「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive material with improved hardness, such as W (tungsten), is deposited on the upper surface of the substrate and is subjected to etch back is made, thus forming a probe pad electrode 18 in the electrode hole 16b.例文帳に追加

基板上面にＷ（タンダステン）等の高硬度導電材を堆積してエッチバックすることにより電極孔１６ｂ内にプローブパッド電極１８を形成する。 - 特許庁

To prevent peeling of an adhered layer during etch back of an electrically conductive film in the peripheral regions of a wafer, in a case in which hole patterns are formed through the exposure of the whole area of the wafer, and plugs are formed.例文帳に追加

全面露光によりホールパターンを形成し、プラグを形成する際に、ウェハ周辺領域において、導体膜のエッチバック時に密着層が剥がれるのを防止する。 - 特許庁

To improve the etching efficiency and reliability of an etching device for silicon wafer by constituting the device in such a way that the device can etch the rear surface side of a silicon wafer while the device etches the front surface side of the wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの表側面をシールしつつ裏側面にエッチングを施す構成とすることにより、エッチング処理の効率化、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

Fabrication of a MEMS device such as an interferometric modulator is improved by using an etch stop layer 44 between a sacrificial layer 46 and a mirror layer 38.例文帳に追加

干渉測定変調器のようなＭＥＭＳ装置の製造は、犠牲層４６とミラー層３８との間のエッチング停止層４４を使用することによって改善される。 - 特許庁

That process includes a process to etch an insulating material which adjoins a channel in the element separation trench 2, preventing a part of the channel from being covered.例文帳に追加

この工程は、素子分離用トレンチ２内においてチャネルに隣接した部分の絶縁材料をエッチングして、チャネルの一部が覆われないようにする工程を含んでいる。 - 特許庁

To plasma-etch thin film of non-single-crystalline silicon with a high selection ratio of etching with an apparatus of a simple constitution and with a simple process in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

After that, the surface of the worked pattern is made smooth by applying, an etch to the roll surface of the mold roll base material so as to form a final molding pattern at the process 103.例文帳に追加

その後、金型ロール基材のロール面に腐食処理（エッチング処理）を施して加工パターンの表面を滑らかにし、最終的な成型パターンを形成する（工程１０３）。 - 特許庁

To provide a display device that reduces an off-current of a thin film transistor, having a channel etch stopper structure, thereby improving the switching characteristics of the thin film transistor.例文帳に追加

チャネルエッチストッパ構造を有する薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、薄膜トランジスタのスイッチング特性を向上させた表示装置を提供することである。 - 特許庁

Nanotubes are manufactured by supplying hydroxide ions to nanorods of the piezoelectric material having the asymmetric crystal structure so as to etch inner parts of the nanorods.例文帳に追加

非対称結晶構造を有する圧電物質のナノロッドに水酸化物イオンを供給して、ナノロッドの内部をエッチングすることにより、ナノチューブを製造することができる。 - 特許庁

The formulation for removing a photoresist, ion implanted photoresist, BARC and/or etch residue comprises an ammonium hydroxide, 2-aminobenzothiazole and remainder water.例文帳に追加

フォトレジスト、イオン注入フォトレジスト、ＢＡＲＣ及び／又はエッチ残留物を除去するための配合物であって、水酸化アンモニウム及び２−アミノベンゾチアゾール、残余水を含む。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

To provide: a back-channel-etch type thin-film transistor which can be improved in productivity and transistor characteristics; a semiconductor device; and manufacturing methods thereof.例文帳に追加

生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the well region is formed utilizing a second window of the mask layer, the second window being provided by a subsequent etch of the mask layer having the first window.例文帳に追加

次いで、ウェル領域がマスク層の第２の窓を利用して形成され、この第２の窓は第１の窓を有するマスク層を引き続いてエッチングすることによって設けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a thin silicon film containing a large amount of metal can be worked in a good shape without generating etch residues.例文帳に追加

エッチング残り(残渣)を発生させることなく、多量の金属を含むシリコン薄膜を良好な形状に加工できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A chemical amplified negative resist pattern formed on a surface of an amorphous carbon film is peeled by using an acid solution which will not substantially etch amorphous carbon.例文帳に追加

アモルファスカーボン膜表面に形成された化学増幅型ネガレジストパターンを、アモルファスカーボンを実質的にエッチングしない酸溶液を用いて該化学増幅型ネガレジストパターンを剥離する。 - 特許庁

To materialize the simplification of an etch back process for flattening the top of an insulated isolation trench, and secure the flatness of the top of the insulated isolation trench enough at the same time.例文帳に追加

絶縁分離トレンチの上部を平坦化するためのエッチバック工程の簡略化を実現し、同時に絶縁分離トレンチ上部の平坦性を十分に確保すること。 - 特許庁

Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization.例文帳に追加

当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 - 特許庁

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time.例文帳に追加

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。 - 特許庁

To solve the problem of adhesion in an interface between a low dielectric constant substance being an organic base or carbon-doped SiO_2 and the SiO_2 etch stop of a TEOS base.例文帳に追加

有機物ベース又は炭素ドープドＳｉＯ_2である低誘電率物質とＴＥＯＳベースのＳｉＯ_2エッチストップとの間の界面における密着性の問題を解決する。 - 特許庁

After that, a patterned BPSG film 11, a nitride film 9 and sidewalls 10 consisting of a polysilicon film are used to etch the layer 3 along with the film 9 and the sidewalls 10.例文帳に追加

その後、パターニングされたＢＰＳＧ膜１１と窒化膜９とポリシリコンからなるサイドウォール１０とを用いて、窒化膜９とサイドウォール１０とともにＳＯＩ層３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of evaluating the dislocation density of a group III nitride crystal in a simple and convenient manner using an optical microscope by forming etch pits having a suitable diameter.例文帳に追加

適正な径のエッチピットを形成することにより、光学顕微鏡を用いて簡便にＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価ができる方法を提案する。 - 特許庁

Improved compositions and processes for removing photoresists, polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues from interconnect, wafer level packaging, and printed circuit board substrates are disclosed.例文帳に追加

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。 - 特許庁

To provide a aqueous composition for removing residues including, but are not limited thereto, post ash and/or post-etch photoresist, for example, from a substrate and a method comprising such composition.例文帳に追加

ポストアッシュ及び／又はポストエッチフォトレジストに限定されないが、これらのような残渣を基材から除去するための水系組成物、及びそれを含む方法を提供すること。 - 特許庁

The etching stopper film 20 exposed out of the silicide block layer 30 is removed, and the etch back of the insulating film 10 for the side wall is effected to form side walls on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリサイドブロック層３０から露出したエッチングストッパ膜２０を除去し、サイドウォール用絶縁膜１０をエッチバックして、ゲート電極の両側にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

To improve charge transfer efficiency by preventing a film decrease due to a resist etch back process for flattening and forming a charge transfer electrode of uniform film thickness.例文帳に追加

平坦化のためのレジストエッチバック工程に起因する膜減りを防止し、均一な膜厚の電荷転送電極を形成することにより電荷転送効率の改善を図る。 - 特許庁

As a result, the quantity or the duration to etch a support body on the silicon layer, having the SOI structure, can be controlled by the height H, and variations in wet etching can be also suppressed.例文帳に追加

このため、ＳＯＩ構造のシリコン層上の支持体をエッチングする量や時間が高さＨによって制御でき、ウェットエッチングのばらつきを抑えることができる。 - 特許庁

Next, each of the glass substrate 10, 20, 30 on which the dry film is applied is placed on a stage 106 of a dry etching device 100 to dry-etch the wall surface portion of the groove.例文帳に追加

次に、ドライフィルムを貼り付けた状態でガラス基板１０，２０，３０をドライエッチング装置１００のステージ１０６に載置し、溝の壁面部分をドライエッチングする。 - 特許庁

To suppress the etch stop while securing the remaining film of a mask pattern when forming an aperture having high aspect ratio in an insulating film in anisotropic etching using a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンを用いた異方性エッチングで、絶縁膜に高いアスペクト比を有する開孔を形成する際に、マスクパターンの残膜を確保しつつ、エッチストップを抑制する。 - 特許庁

To obtain benefits of a thin photosensitive layer while reducing the number of development/etching steps required in a general case where a photosensitive layer and a buffer/etch-stop layer are used.例文帳に追加

薄い感光性層による利点が得られると共に、一般的な感光性層とバッファ／エッチストップ層を使用した場合においても現像／エッチングに要する工程を減らす。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加

選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus and a substrate treatment method which can etch off an undesired substance from a rim part of a substrate surface without lowering a throughput.例文帳に追加

スループットを低下させることなく基板表面の周縁部から不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。 - 特許庁

The plurality of passivation layers are deposited on the semiconductor device layer 14, where at least two of the layers are made of different dielectric materials to provide an etch stop.例文帳に追加

複数の不動態化層が半導体デバイス層１４上に堆積され、少なくとも２つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。 - 特許庁

In one embodiment, a plasma formed from NF3 is diluted with N2 to etch residue from the surfaces of the processing chamber used to deposit silicon oxide glass.例文帳に追加

実施形態においては、ＮＦ_3から生成されたプラズマをＮ_2で希釈して、酸化ケイ素ガラスを堆積するために用いた処理チャンバの表面から残渣をエッチングする。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode in which an etch pit is uniformly generated at high density, thereby increasing a surface expansion rate and also increasing an electrostatic capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に発生させて拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

Subsequently, it is coated with silica 6 for planarization, subjected to etch back for removing the silica, planarized while leaving the silica between lines, thus forming a second insulation film 7.例文帳に追加

その後、平坦化の為にシリカ６を塗布して、エッチバックを行い余分なシリカを除去し、かつ配線間にシリカを残し平坦化を行い、第２の絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

To solve a problem of difficulty in integrating an upper electrode on an IC device because an upper electrode material such as platinum and iridium is a precious metal, and is hard to etch or polish.例文帳に追加

プラチナ、イリジウム等の上部電極材料は貴金属であり、エッチングおよび研磨が難しいため、ＩＣデバイスに上部電極を集積することが困難である。 - 特許庁

Further, a plurality of holding devices 10 each holding a pair of semiconductor wafers 1 are dipped in the etchant to etch many semiconductor wafers 1 simultaneously.例文帳に追加

さらに、１組の半導体ウエハ１を保持した保持装置１０の複数をエッチング液に浸漬することにより、同時に多くの半導体ウエハ１をエッチングすることができる。 - 特許庁

Employment of such a composition exhibits efficient cleaning capability for Al substrates and minimal silicon etch while protecting aluminum for substrates comprising both materials.例文帳に追加

そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Ａｌ基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, capable of selectively etch-removing only the upper layer formed on a surface edge part of a substrate.例文帳に追加

基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The first thick photoresist layer 123A and the first thin photoresist layer 123B are used as a mask to etch the semiconductor layer 111, whereby the number of photo masks for use is reduced.例文帳に追加

次に第１厚フォトレジスト層１２３Ａと、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとをマスクとして、半導体層１１１をエッチングすることで、フォトマスクの使用枚数を削減する。 - 特許庁

A first insulation film is formed for forming a side wall on a gate electrode of a semiconductor element formed on a semiconductor substrate, and a side wall is formed by etch back.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子のゲート電極上に、サイドウォールを形成用の第１の絶縁膜を形成して、エッチバックによりサイドウォールを形成する。 - 特許庁

By removing the photoresist pattern and the channel protecting pattern, the low-resistance semiconductor layer is exposed to the external to dry-etch it, by using the source and drain electrodes as masks.例文帳に追加

フォトレジストパターン及びチャンネル保護パターンを除去し低抵抗半導体層を露出させて、ソース、ドレイン電極をマスクとして、低抵抗半導体層をドライエッチングする。 - 特許庁

The Si substrate 12 is immersed in TMAH to etch crystal-isotropically the Si substrate 12 through the etching window 26 of the back side, and a through hole 14 is formed on the Si substrate 12.例文帳に追加

ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。 - 特許庁

After the etch stopper film (14), that is exposed on a surface and protection film (12) are removed, a conductor material (20) is filled to form the conductive plug of the via hole and second wiring.例文帳に追加

表面に露出したエッチストッパ膜（１４）及び保護膜（１２）を除去した後、導電体材料（２０）を充填してビアホールの導電プラグと第２の配線を形成する。 - 特許庁