「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Forged alloy steel is heated at a prescribed temperature for a prescribed time to precipitate carbides into the crystal grain boundaries, the forged alloy steel is exposed to a corrosive environment for a prescribed time to etch the crystal grain boundaries, and the crystal grains produced in the forged alloy steel are separated to produce the metallic material powder.例文帳に追加

鍛錬合金鋼を所定温度で所定時間加熱して炭化物を結晶粒界に析出させ、腐食環境に前記鍛錬合金鋼を所定時間曝露することにより前記結晶粒界をエッチングし、前記鍛錬合金鋼に生じた結晶粒を分離させて金属材料粉末を製造する。 - 特許庁

By repeating the deposit process and the etch-back process, the thickness of the second mask 16 (18) is adjusted to have a desired thickness, and by repeating the thickness adjustment of the second mask and the in-opening etching process, the inner side face of the opening (the recessed section 19) is substantially inclined.例文帳に追加

堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 - 特許庁

A transfer layer pattern 3 is formed by pressing a mold; then, a patterned film 4 is formed on the transfer layer pattern 3; and thereafter, the transfer layer pattern 3 is removed, and etching is performed from the association interface (indicated by a dotted line) at the formation of the patterned film 4 to etch the patterned film 4 into a final pattern 7.例文帳に追加

モールドを押し付けて形成した転写層パターン３を形成し、転写層パターン３に被パターン形成膜４を形成し、その後、転写層パターン３を除去して、被パターン形成膜４形成時の会合界面（点線部）からエッチングを進行させて、被パターン形成膜４をエッチングして最終パターン７を形成する。 - 特許庁

After using an etching gas such as BCl_3 that BO_x is deposited on the surface of silicon, a plasma is excited using a gas which can etch silicon such as Cl_2 or a mixed gas of Cl_2 and CF_4, and BO_x attached to silicon in a chamber is removed, thereby always keeping plasma density constant.例文帳に追加

ＢＣｌ_３など石英表面にＢＯ_Ｘが付着するエッチングガスを用いた後に、石英をエッチングできるガス、例えばＣｌ_２や、Ｃｌ_２とＣＦ_４の混合ガス等を用いてプラズマを励起し、チャンバー内の石英に付着しているＢＯ_Ｘを除去（クリーニング）することでプラズマ密度を常に一定に保つ。 - 特許庁

In this cylindrical storage node formation method for the semiconductor device, the loss difference of the cylindrical storage node 26 between the center and edge of the cell area generated by the etch-back process for the separation of the storage node 26 is minimized and fixed electric capacitance is maintained over the entire area of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体装置のシリンダ型ストレージノード形成方法は、ストレージノード２６分離のためのエッチバック工程によって生成するセル領域の中心及びエッジ間のシリンダ型ストレージノード２６の損失差異を最小化して、半導体ウェーハの全体領域上で一定な電気的キャパシタンスを維持する。 - 特許庁

A difference in film thickness between an F-Doped-SiO_2 film 10 and a SiON film 11, a difference in etch rates, and a micro loading effect at the time of etching are considered to modify hole diameters of Via contacts 13', 14' and 15', thus enabling over-etching the base material to the same degree.例文帳に追加

Ｆ−Ｄｏｐｅｄ−ＳｉＯ_2膜１０とＳｉＯＮ膜１１との膜厚の相違、エッチレートの相違およびエッチング時のマイクロローディング効果を考慮して、Ｖｉａコンタクト１３’とＶｉａコンタクト１４’，１５’との開口径を変更することにより下地に対して同程度のオーバーエッチを施すことができる。 - 特許庁

A vertical light emitting diode (VLED) die 10A includes a p-type confinement layer 12A, an active layer 14A on the p-type confinement layer configured to emit light, and an n-type confinement structure 16A having at least one etch stop layer 22A configured to protect the active layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。 - 特許庁

The method of cleaning a member includes a step to form a polysilicon film 76 on the surface of a member 72, a step to defuse impurities to the polysilicon film 76 from the member 72 by subjecting the member 72 with the film to heat treatment, and a step to etch the polysilicon film 76 on the surface of the member 72 after the heat treatment.例文帳に追加

部材のクリーニング方法は、部材７２の表面にポリシリコン膜７６を成膜する工程と、成膜後の部材７２を熱処理することで部材７２からポリシリコン膜７６へ不純物を拡散させる工程と、熱処理後の部材７２表面のポリシリコン膜７６をエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

An insulating film sidewall 11a is formed by carrying out etch-back treatment on the sidewall insulating film before the sidewall insulating films 11b, 11c are patterned, and the dimension W of the insulating sidewall 11a in a direction crossing the side face of a gate electrode 9 is equal to thicknesses T of the sidewall insulating films 11b, 11c.例文帳に追加

絶縁膜サイドウォール１１ａはサイドウォール用絶縁膜１１ｂ，１１ｃがパターニングされる前のサイドウォール用絶縁膜に対してエッチバック処理が施されて形成されたものであってゲート電極９側面に直交する方向の寸法Ｗがサイドウォール用絶縁膜１１ｂ，１１ｃの厚みＴと同じである。 - 特許庁

To provide a composition for etching with which enables to collectively etch a metal-stacked film including an aluminum metal film or an aluminum alloy film and a molybdenum metal film or a molybdenum alloy film formed on a substrate so that the taper angle is less than or equal to 60 degrees, and provide an etching method using the composition.例文帳に追加

基板上に形成されたアルミニウム金属膜又はアルミニウム合金膜とモリブデン金属膜又はモリブデン合金膜との金属積層膜を一括してエッチングでき、テーパー角が６０度以下となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus having a transporting means for transporting a metal sheet as a workpiece and an etching nozzle for spraying an etching liquid to the metal sheet, which can etch very anisotropically with little uneveness even if the workpiece is large, and to provide a method therewith.例文帳に追加

被加工物である金属板を搬送する搬送手段と、金属板にエッチング液をスプレー状に噴射するエッチングノズルとを備えるエッチング装置において、被加工物が大型化した場合でも、高い異方性加工が可能で加工ムラの少ないエッチング加工を行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the case of making raw material gas into plasma to form a thin film, to etch, and the like, atomic beams are irradiated to the raw material gas made into plasma, and atomic radical density in plasma is measured from the difference of atomic beam intensity before and after penetrating plasma to control plasma.例文帳に追加

原料ガスをプラズマ化して被処理体に原料ガス成分の薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理する際に、プラズマ化した原料ガスに対して原子光発生装置から原子光を照射し、プラズマ透過前の基準原子光の強度とプラズマを透過した原子光線の強度に基づいてプラズマ中における原子状ラジカル密度を測定する。 - 特許庁

The semiconductor wafer W includes a thin film formed on a rear face of a surface to which the ion is implanted, and a first cleaning solution that can etch the thin film is fed only to the rear face by a first cleaning solution feeding means 20, and simultaneously a ultrasonic wave is applied to the first cleaning solution.例文帳に追加

本発明は、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されている半導体ウェハＷの前記裏面のみに対し、前記薄膜をエッチングすることのできる第１の洗浄液を第１の洗浄液供給手段２０によって供給し、同時に第１の洗浄液に超音波を印加することを特徴としている。 - 特許庁

One or more of the passivation layers 18, 20 can be removed using interfaces between the layers as the etch stop so that a distance between a gate terminal 38 and the semiconductor device layer 14 can be tightly controlled, where the distance can be made very small to improve device performance and reduce the gate current leakage.例文帳に追加

層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより１つ又はより多くの不動態化層１８、２０を除去し、ゲート端子３８と半導体デバイス層１４間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。 - 特許庁

In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加

分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

When a contact hole CH is formed, a CF group polymer 25 formed in an upper layer of an etching stopper film 23 can be ashed with a gas using hydrogen to remove, and in particular, as it is possible to defend a progress of etching of the etching stopper film 23 with fluorine, it is possible to etch the etching stopper film stably and with superior controllability.例文帳に追加

コンタクトホールＣＨを形成する際に、エッチングストッパ膜２３の上層に形成されたＣＦ系ポリマー２５を水素を用いたガスでアッシングすることにより除去することができ、特にフッ素によるエッチングストッパ膜２３のエッチングの進行をふせぐことができるため、安定かつ制御性よくエッチングストッパ膜のエッチングをすることができる。 - 特許庁

Herein are described methods of making dielectric films containing silicon, such as, but not limited to, silicon oxide, silicon oxycarbide, silicon carbide, and combinations thereof, that exhibit at least one of the following characteristics: low wet etch resistance, a dielectric constant of 6.0 or below, and/or resistance against a high-temperature rapid thermal anneal process.例文帳に追加

ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。 - 特許庁

The post-etch treatment system comprises a vacuum chamber, a radical generation system connected to the vacuum chamber, a radical gas distribution system that is connected to the radical generation system and configured to distribute reactive radicals above a substrate, and a high-temperature pedestal configured to be connected to the vacuum chamber and to support the substrate.例文帳に追加

エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。 - 特許庁

A silicon based conductive material film 6a is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 10, the portion of the conductive material film 6a above the insulating film 3 is removed and planarized by CMP or etch back using the insulating film 3 as a stopper, and then a mask pattern 7 of resist is formed on the conductive material film 6a and the insulating film 3.例文帳に追加

半導体基板１０全面にシリコン系の導電性材料膜６ａを形成し、絶縁膜３をストッパとしたＣＭＰやエッチバックによって、導電性材料膜６ａの絶縁膜３よりも上の部分を除去して平坦化した後、導電性材料膜６ａ及び絶縁膜３上にレジストのマスクパターン７を形成する。 - 特許庁

To provide a novel surface modification method of a fluorine-based resin material which provides adhesive strength comparable to Tetra-Etch (R) treatment and is free from any environmental load and also to provide a laminate obtained by adhering the fluorine-based resin material whose surface layer is modified to a metal material and a laminate of a fluorine-based resin material and a metal material.例文帳に追加

テトラエッチ処理に匹敵する接着強度が得られ、環境負荷が全くない新規なフッ素系樹脂材料の表面改質方法を提供し、併せて表層部を改質したフッ素系樹脂材料と金属材料を接着した積層体及びフッ素系樹脂材料と金属材料の積層体を提供する。 - 特許庁

To obtain a superior semiconductor laser element which is free from edge corrosion when the light output of the semiconductor laser element is increased as to a semiconductor laser element which securely has a current uninjected structure, a semiconductor etchant used to etch compound semiconductor crystal, and a manufacturing method for the semiconductor element using the etchant.例文帳に追加

電流非注入構造を確実に有する半導体レーザ素子、化合物半導体結晶のエッチングに使用する半導体エッチング液およびこれを用いた半導体レーザ素子の製造方法に関するものであり、半導体レーザ素子の光出力を増大させた際、端面腐食が発生しない優れた半導体レーザ素子を得ること。 - 特許庁

The stainless-steel reinforcing bar has a chemical composition of austenitic or austenitic-ferritic stainless steel, ≥295 N/mm^2 0.2% proof stress and austenitic grain size No.5 to 14 and also has a structure composed of step structure or dual structure at the 10% oxalic acid etch test and is manufactured by hot rolling.例文帳に追加

オーステナイト系又はオーステナイト・フェライト系ステンレス鋼の成分組成を有し、０．２％耐力が２９５Ｎ／ｍｍ^2 以上、オーステナイト結晶粒度が粒度番号５〜１４の大きさであり、かつ10％しゅう酸エッチ試験において段状組織又は混合組織のものであることを特徴とする熱間圧延で製造したステンレス鋼鉄筋。 - 特許庁

To prevent wafer damage by a ceramic jig mounted on a chuck table with a work having one of various outer diameters to be held and processed, when the ceramic jig corresponding to the outer diameter of the work is mounted on the chuck table within the chamber of an etching system to hold the work via the jig and then to etch the work.例文帳に追加

種々の外径の被加工物を保持してエッチングするために、エッチング装置のチャンバー内のチャックテーブルに被加工物の外径に対応したセラミックス治具を搭載し、そのセラミックス治具を介して被加工物を保持する場合において、チャックテーブルに搭載されたセラミックス治具と保持しようとする被加工物とを対応させることにより、ウェーハの損傷を防止する。 - 特許庁

In a periphery part cleaning box 300 for cleaning selectively the periphery part of the wafer W, a second cleaning-liquid feeding nozzle, which feeds an etching liquid to remove slurry from the periphery part of the wafer and to etch an unnecessary thin film around the periphery part, is located around the periphery part of upper/lower surfaces of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのエッチング液を供給するための第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar cell includes a first step to form a dielectric film on the main surface of a semiconductor substrate, a second step to screen-print a masking paste containing a titanium oxide precursor on the dielectric film, and a third step to etch the exposed dielectric film after the screen-printing and make the main surface of the semiconductor substrate expose partly.例文帳に追加

半導体基板の主面に誘電体膜を形成する第１工程と、誘電体膜上に酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストをスクリーン印刷する第２工程と、スクリーン印刷後に露出している誘電体膜の部分をエッチングして半導体基板の主面の一部を露出させる第３工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

This method for fabricating an acoustic resonator arranged on a substrate (202) provided with a surface (204) includes a process for etching a depression part (206) on the surface (204), a process for filling the depression part (206) with sacrificial material, a process for forming an acoustic resonator provided with an etch hole (220) on the substrate and a process for subsequently removing the sacrificial material.例文帳に追加

表面（２０４）を備えた基板（２０２）上に配置された音響共振器を製造する方法は、表面（２０４）に凹部（２０６）をエッチングする工程と、凹部（２０６）を犠牲材料で充填する工程と、エッチング孔（２２０）を備えた音響共振器を基板上に形成する工程と、その後犠牲材料を除去する工程とを含む。 - 特許庁

In the processing steps related to a glass substrate processing step, a lawful means for laminating the laminated sheet for etching a glass substrate is used, a roller pressing is applied, by utilizing a processed mold to etch the stacked sheets, the laminated sheet for a glass substrate which enables a half cut blanking to adhere to the glass substrate is obtained.例文帳に追加

ガラス基板に係わる加工工程において、ガラス基板へのエッチング処理する為の、積層シートのラミネート化する合法的手段を用い、ローラー圧着をかけ、これら重ね合ったシートにエッチング処理となる加工された金型を利用し、これをハーフカット打ち抜きしたものをガラス基板に貼り得るガラス基板用積層シートが得られるものである。 - 特許庁

The nozzle unit is disposed in plural numbers in an perpendicularly upper side of the substrate, each being equipped with a specific housing part, a slit for passing the etching liquid, and a guide part so as to allow the etching liquid supplied from the nozzle to etch the substrate surface while spilling and flowing, and with a buffer barrier wall to prevent an excessive flow of the etching liquid.例文帳に追加

ここで、前記ノズル部は、基板の垂直上部側に複数設置され、また、ノズル部から供給されるエッチング液があふれて流れながら基板の表面に沿ってエッチングがなされるように特有の収容部、エッチング液通過スリット及びガイド部を備え、エッチング液の過度な流出を防ぐための緩衝隔壁を備える。 - 特許庁

A protective layer is formed on a wiring part 3 by a procedure, containing a process for electrodepositing electrodeposition resin by covering the wiring part 3, a process for partially forming a resist layer 5 on a substrate 1 which has the wiring part 3 on an insulating layer 2 where an electrodeposition resin layer 4 is formed and a process for etch-processing the substrate, where the resist layer 5 is formed in part.例文帳に追加

配線部３を覆って電着樹脂を電着する工程、電着樹脂層４が形成された絶縁層２上の配線部３を有する基板１に部分的にレジスト層５を形成する工程、部分的にレジスト層５が形成された基板をエッチング処理する工程を含む手順により配線部３の上に保護層を形成する。 - 特許庁

To etch the surface layer section of a silicon wafer by vapor generated from a solution at normal temperatures, and to measure metal impurities at the surface layer section of the silicon wafer easily and precisely, by analyzing droplets, by allowing the part of the surface layer of the silicon wafer to be measured to be close to and face the silicon solution.例文帳に追加

この発明は、シリコンウェーハ表層の測定しようとする部分を、シリコン溶解液と近接させて対面させることによって、常温で溶解液から発生する蒸気によりシリコンウェーハの表層部をエッチングし、その液滴を分析して簡便でかつ高精度にシリコンウェーハの表層部の金属不純物を測定しようとするものである。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a GaAs layer 2 made of a material easier to etch than an n-type GaN layer 6 on a Si substrate 1, a step of forming the n-type GaN layer 6 on the GaAs layer 2, and a step of etching the GaAs layer 2 to remove it, thereby separating the n-type GaN layer 6 from the Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ｎ型ＧａＮ層６に比べてエッチングされやすい材料からなるＧａＡｓ層２を形成する工程と、ＧａＡｓ層２上にｎ型ＧａＮ層６を形成する工程と、その後、ＧａＡｓ層２をエッチングにより除去することによって、Ｓｉ基板１とｎ型ＧａＮ層６とを分離する工程とを備えている。 - 特許庁

The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.例文帳に追加

基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加

表面高さが低い下部拡散層２４と表面高さが高い下部配線層２６が、表面が平坦な層間絶縁膜３８に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層２４と下部配線層２６に達するコンタクトホール３６と３８を、表面高さが高い下部配線層２６を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

The mask cleaning method includes the steps of: preparing a mask having a mask film on its surface with the foreign substance including silicon oxide deposited thereon; holding the mask at a temperature, at which an etching rate to the foreign substance is higher than an etching rate to the mask film, in a cleaning gas including dilute hydrofluoric acid vapor; and supplying the washing gas to the surface of the mask to etch the foreign substance.例文帳に追加

マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁

The optical coupling apparatus includes a substrate 10 having a photodetector 30 mounted on a predetermined area thereof; and the etch structure complex formed in the substrate 10 and having the total reflection surface 51 that is total-reflection coated to have a first predetermined angle, and the anti-reflection surface 52 that is anti-reflection coated to have a second predetermined angle.例文帳に追加

本発明に係る光結合装置は、所定の領域上に光検出器３０が装着される基板１０と、基板１０の内部に形成され、第１の所定角をもつように全反射コーティングが施された全反射面５１および第２の所定角をもつように無反射コーティングが施された無反射面５２を備えたエッチング構造複合体とを含む。 - 特許庁

The method further comprises providing a probe substrate defining a planar surface and a second crystal plane identical to the first crystal plane and positioning the probe substrate so that the first and the second crystal planes are positioned identically when forming the probe from the probe substrate using the specific etch reagent, and the probe defines congruent surfaces to the first sidewall and the second sidewall.例文帳に追加

この方法は、平坦面と、第１の結晶面と同一の第２の結晶面とを形成するプローブ基板を配設することと、特定の腐食剤を使用してプローブ基板からプローブを形成する際に、第１および第２の結晶面が全く同じに配置され、プローブが第１の側壁及び第２の側壁と一致する表面を形成するようにプローブ基板を配置することとをさらに含む。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by means of steps of patterning the conductor layer 3, depositing a coating material 4 gently along the pattern change of the conductor layer 3, and transferring the profile of the coating material 4 by an etch-back step to make the corner parts of the conductor layer 3 into a round shape or an approximately straight-line shape.例文帳に追加

また、導電体層３をパターニングする工程と、導電体層３の形状変化に緩やかに追従しながら形状変化する被覆材４を被覆形成する工程と、被覆材４の形状をエッチバックにより導電体層３に転写して、導電体層３のコーナー部をラウンド形状又は略直線形状とする工程とを有して、上記半導体装置を製造する。 - 特許庁

To deposit a film substantially on the same level from an imaging section to a peripheral circuit by reducing stepped portions on a boundary of the imaging section and the peripheral circuit, even if a wiring layer in the peripheral circuit of a solid-state imaging device is multilayered, and to prevent a dielectric breakdown without exposing a wiring pattern during the etch-back of an upper layer film to improve sensitivity characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子の周辺回路部における配線層が多層化した場合でも、撮像部と周辺回路部との境界部分における上層膜の段差をなくすことで、上層膜を撮像部から周辺回路部に亘って略同じ高さに成膜し、また、上層膜のエッチバック時に配線パターンを露出せずに絶縁破壊を防止し、感度特性を良好にすること。 - 特許庁

To provide a flash memory and a method of manufacturing the same, wherein a process is simplified and problems which may occur during progress of the process are prevented, by securing common source characteristics of the same Rs (sheet resistance) or lower without advancing a field oxide etch step when advancing an RCS (Recessed Common Source) process.例文帳に追加

ＲＣＳ（Ｒｅｃｅｓｓｅｄ Ｃｏｍｍｏｎ Ｓｏｕｒｃｅ）工程を進行するとき、フィールドオキサイドエッチングステップ（Ｆｉｅｌｄ ｏｘｉｄｅ ｅｔｃｈ ｓｔｅｐ）を進行せずに、同一のＲｓ（面抵抗）以下の共通ソース特性を確保することで、工程を単純化するとともに、工程進行中に発生しうる問題を防止できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern forming method for group III nitride semiconductor substrate includes steps of irradiating a first area A of a group III nitride semiconductor substrate 100 with laser to convert the first area A having nitrogen polarity to a group III element polarity, and using the first area A converted to the group III element polarity by the laser irradiation as a mask to wet-etch a second area B.例文帳に追加

本発明のIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法は、III族窒化物半導体基板１００の第１領域Ａ上にレーザを照射して、窒素極性の第１領域ＡをIII族元素極性に変換する段階と、レーザが照射されてIII族元素極性に変換された第１領域Ａをマスクとして利用して第２領域Ｂをウェットエッチングする段階とを含んでいる。 - 特許庁

At the time of plasma-etching a film of hard-to-etch material formed on a substrate using a mask formed on the film, the film is etched using a mask having a sidewall angling at less than 90° relative to the surface of the substrate so that the etched film has a taper angle relative to the surface of the substrate not smaller than the taper angle of the mask.例文帳に追加

基板上に形成された難エッチング材の膜とその上に形成したマスクを用いて、前記膜をプラズマを用いてエッチングする際に、前記マスクの側壁が前記基板の表面に対する角度が９０度未満のマスクを用いてエッチングし、それによりエッチング後の上記膜の前記基板の表面に対するテーパー角度を上記マスクのテーパー角度以上とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the image sensor includes steps of: forming an insulating film on a substrate of a logic circuit region and a pixel region; forming a photoresist pattern having a thickness which changes smaller from the logic circuit region toward the pixel region in boundary portions 330 of the pixel region 310 and the logic circuit region 320; and carrying out etch-back of the insulating film.例文帳に追加

イメージセンサの製造方法は、ロジック回路領域とピクセル領域との基板上に絶縁膜を形成するステップと、ピクセル領域３１０とロジック回路領域３２０との境界部分３３０において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、小さな厚さを有するフォトレジストパターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチバックするステップとを含む。 - 特許庁