「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

An isotropic etch is conducted through the each hole to form a corresponding cavity in the etchable material under the each hole and expanding under the support layer.例文帳に追加

各孔を通して等方性エッチングを行い、各孔の下のエッチング可能な材料中支持体層の下に広がる対応する空洞を形成する。 - 特許庁

The area exposed to the opening on the etch stopper film is then removed by etching together with the pinhole filled with the deposit, and wiring is exposed.例文帳に追加

次に、エッチストッパー膜における開口部に露出した領域を堆積物が埋め込まれたピンホールとともにエッチングにより除去し、配線を露出する。 - 特許庁

The antenna 30 generates a plasma of a high density and low energy to etch an oxygen-contained layer provided on a non-oxygen-contained layer within the chamber with a high selectivity.例文帳に追加

アンテナ３０はチャンバ内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするため高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。 - 特許庁

During a polysilicon etch back, a controlled amount of oxygen (O2) is added to the plasma generation feed gases to reduce pitting of the etched back polysilicon surface.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチバック中に、制御された量の酸素（Ｏ_2）がプラズマ発生供給ガスに添加され、エッチバックされたポリシリコン表面のピットが減少する。 - 特許庁

After etching the organic film to a predetermined position, the first barrier metal 109 exposed by etch back is etched by using the organic film as a mask.例文帳に追加

前記有機膜を所定の位置までエッチバックした後、当該エッチバックによって露出された前記第１バリアメタル１０９を有機膜をマスクとしてエッチングする。 - 特許庁

To etch a film deposited in a treatment chamber when forming a film containing a metal atom without eroding a component material constituting the treatment chamber.例文帳に追加

処理室を構成する部材を侵さずに、金属原子を含む膜を形成する際に処理室内部に付着した膜をエッチングすることを可能にする。 - 特許庁

Subsequently, a silicon oxide film 106a is deposited on the whole surface of the semiconductor substrate 101 to apply whole surface etch back and form a side wall spacer 106.例文帳に追加

次に、半導体基板１０１の全面にシリコン酸化膜１０６ａを堆積し、全面エッチバックを施してサイドウォールスペーサ１０６を形成する。 - 特許庁

Next, an etch-back step 30 simultaneously etching the second and the third color layers 46 and 50 throughout till the first color layer 33 is exposed.例文帳に追加

次に、第１の着色層３３が露呈するまで第２及び第３の着色層４６，５０を同時に全面エッチングするエッチバック工程３０を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, using a dry etching technique that can precisely etch a fine pattern at high speed.例文帳に追加

微細パターン形成にあたり高真空中で高速エッチングできるエッチング技術を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device which has a stable and highly reliable self-matching contact, while avoiding increase of etch stop, wiring shorting and contact resistance.例文帳に追加

エッチストップ、配線ショート、コンタクト抵抗の増加を回避しつつ、安定で信頼性の高い自己整合コンタクトを有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

In an initial stage of etching, the first etching step in which a relatively high etching pressure is set is conducted to isotropically etch an opening region of a mask pattern.例文帳に追加

エッチング開始当初はエッチング圧力を比較的高めに設定した第１のエッチング工程を実施し、マスクパターンの開口領域を等方エッチングする。 - 特許庁

Then, a hard mask film 19 formed of a material having an etch rate higher than that of the stopper film 18 is so formed as to cover the capacitor 13 and the stopper film 18.例文帳に追加

キャパシタ１３およびストッパー膜１８を覆ってストッパー膜１８よりもエッチングレートが高い材料からなるハードマスク膜１９を設ける。 - 特許庁

To etch a substrate without excessively boring into the substrate, even if a contact aperture and a local wiring aperture, which respectively have differing aperture areas, exist in the same layer.例文帳に追加

開口面積の異なるコンタクトと局所配線とが同層に存在していても、基板を過剰に掘ることなく、エッチングすることを可能にする。 - 特許庁

To rapidly and effectively etch a processing object film containing a noble metal or the like using a diluted solution, and to improve an operation ratio of a facility.例文帳に追加

希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and a plasma treatment system securing stabilized device performance even in a semiconductor device using a hard-to-etch material.例文帳に追加

難エッチング材を使用した半導体装置においても安定したデバイス性能を得ることのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

An etch stop layer (23) is provided between the first part (28) of the second mirror structure (19) and the second part (29) of the second mirror structure (19).例文帳に追加

エッチストップ層（２３）は、第２のミラー構造（１９）の第１の部分（２８）と、第２のミラー構造（１９）の第２の部分（２９）との間に設けられる。 - 特許庁

Thus, the oxidizing agent in the mixed liquid does not substantially etch the flat part, but preferentially etches/polishes the corner part, and can round the same.例文帳に追加

このため、混合液中の酸化剤は平坦部を実質的に腐食することなく、前記角部を優先的に腐食・研磨してこれを丸めることができる。 - 特許庁

An ion sheath is formed on the inner wall of the reaction tube 14 through capacitive coupling and almost all ions in plasma move toward a sample 22 and etch the sample.例文帳に追加

反応管１４内壁には、容量結合によりイオンシース（ion sheath）が形成され、プラズマ中のイオンのほとんどは試料２２に向かい、それをエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The alkaline solvent containing amine can etch as well as resist the reflection film being a metal film of which the materials is silver or an alloy of silver.例文帳に追加

アミンを含んだアルカリ溶剤液は、銀又は銀の合金を材料とする金属膜である反射膜を、レジストと同時にエッチングすることができる。 - 特許庁

The method for pattern formation comprises covering the surface of a hydrophobic polymer with a mask pattern followed by contacting with an active oxygen species in water to etch exposed parts.例文帳に追加

疎水性ポリマー表面をマスクパターンで被覆し、水中において活性酸素種と接触させ、露出部分をエッチングするパターン形成方法である。 - 特許庁

A high RF frequency source is employed in certain embodiments to achieve a high etch rate with high selectivity to inorganic dielectric layers.例文帳に追加

所定の実施形態において高ＲＦ周波ソースを用いることで高いエッチング速度を無機誘電体層に対しての高い選択性で達成する。 - 特許庁

As these parts constitute one continuous face, an induction electric field is homogeneously generated on the surface to uniformly etch the surface.例文帳に追加

これらは１つの連続面を構成するため、エッチング処理の際には、その表面において誘導電界が一様に生じて、均一にエッチングされることとなる。 - 特許庁

The sodium hydroxide aqueous solution containing aliphatic quaternary ammonium salt is used to etch the silicon wafer and then metal contamination of the silicon wafer can be greatly suppressed.例文帳に追加

脂肪族４級アンモニウム塩を含有させた苛性ソーダ水溶液をシリコンウエハーのエッチングに供することで、シリコンウエハーの金属汚染を大幅に抑制できる。 - 特許庁

ETCH BACK METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING INORGANIC POLARIZER BY USING THIS METHOD, ETCHING STOP CONTROL DEVICE FOR REALIZING THESE METHODS, AND INORGANIC POLARIZER TO BE MANUFACTURED例文帳に追加

エッチバック方法、それを用いた無機偏光子製造方法及びそれらの方法を実現するエッチング停止制御装置、並びに製造される無機偏光子 - 特許庁

To provide aqueous compositions used to remove post etch organic and inorganic residues as well polymeric residues and contaminants from semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体の基板から有機及び無機のポストエッチ残渣ならびにポリマー残渣及び汚染物質を除去するために使用される水性組成物を提供すること。 - 特許庁

The insulating film 3 on the semiconductor substrate 1 is subjected to planarize treatment by using CMP or etch back, and the semiconductor substrate 1 is exposed (Figure (c)).例文帳に追加

そして、半導体基板１上の絶縁膜３をＣＭＰ又はエッチバックにより平坦化処理を施して、半導体基板１を露出させる（図１（ｃ））。 - 特許庁

Further, the dislocation density can be measured by counting etch pits through an optical microscope etc., and then the quality of the crystal can be evaluated.例文帳に追加

また、エッチピットの個数を光学顕微鏡などを用いて数えることで、転位密度を測定することができ、結晶の品質を評価することができる。 - 特許庁

In this case, material with high flowability is used for the first filling material 6 and material with high etch back resistance for the second pad material.例文帳に追加

このとき、第１の埋め込み材料６には流動性の高い材料、第２の埋め込み材料７にはエッチバック耐性の高い材料を用いる。 - 特許庁

Alternatively, the PZT ferroelectric layer is etched using a low-temperature fluorine component etch chemistry such as CHF_3 to provide a non-vertical PZT sidewall profile.例文帳に追加

あるいは、ＰＺＴ強誘電体層はＣＨ_3等の低温フッ素成分エッチング化学を使用してエッチングされ非垂直ＰＺＴサイドウォールプロファイルを与える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device which uses an aluminum oxide Al2O3 as an etch barrier layer when removing a capacitor oxide film in manufacturing a MIM Ta2O5 capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭ Ｔａ_2Ｏ_5キャパシタの製造においてキャパシタ酸化膜除去時のエッチング障壁層としてアルミニウムオキサイドＡｌ_2Ｏ_3を用いる方法。 - 特許庁

The first plasma creates a pre-coat residual film on surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is substantially maintained.例文帳に追加

そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 - 特許庁

Since ammonia does not etch the steel plate 11, a deflective article will not occur, even if the surface of the steel plate 11 is exposed due to the dislocation of a mask.例文帳に追加

アンモニアは鋼板１１をエッチングしないので、マスクの位置ズレ等により、鋼板１１表面が露出していた場合でも、不良品が発生することはない。 - 特許庁

The etching is preferably performed in a plasma etch reactor having an HF biased pedestal electrode and a capacitively VHF biased showerhead.例文帳に追加

エッチングは、ＨＦバイアスされるペデスタル電極と、容量性ＶＨＦバイアスされるシャワーヘッドとを有するプラズマエッチングリアクタにおいて実行されるのが好ましい。 - 特許庁

To effectively dry-etch a silicon compound film such as a nitride silicon nitride film and an amorphous silicon film without using gas such as SF6 which may cause global warming.例文帳に追加

ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加

大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Provided is a water-rich hydroxylamine formulation for photoresist and post-etch/post-ash residue removal in applications where a semiconductor substrate comprises aluminum.例文帳に追加

Ａ半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後／アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。 - 特許庁

After a third film 5 is deposited all over and formed on the side by etch-back and the upper film 3 is selectively removed, a flattening step is carried out by polishing.例文帳に追加

更に全面に第三の膜５を堆積、エッチバックによって側面に形成後、上層の膜３を選択除去し、ポリッシングによって平坦化する。 - 特許庁

IRON-NICKEL-COBALT ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE PERIPHERAL SHAPE OF ETCH PIT例文帳に追加

エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁

To provide an aluminum material having superior etching characteristics for an electrolytic capacitor electrode, which can reliably increase the surface area, by making etch pits densely and uniformly formed on its surface, using the etch pits as starting points, and making them further deeply etched into tunnel-shaped pits so as to be hardly combined with each other, and consequently can increase the capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

In an example of etching, a specific non-uniform parameter of a structure obtained from a non-uniform etch profile during the etching of a mask consisting of the same structures can be evaded by changing the mask to be used for specifying an etching area in order to compensate for the etch profile.例文帳に追加

本発明の一態様をエッチングを例に説明すると、全ての構造体が同一であったようなマスクをエッチングする間、非均一のエッチプロファイルから得られた構造体の特定の均一でないパラメータは、エッチプロファイルを補償するために、エッチ領域を指定する際に用いられるマスクを変更することにより回避できる。 - 特許庁

On top faces of copper wirings are provided diffusion barriers made of a material selected among silicon nitride, silicon carbide, aluminum nitride, aluminum carbide and titanium carbide, an etch stopper film and an insulation film are provided on the diffusion barriers, and the etching selectivity of the etch stopper film to the insulation film is set to 10 or more, thereby attaining the purpose.例文帳に追加

銅配線の上面にシリコン窒化物、シリコン炭化物、アルミニウム窒化物、アルミニウム炭化物、チタン炭化物から選ばれる拡散バリアを設け、この拡散バリア上にエッチストッパ膜と絶縁膜を設け、この絶縁膜に対するエッチストッパ膜のエッチ選択比を１０以上とすることにより達成される。 - 特許庁

The polarization direction of a first portion 808 of a piezoelectric substrate 802, which is exposed on a second principal plane 806 having a relatively slow etch rate and is not exposed on a first principal plane 804 having a relatively fast etch rate, is inverted and then the piezoelectric substrate 802 is etched from the first principal plane 804 side.例文帳に追加

圧電体基板８０２のうち、エッチングレートが相対的に遅い第２の主面８０６に露出しエッチングレートが相対的に速い第１の主面８０４に露出しない第１の部分８０８の分極方向を反転し、第１の主面８０４の側から圧電体基板８０２をエッチングする。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode or the like being excellent in etching characteristics which can surely increase an expanded surface rate and increase further electrostatic capacitance by forming etch pits in a high density and uniformly, and etching, from the etch pits as an origin, deeply and so as to hardly occur coupling in a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is manufactured with the reduced number of masks, and whose reliability of elements is improved by using an etch stopper, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

減少させたマスク数で製造可能である共に、エッチストッパを利用して、素子の信頼性を向上させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁