「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The composition for etching ruthenium comprising vanadium and water can etch ruthenium without damaging a semiconductor material other than ruthenium.例文帳に追加

バナジウム及び水を含んでなるルテニウムのエッチング用組成物では、ルテニウム以外の半導体材料にダメージがなく、ルテニウムをエッチングできる。 - 特許庁

To provide an incombustible etching composition that can selectively etch hardly soluble hafnium components, especially, hafnium silicate and hafnium aluminate.例文帳に追加

難溶性のハフニウム化合物、特にハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネートを選択的にエッチングでき、不燃性のエッチング用組成物を提供する。 - 特許庁

When the three-layer metal film 5 is deposited, the bottom Mo layer whose etch rate is large is formed as a thin layer in about 10 nm or lower.例文帳に追加

三層金属膜５を堆積する際、エッチング速度の大きいボトムのＭｏ層を約１０ｎｍまたはそれ以下の薄層としておく。 - 特許庁

Also an etch stopper layer and a release layer are formed beforehand as lower layers of a film for forming the sidewall, and removal of redundant portions is conducted by using a lift-off.例文帳に追加

また，サイドウォール形成用の膜の下層に予めエッチストッパー層と剥離層を形成し，余剰部の除去にはリフトオフを用いる。 - 特許庁

An SF_6/C_4F_8 gas is introduced as an etching gas to generate a plasma gas and etch a part that is exposed from a resist mask 23 on the layer to be etched 22.例文帳に追加

エッチングガスとしてSF_6/C_4F_8ガスを導入してプラズマを発生させ、被エッチング層２２のレジストマスク２３から露呈する部分をエッチングする。 - 特許庁

Next, a void area 22 separating a mass part 21 and an outer support frame 23 are formed by wet etching until reaching the etch stop layer.例文帳に追加

次に質量部２１と外側の支持フレーム２３を隔てるボイド領域２２をエッチストップ層に達するまでウェットエッチングして形成する。 - 特許庁

To realize an etching apparatus and an etching method thereof with capability to etch a titanium Ti film with high throughput, in spite of a low price of the apparatus.例文帳に追加

装置設備が安価でありながら、高スループットでチタンＴｉ膜をエッチングできるエッチング装置およびその方法を実現する。 - 特許庁

The dielectric layer on the substrate surface is removed using an etch process such that a portion of the dielectric layer underlying each spacer remains.例文帳に追加

各スペーサの下の誘電体層の部分があとに残るようなエッチング・プロセスを使用して、基板表面の誘電体層が除去される。 - 特許庁

METHOD OF PREVENTING ETCH PROFILE BENDING AND BOWING IN HIGH ASPECT RATIO OPENINGS BY TREATING POLYMER FORMED ON OPENING SIDEWALLS例文帳に追加

開口部側壁に形成した高分子の処理により高アスペクト比の開口部におけるエッチプロファイルの屈曲と湾曲を防止する方法 - 特許庁

To provide a plasma etching method which can etch a fluorine-added carbon film, having a proper shape without causing damages to the film.例文帳に追加

フッ素添加カーボン膜をダメージを生じさせずにかつ良好な加工形状でエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Continuously, only an aluminum film which is not yet reacted is eliminated by etching by utilizing the difference of etch rate between the alloy film 27 and the aluminum film.例文帳に追加

続いて、合金膜２７とアルミニウム膜のエッチング速度の差を利用して、未反応のアルミニウム膜だけをエッチングにより除去する。 - 特許庁

To etch an interlayer insulation film with better controllability than for the conventional micro holes, and to surely insulate bit lines from an adjacent plug.例文帳に追加

従来の微小ホールよりも制御性良く層間絶縁膜をエッチングすると共に、隣接するプラグからビットラインを確実に絶縁する。 - 特許庁

An opening is formed after the application of photoresist to the whole surface, which acts as a mask to etch the layer 3, 2.例文帳に追加

この上にフォトレジストを塗布して開口を形成し、これをマスクとして第２の絶縁層３及び第１の絶縁層２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a structure in which a first metal interconnection is not exposed in an etch-back process for an SOG film, in a process for manufacturing a multi-layer interconnection structure body.例文帳に追加

多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can etch substrates to be processed in various shapes, based on a satisfactory interface uniformity.例文帳に追加

各種形状の被処理基板を良好な面内均一性のもとでエッチング処理することができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The sidewalls of the gate may be exposed through an etching process in which a silicide layer formed over the blocking layer is used as an etch mask.例文帳に追加

ブロッキング膜上に形成されたシリサイド膜をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を通じてゲートの側壁は露出される。 - 特許庁

The first region of the exposed photoresist is developed with a developer solution in order to etch the exposed regions to a first depth.例文帳に追加

露光された領域を第１の深さまでエッチングするために、露光されたフォトレジストの第１の領域が現像液で現像される。 - 特許庁

To provide a polishing method of GaN whereby an etch pit is hardly caused on the polishing face of a GaN crystal and an excellent polishing face can be obtained.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるＧａＮの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, a desired distribution of ions and neutral species in plasma is established using the ion/neutral species shield in order to etch the photomask.例文帳に追加

その一方、フォトマスクをエッチングするために、イオン・中性種シールドを用いてプラズマのイオンと中性種の所望の分布を確立する。 - 特許庁

Subsequently, the second etching step is conducted with a lower etching pressure to etch the amorphous TiO_2 in a direction perpendicular to its surface.例文帳に追加

次いで、エッチング圧力を低くした第２のエッチング工程を実施し、アモルファスＴｉＯ_２をその表面に垂直な方向にエッチングする。 - 特許庁

Next, by using a wet etching agent that does not substantially etch the silicon nitride layer 12, the dielectric layer 13 including aluminum is etched.例文帳に追加

次に、窒化シリコン層１２を実質的にエッチングしない湿性エッチング剤を用いて、アルミニウムから成る誘電体層１３をエッチングする。 - 特許庁

To efficiently etch a film formed on a wafer, related to an etching apparatus used for manufacturing piezoelectric elements, semiconductor elements, etc.例文帳に追加

圧電素子、半導体素子などの製造に使用されるエッチング装置に関し、ウェハの上に形成された膜を効率良くエッチングすること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and plasma etching apparatus which can etch an SiC layer with high selectivity with respect to an SiOC layer.例文帳に追加

ＳｉＯＣ層に対して選択性高くＳｉＣ層をエッチングすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the use of the resist pattern 7 can precisely etch the base material 1 or the thin film previously formed on the base material 1.例文帳に追加

なお、このレジストパターン７を用いて基体１または基体１の上に予め形成した薄膜を精度よくエッチングすることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of wafer with high crystal orientation accuracy by forming a surface hard to etch by performing anisotropy wet-etching.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングしてエッチング難易面を形成することにより結晶方位精度の高いウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma etch cleaning of a substrate is carried out by using a plasma discharge device provided with an electron source cathode (5) and an anode device (7).例文帳に追加

電子源カソード（５）およびアノード機器（７）を備えたプラズマ放電機器を用いることによって、基板のプラズマエッチ洗浄が実行される。 - 特許庁

The exposed part of the etch stop layer 4 is removed to form mesa structure 10, and buried layers 11 and 12 are formed at both the sides of the mesa structure.例文帳に追加

エッチストップ層４の露出した部分を除去してメサ構造１０を形成し、その両側に埋め込み層１１，１２を形成する。 - 特許庁

Sequentially, the insulating film 20 is ground by employing an etch back method or a chemical mechanical polishing method until the resistor particle 100b is exposed.例文帳に追加

そして、エッチバック法や化学機械研磨法を用いて、抵抗体粒子１００ｂが露出するまで絶縁膜２０が研削される。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode excellent in etching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate and increase the electrostatic capacitance further by forming uniform etch pits in a high density and starting deep etching from these etch pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

A single crystal sapphire substrate having etch pits that is suitable for a semiconductor light emitting device is manufactured by conducting dry or wet blasting on a mirror-polished principal plane of the sapphire substrate, and then dipping the sapphire substrate into heat phosphoric acid, a mixed acid of heat phosphoric acid and heat sulfuric acid, or heat-melt potassium hydroxide to form etch pits.例文帳に追加

鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

To provide a method for forming a diaphragm for an IC microphone that can suppress reduction in the etch stop effect caused by heat treatment after forming a high concentration impurity layer (etch stop layer) so as to prevent the occurrence of buckling caused by the heat treatment after forming the high concentration impurity layer and to provide the IC microphone.例文帳に追加

高濃度不純物層（エッチストップ層）形成後の熱処理によって生じるエッチストップの効果の低下を抑制し、高濃度不純物層形成後の熱処理が原因の座屈を防ぐことができるＩＣマイクの振動板形成方法およびＩＣマイクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a highly precise fine pattern by reducing side etch in the case of using wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

An STI (shallow trench isolation) film 7 is formed in the peripheral regions of a wafer 1 where a TiN/Ti film is exposed in a subsequent etch- back process.例文帳に追加

ウェハ１の周辺領域のうち、後の工程のエッチバック時において、露出するＴｉＮ／Ｔｉ膜領域にＳＴＩ膜７を形成する。 - 特許庁

The embedding material 13 is removed by using a solvent which can solve the embedding material 13 and does not etch the substrate 11.例文帳に追加

埋め込み材料１３を可溶であって、基板１１に対してエッチング性を有さない溶媒を用いて、埋め込み材料１３が除去される。 - 特許庁

Here, the etching of the portion of the dielectric layer and the exposed part of the etch stop layer are performed at the same time without any intervenient processing.例文帳に追加

ここで、誘電体層の一部分のエッチングとエッチング止め層の露出部分のエッチングは、何の処理も介在させずに同時に実行される。 - 特許庁

Both the patterned hard mask and the underlying transparent material are exposed to a wet etch that etches the hard mask and the transparent material.例文帳に追加

パターニングされたハードマスクおよびアンダーレイする透過材料の両方が、ハードマスクおよび透過材料をエッチングするウェットエッチングにさらされる。 - 特許庁

In the next place, the SiO_2 film 19 of about 0.5μm in thickness is formed to etch the SiO_2 film 19 on other portions (18b) than the minute holes.例文帳に追加

次に、厚さ０．５μｍ程度のＳｉＯ_２膜１９を成膜し、微細な穴以外の部分（１８ｂ）上のＳｉＯ_２膜１９をエッチングする。 - 特許庁

To provide etching equipment which can etch uniformly, prevent a disconnection in a precision wiring, and furthermore be fully automated.例文帳に追加

エッチングを均一に行うことができると共に、精密配線の断線を防止でき、更に、完全自動化が可能なエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

Plasma of O_2 and CO is used in a chamber to etch the lower resist film, and the lower resist film is left on a part within the via hole.例文帳に追加

チャンバ内において、Ｏ_２とＣＯとのプラズマを用い、下層レジスト膜をエッチングするとともに、ビアホール内の一部には、下層レジスト膜を残す。 - 特許庁

A processing gas containing a fluorine-based reactive component is brought into contact with an object to be processed 90 to etch the silicon-containing film 93 on the base film 92.例文帳に追加

フッ素系反応成分を含む処理ガスを被処理物９０に接触させ、下地膜９２上のシリコン含有膜９３をエッチングする。 - 特許庁

To etch an interlayer insulation film that is composed of organic film made mainly of organic constituent without oxidizing the interlayer insulation film.例文帳に追加

有機成分を主成分とする有機膜からなる層間絶縁膜に対して、層間絶縁膜を酸化させることなくエッチングできるようにする。 - 特許庁

After a metal film 15 is deposited on the surface of the semiconductor substrate, a drug solution is discharged from the rear surface of the semiconductor substrate to etch all the sacrifice film.例文帳に追加

半導体基板の表面に金属膜１５を成膜した後、半導体基板の裏面から薬液を吐出し、犠牲膜を全てエッチングする。 - 特許庁

EMBEDDED ETCH STOP FOR PHASE SHIFT MASK AND PLANAR PHASE SHIFT MASK TO REDUCE TOPOGRAPHY INDUCED AND WAVEGUIDE EFFECT例文帳に追加

誘起されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 - 特許庁

A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.例文帳に追加

トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁

Then etch-back is carried out all over, the silicon nitride film 7 between wiring layers is removed and a sidewall of the silicon nitride film 7 is formed in a wiring layer side wall.例文帳に追加

その後、全面エッチバックし、配線層間のシリコン窒化膜７を除去して、配線層側壁にシリコン窒化膜７のサイドウォールを形成する。 - 特許庁