「diffusion-barrier」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加

膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To obtain an insulating film-forming composition capable of giving a coating having a low relative dielectric constant as an interlaminar electrical film material in a semiconductor device, or the like, and excellent in adhesion to a barrier metal which is copper diffusion-preventing film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率の塗膜が得られ、かつ銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

Although an extremely thin layer is included in the laminated structure (32), a high barrier action is obtained by a diffusion of copper due to high electric conductivity necessary for electroless-depositing the copper by using an external current.例文帳に追加

積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 - 特許庁

This mask material composition is used for diffusion barrier of an impurity diffusing component into a semiconductor substrate, and includes a siloxane resin (A1) containing a constituent unit represented by formula (a1), where in the formula (a1), R_1 is a single bond or 1-5C alkylene group; and R_2 is a 6-20C aryl group.例文帳に追加

マスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、下記式（ａ１）で表される構成単位を含むシロキサン樹脂（Ａ１）を含有する。 - 特許庁

A copper ground plating may be applied on the matrix, or in order to improve thermal resistance, a nickel ground plating having a barrier performance to prevent metal diffusion from the underlayer may be applied between the matrix and the copper ground plating.例文帳に追加

母材上に銅下地めっきを施しても良く、耐熱性を向上させるために、下層からの金属拡散を防止するバリア性を持つニッケル下地めっきを母材と銅下地めっきの間に施してもよい。 - 特許庁

To provide a container that provides support structure and environmental control means including minimal contact that cooperates with a wafer or reticle to provide a diffusion barrier, which mitigates fine particles placed on a face of the wafer or reticle.例文帳に追加

ウエハー又はレチクルと協働して拡散バリアを与える最小の接触を含む支持構造及び環境制御手段を与える容器において、ウエハー又はレチクルの面上に置かれる微粒子を軽減する。 - 特許庁

The layer 7 or the first layer 3a of the layer 3 as well as this layer 7 can be formed as an alkali barrier layer 8 for preventing and controlling the thermal diffusion of alkali components from the substrate 2 to the light absorbing layer 4 at the time of manufacturing the layer 4.例文帳に追加

前記層７又はこれと層３の第１層３ａは、層４の製膜時に基板２から光吸収層へのアルカリ成分の熱拡散を防止し、制御するためのアルカリバリア層８となる。 - 特許庁

The layer 20 has a comparatively low compositional ratio of a silicon thin film and a nitrogen thin film if existing, and provides a low specific resistance combined with a high diffusion barrier property which is brought by the amorphous form of the thin films.例文帳に追加

バリア層は、比較的低い組成比のシリコン、及び、もし存在すれば窒素を有し、薄膜の非晶質形態によってもたらされる高い拡散バリア性と組み合わさった、低い比抵抗を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

Such a film can be formed by a spin coat method, so that a flat film can be formed on its surface, and a hydrogen barrier film 22 formed thereon is made uniform in thickness sufficient to keep hydrogen diffusion blocking performance.例文帳に追加

このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。 - 特許庁

Thereby, the adhesion between the diffusion barrier layer and the copper film is accelerated and a clean interface layer can be formed.例文帳に追加

その供与分子は正に荷電した銅を金属銅に還元し、バリア層表面でフッ素と反応して揮発性フッ化ケイ素を生成し、それにより拡散バリア層と銅膜間の付着力を促進する、きれいな界面層を形成する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

To accurately detect the completion point of polishing of a semiconductor wafer having a film to prevent diffusion of a metal of a metallic film being a called barrier film between a metallic film of a topmost layer and an insulation layer of a lower layer.例文帳に追加

最上層の金属膜と下層の絶縁層との間のバリア膜といわれる金属膜の金属の拡散を防止するための膜を有する半導体ウェハ研磨の終了点を正確に検出する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制（バリヤ）層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device of the present invention comprises first Cu wiring 102 and a first barrier insulating film 103 that is provided on the first Cu wiring 102 and prevents diffusion of Cu from the first Cu wiring 102.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。 - 特許庁

A post spacer 4, composed of resin, is formed using photolithography on the lower surface of an upper side glass substrate 1, and at the same time, a barrier 6 to diffusion of a sealing material is formed on a lower surface end part of the upper side glass substrate 1.例文帳に追加

上側のガラス基板１の下面に樹脂からなる柱状のスペーサ４をフォトリソグラフィ法により形成すると同時に、上側のガラス基板１の下面端部にシール材拡散防止壁６を形成する。 - 特許庁

To improve the reproducibility of a copper film by eliminating a process exposing a diffusion barrier film to the outside air before the forming of a copper film, by improving various kinds of properties of the films and characteristics at the interface of the films and by improving a surface management.例文帳に追加

拡散バリア膜の成膜とＣｕ膜の成膜の間に大気暴露工程をなくし、膜の各種特質、膜の界面での特性を改善し、かつ表面管理を良好にして、Ｃｕ膜の再現性を高める。 - 特許庁

A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加

この構造は、銅拡散係数が２５０℃において１×１０Ｅ−２３ｃｍ^2／ｓ未満、厚さが約０．５から１．５μｍである、非酸化銅表面上に堆積させた第１のバリア金属層を含む。 - 特許庁

The method for metallic coating of fibers by the liquid technique involves drawing a fiber, coated with a material forming a diffusion barrier with the metal, through a liquid metal bath to be coated therewith.例文帳に追加

本発明は、液体法によって繊維を金属で被覆するための方法であって、金属に対する拡散防止バリアを形成する材料で覆われた繊維を、被覆用の液体金属槽を通過させて引く方法に関する。 - 特許庁

By turning off the nitrogen flow during deposition of TaN, a TaN/Ta bilayer is easily grown, which has copper diffusion barrier properties superior to those of a single Ta layer or a single TaN layer.例文帳に追加

ＴａＮの堆積中に窒素流をオフにすることで、ＴａＮ／Ｔａ二重層が容易に成長され、この二重層は、単一Ｔａ層または単一ＴａＮ層よりも優れた銅拡散障壁特性を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier insulation film which covers an interconnection mainly formed of a copper film and has a small leakage current and has a sufficiently high capability to prevent the diffusion of copper and a low relative permittivity.例文帳に追加

銅膜を主とする配線を被覆する、リーク電流が小さく、かつ銅に対する拡散防止能力が十分に高い、低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a copper interconnecting integrated circuit of low permittivity, where corrosion of interconnection is reduced, when a crack stopper adjacent to a trimmed edge is used also as a primary barrier to diffusion of oxygen in dielectrics.例文帳に追加

切り口に隣接したクラック止めが誘電体内の酸素の拡散に対する１次バリアとしても用いられるとき、相互接続の腐食を少なくする低誘電率の銅相互接続集積回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a hydrogen barrier structure for preventing or suppressing the diffusion of hydrogen into an oxide dielectric wherein the hydrogen as a reducer is supplied when an interlayer insulating film is formed in a reducing atmosphere.例文帳に追加

層間絶縁膜を還元性雰囲気中で形成する際に供給される還元剤としての水素が、酸化物誘電体中に拡散されるのを防止或いは抑制する水素バリア構造を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit includes a semiconductor substrate, a low dielectric layer on the semiconductor substrate, a first groove in the low dielectric layer, and a first diffusion barrier layer covering the low dielectric layer in the first groove, so that the first diffusion barrier layer has a bottom connected to a side wall which has an upper side surface close to the upper side surface of the low dielectric layer.例文帳に追加

集積回路であって、半導体基板と、前記半導体基板上の低誘電体層と、前記低誘電体層内の第１の溝と、前記第１の溝内で、前記第１の溝内の前記低誘電体層を覆う第１の拡散バリア層とを含み、前記第１の拡散バリア層は、底の部分が側壁部分に接続し、前記側壁部分が、前記低誘電体層の上側表面に近い上側表面を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a magnetic memory structure 36, an MTJ element 37 has a cap layer 51, which is formed by laminating an internal diffusion barrier layer 511, an oxygen adsorption layer 512, and an upper metal layer 513, sequentially from a free layer 50 side.例文帳に追加

磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。 - 特許庁

The capacitor contains a barrier layer deposited in the electrode for preventing diffusion of a material which is used for reducing the electrical conductivity of the plug, formed for making electrical access to the electrode and a storage node and the electrical conductivity between the electrode and the plug.例文帳に追加

該積層型キャパシタは電極、蓄積ノードに電気的にアクセスするためのプラグ及び電極とプラグとの間の導電率を低減する材料の拡散を防止するための、電極内に堆積されたバリア層を含む。 - 特許庁

The RhAl intermetallic coating (24, 32) may serve as an environmental coating (24), a diffusion barrier layer (32) for an overlying environmental coating (24), or both, with or without an outer ceramic coating (26).例文帳に追加

ＲｈＡｌ金属間化合物皮膜（２４，３２）は、外側セラミック皮膜（２６）と共に又はセラミック皮膜なしで、耐環境皮膜（２４）として、耐環境皮膜（２４）用の拡散障壁層（３２）として、又はその両方として役立てることができる。 - 特許庁

To provide a precoat liquid for an undercoat layer of a photocatalytic body layer, the undercoat layer exhibiting high barrier properties to diffusion of active oxygen species to be produced by photocatalysis and not deteriorating the adhesiveness to an organic base material.例文帳に追加

光触媒作用によって生成する活性酸素種の拡散に対して、高いバリアー性を有し、有機基材との密着性が劣化しない下地層を形成する光触媒体層の下地層用プレコート液を提供する。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the method includes preparing the surface of the diffusion barrier layer not substantially containing an element metal and forming a metal film on at least a part of the surface by deposition using an organic metal precursor.例文帳に追加

１つの態様において、この方法は、元素金属を実質的に含まない拡散バリア層の表面を用意し、この表面の少なくとも一部分に有機金属前駆体を使用して被着により金属膜を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a low resistance wiring layer structure that is not only high in adhesion with respect to a base substrate of a semiconductor substrate or a glass substrate, but is also superior in diffusion barrier characteristics to the base substrate, as well as, in resistance to hydrogen plasma, and to provide a process for manufacture thereof.例文帳に追加

半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A material of the second component has higher diffusion barrier capability, reduced swelling capability relative to the hydrocarbon fuel, higher mechanical strength and higher thermal shape stability compared to the material of the first component.例文帳に追加

第一コンポーネントの材料に比べて、第二コンポーネントの材料は、より高い拡散障壁特性、炭化水素燃料に関する低下した膨張特性、より高い機械的強度及びより高い熱形状安定性を有する。 - 特許庁

To prevent blooming of the readout gate section of a solid-state image pickup device, in which an impurity region for potential barrier is formed in the deep portion of a photodiode section, by suppressing the influence of thermal diffusion in the impurity region on the adjacent readout gate section.例文帳に追加

フォトダイオード部の深部にポテンシャルバリア用の不純物領域を形成する固体撮像装置において、不純物領域の熱拡散が隣接する読み出しゲート部に及ぶことを抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

To provide a soft magnetic powder material provided with a coated layer having high barrier properties to the diffusion of elements to iron powder grains, to provide its production method, to provide a soft magnetic compact using the soft magnetic powder material, and to provide its production method.例文帳に追加

鉄粉粒子への元素拡散に対するバリヤ性が高い被覆層をもつ軟磁性粉末材料およびその製造方法、ならびにその軟磁性粉末材料を用いた軟磁性成形体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.例文帳に追加

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring with which unit cost of production is reduced and device characteristics are improved by reducing steps of forming a barrier film for copper diffusion in forming copper (Cu) wiring with a dual damascene process.例文帳に追加

本発明は、デュアルダマシン(Dual Damascene)工程で銅(Cu)配線形成時、銅の拡散防止膜の製造工程を減らすことにより生産単価を減らし、デバイスの特性を改善させる金属配線形成方法の提供を目的とする - 特許庁

An adhesion strength enhancing layer containing chromium, a copper diffusion-barrier layer containing nickel or molybdenum and the electroconductive layer comprising copper or a copper alloy are formed on one side or both sides of the resin film containing a polyimide resin.例文帳に追加

ポリイミド樹脂を含む樹脂フィルムの片面もしくは両面における表面上に、クロムを含む密着力向上層と、ニッケルまたはモリブデンを含む銅拡散バリア層と、銅または銅合金からなる導電層を形成する。 - 特許庁

To improve the adhesion and durability of the film stacks during subsequent elevated temperature processing in a method for forming modulated tantalum/tantalum nitride diffusion barrier stacks on semiconductor device substrate used in interconnect structure.例文帳に追加

配線構造に使用される半導体デバイスの基板上に、調節されたタンタル／窒化タンタルの拡散障壁の積み重ねを形成する方法において、後の高温の加工中における膜の積み重ねの付着性及び耐久性を改善する。 - 特許庁

A new capping multilayer structure for EUV-reflective Mo/Si multilayers consists of the top layer that protects the multilayer structure from the environment and a bottom layer that acts as a diffusion barrier between the top layer and the structure beneath.例文帳に追加

ＥＵＶ反射性Ｍｏ／Ｓｉ多層膜のための新規なキャッピング多層構造は、多層構造を環境から保護する上面層と、上面相と下方構造との間において拡散バリアとして作用する底面層と、からなる。 - 特許庁

To provide a film-forming composition affording a film that is uniform, causes no deposition of impurities, achieves a low dielectric constant and high metal diffusion barrier property and is therefore suitably used for producing an interlayer insulation film in an electronic device or the like.例文帳に追加

形成された膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率や高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスなとにおける層間絶縁膜として適する膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.例文帳に追加

その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

That is, a structure where the Ni layer 14 is interposed between the base material 12 and the Al layer 16 as a barrier layer is attained, and at heat treatment for forming an Si thin film for a solar battery, for instance, mutual diffusion occurring between the Al layer 16 and the substrate 12 is prevented, and generation of a weak intermetallic compound, based on the mutual diffusion, is suppressed.例文帳に追加

即ち、基材１２とＡｌ層１６との間にＮｉ層１４がバリア層として介在している構造となり、例えば太陽電池用のＳｉ薄膜を形成する熱処理の際に、Ａｌ層１６と基材１２との間で生起する相互拡散を防止し、その相互拡散に基づく脆弱な金属間化合物の生成を抑制している。 - 特許庁