「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A border Mo layer or border Si layer or a border diffusion barrier layer of the alternation layer forms an uppermost layer of the mirror, and the uppermost layer faces the chamber inward.例文帳に追加

該交互層の境界Ｍｏ層または境界Ｓｉ層または境界拡散バリア層は、前記ミラーの最上層を形成し、この最上層は前記チャンバに対して内側に対向する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region.例文帳に追加

ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electroless plating bath which makes it possible to form a diffusion barrier layer of a Re-based alloy, having a uniform thickness regardless of the shape and size of a workpiece, on the surface of a Ni-based alloy by a relatively simple method.例文帳に追加

Ｎｉ基合金の表面に、製品の形状や寸法に拘らず、比較的簡単な方法により、均一な膜厚のＲｅ基合金からなる拡散バリア層を形成する。 - 特許庁

To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加

均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたＭＯＳゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁

Barrier metals 21 and solder bumps 31 are formed at predetermined positions on an Si wafer 11 after the wafer is subjected to a diffusion process and a multilayer wiring process, and an insulating resin layer 41 is formed on the whole surface.例文帳に追加

拡散、多層配線工程を経たＳｉウエハー１１上の所定位置にバリアメタル２１及びはんだバンプ３１を形成し、全面に絶縁樹脂層４１を形成する。 - 特許庁

A first metal diffusion-preventing film 131 is formed on the insulating film 110, coming into contact with the upper part of the barrier metal 121 formed on the side of the metal member 122.例文帳に追加

そして、金属部材１２２の側部に形成されたバリアメタル１２１の上部と接するように、第１の金属拡散防止膜１３１が絶縁膜１１０上に形成される。 - 特許庁

To provide formation of a refractory metal nitride film such as a titanium nitride on a substrate so that the refractory metal nitride has allowable diffusion barrier characteristics and adhesion to the substrate.例文帳に追加

許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。 - 特許庁

The diffusion-preventive barrier layer is the next metal layer which is formed, on the spot, at the dielectrics layer comprising impurity, and further, a process including polishing is performed with a multi-layer dielectrics structure.例文帳に追加

拡散防止バリヤ層はその次の金属層で不純物を含む誘電体層へその場で形成され、さらに、研磨を含む処理が多層誘電体構造に対してなされる。 - 特許庁

To reduce the scattering and the diffusion of a source in the lateral direction in a channel region, and to reduce the lowering of a drain induction barrier (DIBL) in a floating ate memory cell.例文帳に追加

ソースがチャネル領域の中に横方向に散在および拡散するのを低減させ、これはフローティングゲートメモリセルにおけるドレイン誘導障壁低下（ＤＩＢＬ）の低減をもたらす。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加

ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To form interconnection which passes through a diffusion barrier, an etching stop, and a dielectric material for electrical interconnection of a device in a dual damascene structure comprising vias, trenches, and a semiconductor device 300.例文帳に追加

ビア、トレンチ、及び半導体デバイス(300)のデュアルダマシン構造における電気的なデバイスの相互接続用の拡散バリア、エッチング停止、及び誘電体物質を通る相互接続を形成すること - 特許庁

An impurity region is formed on the substrate by implanting impurities into the conductive layer pattern and the substrate at both sides of the conductive layer pattern, through the diffusion barrier.例文帳に追加

その後、前記拡散防止膜を通じて前記導電膜パターン両側の基板及び前記導電膜パターンに前記不純物を注入して、前記基板に不純物領域を形成する。 - 特許庁

The diffusion barrier layer prevents atoms from migrating between the opening part and the magnetic lip to guarantee secure performance under locally high temperature caused by the near-field transducer.例文帳に追加

拡散障壁層は、開口部と磁性リップ間における原子の移動を防止することにより、近接場トランスデューサにより生じた局所的な高温下で確実な性能を保証する。 - 特許庁

Between the source electrode 101 and the interlayer insulation film 7 and between the gate pad 102 and the gate electrode 6, barrier metal layers 99 inhibiting Al diffusion are respectively provided.例文帳に追加

ソース電極１０１と層間絶縁膜７との間、並びにゲートパッド１０２とゲート電極６との間のそれぞれに、Ａｌの拡散を抑制するバリアメタル層９９が配設される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.例文帳に追加

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁

A selection transistor includes a gate insulating film 12b provided on a semiconductor substrate 11, polysilicon gate electrodes 13b, 19b provided on a gate insulating film 13b, a conductive barrier layer 30 provided on the polysilicon gate electrode 13b as a barrier against metal diffusion, and a silicide gate electrode 25b provided on the conductive barrier layer 30.例文帳に追加

選択トランジスタは、半導体基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１２ｂと、ゲート絶縁膜１３ｂ上に設けられたポリシリコンゲート電極１３ｂ,１９ｂと、ポリシリコンゲート電極１３ｂ上に設けられ、金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層３０と、導電性バリア層３０上に設けられたシリサイドゲート電極２５ｂとを備えている。 - 特許庁

To provide an alloy film which has excellent heat resistance and high-temperature oxidation resistance and can maintain diffusion barrier characteristics under an ultrahigh temperature environment over a long period of time by controlling the elements, composition, phase, structure and construction of an Re-containing alloy constituting a diffusion barrier layer, its manufacturing method and a heat resistant metallic member using the alloy film.例文帳に追加

拡散バリア層を構成するＲｅ含有合金の元素、組成、相、組織および構造を制御することによって、拡散バリア特性を超高温環境下で長時間に亘って維持することができ、かつ、優れた耐熱性および耐高温酸化性を有する合金皮膜、その製造方法およびこの合金皮膜を用いた耐熱性金属部材を提供する。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with an active element 2, a storage capacitance part connected to the active element 2 and having a high ferroelectric film 9, and an insulating film formed as a diffusion barrier for suppressing the diffusion of hydrogen into the storage capacitance part.例文帳に追加

能動素子２と、能動素子２に接続される高強誘電体膜９を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 特許庁

By using the diffusion barrier which is disclosed in the invention, the diffusion of ions from the NFET side to the PFET side via a common gate in a CMOS technology semiconductor device node can be greatly reduced and even prevented completely.例文帳に追加

本明細書中で開示されるような拡散バリアを使用することによって、ＣＭＯＳ技術半導体デバイス・ノードにおけるＮＦＥＴ側からＰＦＥＴ側への共通ゲートを通してのイオンの拡散は、大いに低減されることができる又は完全に防止することさえもできる。 - 特許庁

Then, after alloying the barrier metal 13 and the impurity layers 14, 17, the embedded wiring layer consisting of a Cu seed layer 15 and a Cu plating layer 16 is formed in the groove 12, and then the thermal diffusion of the impurity element in the alloyed barrier metal layer 13 into the embedded wiring layer is carried out.例文帳に追加

その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 - 特許庁

In addition, the wiring containing copper is wiring comprising a laminated film of the conductive film having copper as a main component and the barrier type conductive film having a barrier nature to the diffusion of copper, and is subjected to microfabrication for reducing the line width of the conductive film having copper as the main component.例文帳に追加

なお、銅を含む配線は、銅を主成分とする導電膜と、銅の拡散に対するバリア性を有するバリア性導電膜との積層膜からなる配線であり、銅を主成分とする導電膜の線幅を細くするための微細加工することを特徴とする。 - 特許庁

In this manner by forming a reformed layer on the surface of the interlayer insulating film, the diffusion to the interlayer insulating film of the barrier metal and the wiring material (Cu) can be prevented reliably and easily.例文帳に追加

このようにすれば、層間絶縁膜の表面に改質層を形成することにより、バリアメタルや配線材料（Ｃｕ）の層間絶縁膜への拡散を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

The metal thin film containing a Co_3Ti alloy has excellent conductivity and Cu diffusion barrier, and since the lattice mismatch to Cu is as low as 0.15%, excellent adhesion to Cu wiring is attained.例文帳に追加

Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 - 特許庁

To enhance yield and reliability of a semiconductor device by improving embedment of Cu in a Cu interconnection without sacrifice of the diffusion prevention function of a barrier film in a Cu interconnection having a damascene structure.例文帳に追加

ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

To reduce the concentration of Mn remaining in a Cu layer and to reduce the specific resistance when a diffusion barrier film including Mn is formed by self-forming reaction at an interface between the Cu layer and an insulating layer.例文帳に追加

Ｃｕ層と絶縁膜の界面に自己形成反応により、Ｍｎを含む拡散バリア膜を形成する際に、Ｃｕ層中に残留したＭｎの濃度を低減し、比抵抗を低減する。 - 特許庁

Mixing and diffusion of moisture into the oxide semiconductor film 20 is minimized by the first inorganic insulating film 52 which has an excellent barrier property against oxygen and moisture, and reliability of a thin film transistor 1 is improved.例文帳に追加

酸素や水分などに対するバリア性の高い第１無機絶縁膜５１により、酸化物半導体膜２０への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ１の信頼性を向上させる。 - 特許庁

When a substrate 10 possibly reacts on the piezoelectric film 40, for example, a diffusion barrier layer 20 of an oxide film, a nitride film, etc., is formed on a surface of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０が圧電膜４０と反応する可能性のあるものの場合には、例えば、基板１０の表面を酸化物膜や窒化物膜などの拡散バリア層２０を基板１０上に形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film semiconductor element comprises a step for supplying hydrogen terminating the dangling bond in a polysilicon semiconductor film more effectively using a metal film as a diffusion barrier of hydrogen.例文帳に追加

金属膜を水素の拡散バリヤとして用いることにより、多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端する水素をより有効に供給する製造ステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

A silicon nitride barrier layer for preventing the diffusion of in-gate electrode layer impurity is formed by the chemical reaction of tetrachlorosilane and ammonia between a gate electrode layer and a gate dielectric layer with a high dielectric coefficient.例文帳に追加

ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。 - 特許庁

The nickel alloy sputtering target for forming the barrier layer is a Ni-Sn alloy sputtering target capable of inhibiting the diffusion of Sn between the undercoat or the pad and the Sn-Pb solder bump.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの間におけるＳｎ拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

The solar cell module back sheet comprises a light diffusion layer having approximately uniform fine projections or recesses and a reflective or gas-barrier metal deposition layer on one side.例文帳に追加

本発明の太陽電池モジュール用バックシートは、一方の面に微細な凸部又は凹部を略均一に有する光拡散層と、反射性及びガスバリア性を有する金属蒸着層とを備えている。 - 特許庁

A split barrier layer enables copper interconnection wires to be used in conjunction with a low-k dielectric film by preventing the diffusion of N-H base groups into the photoresist where they can render the photoresist insoluble.例文帳に追加

銅配線ワイヤを低ｋ誘電体膜とともに用いることが、分割バリア層によって、Ｎ−Ｈ塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐことで可能になる。 - 特許庁

To form a new interface layer having excellent adhesion, oxidation resistance, and diffusion barrier property at the interface between a lower Cu wire and an upper insulating layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、下部Ｃｕ配線と上部絶縁層との界面に、優れた密着性と耐酸化性と拡散バリア性を有する新規界面層を形成する。 - 特許庁

The first conductive barrier layer includes a substance that suppresses the diffusion of the first metal from the first metal region to the outside, and the second metal region includes a catalytic metal internally.例文帳に追加

前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。 - 特許庁

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a metal diffusion preventing function by a nitride containing layer used for a barrier layer between two metal layers is enhanced, and adhering function between each of the metal layers and the nitride containing layer is enhanced.例文帳に追加

２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くする。 - 特許庁

The barrier layer 84 is formed on the diffusion prevention layer 82 at the side faces of the through hole 72 and the interconnection trench 74, while being formed on a third insulation layer 50 at the bottom of the interconnection trench 74.例文帳に追加

バリア層８４は、スルーホール７２の側面および配線溝７４の側面にて拡散防止層８２上に形成され、かつ、配線溝７４の底面にて第３絶縁層５０上に形成されている。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a diffusion barrier layer 200 formed on the contact metal electrode 120 and having crystal orientation property matching the crystal orientation property of the contact metal electrode, and an Al wiring 160 formed on the diffusion barrier layer 200.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a first Al wiring 160 formed on the contact metal electrode 120, a diffusion barrier layer 180 formed on the first Al wiring 160, and a second Al wiring 200 formed on the diffusion barrier layer 180.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。 - 特許庁

A CMOS image sensor has a plurality of unit charges including a photodiode, a memory part, a floating diffusion region, a first transfer gate for controlling the potential of an TRX barrier and the potential of the memory part and transferring charges from the photodiode to the memory part, and a second transfer gate for transferring the charges from the memory part to the floating diffusion region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと、メモリ部と、浮遊拡散領域と、ＴＲＸバリアの電位およびメモリ部の電位を制御して、フォトダイオードからメモリ部に電荷を転送する第１転送ゲートと、メモリ部から浮遊拡散領域に電荷を転送する第２転送ゲートを備える複数の単位電荷を有する。 - 特許庁