「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique to form an excellent diffusion barrier film on Cu wiring by plasma CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法を用いてＣｕ配線上に良好な拡散バリア膜を形成する技術を提供する。 - 特許庁

A diffusion barrier is formed in a common gate of a place of an N/P border between the NFET and the PFET.例文帳に追加

拡散バリアは、ＮＦＥＴとＰＦＥＴとの間のＮ／Ｐ境界のところの共有ゲート中に形成される。 - 特許庁

In addition, it functions as a barrier material to appropriately suppress the diffusion of Ag from the Ag wiring 17.例文帳に追加

また前記Ａｇ配線部１７からＡｇが拡散するのを適切に抑制するバリア材としても機能している。 - 特許庁

A p-type overflow barrier region 36 is formed between the floating diffusion 33 and the photodiode 21.例文帳に追加

フローティングディフュージョン３３と、フォトダイオード２１との間には、ｐ型のオーバーフローバリア領域３６が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of depositing a metal film on the surface of a substrate on which a diffusion barrier layer is deposited.例文帳に追加

拡散バリア層を被着した基材表面に金属膜を被着するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal diffusion barrier layer having excellent bonding properties to metals and dielectric materials.例文帳に追加

各種金属及び誘電体材料に対して良好な接着性を有する金属拡散バリア層を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element capable of preventing diffusion of Mg doped in a barrier layer.例文帳に追加

障壁層にドーピングされたＭｇの拡散を防ぐことができる窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

The method includes depositing copper to form a copper pillar layer 108, depositing a diffusion barrier layer 110 on a top of the copper pillar layer, and depositing a copper cap layer 112 on top of the diffusion barrier layer, wherein an intermetallic compound (IMC) 116 is formed among the diffusion barrier layer, the copper cap layer, and a solder layer formed on a top of the copper cap layer.例文帳に追加

銅柱１０８層を形成するために銅を堆積するステップと、銅柱層の上部に拡散バリア層１１０を堆積するステップと、拡散バリア層上に銅キャップ層１１２を形成するステップを含み、金属間化合物１１６（ＩＭＣ）が拡散バリア層、銅キャップ層、銅キャップ層上に形成されたはんだ層の間に形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive diffusion barrier, which acts to prevent the diffusion of metal to adjacent structure and operates as an appropriate conductor.例文帳に追加

隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用し、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A diffusion barrier layer is formed between the bottom of the memory electrode and an insulation layer to prevent the diffusion of a metal contaminant which causes the reduction in quality of a transistor.例文帳に追加

本発明は、記憶電極と底部の絶縁層との間に、拡散バリア層を設け、金属汚染物が拡散してトランジスタの品質を低下させるのを防ぐ。 - 特許庁

A diffusion barrier (220) is placed on the container (201) between the powder (205) and the container (201) to control diffusion between the powder (205) and the container (201).例文帳に追加

粉体（２０５）と容器（２０１）との間における拡散を制御するように、容器（２０１）上で粉体（２０５）と容器（２０１）との間に拡散バリア（２２０）が置かれる。 - 特許庁

The barrier insulating film 56 prevents the diffusion of Cu and composed of an SiCN film deposited by plasma CVD similarly to an underlying barrier insulating film 44.例文帳に追加

バリア絶縁膜５６は、Ｃｕの拡散を防ぐための絶縁膜であり、下層のバリア絶縁膜４４と同じく、プラズマＣＶＤ法で堆積したＳｉＣＮ膜で構成する。 - 特許庁

Furthermore, as the barrier layer 3 for suppressing the diffusion of 1A base elements, SiON is used and the deterioration of device characteristics with the passage of time can be suppressed by said barrier layer 3.例文帳に追加

また、１Ａ族元素の拡散を抑制するバリア層３としてＳｉＯＮを用いており、このバリア層３により素子特性の経時的劣化を抑制することができる。 - 特許庁

A surface barrier film 29 made of a metal material acting as a barrier for preventing diffusion of Cu is interposed between the Cu wiring 24 and the coating layer 31.例文帳に追加

そして、Ｃｕ配線２４と被覆層３１との間には、Ｃｕの拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなる表面バリア膜２９が介在されている。 - 特許庁

The bottom and lateral faces of the upper layer wiring 10 and the via 12 are continuously cladded with a barrier film 13 consisting of a material having barrier performance against Cu diffusion.例文帳に追加

上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。 - 特許庁

This structure further comprises a second barrier metal layer having a diffusion coefficient of the first barrier metal at 250°C of lower than 1×10E-14 cm2/s and a thickness of less than 1.5 μm on the first barrier metal layer.例文帳に追加

この構造は更に、第１のバリア金属層上に、第１のバリア金属の拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−１４ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが１．５μｍ未満である、第２のバリア金属層を含む。 - 特許庁

To provide a manufacture of a dual-damascene wiring of a fine electronic element using a basic material diffusion barrier film.例文帳に追加

塩基性物質拡散障壁膜を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent diffusion of a diffusive material of a metal gate to a high-k dielectric while suppressing a film thickness of a barrier metal.例文帳に追加

バリアメタルの膜厚を抑制しながらメタルゲートの拡散性材料が高誘電率誘電体に拡散することを防ぐ。 - 特許庁

A via hole 105 whose inner wall is coated with an insulating film 107 and a diffusion barrier film 109 is formed in a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

基板１０１に絶縁膜１０７と拡散防止膜１０９で内壁を被覆したビアホール１０５を形成する。 - 特許庁

To form a barrier metal layer which perfectly prevents copper diffusion in a contact hole of a trench interconnection or between interconnection layers.例文帳に追加

溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてＣｕ拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

This article contains a substrate made of a superalloy, a silicon base ceramic material and a thermally stable silicon diffusion barrier layer.例文帳に追加

物品は、超合金製の基体と、ケイ素基セラミック材料と熱安定ケイ素拡散障壁層とを含んでなる。 - 特許庁

The barrier layer is used for avoiding diffusion of the metal of the contact layer into the second conductivity semiconductor layer.例文帳に追加

バリア層はコンタクト層の金属が第２の導電性半導体層に拡散するのを回避するために用いられる。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive diffusion barrier having a good step coverage and desired characteristics.例文帳に追加

良好なステップカバレッジおよび所望の特性を備えた導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.例文帳に追加

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁

An insulating oxygen barrier layer 15 consisting of Al_2O_3 of about 20nm in thickness is formed on a side face of the conductive oxygen barrier layer 14, wherein the barrier layer 15 prevents diffusion of the oxygen atoms to the contact 13 from a side of the lower layer 14a of the conductive oxygen barrier layer 14.例文帳に追加

導電性酸素バリア層１４の側面上には、Ａｌ_２Ｏ_３からなり、導電性酸素バリア層１４の下部層１４ａの側方からの、すなわちコンタクト１３への側方からの酸素原子の拡散を防ぐ絶縁性酸素バリア層１５が２０ｎｍ程度の厚さに形成されている。 - 特許庁

To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer such as silicon nitride Si_3N_4, or silicon dioxide SiO_2 is provided between the metal and the semiconductor to prevent diffusion and silicidation of the metal at elevated temperatures.例文帳に追加

窒化珪素Ｓｉ_３Ｎ_４または二酸化珪素ＳｉＯ_２などの拡散バリア層は、高温下における金属の拡散およびシリサイド化を防ぐために金属と半導体との間に設けられる。 - 特許庁

A diffusion layer 11 related to a circuit element is formed on an Si semiconductor substrate, and a barrier layer 14 is installed between a conductive member 16 and the diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板上において、回路素子に関係する拡散層１１が形成され、導電部材１６と拡散層１１との間にはバリア層１４が設けられている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 7 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 9 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

The barrier layer is chemically inert with respect to the substrate and the thick film dielectric layer, and the barrier layer inhibits diffusion of at least one chemical species therethrough.例文帳に追加

このバリア層は、基板及び厚膜誘電体層に関して化学的に不活性であり、少なくとも一種の化学種がこのバリア層を通って拡散することを抑制している。 - 特許庁

The ratio of a flow rate of the N_2 to the inert gas is set at 0.06 to 0.13, or the concentration of N in the TaCN barrier layer is set at 12 to 30%, and the resistance and the copper diffusion preventive effect of the barrier layer are improved.例文帳に追加

Ｎ_２と不活性ガスの流量比率を0.06—0.13とし、または、TaCNバリア層におけるNの濃度を12％—30％にすることにより、バリア層の抵抗と銅拡散防止効果を改善する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer is formed by surface-treating the oxide layer to increase an energy required to diffuse impurities.例文帳に追加

不純物の拡散に要求されるエネルギーが上昇するように前記酸化膜を表面処理して拡散防止膜を形成する。 - 特許庁

The fuel supply path has a counter flow barrier for preventing the reverse diffusion of water and a gas flow path for flowing gas generated at the anode.例文帳に追加

前記燃料供給路は、水の逆拡散を防ぐ向流水バリアとアノードで発生したガスを流すガス流路を有する。 - 特許庁

An improved spin valve sensor 300 is obtd., and the sensor 300 has a diffusion barrier 348 between a free layer 318 and a spacer layer 322.例文帳に追加

自由層（３１８）とスペーサ層（３２２）の間に挟まれた拡散障壁（３４８）を有する改良されたスピン・バルブ・センサ（３００）。 - 特許庁

To restrain the leakage current caused, i.e., by the ion diffusion in an embedded layer for forming an overflow barrier in the deep part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の深部にオーバフローバリアを形成するための埋め込み層のイオン拡散等によるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal film capable of producing a barrier metal film preserving diffusion prevention of a metal and adhesiveness with the metal under an extremely thin state.例文帳に追加

極めて薄い状態で金属の拡散防止と金属との密着性を保持したバリアメタル膜２３を作成する。 - 特許庁

To provide a material for depositing an electroconductive barrier film which can be deposited even when the electroconductive barrier film has 1/5-1/7 aspect ratio and ≤10 nm thickness, and which has an excellent property of preventing copper diffusion (barrier properties), small electric resistance and excellent adhesiveness to a copper film.例文帳に追加

アスペクト比が１／５〜１／７、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。 - 特許庁

A nuclide concentration arithmetic part 12 calculates the liquid phase nuclide concentration of the nuclide to be evaluated on the basis of a delay coefficient, the porosity of a natural barrier, the true density of the natural barrier, an effective diffusion coefficient, a Darcy flow velocity, and the leakage ratio of nuclide from an artificial barrier.例文帳に追加

核種濃度演算部１２は、遅延係数、天然バリアの空隙率、天然バリアの真密度、実効拡散係数、ダルシー流速、人工バリアからの核種の漏出率、評価する対象となる核種の液相中核種濃度を演算する。 - 特許庁

A replacing layer is formed in a diffusion barrier layer, and a part of a replacing layer is replaced with a thin copper film in mixture solution including a replacing reactant.例文帳に追加

拡散バリア層に置換層を形成し、置換反応物を含む混合液中で置換層の一部を薄い銅膜と置換する。 - 特許庁

Furthermore, the SiC chip is bonded to a wiring board provided with the diffusion barrier layer, while a high-temperature solder of AuGe, AuSi, or the like, is interposed therebetween.例文帳に追加

また、ＡｕＧｅ，ＡｕＳｉ等の高温はんだを介してＳｉＣチップを前記拡散バリア層を設けた配線基板と接合する。 - 特許庁

The method can further include depositing a thin layer for wettability on top of the diffusion barrier layer prior to depositing the copper cap layer.例文帳に追加

銅キャップ層を形成する前に、拡散バリア層上部の濡れ性のために薄膜層を堆積するステップを更に含むことができる。 - 特許庁

In a copper metallization process in a semiconductor integrated circuit, TaCN is used as a barrier layer in order to prevent the diffusion of a copper metal layer.例文帳に追加

半導体集積回路における銅金属化プロセスにおいて、銅金属層拡散を防止するためのバリア層としてTaCNを用いる。 - 特許庁