「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, even if hydrogen which could not be prevented with a diffusion barrier 32, when the ferroelectric memory element is subjected to hydrogen sintering processing bonds with oxygen contained in the SBT thin film to form oxygen vacancies, electrons generated from the oxygen vacancies are so neutralized by the holes as to very much reduce the leakage current of the ferroelectric memory element.例文帳に追加

その結果、水素シンター処理の際に拡散バリア３２で防止できなかった水素がＳＢＴ中の酸素と結合して酸素空格子が形成されても、上記正孔によって酸素空格子による電子が中和されて本強誘電体メモリ素子のリーク電流が極めて小さくなる。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a display device in which mutual diffusion between Al and Si can be suppressed and electrical contact having low-resistance ohmic characteristics can be obtained, even if a barrier metal layer between a silicon semiconductor layer and/or a transparent conductive film and the Al alloy film is omitted, and which has sufficient heat resistance.例文帳に追加

シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

An image having high optical density can be printed on the ink-accepting layer by injecting water base ink according to the image because gelatin contained in the ink-accepting layer has excellent acceptability of ink and because the barrier layer decreases diffusion of a monomer from the photopolymer layer to the ink-accepting layer.例文帳に追加

インキ受容層中のゼラチンが優れたインキ受容性を有するためそして障壁層が光重合体層からインキ受容層への単量体の拡散を減ずるために、水性インキを像通りに噴射することによりインキ受容層上で高い光学濃度を有する像を印刷することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

To provide a resin sheet with an attached color filter which is thin and light in weight, and is excellent in mechanical strength, in gas barrier property, in heat resistance and in light diffusion property, a method for accurately and efficiently manufacturing the resin sheet with the attached color filter and a liquid crystal display device using the resin sheet with the attached color filter.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量であり、機械強度、ガスバリア性、耐熱性および光拡散性に優れたカラーフィルター付き樹脂シート、上記カラーフィルター付き樹脂シートの精度よく効率的な製造方法および上記カラーフィルター付き樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The horizontal transfer region 4 is tapered (both ends are tapered) so as to improve the charge detection sensitivity of a floating diffusion layer 3 which converts signal charge to voltage signals, and an overflow barrier 5 and the overflow drain 6 are provided adjacent to the final storage electrode 8a of the horizontal transfer region 4 along the shape of the horizontal transfer region 4.例文帳に追加

信号電荷を電圧信号に変換する浮遊拡散層３の電荷検出感度を上げるためにテーパ形状（両端先細り形状）となっている水平転送領域４の形状に沿って、オーバーフローバリア５とオーバーフロードレイン６が水平転送領域４の最終蓄積電極８ａ隣にまで設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

To obtain an inorganic composition having a high barrier property to gas, a low-molecular compound, etc., even in a high humidity and excellent function of diffusion control of substance, etc., and a film comprising the inorganic composition and to provide a method for producing the film, with which the film is efficiently formed in a normal-temperature range without requiring a high-temperature heat treatment.例文帳に追加

高湿下においても、ガス、低分子化合物等に対するバリアー性が高く、物質の拡散制御等の機能に優れた無機組成物、前記無機組成物からなるフィルム、高温熱処理工程を必要とせず、常温領域において、前記フィルムを効率よく形成し得る前記フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a separator for a fuel cell, in which diffusion of graphite powder and a binder is uniform and, therefore, a uniform gas barrier property, conductivity, or the like can be realized with a comparatively small amount of the binder, in manufacturing the separator for the fuel cell by hot pressing the graphite powder and the binder.例文帳に追加

黒鉛粉末と結着材とを加熱下に加圧成形して燃料電池用セパレータを製造するにおいて、黒鉛粉末と結着材との分散が均一であり、よって、比較的少量の結着材で均一なガスバリア性や導電性等を高性能に発現し得る、燃料電池用セパレータの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal cell substrate which is thin, light in weight, excellent in mechanical strength, gas barrier properties, heat resistance and light diffusion properties and has low changing ratio of the degree of yellowing since the substrate is hardly yellowed and to provide a liquid crystal display device using the reflection type liquid crystal cell substrate.例文帳に追加

本発明は、薄型、軽量であり、機械強度やガスバリア性に優れ、黄変しにくいため黄色度変化率が低く、耐熱性に優れ、光拡散性に優れた反射型液晶セル基板および上記反射型液晶セル基板を用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.例文帳に追加

方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁

For the hydrogen barrier to protect the ferroelectric capacitor (C_FE) from the hydrogen diffusion in the semiconductor device (102), nitride-aluminum oxide (N-AlOx) is formed on the ferroelectric capacitor (C_FE), and one or more silicon nitride layers (112, 117) are formed on the nitride-aluminum oxide (N-AlOx).例文帳に追加

半導体装置（１０２）内の水素拡散から強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）を保護するための水素障壁は、強誘電体キャパシタ（Ｃ_FE）上に酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）が形成され、そして酸化アルミニウム窒化物（Ｎ−ＡｌＯｘ）上に１つ又はそれ以上の窒化シリコン層（１１２、１１７）が形成される。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes a step of depositing by wire-arc spray a NiCrAIY bonding coat (48) overlying a roughened surface (46) of the diffusion aluminide coating (42) and contacting the roughened surface (46), and a step of applying a ceramic thermal barrier coating (50) overlying a bond coat (48) and contacting the bond coat (48).例文帳に追加

本方法はさらに、ワイヤアーク溶射によって、拡散アルミナイド皮膜（４２）の粗面（４６）を覆いかつ該粗面（４６）に密着させてＮｉＣｒＡｌＹボンディングコート（４８）を堆積させるステップと、ボンディングコート（４８）を覆いかつ該ボンディングコート（４８）に密着させてセラミック断熱皮膜（５０）を施工するステップとを含む。 - 特許庁

This copper diffusion-preventing barrier film includes one or more constituents of metal elements selected from between tantalum or titanium, one or more constituents of metal elements selected from among platinum, gold, silver, palladium, ruthenium, rhodium and iridium, and nitrogen included in the form of a nitride with tantalum or titanium.例文帳に追加

タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductor structure and the conductor structure, and a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, capable of selectively forming a barrier layer on a copper wiring without requiring preprocessings for catalytic effect so as to prevent diffusion of copper from the copper wiring embedded in connection holes and/or wiring grooves of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の接続孔や配線溝へ埋め込む銅配線の銅の拡散防止のために、触媒化のための前処理なしで、銅配線上に選択的にバリア層の形成が可能な導体構造の形成方法及び導体構造、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

More specifically, after a protective film is formed, heat treatment is performed while providing an overcoat film of metal as the diffusion barrier of hydrogen in order to prevent the desorption of hydrogen desorbed from the protective film to the outside of a thin film semiconductor element and hydrogen is supplied sufficiently to the polysilicon semiconductor film, thus accelerating the termination of the dangling bond.例文帳に追加

具体的には、保護膜を成膜後、水素の拡散バリヤとして金属からなるオーバーコート膜を設けた状態で熱処理を行い、保護膜から脱離した水素が薄膜半導体素子の外へ脱離することを防止し、多結晶シリコン半導体膜へ十分な水素を供給して、ダングリングボンドの終端を促進する。 - 特許庁

The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加

本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁

The processing time is greatly shortened as compared with processing including only a sputter step, and a uniform seed layer is formed; and complete via filling is not carried out, but conductive layer plating 10 on the seed layer is carried out, and barrier plating 12 on a surface is performed to prevent a copper plating layer from oxidizing, thereby making an inter-layer connection free of diffusion of copper in the resin.例文帳に追加

スパッタ工程のみと比較し大幅に処理時間を短縮するとともに、均一なシード層を作成し、シード層の上に完全なビアフィリングを行わず、コンフォーマルに導電層めっき１０を施し、銅めっき層の酸化防止のため表面にバリアめっき１２を施すことにより、樹脂に銅が拡散しない層間接続が可能となる。 - 特許庁

Since the interlayer dielectric being formed with a groove for forming an interconnect and a contact hole having a relatively high aspect ratio for the groove has a multilayer structure composed of a porous low permittivity material and a nonporous low permittivity material, diffusion of the barrier metal into the interlayer dielectric being formed with the contact hole is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、配線が形成される溝と、溝に対して比較的アスペクト比が高い接続孔とが形成される層間絶縁膜を多孔質な低誘電率材料と非多孔質を有する低誘電率材料とからなる多層構造とすることにより、接続孔が形成される絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減することができる。 - 特許庁

A tent 30 that is the chemical protective enclosure includes a waterproof outer surface comprising an impermeable barrier section 32 and an air diffusive portion 40, and further includes a chemically adsorptive material substantially adjacent the air diffusive portion 40, wherein there is a sufficient diffusion of air to sustain life.例文帳に追加

化学防護閉鎖容器であるテント３０は、不透過性部分３２及び空気拡散部分４０を含む防水性外表面を含み、さらにその空気拡散部分４０に実質的に隣接する化学吸着材料を含んでなる化学防護閉鎖容器であって、生命維持に十分な空気が化学防護閉鎖容器内に拡散する。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

To provide a multi-layered squeezing tube container preventing a content from being oxidized by its high oxygen barrier, controlling absorption and diffusion of effective components such as a medically effective component of a medicine, an aromatic component, an effective component of a hair dye and the like and showing good commodity property in view of appearance, while keeping properties such as a sealing property and the like.例文帳に追加

シール性等の性質は保持しながら、高い酸素バリアー性により内容物の酸化を防止し、医薬品の薬効成分、芳香成分、また染毛剤における染料成分等の有効成分の吸着、拡散を抑え、さらに外観等の商品性の点からも問題のない多層押出しチューブ容器を提供することにある。 - 特許庁

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

ＣＥＣＶＤ法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

A method for forming a Cu wiring film on a TiN film for diffusion barrier, after the TiN is formed, includes an annealing step of heating a base film to a temperature of 200-500°C in a vacuum state without exposing the base film to the atmosphere after a step of forming the base film between the steps of forming the TiN film and the Cu wiring film.例文帳に追加

このＣｕ配線膜形成方法は、拡散バリア用ＴｉＮ膜を成膜し、ＴｉＮ膜の上にＣｕ配線膜を成膜する方法であり、ＴｉＮ膜の成膜工程とＣｕ配線膜の成膜工程の間に下地膜の成膜工程後大気にさらすことなく真空一貫の状態で２００〜５００℃の温度で加熱するアニール工程を設ける。 - 特許庁

It further comprises a plurality of transfer control elements Tr which are provided by a pair to a pair of adjoining photoelectric conversion regions, and change a potential barrier of optical generation charge transfer path between the storage well of a pair of photoelectric conversion regions and a corresponding floating diffusion region, to control transfer of optical generation charges.例文帳に追加

さらに隣り合う１組の光電変換領域毎に１組設けられ、１組の光電変換領域のそれぞれの蓄積ウェルと、対応するフローティングディフュージョン領域との間の光発生電荷転送経路の電位障壁を変化させ、光発生電荷の転送を制御する複数の転送制御素子Ｔｒとを有する。 - 特許庁

An aperture 34a which is formed by removing a negative electrode 34 and releases the gas to a sealing atmosphere in a sealing can 50 is installed on the dark spot portion 33a, which is generated in an organic compound layer 33 by diffusion of the gas contained in the foundation layer 10 through a pinhole 21 of the gas barrier layer 20.例文帳に追加

下地層１０に含まれるガスがガスバリア層２０のピンホール２１を通して有機化合物層３３中に拡散することで有機化合物層３３に生じるダークスポット部３３ａの上に、陰極３４を除去することにより形成されたものであって上記ガスを封止缶５０内の封止雰囲気中に放出する開口部３４ａを、設けた。 - 特許庁

A potential barrier at the charge generation section of the thin-out row is lowered as compared with a case where the normal L level is applied, thus easily discharging unnecessary charge collected at the charge generation section of the thin-out row and overflowed into an adjacent row to the floating diffusion side, and hence reducing blooming to the unit pixel of an adjacent read row.例文帳に追加

間引き行の電荷生成部のポテンシャル障壁を、通常のＬレベルを印加する場合に比べて下げることで、間引き行の電荷生成部に溜まり、隣接行に溢れ出た不要電荷をフローティングディフュージョン側に排出され易い状態にすることができ、隣接する読出し行の単位画素へのブルーミングが減少する。 - 特許庁

Additionally, the thickness of the barrier film 30 is set to the film thickness for preventing the diffusion of the Cu atoms on an interlayer insulating film 7 below upper-layer wiring 21, thus improving EM resistance, and forming optimum wiring structure in terms of the prevention of Cu contamination.例文帳に追加

上層配線のビアプラグ１１と下層配線５との間に挟まれるバリア膜２０の膜厚をＣｕ原子が上下に互いに拡散出来る膜厚とし、さらに、上層配線２１の下の層間絶縁膜７上ではＣｕ原子の拡散を防止できる厚さのバリア膜３０とすることにより、ＥＭ耐性向上、Ｃｕ汚染防止の面から見て最適な配線構造を形成することができる。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

The low temperature co-fired ceramic substrate includes: a first ceramic layer formed of a material having a first dielectric constant; a second ceramic layer formed of a material having a second dielectric constant lower than the first dielectric constant; and a diffusion barrier layer interposed between the first ceramic layer and the second ceramic layer and formed of the first ceramic layer material, the second ceramic layer material, and a barium (Ba) compound.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、第１誘電率を有する物質からなる第１セラミック層と、上記第１誘電率より低い第２誘電率を有する物質からなる第２セラミック層と、上記第１セラミック層と第２セラミック層の間に介在し、上記第１セラミック層物質、上記第２セラミック層物質及びバリウム（Ｂａ）化合物からなる拡散防止層を含む。 - 特許庁

To provide a precursor useful for manufacturing a superconducting wire rod to exhibit superior superconductive characteristics (especially critical current density and alternate current loss) by using Nb or a Nb group alloy sheet capable of exhibiting superior workability in the Nb or the Nb group alloy sheet used as a diffusion barrier layer, and the Nb or the Nb group alloy sheet like this when constituting an Nb_3Sn superconducting wire rod precursor.例文帳に追加

Ｎｂ_3Ｓｎ超電導線材前駆体を構成するときに、拡散障壁層として用いるＮｂまたはＮｂ基合金シートにおける加工性を良好にすることのできるＮｂまたはＮｂ基合金シート、およびこのようなＮｂまたはＮｂ基合金シートを用いて、良好な超電導特性（特に臨界電流密度および交流損失）を発揮する超電導線材を製造するための有用な前駆体を提供する。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 - 特許庁