「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To easily specify the end point of planarizing processing (etch-back processing).例文帳に追加

平坦化処理（エッチバック処理）の終点を容易に特定する。 - 特許庁

To etch the surface of quartz glass with good precision.例文帳に追加

精度の良い石英ガラスの表面エッチング法を提供すること。 - 特許庁

The etch process may be a multiple etch process to provide better edge and thickness control when forming the taper.例文帳に追加

エッチングプロセスは、テーパを形成する場合に、優れたエッジおよび厚み制御を提供するために多重エッチングプロセスであってもよい。 - 特許庁

An etch stopper film 2 is formed on wiring 1 formed on a substrate, and an insulating film 3 is formed on the etch stopper film.例文帳に追加

基板上に形成された配線１上にエッチストッパー膜２を形成し、エッチストッパー膜上に絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING ACCURACY AND REPEATABILITY OF ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチングプロセスの精度及び反復性を制御する装置及び方法 - 特許庁

The etch stop layer facing to the void area 22 is removed by etching.例文帳に追加

ボイド領域２２に面するエッチストップ層をエッチングで除去する。 - 特許庁

Then, the space provided with the etch back is filled with gate material.例文帳に追加

その後，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 - 特許庁

To etch only silicon, without eroding an oxide film and a nitride film.例文帳に追加

酸化膜および窒化膜を腐食させずにシリコンのみをエッチングする。 - 特許庁

WET ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING ETCH RESIDUE USED THEREFOR例文帳に追加

ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 - 特許庁

For example, the etch residues may contain a material including halogens.例文帳に追加

たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。 - 特許庁

The transparent film 14 is used for detection of the end point of etch-back processing, so that the end point of etch-back processing can be easily predetermined.例文帳に追加

透明膜１４をエッチバック処理の終点検出に用いることで、エッチバック処理の終点を容易に特定することができる。 - 特許庁

A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁

This is applicable to a BCETFT (back channel etch thin film transistor) device and an ESTFT (etch stop thin film transistor) device as well.例文帳に追加

これは、ＢＣＥＴＦＴ（バックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタ）デバイスにもＥＳＴＦＴ（エッチストップ型薄膜トランジスタ）デバイスにも応用可能である。 - 特許庁

To etch a semiconductor substrate and form it into a designed shape.例文帳に追加

半導体基板をエッチング加工して設計通りの形状に形成する。 - 特許庁

ETCHING METHOD AND ETCH PROFILE SHAPED PRODUCT MADE BY THE METHOD例文帳に追加

エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 - 特許庁

The obtained resist pattern is used as a mask to etch the substrate to be processed.例文帳に追加

得られたレジストパターンをマスクとして被加工基板のエッチングを行う。 - 特許庁

Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.例文帳に追加

ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁

Etch-back is executed by depositing polycrystalline silicon 16 in the trench.例文帳に追加

トレンチの内部に多結晶シリコン１６を堆積してエッチバックを行う。 - 特許庁

Using an alkaline cleaning liq., etch residues 117 are removed.例文帳に追加

次いでアルカリ性洗浄液を用いてエッチング残渣１１７を除去する。 - 特許庁

ALKALINE AQUEOUS SOLUTION COMPOSITION USED TO WASH OR ETCH SUBSTRATE例文帳に追加

基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVEMENT OF ALUMINUM METALLIZED STRUCTURE FOR TUNGSTEN ETCH BACK PROCESS例文帳に追加

タングステン・エッチ・バック処理のためのアルミニウム金属化組織の改良方法。 - 特許庁

The inter-layer insulating film is thinned by the etch-back of the polysilicon film 33.例文帳に追加

ポリシリコン膜３３のエッチバックにより層間絶縁膜が薄くなる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC POWER APPARATUS AND ETCH APPARATUS USED THEREFOR例文帳に追加

光起電力装置の製造方法およびそれに用いるエッチング装置 - 特許庁

To improve the etch selectivity of a silicon oxide film against other materials.例文帳に追加

シリコン酸化膜の他の材料に対するエッチング選択比を向上する。 - 特許庁

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass.例文帳に追加

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。 - 特許庁

The heavy metal contained in the etchant and adhered to the etch residues 1 is removed by removing the etch residues 1 from the silicon substrate.例文帳に追加

エッチング残り１がシリコン基板から除去されることにより、エッチング液に含まれエッチング残り１に付着していた重金属は除去される。 - 特許庁

To selectively etch TiW films and improve its etching speed.例文帳に追加

ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING LOCAL ETCH STOPPER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

局部エッチストッパーを有する半導体メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide an etch selectivity measuring method and an etch selectivity measuring device which can determine the etch selectivity of an etched object against an etching mask under the environment wherein the etched object is actually etched.例文帳に追加

エッチング対象物を実際にエッチングする環境下でのエッチングマスクに対するエッチング対象物のエッチング選択比を求めることができるエッチング選択比測定方法およびエッチング選択比測定装置を提供する。 - 特許庁

METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁

To provide a plasma reactor having multiple frequency control of etch parameters.例文帳に追加

エッチングパラメータの複数の周波数制御を有するプラズマリアクタを提供する。 - 特許庁

The inductive source may be modulated for improved etch uniformity.例文帳に追加

誘導性ソースを変調してエッチングの均一性を改善することができる。 - 特許庁

To provide an etching method and an etching apparatus which ensure stable etch rate.例文帳に追加

安定したエッチレートを確保できるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas distribution system for a post-etch treatment system.例文帳に追加

エッチング後の処理システムのためのガス分配システムを提供することである。 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチング処理において限界寸法の均一性を調節するための方法 - 特許庁

To uniformly etch interlayer films with different thicknesses to form contact holes.例文帳に追加

厚さが異なる層間膜を一様にエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材４２のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材４２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

A first etch step is provided (412) where the first frequency, the second frequency, and the third frequency are at power settings for the first etch step.例文帳に追加

第１エッチングステップが行われ（４１２）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は第１エッチングステップとしての電力設定である。 - 特許庁

In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.例文帳に追加

加えて、p-AlInAsクラッド層７の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層８を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層８で止めることができる。 - 特許庁

A half etch 12a parallel to the major axis direction of the ferrule 2 is formed in the ferrule mounting part 12 of a lead frame 1, and the ferrule 2 is arranged on the half etch 12a.例文帳に追加

リードフレーム１のフェルール搭載部１２に、フェルール２の長軸方向と平行なハーフエッチ１２ａを形成し、フェルール２をハーフエッチ１２ａ上に配置する。 - 特許庁

Damaged LiNbO_3 has an etch rate much faster than undamaged LiNbO_3 and an annealing process is not necessary for forming an etch stopping layer.例文帳に追加

損傷を受けたＬｉＮｂＯ_３は未損傷ＬｉＮｂＯ_３よりもはるかに速いエッチングレートを有し、エッチストップ層を形成するためにアニールプロセスは必要ではない。 - 特許庁

To eliminate the need to use an organic masking layer solvent, and to etch a portion of an insulating layer after a plasma metal etching step, in a metal etch processing sequence.例文帳に追加

金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。 - 特許庁

An image of a flying trace detection solid after etch processing is acquired by a microscope device 21 to be binarized, and the ellipse is fitted an image for each etch pit.例文帳に追加

エッチ処理済みの飛跡検出用固体の画像を顕微鏡装置２１で取得し、これを二値化し、各エッチピットの画像に楕円をフィッティングする。 - 特許庁

When plasma light emission of Sif produced by the etch-back processing of the transparent film 14 is detected, it is determined that the etch-back processing has reached the end point.例文帳に追加

透明膜１４がエッチバック処理された際に生成されるＳｉＦのプラズマ発光が検出されたら、エッチバック処理が終点に達したと判定する。 - 特許庁