「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

PREFORM HAVING BARRIER LAYER CAPABLE OF PREVENTING DIFFUSION OF HYDROGEN INTO OPTICAL FIBER PRODUCED FROM THE PREFORM AND PRODUCTION OF THE PREFORM例文帳に追加

プリフォームから製造される光ファイバに水素が拡散するのを防ぐ障壁層を含むプリフォームと、そのようなプリフォームの調製方法 - 特許庁

An accumulation region 49D of a metal element is formed on the interface between the Cu wiring pattern and the insulating diffusion barrier film by heat treatment.例文帳に追加

熱処理により、銅配線パターンと絶縁性拡散障壁膜との界面に、金属元素の濃集領域４９Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide outer electrode structure for a semiconductor element, which is superior in barrier performance with respect to the diffusion of Sn in a solder ball and which does not give large stresses to a barrier metal electrode and to the periphery.例文帳に追加

半田ボール中のＳｎの拡散に対するバリア性能が優れ、バリアメタル電極及びその周囲に大きな応力を及ぼさない、半導体素子のための外部電極構造を提供する。 - 特許庁

In manufacture of the semiconductor device, because the diffusion barrier and the metal barrier used conventionally become unnecessary, a manufacture cost is reduced and a process is omitted, and thus the yield is improved.例文帳に追加

半導体装置の製造の面では、従来使用されていた拡散バリアと金属バリアが不要となるため、製造コストの低減がなされ、かつプロセスが省略されるため、歩留まりの向上にもつながる。 - 特許庁

The arrayed pitch distance L (mm) of the primary light source 2, the height H (mm) of the barrier rib 5, and the distance D (mm) between the barrier rib and the diffusion plate satisfy H≥0.25L+10-D and 0≤D≤0.25L.例文帳に追加

一次光源２の配列ピッチ距離Ｌ（ｍｍ）、隔壁５の高さＨ（ｍｍ）および隔壁と拡散板との距離Ｄ（ｍｍ）が、Ｈ≧０．２５Ｌ＋１０−Ｄ、及び、０≦Ｄ≦０．２５Ｌを満たす。 - 特許庁

The barrier film having the copper diffusion preventing function is formed on a metal wiring including copper with a electroless plating method and a barrier film oxidation prevention film is formed thereon continuously with the electroless plating method.例文帳に追加

銅を含む金属配線上に、無電解メッキ法により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成し、その上に連続して無電解メッキ法によりバリア膜の酸化防止膜を形成する。 - 特許庁

In the method for producing the article, a superalloy substrate is formed, a thermally stable diffusion barrier layer is applied on the substrate, and moreover, a silicon base ceramic material is carried on the substrate coated with the barrier layer.例文帳に追加

物品の製造方法において、超合金基体を形成し、該基体上に熱安定な拡散障壁層を施工し、さらにケイ素基セラミック材料を、上記障壁層で被覆された基体に担持させる。 - 特許庁

Next, only the mutual diffusion of Ti atoms on the side of the barrier layer 14 and Si atoms in a substrate 11 is performed, at least one-hour diffusion thermal treatment is performed at the temperature of 400°C where silicification does not occur to sufficiently diffuse the Si atoms on the side of the barrier layer 14 and the Ti atoms in the substrate 11, respectively, thereby forming a diffusion layer 16A.例文帳に追加

次に、バリア層１４側のＴｉ原子と基板１１のＳｉ原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である４００℃で少なくとも１時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層１４側に且つＴｉ原子を基板１１中に十分に拡散させることにより、拡散層１６Ａを形成する。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

A lens barrier 2, comprising light diffusion and light transmission properties, is provided in the aperture part of the bent lens barrel 20, and external light can be converted into predetermined diffusion light (detection light) and guided to the imaging device 25, so that black defective pixels can be detected, while closing the lens barrier 2.例文帳に追加

屈曲型鏡胴２０の開口部には、光拡散性及び光透過性を備えたレンズバリア２が設けられ、外部の光を所定の拡散光（検出光）に変換して前記撮像素子２５へ導光可能とされ、レンズバリア２を閉じた状態で黒欠陥画素が検出可能とされている。 - 特許庁

A diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit to manufacture the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。 - 特許庁

The semiconductor device has a solder diffusion barrier layer of Ta/TaN or Ta/TaN/Ta on the Ni protective layer of the circuit wiring board.例文帳に追加

この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。 - 特許庁

To provide depositing method of a barrier film of AsSiN capable of preventing the diffusion of Cu atom into an insulating film on the insulating film with good coverage.例文帳に追加

Ｃｕ原子の絶縁膜への拡散を防止できるＴａＳｉＮのバリア膜を、絶縁膜上にカバレッジ良く成膜する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is provided with a barrier metal having high adhesiveness and diffusion preventive property, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高い密着性と拡散防止性とを備えたバリアメタルを有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, the laminated composite 12 turns to have both functions of reinforcement and a diffusion barrier during heat processing at formation of superconducting compounds.例文帳に追加

したがって、積層複合材１２は、補強の機能と超電導化合物生成熱処理時の拡散バリアの機能を兼ね備えることになる。 - 特許庁

Related to an integrated circuit, a diffusion preventive barrier layer is deposited between a first dielectrics layer and a conductive layer above the integrated circuit.例文帳に追加

集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。 - 特許庁

To form a Ti-based self diffusion barrier film on a wiring surface, even if a Cu-Ti-based sputter film is heat-treated at a temperature lower than the conventional temperatures.例文帳に追加

Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a hydrogen barrier to protect a ferroelectric capacitor C_FE from a hydrogen diffusion in a semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

半導体装置内の水素拡散から、強誘電体キャパシタＣ_FEを保護するための水素障壁及びその製造方法が提供される。 - 特許庁

The multi-layered liner includes, from the patterned surface of a dielectric material outwards, a diffusion barrier, a multi-material layer and a metal-containing hard mask.例文帳に追加

多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。 - 特許庁

To prevent the reduction of an oxygen diffusion barrier film provided under a capacitor, caused by a crystallization heat treatment of a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜の結晶化熱処理によって生じるキャパシタ下に設けられた酸素拡散バリア膜の還元を防止することを目的とする。 - 特許庁

A diffusion barrier is constituted to have a constricted layer within the layer plane between a first solid electrolytic layer and a second solid electrolytic layer.例文帳に追加

拡散バリアが、第１の固体電解質層と第２の固体電解質層の間の層平面内にくびれ層を有するように構成する。 - 特許庁

HEAT-ASSISTED MAGNETIC WRITING HEAD USING NEAR-FIELD TRANSDUCER (NFT) HAVING DIFFUSION BARRIER LAYER BETWEEN NEAR-FIELD TRANSDUCER AND MAGNETIC LIP例文帳に追加

近接場トランスデューサと磁性リップの間に拡散障壁層を有する近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を用いる熱アシスト磁気書き込みヘッド - 特許庁

Further a soft foil member 16 serving as a diffusion barrier of a constituent element of the object may be interposed between the solid couplant and the object.例文帳に追加

更に、該固体カプラントと対象物との間に、軟質で且つ対象物の構成元素の拡散バリアとなる箔材１６を介装してもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which the diffusion of a metal component of a metal plating film formed on a barrier metal film from the metal plating film into an interlayer insulating film is prevented.例文帳に追加

バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。 - 特許庁

The IMC has good adhesion on the copper pillar structure, the thickness of the IMC is controllable by the thickness of the copper cap layer, and the diffusion barrier layer limits diffusion of copper from the copper pillar layer to the solder layer.例文帳に追加

ＩＭＣは銅柱構造上で良好な接合性を有し、ＩＭＣの厚さは銅キャップ層の厚さで制御することができ、拡散バリア層は銅柱層からはんだ層への銅の拡散を抑制する。 - 特許庁

A Cu-based Cu wiring member 12 accompanying the coating of a barrier metal 11 and a diffusion barrier layer formed in an upper part is buried in an interlaminar insulation film 10 (101, 102) in multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線における層間の絶縁膜１０（１０１，１０２）中にバリアメタル１１の被覆及び上部の拡散バリア層形成を伴うＣｕを主成分としたＣｕ配線部材１２が埋め込み形成されている。 - 特許庁

Then, a mask layer 102 such as a photo-resist layer or a diffusion barrier layer is formed on the heat-resistant metal oxide layer 101.例文帳に追加

特定の範囲の抵抗値を付与するために、抵抗を形成すべき前記耐熱性金属酸化物層の選択した部分に水素処理を行う。 - 特許庁

To provide the interconnection structure of a semiconductor integrated circuit in which the resistance is lowered while sustaining the barrier performance of Cu diffusion preventive function.例文帳に追加

Ｃｕ拡散防止機能のバリア性を維持しつつ、より低抵抗の半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法を提供する。 - 特許庁

The embodiment of the present invention is implemented to improve the capability of the diffusion barrier preventing contact metal such as aluminum and copper from being diffused.例文帳に追加

本発明の態様を実施することによりアルミニウムや銅等のコンタクトメタルの拡散を防止する拡散バリアの能力を、向上させることができる。 - 特許庁

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.例文帳に追加

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁

The heat-assisted magnetic writing head has the near-field transducer, the magnetic lip, and the diffusion barrier layer between the near-field transducer and the magnetic lip.例文帳に追加

近接場トランスデューサ、磁性リップ、および近接場トランスデューサと磁性リップの間に拡散障壁層を有している熱アシスト磁気書き込みヘッド。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing diffusion to the interlayer insulating film of a wiring material, such as a barrier metal and Cu.例文帳に追加

バリアメタルやＣｕなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a deposition method of a barrier film that effectively prevents the diffusion of copper in a low-dielectric-constant film while having high adhesion to the low-dielectric-constant film.例文帳に追加

低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film having a copper diffusion barrier property that is a layer with good leak-current characteristics and in-plane uniformity while maintaining a low dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The barrier layer 5 prevents the diffusion of the dye at forming the protective coating film 4 or the infiltration of a coating liquid or an adhesive into the dye recording layer 3.例文帳に追加

この障壁層５は、保護被膜４の成膜時における色素の拡散や、塗液又は接着剤の色素記録３への浸透などを防止する。 - 特許庁

To provide a heat-assisted magnetic writing head using a near-field transducer (NFT) having a diffusion barrier layer between the near-field transducer and a magnetic lip.例文帳に追加

近接場トランスデューサと磁性リップの間に拡散障壁層を有する近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を用いる熱アシスト磁気書き込みヘッドを提供する。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has a plug coming into contact with a capacitor electrode capable of preventing a dielectric film and a diffusion barrier film from coming into contact.例文帳に追加

誘電膜と拡散バリア膜との接触を防止し得るキャパシタ電極と接するプラグを有する半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device where a titanium-containing nitride film hard to be peeled and having high barrier properties to the diffusion of metal can be formed.例文帳に追加

剥離しにくく、金属の拡散に対してバリア性の高いチタン含有の窒化膜を形成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition for producing an insulating film excellent from the viewpoint of film properties such as a dielectric constant or metal diffusion barrier insulation properties.例文帳に追加

誘電率や金属拡散バリア性絶縁性の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To simultaneously achieve adhesion of a barrier metal with an insulating film and Cu and Cu diffusion prevention, relating to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。 - 特許庁

METHOD FOR PREVENTING DIFFUSION OF BORON IN SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT BY FORMING NITROGEN BARRIER, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT ELEMENT例文帳に追加

窒素のバリアを形成することにより、半導体構成要素中へのホウ素の拡散を防止する方法、およびそのようにして得られた半導体構成要素 - 特許庁

A diffusion barrier is doped by one or two or more types of ions of for example, oxygen, nitrogen, fluorine, silicon, germanium, or xenon (however not limited to these).例文帳に追加

拡散バリアは、１又は複数の種類のイオン、例えば、酸素、窒素、フッ素、シリコン、ゲルマニウム、又はキセノン・イオン（しかし、これらに限定されない）でドープされる。 - 特許庁

To provide a deposition method and a deposition apparatus of a cobalt film having low solubility into a plating liquid and excellent in barrier property against Cu diffusion in a single film.例文帳に追加

めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring structure and wiring forming method of semiconductor integrated circuit of lower resistance with maintaining barrier properties of Cu diffusion prevention function.例文帳に追加

Ｃｕ拡散防止機能のバリア性を維持しつつ、より低抵抗の半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法を提供する。 - 特許庁