「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（１４２）は、基板（１０２）表面に形成されたｐ型低濃度領域１１０と、ｐ型低濃度領域１１０表面に設けられたｎ型ドレイン側拡散領域１１２およびｎ型ソース側拡散領域１１４と、素子分離絶縁膜１３２および素子分離絶縁膜１３４とを含む。 - 特許庁

In the solid polymer fuel cell having the membrane electrode composite, an outside dimension of a gas diffusion layer 3a on a fuel electrode 2a side is made larger than the outside dimension of a polymer membrane 1 and the outside dimension of a gas diffusion layer 3b on an oxidant electrode 2b side, and made in almost the same shape as the outside dimension of the separator 6.例文帳に追加

膜電極複合体４を備える固体高分子型燃料電池において、燃料極２ａ側のガス拡散層３ａの外形寸法を高分子膜１の外形寸法及び酸化剤極２ｂ側のガス拡散層３ｂの外形寸法よりも大きくし、セパレータ６の外形と概略同じ形状とする。 - 特許庁

At least in one gas flow passage formation part, on a side contacting the gas diffusion layer, along a face of the gas diffusion layer, the gas flow passage of an isolated structure in which the flow passage for gas supply of which the downstream end is closed and the flow passage for gas supply of which the upstream end is closed are alternately arranged by interposing the closed part is formed.例文帳に追加

少なくとも一方のガス流路形成部には、ガス拡散層に接する側に、ガス拡散層の面に沿って、その下流端が閉塞されたガス供給用流路およびその上流端が閉塞されたガス排出用流路が閉塞部を挟んで交互に配列された分離構造のガス流路が形成されている。 - 特許庁

The gas diffusion layer has a structure to include microporous layers 30, 31 and macro layers 35, 36 which are obtained by forming slurry directly on the microporous layers to form a solid polymer fuel cell gas diffusion layer, and has a function to sufficiently diffuse a fuel gas 50 and an oxygen-contained gas 51 in order to uniformalize an electrode reaction.例文帳に追加

ガス拡散層は、マイクロポーラス層３０，３１と、該マイクロポーラス層上に、直接スラリーから形成して得られるマクロ層３５，３６とを含んでなる構造の固体高分子形燃料電池ガス拡散層とし、電極反応を均質化させるために燃料ガス５０や酸素含有ガス５１を十分に拡散させる機能を有する。 - 特許庁

When the incidence angle of X-ray is increased, in the arrow A direction in the surface of the optical element, the film thickness of the B_4C layer 13, which is the diffusion preventing layer, is allowed to have a distribution in the same direction to thereby increase the diffusion preventing effect; and consequently, decline in the reflectance depending on the incidence angle of the X-ray is suppressed.例文帳に追加

Ｘ線の入射角度が光学素子の面内で矢印Ａの方向に増大する場合に、拡散防止層であるＢ_４Ｃ層１３の膜厚に同じ方向の分布を持たせることにより、拡散防止効果を増大させて、Ｘ線の入射角度による反射率の低下を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁

An optical functional member 402 and a light diffusion layer 401 stuck by an adhesive or a binder 403 are supported by pressing in a lamination direction by a supporting member 404 to suppress the camber due to thermal expansion in the optical sheet 40 constituted of the optical functional member 402 and the light diffusion layer 401.例文帳に追加

接着剤もしくは粘着剤４０３により貼り合わされた光学機能部材４０２と光拡散層４０１を支持部材４０４により積層方向に押圧支持してこれら光学機能部材４０２と光拡散層４０１からなる光学シート４０の熱膨張による反りを抑制するように構成した。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is produced by laminating a reaction layer sheet 2 which is a member constituting the gas diffusion electrode, a gas supply layer sheet 3 and a current collector 4, laminating the metallic terminal on one part thereof and hot pressing the laminated under the conditions of a temperature above the melting point of a used fluororesin and ≤400°C and a pressing pressure of ≥5 g/cm2.例文帳に追加

ガス拡散電極を構成する部材である反応層シートとガス供給層シートと集電体とを積層するとともに、一部に金属端子も合わせて積層し、使用したフッ素樹脂の融点以上、４００℃以下の温度、プレス圧５ｋｇ／ｃｍ^2 以上の条件下でホットプレスして製造。 - 特許庁

Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.例文帳に追加

半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁

The isolation region 30 between the analog circuit region 10 and the digital circuit region 20 is constituted so as to comprise heavily doped P^+ type impurity regions 4 and an N type diffusion layer 2, which is formed so as to be apart from the impurity regions 4 and have portions of a P^- type substrate region 1 between the diffusion layer and the impurity regions.例文帳に追加

アナログ回路領域１０とデジタル回路領域２０との間の分離領域３０は、高不純物濃度のＰ^+ 型の不純物領域４と、不純物領域４から離間して間にＰ^- 型基板領域１の部分を有して形成されたＮ型の拡散層２とを具備して構成されている。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the optical member which has at least one light diffusion layer that contains fine particles of an organic polymer on a transparent support consisting of a translucent resin, wherein the light diffusion layer is formed by coating the coating liquid using an organic solvent and wherein the specific gravity of the organic solvent is >0.85 and <1.例文帳に追加

透光性樹脂からなる透明支持体上に有機ポリマー微粒子を含有する光拡散層を少なくとも１層有する光学部材であって、該光拡散層は有機溶剤を用いた塗布液を塗布して形成され、該有機溶剤の比重が０．８５を越え１未満である光学部材の製造方法。 - 特許庁

In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connecting surface which is formed on the side opposite to the light-emitting surface and is formed of a plurality of elongated depressions, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of elongated depressions.例文帳に追加

透明基板と拡散層から構成される光学板において、前記透明基板は、光出射面と、前記光出射面の相対側に形成され、且つ表面に複数の長状凹部が形成されている連接面と、を含み、前記拡散層は、前記連接面に付着されて、前記複数の長状凹部を充填する。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 and the like electrically; a diffusion region 43 formed adjacent to the STI separation layer 32; an insulation film 41 formed on the diffusion region 43; and a resistive element 34 formed on the insulation film 41.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１などを電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２に隣接して形成された拡散領域４３と、拡散領域４３上に形成された絶縁膜４１と、絶縁膜４１上に形成された抵抗素子３４とを有する。 - 特許庁

In the semitransmissive liquid crystal display element 1 having a light diffusion layer 21 composed of a transmissive resin and a semitransmissive metal thin film 22 as a light reflection film on the inside surface, the transmissive resin of the light diffusion layer 21 is colored with the complementary color with respect to the color of the transmitted light from the metal thin film 22.例文帳に追加

内面に透光性樹脂からなる光拡散層２１と、光反射膜としての光半透過性金属薄膜２２とを有する半透過型液晶表示素子１において、光拡散層２１の透光性樹脂を金属薄膜２２の透過光色と補色関係にある色に着色する。 - 特許庁

The device has a PNPN junction structure, having a diffusion layer of a second conductive type, formed in a well of a first conductive type and a diffusion layer of a first conductive type, formed in a well of a second conductive type, with an external resistor being connected to one of the wells to allow limiting a current between an anode and a cathode.例文帳に追加

この装置は、第１導電型のウェルに第２導電型の拡散層が形成され、第２導電型のウェルに第１導電型の拡散層が形成されたＰＮＰＮ接合構造において、アノード及びカソードの間の電流を制限することができる外部抵抗をウェルに連結した構造である。 - 特許庁

The channel layers 2a, 2b comprise a prescribed conductivity type, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b, which form pn junctions with each channel layer 2a, 2b under a gate electrode 7, respectively, are formed, and at least two gate diffusion layers 4a, 4b are electrically connected by a connection layer 5.例文帳に追加

チャネル層２ａ，２ｂは、所定の導電型を有し、ゲート電極７下における各チャネル層２ａ，２ｂとｐｎ接合をそれぞれ形成する少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂが形成され、少なくとも２つのゲート拡散層４ａ，４ｂは、接続層５により電気的に接続されている。 - 特許庁

In the oscillator circuit in which both terminals of a piezoelectric oscillator X are connected to input and output terminals of an amplifier A and an oscillating waveform is output from the output terminal of the amplifier A, a diode-type ESD protection circuit B1 having a P-type diffusion layer and an N-type diffusion layer is connected on the input side of the amplifier A.例文帳に追加

圧電振動子Ｘの両端子が増幅器Ａの入出力端子に接続され、増幅器Ａの出力端子から発振波形が出力される発振回路において、増幅器Ａの入力側に、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型のＥＳＤ保護回路Ｂ１が接続されている。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

At an LDMOS transistor part, a field oxide film 24d is also formed in a drain-forming region and a channel-forming region, a channel diffusion layer 38 is formed using the field oxide film 24d as a mask, and then a source diffusion layer 40a is farmed using the field oxide film 24d as a mask.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳトランジスタ部では、ドレイン形成予定領域及びチャネル形成予定領域にもフィールド酸化膜２４ｄを形成しておき、そのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてチャネル用拡散層３８を形成し、さらにそのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてソース拡散層４０ａを形成する。 - 特許庁

In the optical plate including a transparent substrate and a diffusion layer, the transparent substrate includes a light-emitting surface and a connection surface which is formed on the side opposite to the light-emitting side and is formed of a plurality of spot-shaped depressions on the surface, and the diffusion layer is attached to the connecting surface and is filled into the plurality of spot-shaped depressions.例文帳に追加

透明基板と拡散層とを含む光学板において、前記透明基板は光出射面と前記光出射面の反対側に形成され且つ表面に複数の点状凹部が形成されている連接面とを含み、前記拡散層は前記連接面に付着して前記複数の点状凹部を充填する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a first conductivity-type well 2 provided in the semiconductor substrate 1, a second conductivity-type impurity diffusion layer 4 provided in the well 2, and a source connection electrode 5 brought into contact on the impurity diffusion layer 4 and the well 2.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１と、この半導体基板１中に設けられた第１導電型のウエル２と、このウエル２中に設けられた第２導電型の不純物拡散層４と、この不純物拡散層４及び前記ウエル２に接触されたソース接続電極５とを有する半導体装置である。 - 特許庁

This cell 10 of a fuel cell includes the polymer electrolyte membrane 11, a fuel electrode 12a, an oxidizer electrode 12b, a fuel diffusion layer 13, and an oxygen diffusion layer 14, wherein a fuel passage 18 is arranged by making it pierce the center; and openings 20 for introducing oxygen are arranged on two facing side surfaces of the oxidizer electrode 12b.例文帳に追加

燃料電池セル１０は、高分子電解質膜１１、燃料極１２ａ、酸化剤極１２ｂ、燃料拡散層１３、および酸素拡散層１４を有し、中心を貫通させて燃料流路１８を配置し、酸化剤極１２ｂの対向する二つの側面に、酸素を取り入れる開口部２０を配置している。 - 特許庁

The optical diffusion sheet 1 is obtained by integrating a surface layer 1b composed of light transmissive resin on the upside and the downside of a core layer 1a composed of light transmissive resin in which an optical diffusion agent 1c is contained by 15 to 35 wt.%, and constituted so that minute ruggedness 1d is formed on both of its front and back surfaces.例文帳に追加

光拡散剤１ｃが１５〜３５重量％含有された透光性樹脂よりなるコア層１ａの上下に、透光性樹脂よりなる表面層１ｂが一体化されたシートであって、その表裏両面に微細な凹凸１ｄが形成された構成の光拡散シート１とする。 - 特許庁

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In the fuel cell, a surface on a side of a fuel gas passage groove 34 provided on the one surface side of a fuel electrode side separator 28 facing a fuel electrode diffusion layer 18 has higher hydrophilic properties than a surface on a side of an oxidant gas passage groove 32 provided on the one surface side of an oxidant electrode side separator 26 facing an oxidant electrode diffusion layer 16.例文帳に追加

燃料極拡散層１８に対面する燃料極側セパレータ２８の一方面側に設けられた燃料ガス流路溝３４側表面が、酸化極拡散層１６に対面する酸化極側セパレータ２６の一方面側に設けられた酸化ガス流路溝３２側表面よりも高い親水性を有する。 - 特許庁

A first gas diffusion layer 52 forming an anode side electrode 20 and a second gas diffusion layer 56 forming a cathode side electrode 22 are provided with a first gas passage 58 and a second gas passage 60 facing a first passage 38 and a second passage 46 provided on a first separator 14 and a second separator 16 respectively.例文帳に追加

アノード側電極２０を構成する第１ガス拡散層５２およびカソード側電極２２を構成する第２ガス拡散層５６は、第１および第２セパレータ１４、１６に設けられている第１および第２流路３８、４６に対向して第１および第２ガス流路５８、６０を設けている。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

In the method for forming the light diffusion layer, the light diffusion layer having a fine uneven structure is formed on a surface of a base material by jetting ink drops containing a light diffusivity imparting composition forming the fine uneven structure by an ink jet system while the capacity of the ink drops is controlled.例文帳に追加

透明基材上に、インクジェット方式により微細な凹凸構造を形成する光拡散性付与組成物を含有するインク液滴を、該インク液滴の容積を制御しながら出射させて、該基材表面に微細凹凸構造を有する光拡散層を形成することを特徴とする光拡散層の形成方法。 - 特許庁

To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.例文帳に追加

コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin.例文帳に追加

スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。 - 特許庁

According to the above configuration, the stack of the first electrode layer having small diffusion with respect to the active layer composed of the oxide semiconductor and the second electrode layer having a low specific resistance provides excellent FET characteristics at the interface between the active layer and the electrode layer, thereby obtaining a FET that has low-resistance electrodes.例文帳に追加

上記構成によれば、酸化物半導体からなる活性層に対する拡散が小さい第１の電極層と、比抵抗が小さい第２の電極層を積層することにより、活性層と電極層の層界面でのＦＥＴ特性が良好であり、電気抵抗の小さい電極を備えたＦＥＴを得ることが可能である。 - 特許庁

To obtain a paint composition for forming a surface projecting and recessing layer 2 provided under the reflection layer 3 of a reflective or semitransmissive liquid crystal display device or forming a light diffusion layer provided above the reflection layer 3, a paint composition with which a projecting and recessing shape can be simply formed on a coating film surface and which has excellent adhesiveness to the reflection layer 3.例文帳に追加

反射型もしくは半透過型液晶表示装置の反射層３の下に設けられる表面凹凸層２、または反射層３の上方に設けられる光拡散層を形成するための塗料組成物であって、塗膜表面に凹凸形状を簡易に形成することができ、反射層３に対する密着性に優れた塗料組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.例文帳に追加

金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、ＳＯＩ層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したＳＯＩ層の酸化を防止する。 - 特許庁

A surface of a hydrophilic layer 118b facing a separator 122 has a higher hydrophilicity than that of a water-repellent layer 118a facing a catalyst layer 14, and a surface of a surface layer 122a formed by putting under a hydrophilic treatment a gas flow channel 126 formed at the separator 122 facing a diffusion layer 118 has desired hydrophilicity.例文帳に追加

セパレータ１２２と対面する親水層１１８ｂの表面が、触媒層１４と対面する撥水層１１８ａの表面よりも親水性が高く、拡散層１１８と対面するセパレータ１２２に形成されたガス流路１２６の親水化処理により形成された表面層１２２ａの表面は、所望の親水性を有する。 - 特許庁

The color filter base plate for organic electroluminescent element is composed of a base material, a coloring layer formed into pattern shape on the base material, a gas barrier layer formed on the coloring layer, and a gas diffusion layer as a painted film formed on the gas barrier layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上にパターン状に形成された着色層と、上記着色層上に形成されたガスバリア層と、上記ガスバリア層上に形成され、塗膜であるガス拡散層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子用カラーフィルタ基板を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

In the objective planographic printing material which has at least an undercoat layer, a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on a substrate and to which a silver complex salt diffusion transfer process is applied, the undercoat layer or the silver halide emulsion layer contains a matting agent as a dispersion of the matting agent and a compound having ethyleneoxy and propyleneoxy groups.例文帳に追加

支持体上に少なくとも下塗り層、ハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、前記下塗り層またはハロゲン化銀乳剤層が、マット剤をエチレンオキシ基とプロピレンオキシ基を有する化合物との分散物として含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

The solar battery comprises a translucent photodiffusion layer 1 having a total light transmittance of 70% or more and a diffusion transmittance of 60% or more and provided on the photodetecting surface 1a of the solar battery cell 1, and a fluorescent substance-containing transparent layer 8 laminated on an upper layer and/or a lower layer of the photodiffusion layer 7.例文帳に追加

全光線透過率が７０％以上、かつ拡散透過率が６０％以上である透光性光拡散層７が太陽電池素子１の受光面１ａに備えられ、さらに上記透光性光拡散層７の上層及び／又は下層に蛍光性物質含有透明層８が積層されてなる透光性光拡散層付き太陽電池。 - 特許庁

A lithographic printing material applying a silver complex salt diffusion transfer process is provided which has at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer in order on a support, wherein the lithographic printing material contains a titanium oxide subjected to an inorganic surface treatment in at least one of the silver halide emulsion layer and a layer above the emulsion layer.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、該ハロゲン化銀乳剤層及びその上層の少なくとも一層に、無機表面処理が施された酸化チタンを含有することを特徴とする平版印刷材料 - 特許庁