「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The N+ diffusion region 15a is formed in a part of the P-type well 4a located at the bottom of an opening 13 penetrating an element isolation film 3a, from a surface of the P-type well 4a to a predetermined depth.例文帳に追加

Ｎ＋拡散領域１５ａは、素子分離酸化膜３ａを貫通する開口部１３の底に位置するＰ型ウェル４ａの部分に、その表面から所定の深さにわたり形成されている。 - 特許庁

In an iron or steel containing an interstitial type solution element, a phenomenon caused by diffusion phenomenon of the interstitial type element, concretely, aging and decarburizing, is controlled by applying the strong magnetic field.例文帳に追加

侵入型の固溶元素を含む鉄又は鋼であって、侵入型元素の拡散現象により引き起こされる現象、より、具体的には、時効、脱炭を、強磁場をかけることで制御する。 - 特許庁

A first storage 41 and a second storage 42 constituting the photo-diode and being composed of n-type diffusion layers converting a light into charges and storing them are formed in a p-type substrate/well 20.例文帳に追加

ｐ型基板／ウェル２０の内部に、フォトダイオードを構成する、光を電荷に変換して蓄積するｎ型拡散層からなる第１の蓄積部４１及び第２の蓄積部４２が設けられている。 - 特許庁

CARBONACEOUS FIBER WOVEN FABRIC, ROLLED PRODUCT THEREOF, GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL FOR FUEL CELL OF SOLID POLYMER TYPE, METHOD FOR PRODUCING THE WOVEN FABRIC, AND METHOD FOR PRODUCING THE GAS DIFFUSION LAYER MATERIAL例文帳に追加

炭素質繊維織布、炭素質繊維織布の捲回物、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料、炭素質繊維織布の製造方法、および固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料の製造方法 - 特許庁

A first MIS transistor formed in the first region (PMOS) in an n-type semiconductor region (101) comprises a first gate insulating film (103), a first gate electrode (104), first extension diffusion layers (106), and a first fluorine diffusion layer (108).例文帳に追加

ｎ型半導体領域(101)における第１の領域(PMOS)に形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、第１のゲート絶縁膜(103)と、第１のゲート電極(104)と、第１のエクステンション拡散層(106)と、第１のフッ素拡散層(108)とを備える。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加

半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 - 特許庁

The diffusion layer electrode is so formed as to contain the top face of the edge of the boundary in the diffusion layer region, but not contain the top face of the edge of the boundary in the trench-type element isolation region, and so is separated from the isolation.例文帳に追加

拡散層電極は、拡散層領域における境界端部上面を含み、溝型素子分離領域における境界端部上面を含まないように形成されることにより、素子分離と分離されている。 - 特許庁

More specifically, effective current diffusion, reduction in working voltage and high optical output can be realized because the dopant is not diffused into the active layer 14 even if the current diffusion layer 16 or a p-type clad layer 15 has a high carrier density.例文帳に追加

すなわち、電流拡散層１６やｐ型クラッド層１５を高キャリア濃度にしてもドーパントが活性層１４に拡散しないため、効果的な電流拡散と、動作電圧の低減と、高光出力化が実現できる。 - 特許庁

In addition, a highly doped doping layer 8 is formed in the surface layer part of the electron diffusion layer 7 including the main surface on which an electrode 9 is formed, the concentration of the p-type dopant of the surface layer part being designed higher than that of the remainder part of the electron diffusion layer 7.例文帳に追加

また、電流拡散層７の電極９を形成する側の主表面を含む表層部に、ｐ型ドーパント濃度が電流拡散層７内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層８を形成する。 - 特許庁

The translucent positive electrode comprises a contact metal layer in contact with a p-type semiconductor layer, a current diffusion layer on the contact metal layer having electric conductivity higher than that of the contact metal layer, and a bonding pad layer on the current diffusion layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする透光性正極。 - 特許庁

The third step: separating the water-soluble components into molecules having ≥50,000 molecular weight and particles having ≥20 μm diameter, and reaction products such as peptide and amino acid by using a pore diffusion type membrane separation apparatus so as to condense the diffusion liquid.例文帳に追加

第３工程：水溶性成分を分子量５０、０００以上の分子および直径２０ｎｍ以上の粒子とペプチドやアミノ酸などの反応生成物とを孔拡散式膜分離装置で分離し、拡散液を濃縮する。 - 特許庁

To provide a vehicular washer nozzle with a simple structure and less pressure loss, capable of self-oscillating a washing liquid similarly to a conventional screen disc type nozzle to jet it as a fan-like diffusion flow and enlarging a diffusion range.例文帳に追加

従来のフルイディスク式ノズルと同様に洗浄液を自励発振させて扇状の拡散流として噴射させることができ、構造が簡単で、圧力損失が少なく、拡散範囲を広げた車両用ウォッシャノズルを提供する。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

In the figure, 505 is an N type cathode of photo diode, 506 is a surface P type area to make the photo diode a buried structure, and a 508a is an N type high concentration area which forms a floating diffusion and is a drain area of a transfer MOS transistor, too.例文帳に追加

５０５はフォトダイオードのＮ型カソード、５０６はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面Ｐ型領域、５０８ａはフローティングディフュージョンを形成し転送ＭＯＳトランジスタのドレイン領域ともなっているＮ型高濃度領域である。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

The floating resistor formed under a state that one end is floated electrically is formed in an isolated insular shape in an n-type semiconductor region 13 formed in a p-type semiconductor substrate 10 as a diffusion resistor 14 composed of a p-type semiconductor.例文帳に追加

一端が電気的に浮いた状態で設けられるフローティング抵抗を、ｐ型半導体からなる拡散抵抗１４として、ｐ型半導体基板１０内に形成されたｎ型半導体領域１３内に孤立した島状に形成する。 - 特許庁

The polychloroprene rubber-solvent type adhesive composition is obtained by adding an adipic acid hydrazide type compound into the polychloroprene rubber-solvent type adhesive containing the alkyl phenol resin, and its formaldehyde diffusion rate is reduced without giving adverse effects on adhesion properties.例文帳に追加

アルキルフェノール樹脂を含むクロロプレンゴム溶剤系接着剤にアジピン酸ヒドラジド系化合物を添加することで、接着物性に悪影響を与えることなくホルムアルデヒド放散速度が低減されたクロロプレンゴム溶剤系接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

Moreover, on the single crystal layers 13 on the both sides of the floating gate 20 extending on a tunnel oxidized film 19, a pair of impurity diffusion layers 21 and 22 are formed, and an aluminum electrode 198 is connected for stabilizing a threshold value to a p-type impurity diffusion layer 195 neighboring the impurity diffusion layers 21 and 22.例文帳に追加

また、トンネル酸化膜１９上に延在した浮遊ゲート２０の両側の単結晶シリコン層１３には一対の不純物拡散層２１，２２が形成されており、不純物拡散層２１，２２と近接するｐ型不純物拡散層１９５には、しきい値を安定させるためのアルミニウム電極１９８が接続されている。 - 特許庁

Thus when a p-type impurity is diffusion-doped in the semiconductor layer 104 via the contact layer 105, the element isolation regions 106 at a diffusion depth Xj2 reaching the substrate 102 and light emitting parts 110 at a diffusion depth Xj1 which does not reach the substrate 102 are formed at the same time, in the semiconductor layer 104.例文帳に追加

したがって，コンタクト層１０５を介して半導体層１０４にｐ型不純物を拡散ドープすると，半導体層１０４には，高抵抗基板１０２に達する拡散深さＸｊ２の素子分離領域１０６と高抵抗基板１０２に達しない拡散深さＸｊ１の発光部１１０とが同時形成される。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

In the manufacture method of unidirectional diffusion plate, the unidirectional diffusion plate is manufactured by utilizing a speckle pattern formed when the surface relief type diffusion plate having groove depth of ≥2 μm and ≤20 μm on the surface is irradiated with the light of linear coherence.例文帳に追加

表面の溝の深さが２μｍ以上２０μｍ以下であるような、表面レリーフ型の拡散板で、直線状の可干渉性のある光を拡散板に照射して、そのときに生じるスペックルパターンを用いて作成することを特徴とする一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板である。 - 特許庁

To provide a display device within a finder of optical equipment which achieves focusing display in a short time even under temperature environment in which response of diffusion type liquid crystal is no good.例文帳に追加

拡散型液晶の応答が悪い温度環境下でも、早い時間で合焦表示を可能にする光学機器のファインダ内表示装置を提供する。 - 特許庁

With the insulating film 30 as a mask, a p-type impurity such as Zn is diffused to the semiconductor recess from the gate opening to form a gate diffusion layer 40.例文帳に追加

絶縁膜３０をマスクとして、ゲート開口部より半導体凹部にＺｎ等のｐ型不純物を拡散してゲート拡散層４０を形成する。 - 特許庁

This impurity is diffused due to heat, thereby forming a p-type pillar layer 14 in which diffusion layers 14A1 to 14A3 are coupled in a depthwise direction.例文帳に追加

熱によりこの不純物が拡散することにより、拡散層１４Ａ１〜３が深さ方向に結合されたｐ型ピラー層１４が形成される。 - 特許庁

To provide a planar lighting device of side light type having a light guide plate which has diffusion action of emission light and is improved in blemish-proof.例文帳に追加

出射光の拡散作用を有すると共に、耐傷付き性を向上させた導光板を有するサイドライト型の面状照明装置を提供すること。 - 特許庁

After an n-type embedded diffusion layer 2 is formed, dry-etching is performed to round the corner 9 of a slot 8 used for separating elements.例文帳に追加

本発明では、Ｎ型の埋込拡散層２を形成した後、素子間分離等に用いる溝部８のコーナー部９を丸めるため、ドライエッチングを行う。 - 特許庁

In addition, a P-type poly-Si empolyed for the emitter diffusion area 23 of the L-PNP transistor is used as a poly-Si for high resistance.例文帳に追加

また、Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に使用するＰ型ｐｏｌｙ−Ｓｉを高抵抗用のｐｏｌｙ−Ｓｉとしても使用する。 - 特許庁

To obtain a silver salt diffusion transfer type planographic printing plate excellent in printing resistance, free from image skipping and giving printed matter having uniform good image quality.例文帳に追加

耐刷性に優れるとともに、画像の飛びが無く、均一で良好な画質の印刷物が得られる銀塩拡散転写型平版印刷版を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion type dust collection device of a cleaner in which an air current pressure loss is small, dust collection effectiveness is good, the filtration accuracy of dust is high, and a noise is low.例文帳に追加

気流圧力損失が小さく、集塵効果がよく、塵の濾過精度が高い低騒音である掃除機の拡散式集塵装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the luminous intensity in the hot zone HZ of the low-beam light distribution pattern P can be increased by the diffusion type light distribution sub-patterns LP and RP.例文帳に追加

この結果、すれ違い用の配光パターンＰのホットゾーンＨＺの光量を拡散タイプのサブ配光パターンＬＰ、ＲＰで上げることができる。 - 特許庁

A low-resistance polysilicon film 6 is formed on the P-type diffusion region 3 through the intermediary of a thin capacitor insulating film 5 of thermal oxide film.例文帳に追加

ｐ形拡散領域３上には熱酸化膜からなる薄い容量絶縁膜５を介して低抵抗のポリシリコン膜６が形成されている。 - 特許庁

Further, the impurity for forming a reverse conductivity type semiconductor layer to the impurity contained in the base region is contained in this diffusion suppression layer.例文帳に追加

また、この拡散抑制層に、ベース領域に含有させた不純物とは逆導電型の半導体層を形成するための不純物を含有させた。 - 特許庁

To provide a solid polymer membrane type fuel cell allowing a diffusion layer and a separator to be jointed to an electrolyte membrane at the same time; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電解質膜への拡散層およびセパレータの接合を同時に可能とする固体高分子膜型燃料電池セルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the side light type back light device which is extremely high in luminance and hardly gives rise to the luminance unevenness can be obtained by applying a diffusion layer on the polymer film.例文帳に追加

また、高分子フィルム上に拡散層を塗布して、輝度が極めて高く輝度ムラが発生し難いサイドライト型バックライト装置を得ることが出来る。 - 特許庁

To provide a special light signal emitting machine of LED wide diffusion type capable of securing a specified visual confirming distance without increasing the number of installed signal emitting machines even in a curved division.例文帳に追加

カーブ区間においても、設置本数を増やさずに規定の視認距離を確保し得るＬＥＤ広拡散型特殊信号発光機を提供する。 - 特許庁

Multiple values exceeding four values can be written by changing a writing voltage which is applied to a diffusion region, when accumulating an electric charge on an accumulation nitride film in an MONOS-type laminated structure of the nonvolatile semiconductor storage.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型積層構造中の蓄積窒化膜に電荷を蓄積する最に、拡散領域に印加される書込み電圧の値を変化させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device including low resistance n-type diffusion region in germanium or silicon germanium containing 20% germanium and higher.例文帳に追加

ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が２０％以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のｎ型拡散領域を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

SILVER-SUPPORTED CATALYST AND ITS PRODUCTION METHOD, AND SILVER CATALYST SUPPORT TYPE GAS DIFFUSION ELECTRODE, AND ELECTROLYTIC OXIDATION METHOD AND ELECTROLYTIC OXIDATION SYSTEM USING IT,例文帳に追加

銀担持触媒及びその製造方法並びに銀触媒担持型ガス拡散電極及びそれを用いた電解酸化処理方法と電解酸化装置 - 特許庁

To provide a structure that prevents the generation of color mixture in a solid-state imaging device where the depth of an n-type diffusion layer that serves as a light-receiving region for each color is changed.例文帳に追加

色毎に受光領域となるｎ型拡散層の深さを変化させた固体撮像装置において、混色の発生を防止した構造を提供する。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet which is excellent in directivity to the front direction and hardly causes brightness irregularities when being incorporated to a backlight unit of a direct light type.例文帳に追加

直下ライト方式のバックライトユニットに組み込まれたときに正面方向への指向性が良く、輝度ムラが発生し難い光拡散シートを提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device includes photodiodes 1-1, first and second impurity diffusion layers 206-10, 206-12 of a first conductive type, and first and second transistors 2-1, 3-1.例文帳に追加

実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード1-1と、第１導電型の第１、第２不純物拡散層206-10,206-12と、第１、第２トランジスタ2-1,3-1とを備える。 - 特許庁

To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加

熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁