「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device that has a barrier layer excellent in adhesion with copper and in copper diffusion prevention performance, and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

銅との密着性および銅拡散防止性能に優れるバリア層を有する半導体装置、および、その半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Accordingly, both diffusion-proof property and close contact property can be satisfied through disturbance of column type interface by coupling the nitrogen element to metal crystal of barrier metal.例文帳に追加

これにより窒素成分をバリアメタルの金属結晶に結合させて柱状界面を乱し、耐拡散性と密着性とを両立させることができる。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に、層間絶縁膜３、拡散バリア絶縁膜４、およびＣｕ配線５を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁

To prevent such a trouble from occurring that the hole provided to the inner cylinder wall of a diffusion barrier is perfectly closed by a solid electrolyte material at a time of the formation of a gas inflow hole.例文帳に追加

ガス流入孔の作製の際、固体電解質の材料が拡散バリヤの内部シリンダ壁における孔を塗りつぶして駄目にしないようにすること。 - 特許庁

This protective film 5 functions as the implantation barrier layer for the carrier or the protective film for preventing the diffusion (infiltration) of the impurity into the high-withstand-voltage insulating film 4.例文帳に追加

この保護被膜５は、キャリアの注入バリア層あるいは耐圧絶縁膜４への不純物の拡散（侵入）を防止する保護被膜として機能する。 - 特許庁

The process steps from forming the diffusion-barrier base film to forming the first copper film are performed continuously in vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmospheric air, and during the process steps, the diffusion barrier base film is heated after the vacuum condition is reached to a vacuum level of 1 × 10^-4 Pa or lower.例文帳に追加

拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a barrier film for preventing infiltration/diffusion of one or both constituting atoms to/in the other at an extreme space-saving and a low cost as compared with those of the barrier film provided at present in a boundary contacted with an Si and a metal.例文帳に追加

Ｓｉと金属が接する界面において，一方若しくは双方の構成原子の他方への侵入・拡散を防ぐバリア膜を，現在提供されているバリア膜に比べ，極めて省スペース且つ低コストで提供する。 - 特許庁

Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.例文帳に追加

銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁

An organic film that does not include oxygen is used for an interlayer insulating film 11 as a diffusion barrier, and a Cu wiring 12 is surrounded directly by this interlayer insulating film 11, and a barrier metal is not used at least on the side wall of the Cu wiring 12.例文帳に追加

酸素を有しない有機膜を、拡散バリアとして層間絶縁膜11に用い、この層間絶縁膜11でCu配線12を直接囲む構造とし、バリア金属は少なくともCu配線12の側壁に用いない構造とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, a selective N-type epitaxial layer 13 is grown on a P-type barrier layer, heat treatment is performed, the P-type barrier layer is inverted by impurity diffusion from the selective N-type epitaxial layer, and an N-type inverting layer 14 is formed.例文帳に追加

Ｐ型バリア層上にまず選択Ｎ型エピタキシャル層１３を成長し熱処理を加えて、選択Ｎ型エピタキシャル層からの不純物拡散によりＰ型バリア層を反転させＮ型反転層１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises second Cu wiring 105 provided on the first barrier insulating film 103 and a second barrier insulating film 106 that is provided on the second Cu wiring 105 and prevents diffusion of Cu from the second Cu wiring 105.例文帳に追加

また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。 - 特許庁

In forming a barrier film having the copper diffusion preventing function on a metal wiring including copper with the electroless plating method, the area where the metal wiring is not formed is etched before formation of the barrier film with the electroless plating method.例文帳に追加

銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成するに際し、バリア膜を無電解メッキ法により成膜する前に、金属配線が形成されていない部分をエッチングする。 - 特許庁

To provide a barrier film for a highly dense copper wiring semiconductor which can obtain a sufficient barrier effect with a film thickness enough to prevent film peeling and a fine wiring pitch in suppressing diffusion of a copper in the highly dense copper wiring semiconductor, and has no variation in barrier characteristics even if a temperature rises due to heat treatment, and to provide a sputtering target for forming the barrier film.例文帳に追加

高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

Bonding property of a barrier layer to a foundation dielectric is improved by forming a bonding/interlaminar region (410) of a semiconductor substrate element (404) before deposition of a barrier layer (412), strength to the next mutual connection layer is improved without changing function of a barrier layer, and diffusion of Cu into a dielectric substrate is limited.例文帳に追加

バリア層（４１２）の堆積前に半導体基板素子（４０４）の接着／層間領域（４１０）を形成することによって、下地の誘電体に対するバリア層の接着性を改善し、バリア層の機能を変えることなく、次の相互接続層に対する強度を高め、Ｃｕの誘電体基板内への拡散を制限する。 - 特許庁

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法は２００〜３００℃程度で処理するので、第１のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Ｗなどの接続配線の拡散を活性化しない。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which signal delay can be suppressed and diffusion of a barrier metal into an interlayer dielectric being formed with a contact hole having a high aspect ratio is reduced.例文帳に追加

信号遅延を抑制することができるとともに、アスペクト比が高い接続孔が形成される層間絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a barrier insulating film of lower specific inductive capacity can be formed, while maintaining denseness by which the diffusion of copper can be prevented.例文帳に追加

銅の拡散を防止できる緻密性を維持しつつ、さらに低い比誘電率のバリア絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic lip connected to a writing electrode is formed nearby a second end of the opening part, and the diffusion barrier layer is arranged between the magnetic lip and the opening part.例文帳に追加

書き込み極に接続された磁性リップが開口部の第２端部近傍で形成され、磁性リップと開口部の間に拡散障壁層が配置されている。 - 特許庁

To provide a deposition method of a metal thin film which functions as the barrier film of Cu diffusion and as a plating seed layer with single film, and exhibits excellent adhesion to Cu.例文帳に追加

単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thermographic material and a photothermographic material each having a layer which functions as a barrier against the diffusion of a fatty acid resulting from high temperature development.例文帳に追加

熱現像中の材料からの脂肪酸の拡散に対する障壁として機能する層を有するサーモグラフィ材料およびフォトサーモグラフィ材料を提供する。 - 特許庁

The sweat-permeable membrane 403, 415 is configured to act as a barrier to epidermal contaminants and glucose brought to the skin surface via diffusion.例文帳に追加

この汗浸透性膜４０３、４１５は、表皮の汚染および拡散を介して皮膚表面に運ばれるグルコースに対する障壁として作用するように構成されている。 - 特許庁

To provide a barrier layer very effective for preventing diffusion of water and/or oxygen which is easily and reliably manufactured in an integrated circuit device including a copper structure.例文帳に追加

銅構造を含む集積回路デバイス内に、容易かつ信頼性良く製造される水および／または酸素の拡散を防ぐのに非常に有効なバリア層を提供する。 - 特許庁

Additionally, the solder provides a strong barrier to the diffusion of both water and oxygen into these devices, so as to promote the device life over a longer period of time.例文帳に追加

加えて、このはんだはこれらの装置の中への水および酸素の両方の拡散に対する強力なバリアを提供し、これにより、より長期の装置寿命を促進する。 - 特許庁

A rice bran diffusion barrier wall plate 70 for restricting a rice bran mixing range is provided between the rice bran falling port 62a of the cyclone 60 and the unpolished rice falling port 17a.例文帳に追加

サイクロン６０の糠落下口６２ａと玄米落とし口１７ａとの間には糠のまぶし範囲を限定するための糠拡散障壁板７０が設けられている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device which has a protection layer that carries out a role as a reliable diffusion barrier for the humidity and is stable mechanically and chemically.例文帳に追加

湿気に対する信頼性のある拡散障壁としての役割を果たす機械的及び化学的に安定した保護層を具える有機エレクトロルミネッセント装置を提供する。 - 特許庁

The system includes a first integrated circuit with at least one funnel-formed socket, a metallized diffusion barrier arranged inside the funnel-formed socket, and a second integrated circuit.例文帳に追加

本システムは、少なくとも一つの漏斗状ソケットを有する第一集積回路と、漏斗状ソケットの内部に配置された金属化拡散バリアと、第二集積回路と、からなる。 - 特許庁

In the one embodiment, it is possible to expose the surface of the diffusion barrier layer to an adhesion promoting agent before the foregoing formation process or during at least its part.例文帳に追加

一部の態様では、この形成工程の前か少なくともその一部分の最中に、拡散バリア層の表面を密着促進剤に暴露することができる。 - 特許庁

To provide a laminated material having high barrier properties against gas, a low molecular compound or the like even under a high humidity condition and excellent in function such as the diffusion control of a substance or the like.例文帳に追加

高湿下においても、ガス及び、低分子化合物等に対するバリアー性が高く、物質の拡散制御等の機能に優れた積層材料の提供。 - 特許庁

In this way, the upper IMD 4 is physically separated from the upper wiring 8 by the barrier film 7, thereby preventing the occurrence of diffusion between the upper IMD 4 and the upper wiring 8 to ensure steady resistance characteristics of the semiconductor device.例文帳に追加

これにより、上側ＩＭＤ４と上側配線８との間の拡散が防止されるため、半導体デバイスの抵抗特性が安定に確保される。 - 特許庁

Then, drawing with a material for the sealing material by a dispenser method on the lower surface of the upper side glass substrate 1 in the immediate inside the barrier 6 to diffusion of the sealing material forms a sealing material 3.例文帳に追加

そして、上側のガラス基板１の下面においてシール材拡散防止壁６のすぐ内側にシール材材料をディスペンサ法により描画し、シール材３を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayered barrier-metal thin film having anti-diffusion capability, low resistivity, high density, and excellent film characteristics such as an improved adhesiveness and the like, and to provide a method for forming the film.例文帳に追加

抗拡散能力、低抵抗率、高密度、改善された密着性等の優れた膜特性を有する多層バリアメタル薄膜およびその膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The medical implant having a drug delivery coating comprises a diffusion matrix made of a collagen matrix, a bioactive material, and a self-arranging transport barrier layer.例文帳に追加

コラーゲンマトリックス、生物活性材料および自己配列型(self-arranging)輸送バリヤー層から構成される拡散マトリックスを含んでなる、薬剤放出コーティングを有する医療インプラント。 - 特許庁

At the time of the self-forming reaction for forming the diffusion barrier film, the surface of the Cu layer is exposed to an atmosphere which forms a gas-phase reaction product by reaction with Mn.例文帳に追加

拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 - 特許庁

Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating.例文帳に追加

光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。 - 特許庁

Therefore almost all intellectuals could read and write in Chinese, and Chinese did not become a barrier to diffusion of "Bankoku Koho" among political leaders. 例文帳に追加

そのため知識人層にとって漢文の読み書きが標準的素養であり、政治指導者階層への普及という点で漢文表記が阻害要因となることはなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Consequently, since free electrons are generated in the barrier layers, the electrons in the well layer excited by a laser beam are reduced in diffusion of the surface of a sample.例文帳に追加

これにより、障壁層において自由電子が発生するから、レーザ光によって励起された井戸層の電子が試料表面へ拡散してしまうのを低減できる。 - 特許庁

The control gate electrode has a barrier film formed on at least one of interfaces among the plurality of laminated conductive films in order to minimize diffusion of metal atoms.例文帳に追加

制御ゲート電極は、積層された複数の導電膜間の界面のうちの少なくとも１つに形成され金属原子の拡散を抑制するバリア膜を有する。 - 特許庁

In a CH1 side photothyristor and a CH2 side photothyristor, a shot key barrier diode 44 is formed between a p-gate diffusion region 33 and an n-type silicon substrate 31.例文帳に追加

ＣＨ1側のフォトサイリスタとＣＨ2側のフォトサイリスタとにおいて、Ｐゲート拡散領域３３とＮ型シリコン基板３１との間にショットキーバリアダイオード４４を形成している。 - 特許庁

To realize an interconnection structure that improves the adhesion between an upper low-k dielectric layer and a diffusion barrier cap dielectric layer existing therebeneath.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層とその下に存在する拡散障壁キャップ誘電体層との間の接着性を改善する相互接続構造体を実現する。 - 特許庁

These barrier films are made of a reduced species of hydrogen etc., an oxidized species of oxygen etc., or a material which has preventability of preventing diffusion of both.例文帳に追加

これらのバリア膜は、水素等の還元種、酸素等の酸化種、またはこれら双方の拡散を防止する拡散防止性を備えた材料で構成されている。 - 特許庁

The barrier film 78 is located between the first and second metal films 74, 76 and comprised of third material which prevents diffusion between the first and second metal films 74, 76.例文帳に追加

バリア膜７８は、第１及び第２の金属膜７４，７６の間に位置し、第１及び第２の金属膜７４，７６間の拡散を妨げる第３の金属からなる。 - 特許庁

Thereafter, the heat treatment is terminated and diffusion barrier layers 6 composed of CuAl2 are formed at all grain boundaries 4 in the Al film 3 by lowering the temperature of the Al film 3.例文帳に追加

次に熱処理を終了し、Ａｌ膜３の温度を下げて、Ａｌ膜３中の粒界４の全体にＣｕＡｌ_2 からなる拡散障壁層６を形成する。 - 特許庁

A method for forming the diffusion barrier for the copper wiring includes steps for supplying a semiconductor, forming a dielectric layer over the semiconductor, forming a trench in the dielectric layer, forming the diffusion barrier including a TiNSi in the trench using a chemical vapor deposition method (CVD), and forming an (α-Ta) layer having a body-centered cubic structure on the diffusion barriers.例文帳に追加

銅線用拡散バリアを形成する方法であって、 半導体を供給すること、 前記半導体上に誘電体層を形成すること、 前記誘電体層中にトレンチを形成すること、 化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて前記トレンチ中に窒化チタンケイ素を含む拡散バリアを形成すること、及び 前記拡散バリア上に体心立方構造をもつアルファ相タンタル（α‐Ｔａ）層を形成することを含む方法が提供される。 - 特許庁