０は、ｐ^＋型のコレクタ領域３０ａと、ｎ^−型のドリフト領域３４ａと、ｐ型のボディ領域３６ａと、ｎ^＋型のエミッタ領域４６を有する。 - 特許庁

A lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) 1 includes p-type collector regions 46, 48 and a p-type collector well region 44.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。 - 特許庁

The lightly doped collector well creates a depletion region between the collector and the base to perform an operation with a high voltage.例文帳に追加

軽くドープされたコレクタ井戸が、コレクタ及びベースの間の空乏領域を作り、高い電圧での動作ができる。 - 特許庁

The thickness Dc of the low-concentration collector region 12 is set less than the width Wc of a depletion layer in the collector region 12 by forming a p-n junction with the collector region 12 and the base region 13 in a usual operation.例文帳に追加

そして低濃度のコレクタ領域１２の膜厚Ｄcは、通常動作時にコレクト領域１２とベース領域１３とのｐｎ接合によりコレクタ領域１２に発生する空乏層幅Ｗcより小さく設定されていることを特徴としている。 - 特許庁

An emitter E, a collector C1, and a sub collector C2 are composed of an n-channel region, and the breakdown voltage between the sub collector C2 and a base B is higher than a breakdown voltage between the collector C1 and the base B.例文帳に追加

エミッタＥ、コレクタＣ１及びサブコレクタＣ２はｎ型領域からなり、サブコレクタＣ２−ベースＢ間の降伏電圧は、コレクタＣ１−ベースＢ間の降伏電圧より高い。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

The IGBT 10 has an n-type buffer region 12 between a p-type collector region 11 and a p-type base region 14.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、Ｐ型のコレクタ領域１１とＰ型ベース領域１４との間にＮ型のバッファ領域１２を備える。 - 特許庁

A transistor is formed into a bevel structure which comprises an N+ type first collector region 2, an N- type second collector region 3, a P- type first base region 4, a P+ type second base region 5, and emitter region 6.例文帳に追加

Ｎ^＋形の第１のコレクタ領域２とＮ^−形の第２のコレクタ領域３とＰ^−形の第１のベース領域４とＰ^＋形の第２のベース領域５とエミッタ領域６とを有するトランジスタをベベル構造に形成する。 - 特許庁

A conductive region as a carrier collecting region can be formed deeper by providing a p-well 108 of the same conductivity type as a collector region 110 in the region just under the collector region 110, and thereby the region can be increased for collecting carriers released from an emitter region 112.例文帳に追加

コレクタ領域１１０の直下の領域にコレクタ領域１１０と同じ導電型を有するＰウェル１０８を設けることによって、キャリア収集領域となる導電領域を深くし、エミッタ領域１１２から放出されるキャリアを収集することが可能な領域を増大させた。 - 特許庁

A base region 3a is formed on the collector region 1b of a semiconductor substrate 1, and an emitter region 6a is formed on the base region 3a.例文帳に追加

半導体基板１のコレクタ領域１ｂ上にはベース領域３ａが形成されており、ベース領域３ａ上にはエミッタ領域６ａが形成されている。 - 特許庁

A surface layer on a reverse side of the n-type drift region 1 is provided with a p-type collector region 7.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域１の裏面の表面層には、ｐ型コレクタ領域７が設けられている。 - 特許庁

Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.例文帳に追加

これらのダングリングボンドが生成された領域がｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃとなる。 - 特許庁

On the reverse surface side of the n^- support substrate 1, an FS region 8 and a p collector region 9 are provided.例文帳に追加

ｎ^-支持基板１の裏面側には、ＦＳ領域８およびｐコレクタ領域９が設けられている。 - 特許庁

The N+ type second collector region 6 is provided inside the first base region 2 as seen in planar view.例文帳に追加

Ｎ^＋ 型の第２のコレクタ領域６を平面的に見て第１のベース領域２の内側に配置する。 - 特許庁

The tip of the n well region 6 is formed so that it can not reach the p^+-collector region 4.例文帳に追加

Ｎウェル領域６の先端は、Ｐ＋型コレクタ領域４に到達しないように形成されている。 - 特許庁

A conduction passage of N type polysilicon is provided to reach a substrate while penetrating the base region and the collector region.例文帳に追加

ベース領域、コレクタ領域を貫通し、基板まで達するＮ型ポリシリコンの導電路を設ける。 - 特許庁

The external base layer 20 is formed on the extrinsic collector region 18b.例文帳に追加

外部ベース層２０は、外因性コレクタ領域１８ｂ上に設けられている。 - 特許庁

The first collector layer 30 is heavily doped so that electrons in the collector region 50 migrate to the base region 20 through tunnel effect under room temperature.例文帳に追加

第１コレクタ層３０は、室温でコレクタ領域５０の電子がトンネル効果によりベース領域２０に移動するように、高い濃度にドーピングされている。 - 特許庁

The first collector layer 30 is provided contiguously to the base region 20.例文帳に追加

第１コレクタ層３０は、ベース領域２０に隣接して設けられている。 - 特許庁

A collector region is formed preferably by an intrinsic layer of amorphous silicon.例文帳に追加

また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。 - 特許庁

The expansion cavities (4) are formed in the concave region of the current collector (2).例文帳に追加

膨張キャビティ（４）は、電流コレクタ（２）の凹状領域内に形成される。 - 特許庁

The MOS gate structure 30 is formed of the first collector region 21, the second collector region 26, the first base region 24, a gate insulating film 31 and a gate electrode 32.例文帳に追加

ＭＯＳ型ゲート付き構造３０は、第１コレクタ領域２１、第２コレクタ領域２６、第１ベース領域２４、ゲート絶縁膜３１およびゲート電極３２によって形成されている。 - 特許庁

In a lateral bipolar transistor where a collector region and an emitter region are juxtaposed above a base region, the collector region and the emitter region are formed by diffusing P type or N type impurities contained in a silicon germanium layer in the base region.例文帳に追加

本発明では、ベース領域の上部にコレクタ領域とエミッタ領域とを並設してなる横型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ領域及びエミッタ領域は、シリコンゲルマニウムに含有させたＰ型又はＮ型の不純物をベース領域内で拡散させて形成した。 - 特許庁

Furthermore, a collector n^+ type region 18 is formed so that the collector n^+ type region 16 may be connected to the buried n^+ type region 12, while a base sink p-type region 19 is formed so that the emitter n^+ type region 17 may be connected to the buried n^+ type region 12.例文帳に追加

また、コレクタｎ^+ 型領域１６と埋め込みｎ^+ 型領域１２を接続するようにコレクタシンクｎ^+ 型領域１８が形成され、エミッタｎ^+ 型領域１７と埋め込みｎ^+ 型領域１２を接続するようにベースシンクｐ型領域１９が形成されている。 - 特許庁

While a collector region 107 being formed in the reduced surface field region 101, a summit semiconductor layer 110 electrically connected with the base region 102 is formed so as to be isolated from the collector region 107.例文帳に追加

リサーフ領域１０１内には、コレクタ領域１０７が形成されていると共に、ベース領域１０２と電気的に接続する頂上半導体層１１０が、コレクタ領域１０７と隔離するように形成されている。 - 特許庁

For the BiPT 210, the drain region is made a collector region, and the well 11 is made a base region, and an n-type impurity diffused layer isolated from the drain region is made an emitter region 60.例文帳に追加

ＢｉＰＴ２１０はドレイン領域をコレクタ領域とし、ウェル１１をベース領域とし、ドレイン領域と分離されるＮ型不純物拡散層をエミッタ領域６０とする。 - 特許庁

It has a collector electrode 9 formed in contact with the n^- region 2c.例文帳に追加

ｎ^-領域２ｃに接するように形成されたコレクタ電極９を備える。 - 特許庁

The n-type circular isolation region is formed circularly underneath from the element isolation region, surrounds the periphery of a p-type collector region and the periphery of an upper part of the n-type lower part isolation region, and isolates the p-type collector region electrically from the substrate.例文帳に追加

ｎ型環状分離領域は、素子分離領域から下方に環状に形成され、ｐ型コレクタ領域の周囲及びｎ型下部分離領域の上部の周囲を取り巻き、ｐ型コレクタ領域を基板から電気的に分離している。 - 特許庁

Further, the second N well 11 is formed so as to be located at a region immediately below a collector impurities diffusion region 12.例文帳に追加

また、第２Ｎウェル１１は、コレクタ不純物拡散領域１２の右下の領域にくるように形成する。 - 特許庁

The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

The second n-type body region 54a and the second n-type collector region 430 are connected electrically.例文帳に追加

第２のｎ型ボディ領域５４ａと第２のｎ型コレクタ領域４３０とは電気的に接続されている。 - 特許庁

The silicon semiconductor layer 13 includes an emitter region 14 in contact with an emitter electrode 20, a collector region 15 in contact with a collector electrode 21, and a center semiconductor region composed of a body region 17, a part of a buffer region 19, and a drift region 16.例文帳に追加

シリコン半導体層１３は、エミッタ電極２０に接しているエミッタ領域１４と、コレクタ電極２１に接しているコレクタ領域１５と、ボディ領域１７及びバッファ領域１９の一部とドリフト領域１６とからなる中央半導体領域とを備えている。 - 特許庁