「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can form a barrier insulating film, having sufficient performance for preventing the diffusion of copper and can form a main insulating film having a sufficiently low dielectric constant, while improving the throughput, when the barrier insulating film and the main insulation film on it are sequentially formed on wiring which is mainly constituted of a copper film.例文帳に追加

銅膜を主とする配線上にバリア絶縁膜とその上の主絶縁膜とを順に形成する場合、スループットの向上を図りつつ、銅の拡散を防止するために十分な性能を有するバリア絶縁膜と、十分に低誘電率を有する主絶縁膜とを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 containing the material having the melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 is formed to cover the metal layers 111, 131, thereby preventing the diffusion in a high-temperature process and preventing deterioration of the metal wiring.例文帳に追加

絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含む障壁膜１３１、１３３を金属膜１１１、１３１を覆うように形成することで、高温プロセスでの拡散を防止し、金属配線の劣化を防止する。 - 特許庁

A first diffusion prevention film 11, a first low-k film 12 and a first cap film 13 are formed on a silicon substrate 1, and a barrier film 15 and a Cu film 16 are buried in these films to form a first conductivity type layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に第１拡散防止膜１１と第１ｌｏｗ−ｋ膜１２と第１キャップ膜１３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜１５とＣｕ膜１６が埋め込まれることにより第１導電層が形成されている。 - 特許庁

A silicon component and a fluorine component are contained in the topmost layer for the purpose of improving dye diffusion barrier properties, and also desirably a substance provided with lubrication properties or release properties is contained therein to prevent the fusion bonding of a thermal transfer ribbon with an image receiving paper.例文帳に追加

この最上層には染料拡散バリヤ性を向上させるためシリコン成分、フッ素成分を含有させ、また、熱転写リボンと受像紙との融着を防止するために、滑性又は離型性を有する物質を含有させるのが好ましい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic compound-coated steel product having an inorganic compound coating layer with lower apparent diffusion coefficient compared to that of a conventional corrosion protective coated steel product and having excellent chloride ion barrier property under a high salt environment such as the ocean.例文帳に追加

従来の防食被覆鋼材に比べ、無機化合物被覆層の見かけ拡散係数が低く、海洋等の高塩分環境における塩化物イオンバリア性に優れた無機化合物被覆鋼材の製造方法を提供するにある。 - 特許庁

To provide a mask material composition that is suitably adoptable for a mask formed for diffusion barrier of an impurity diffusing component diffusing into a semiconductor substrate; a method for forming an impurity diffusing layer using the mask material composition; and a solar battery.例文帳に追加

半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it.例文帳に追加

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

A Cu wiring layer 6 is formed on a wafer W, an amorphous carbon film 7 is formed as a Cu diffusion barrier by CVD using a process gas containing a hydrocarbon gas on the Cu wiring layer 6, and a Low-k film 8 is formed on it.例文帳に追加

ウエハＷにＣｕ配線層６を形成し、Ｃｕ配線層６の上に、炭化水素ガスを含む処理ガスを用いたＣＶＤによりＣｕ拡散バリアとしてアモルファスカーボン膜７を成膜し、その上にＬｏｗ−ｋ膜８を形成する。 - 特許庁

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss.例文帳に追加

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and a fabrication method thereof in which the barrier performance can be enhanced without destructing a diffusion layer on the surface of a substrate or deteriorating the aspect ratio of the contact hole while preventing fabrication yield from decreasing.例文帳に追加

基板表面の拡散層の破壊及びコンタクトホールのアスペクト比の悪化を生じることなく、バリア性を向上させることができると共に、製品歩留の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Electroless plating is performed by using electroless plating solution after catalytically active cores formed of a catalytically active material with catalytical activity to a reducing agent contained in an electroless plating film is formed on a diffusion restrictive layer (for example, a barrier layer).例文帳に追加

無電解メッキ膜に含有される還元剤に対して触媒活性を有する触媒活性材料からなる触媒活性核を拡散制限層（例えば、バリア層）上に形成した後に、無電解メッキ液を用いて無電解メッキを行う。 - 特許庁

Then laminated wiring of an alloy film consisting essentially of copper containing metal elements having a diffusion barrier and an alloy film consisting essentially of copper containing metal elements and nitrogen is formed by forming the alloy films of copper and metal only with argon.例文帳に追加

次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 - 特許庁

Moreover, since the internal diffusion barrier layer 511 inhibits a material which constitutes oxygen adsorbing layer 512 from diffusing to the free layer 50, magnetostrictive constant is decreased, and proper magnetization curve (R-H curve) without kinks or vortices is assured.例文帳に追加

また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。 - 特許庁

The optical member has a transparent substrate with a barrier layer, a low refractive index layer, and a light diffusion layer in this order, and the light diffusion layer has light scattering particles dispersed in a matrix material containing at least a binder resin, and the thickness of the low refractive index layer is 1.2 μm or more, and the optical member is used for the organic electroluminescent display device.例文帳に追加

本発明の光学部材は、バリア層付き透明基板と、低屈折率層と、光拡散層と、をこの順で有し、前記光拡散層は、バインダー樹脂を少なくとも含むマトリックス材中に、光散乱粒子が分散されてなり、前記低屈折率層の厚みが１．２μｍ以上であり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられることを特徴とする。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

A conductive film of a barrier nature (referred to as barrier type conductive film, hereafter) preventing the diffusion of copper is provided between thin-film transistors (represented as TFTs, hereafter), so as to form the wiring containing copper without diffusing copper to the semiconductor layer of the TFT.例文帳に追加

本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜（以下、バリア性導電膜）を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）との間に設けることによりＴＦＴの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

Then, insulation films 21 and 22 are formed for a reservoir pattern and a barrier insulation film 29, and an insulation film 31 is formed with function serving to suppress or prevent diffusion of copper on the upper surface and a side face of the wire 26 and on the insulation film 17 and 29.例文帳に追加

それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。 - 特許庁

To provide an insulating film material whose dielectric constant is low, whose heat resistance is high and which is superior in barrier property against the diffusion of CU on an organic insulating film material, the manufacturing method, the forming method of an organic insulating film, and a semiconductor device where the organic insulating film is installed.例文帳に追加

有機絶縁膜材料、その製造方法、有機絶縁膜の形成方法、及び、有機絶縁膜を設けた半導体装置に関し、低誘電率で耐熱性が高く、且つ、Ｃｕの拡散に対するバリア性に優れた絶縁膜材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu buried wiring of low contact resistance and which is applied to a logic system LSI requiring high speed operation by forming a Cu diffusion preventing barrier metal of low resistance before a wiring connecting hole and a wiring groove are filled with Cu.例文帳に追加

配線接続用ホールおよび配線溝にＣｕを埋め込む前に低抵抗のＣｕ拡散防止用バリアメタルが形成でき、Ｃｕ埋め込み配線のコンタクト抵抗が低く、高速動作が要求される論理系ＬＳＩに適用し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

A barrier layer is formed by flowing the indoor air flow parallel with the air-conditioning air flow between the air-conditioning air flow blown to the local areas and the indoor atmosphere to obstruct the diffusion of the air-conditioning air flow by the indoor atmosphere.例文帳に追加

局所に向かって吹出された空調空気流と室内雰囲気との間に，空調空気流と平行な室内空気流を流すことにより，一種のバリア層を形成し，空調空気流が室内雰囲気によって拡散されるのを妨げることができる。 - 特許庁

A barrier film 5 having a copper diffusion preventing function is formed on a metallic wiring layer 4 by activating or electroless plating a catalytic metal and performing cleaning after the metal is activated or electroless-plated.例文帳に追加

金属配線層４上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜５を形成するとともに、活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理が行われる。 - 特許庁

Then insulating films 21 and 22 for a reserver pattern and a barrier insulating film 29 are formed, and an insulating film 31 having a function of suppressing or preventing diffusion of copper is formed on an upper surface and a side surface of the wiring 26 and on the insulating film 17 and insulating film 29.例文帳に追加

それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。 - 特許庁

The top face of an upper electrode 33 and the side faces of the upper electrode 33, a capacitor insulating film 32, and an embedded insulating film 16 are also composed of aluminum oxide having film thicknesses of about 5-100 nm and covered with second barrier layers 17 which prevent diffusion of hydrogen.例文帳に追加

また、上部電極３３の上面並びに該上部電極３３、容量絶縁膜３２及び埋込み絶縁膜１６の各側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、水素の拡散を防ぐ第２の絶縁性バリア層１７により覆われている。 - 特許庁

In an integrated circuit, a diffusion barrier layer 18 made of a high density material for protecting a copper structure 40 from oxidation in the presence of oxygen or water being apt to bring about defects such as pin-holes is modified on site by oxidation of a material self-restrictively capable of making a protective oxide.例文帳に追加

集積回路内で、酸素または水の存在下で酸化から銅構造４０を保護する高密度材料よりなる拡散バリア層１８は、ピンホールのような欠陥を生じやすいが、自己制限的に保護酸化物を形成できる材料の酸化によってその場修正される。 - 特許庁

The top face of an upper electrode 33 and the side faces of the upper electrode 33, a capacitor insulating film 32, and an embedded insulating film 16 are also composed of aluminum oxide having film thicknesses of about 5-100 nm, and covered with second insulating barrier layers 17 which prevent diffusion of hydrogen.例文帳に追加

また、上部電極３３の上面並びに該上部電極３３、容量絶縁膜３２及び埋込み絶縁膜１６の各側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、水素の拡散を防ぐ第２の絶縁性バリア層１７により覆われている。 - 特許庁

On an insulative base plate 1, there are formed a first wiring 4 and a second wiring 6 which crosses with the first wiring 4 with an insulative layer 5 in-between, and a conductive barrier layer 7 is formed on the second wiring 6, and then an antistatic membrane composed of a particulate diffusion membrane is formed.例文帳に追加

絶縁性基板１上に第１の配線４と、該第１の配線４とは絶縁層５を介して交差する第２の配線６を形成し、該第２の配線６上に導電性を有する隔絶層７を形成した後、微粒子分散膜からなる帯電防止膜を形成する。 - 特許庁

A non-basic and almost transparent barrier layer 102 which prevents intrusion of a base material is formed between the substrate containing a base and the chemically amplifying photoresist film used as a photosensitive material so as to isolate the photoresist film 103 from diffusion of the base material in the substrate.例文帳に追加

塩基物を含む基材と感光性材料として用いる化学増幅型フォトレジスト膜の間に、塩基物が侵入することを防ぐ非塩基性の略透明な隔離層１０２を形成して、フォトレジスト膜１０３を基材中の塩基物の拡散から隔離する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The sheet-like connector is formed of two or more penetration electrical conduction parts, which penetrate and are extended in the thickness direction, in a mutually insulated state; a barrier layer which consists of a diffusion-resistant metal is prepared in the surface of the penetration electrical conduction part which makes contacts oppositely with a metal electrode of an electric equipment which should be connected.例文帳に追加

シート状コネクターは、その厚み方向に貫通して伸びる複数の貫通導電部が相互に絶縁された状態で形成され、接続されるべき電気装置の金属電極と対接される貫通導電部の表面に、耐拡散性金属よりなるバリア層が設けられている。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that prevents the deterioration of the hydrogen diffusion blocking performance of a hydrogen barrier film covering a capacitor caused by an influence of an uneven shape by a plurality of ferroelectric capacitors, and the variation of a polarization characteristic of the ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

複数の強誘電体キャパシタによる凹凸形状の影響を受けてキャパシタを被覆する水素バリア膜の水素拡散阻止能力が劣化すること、および強誘電体キャパシタの分極特性がばらつくことを防止する半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a barrier layer material which is suitable for preventing the diffusion of oxygen in Ta_2O_5 by heat treatment while the dielectric constant of the Ta_2O_5 is maintained at a high level in a MIM capacitor using a Ta_2O_5 dielectric layer on Cu wiring, and to provide a method of manufacturing the MIM capacitor.例文帳に追加

Ｃｕ配線上に誘電体層Ｔａ_２Ｏ_５を用いたＭＩＭキャパシタにおいて、Ｔａ_２Ｏ_５の誘電率を高く保ったままで、熱処理によるＴａ_２Ｏ_５中の酸素の拡散防止に適したバリア層材料とそれを用いたＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することである。 - 特許庁

B in the brazing filler metal is positively subjected to chemical bonding to essential components of high melting point metal to form a barrier layer, the components of Fe, Cr, etc., in stainless steel or steel material are prevented from diffusion to a high melting point metal side, thus, it is prevented that these form a brittle chemical compound layer.例文帳に追加

ろう材中のBを高融点金属の主成分とを積極的に化学結合させてバリア層を形成させ、ステンレス鋼又は鉄鋼材料中のFe、Cr等の成分が高融点金属側へ拡散することを防止し、これらが脆弱な化合物層を形成することを阻止する。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

To provide a metal polishing liquid which inhibits dishing generation of an object to be polished, is high for the polishing rate, and is superior in keeping the polishing rate ratio between a barrier metal of a diffusion-preventing film of copper and copper, and to provide a chemical, mechanical polishing method which uses the metal polishing liquid.例文帳に追加

被研磨体のディッシング発生が抑制され、銅などの金属配線の研磨速度が高く、銅と銅の拡散防止膜であるバリア金属との研磨速度比の確保に優れた金属用研磨液、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the separator has: exhaust-side gas passages 5b branched in parallel from an exhaust manifold 10b, having upper ends formed into dead ends 15b and used for recovering the reaction gas from the gas diffusion layer; and barrier ribs 7a for partitioning parts between the gas passages 5a and the gas passages 5b.例文帳に追加

また、排出マニホールド１０ｂから並列に分岐すると共に、上流端が行き止まり１５ｂとされ、ガス拡散層から反応ガスを回収する排出側ガス流路５ｂと、供給側ガス流路５ａと排出側ガス流路５ｂの各間を仕切る隔壁７ａを有する。 - 特許庁

A diffusion barrier film 30, a via layer insulating film 31 of porous material, a lower etching stopper film 32, an upper etching stopper film 33, a wiring layer insulating film 34 of porous material, a cap layer 35, and a hard mask are formed in sequence on a substrate on which underlayer wiring is formed.例文帳に追加

下層配線が形成された基板上に、拡散バリア膜３０、多孔質材料からなる ビア層絶縁膜３１、下側エッチングストッパ膜３２、上側エッチングストッパ膜３３、多孔質材料からなる配線層絶縁膜３４、キャップ層３５、ハードマスクとを順に成膜する。 - 特許庁

To provide a solar cell module back sheet and a solar cell module using it which has a superior diffusion reflectivity to improve the power generation ratio, and has such characteristics as high gas barrier, heat resistivity, weather resistivity, durability, robustness, productivity and low cost, etc.例文帳に追加

優れた拡散反射性により発電効率が促進され、かつ良好なガスバリア性、耐熱性、耐候性、耐久性、堅牢性、製造性、低コスト性等の諸特性を有する太陽電池モジュール用バックシート及びこれを用いた太陽電池モジュールの提供を目的とする。 - 特許庁

The cleaning agent contains a polycarboxylic acid and a diethylenetriamine penta acetic acid and is used after a chemical mechanical polishing process of a semiconductor device, having a barrier film for copper diffusion prevention and copper wirings on an insulating film containing an SiOC as a component with a dielectric constant of 3.0 or below.例文帳に追加

ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

To provide a Nb_3Sn system superconducting wire rod and its precursor capable of being offered at low cost under excellent stretching processibility and giving a high-level superconductive property, through further improvement of a diffusion barrier layer separating a superconducting matrix part and a stabilized copper layer.例文帳に追加

超電導マトリクス部と安定化銅層を隔離する拡散障壁層を更に改善することで、優れた伸線加工性の下で安価に提供することができ、しかも高レベルの超電導特性を与えるＮｂ_3Ｓｎ系超電導線材とその前駆体を提供すること。 - 特許庁

To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency.例文帳に追加

半導体デバイスでＣｕ配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とＣｕ配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるＣｕ配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁