「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This manufacturing method includes a main etching step to etch by a plasma an area which is not covered with an organic material of a film made of material containing silicon, until the surface of the oxidized film of a base material is exposed after thorough removal, and an over-etching step to further etch the surface of the exposed oxidized film by the plasma, in the separate chambers respectively.例文帳に追加

シリコンを含む材料の膜の有機材料によって被覆されていない領域を、概略除去されて下地の酸化膜表面が露出するまでプラズマエッチングするメインエッチングと、酸化膜が露出された表面をさらにプラズマエッチングするオーバーエッチングとを各々異なる別々のチャンバー内で行うことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

However, since the etch rate of the region irradiated with ultraviolet light is higher than that of the region not irradiated with ultraviolet light, the etch rate of the region not irradiated with ultraviolet light is lower than that of the region irradiated with ultraviolet light, hardly causing side etching to the semiconductor thin film 2 below the ultraviolet light shielding film 3.例文帳に追加

しかし、紫外光照射領域のエッチング速度が紫外光非照射領域のエッチング速度よりも速くなるので、紫外光照射領域のエッチング速度に対して紫外光非照射領域のエッチング速度が遅くなり、これにより紫外光遮蔽膜３下の半導体薄膜２にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。 - 特許庁

After etching the first mask 5 and the etch stopper film 3, a wiring groove 11 is formed on the second low dielectric constant film 4 by etching with the second and first masks 6, 5 as a mask, and a connecting hole 12 that is connected with the low layer wiring 1 is formed on the first low dielectric constant film 2 by etching with the etch stopper film 3 as a mask.例文帳に追加

第１のマスク５及びエッチストッパ膜３のエッチング後、第２及び第１のマスク６，５をマスクとしたエッチングにより第２の低誘電率膜４に配線溝１１を形成するとともに、エッチストッパ膜３をマスクとしたエッチングにより第１の低誘電率膜２に下層配線１と接続する接続孔１２を形成する。 - 特許庁

The combined process involves texturing the non-conductive substrate with a cobalt etch and applying a sulfide to the textured non- conductive substrate to provide an electrically conductive surface on the non- conductive substrate.例文帳に追加

非導電性基体にコバルトエッチングでテクスチャーを付け、続いてスルフィドをテクスチャーを付けた非導電性基体へ施用して、非導電性基体上に導電性表面を提供することを含む。 - 特許庁

In this regard, the etch release process is selective or preferential to the material(s) securing the mechanical structures 20a, 20b, 20c in relation to the material comprising the anchors 30a, 30b, 30c.例文帳に追加

エッチング解放プロセスは、機械構造２０ａ、２０ｂ、２０ｃをアンカー３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する材料に固定する材料に対し、選択的又は優先的である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a bit line landing pad and a borderless contact with a localized etch-stop material layer and has a relatively dense structure, and a fabricating method thereof.例文帳に追加

局部エッチング阻止物質層を設けたビットラインランディングパッドと非境界コンタクトとを有する、比較的密集された構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A single-crystal sapphire substrate formed with projections/depressions having etch pits is manufactured by wet-etching with a hot phosphoric acid or the like by use of a protective film which is mainly composed of SiO_2 as a mask.例文帳に追加

ＳｉＯ_２を主成分とする保護膜をマスクとして、熱リン酸等でウェットエッチングすることにより、エッチピットを有する凹凸を備えた単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

An ICP coil 5 which generates plasma in the chamber 1 to etch a wafer 3 is provided on the upper surface of a top plate 7, namely, close to the external wall surface of the chamber 1.例文帳に追加

天板７の上面つまりチャンバー１の外壁面に近接するように、ウェハ３をエッチングするためのプラズマをチャンバー１の内部に発生させるＩＣＰコイル５が設けられている。 - 特許庁

A first low dielectric constant film 2, an etch stopper film 3 and a second low dielectric constant film 4 are laminated on a low layer wiring 1 and further, a first mask 5 and a second mask 6 are laminated.例文帳に追加

下層配線１上に第１の低誘電率膜２とエッチストッパ膜３と第２の低誘電率膜４を積層し、さらに第１のマスク５と第２のマスク６を積層する。 - 特許庁

To enable formation of a resistor which has a required resistance within an etch-formed circuit pattern.例文帳に追加

所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする抵抗層接合体の製造方法、および抵抗層接合体を用いた部品の製造方法の提供。 - 特許庁

High aspect ratio contact openings are etched while preventing bowing or bending of etch profile by forming a highly conductive thin film on the side wall of each contact opening.例文帳に追加

各コンタクト開口部の側壁上に導電性の高い薄膜を形成することでエッチプロファイルの湾曲又は屈曲を防止しながら高アスペクト比のコンタクト開口部をエッチングする。 - 特許庁

Since no etch step is required in forming the air gaps within the photo-patternable low k material, the methods disclosed in this invention provide highly reliable interconnect structures.例文帳に追加

光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 - 特許庁

The interlaminar insulating film of the scribe region is eliminated after the metal film has been formed, so that the generation of the foreign substance resultant from etch residues can be prevented.例文帳に追加

本発明の構成によれば、金属膜の形成が完了した後にスクライブ領域の層間絶縁膜を除去するのでエッチ残りによる異物の発生を防止することができる。 - 特許庁

A selective etch material such as HF is used to remove the remaining dielectric layer 23 from beneath the suspended platform 17 and the flexural member 15 to free the suspended platform and the flexural member 15.例文帳に追加

HFなどの選択的腐食剤を用いて懸架プラットフォーム17および可撓部材15の下から残った誘電体層23を除去し、懸架プラットフォームおよび可撓部材15を分離する。 - 特許庁

A transparent film 12 having a desired pattern is formed on a substrate 10 having a transparent electrode film 11 by a printing method, and the transparent film 12 is used as a mask to etch the transparent electrode film 11.例文帳に追加

透明電極膜１１を備えた基板１０上に、印刷法により所望のパターンの透明膜１２を形成し、透明膜１２をマスクとして、透明電極膜１１をエッチングする。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device for improving manufacturing yield without damaging the surface of a semiconductor region in a flattening etch back process.例文帳に追加

平坦化のエッチバック工程で半導体領域の表面に損傷を与えることがなく、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造方法の実現を課題とする。 - 特許庁

The spring set provides planar motion while reducing undesired out of plane motion, which makes MEMS devices substantially insensitive to the process-induced etch angle variations of the spring elements.例文帳に追加

該バネセットは、面運動を提供し、同時に、望ましくない面外運動を低減し、ＭＥＭＳデバイスを、該バネ要素のプロセス誘発エッチング角度ばらつきに対し実質的に鈍感にする。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To simplify the device and reduce the cost by increasing the utilization efficiency of negative ions in plasma thereby enabling rapid etching even of an etch-resistant material such as ferroelectric material or precious metal.例文帳に追加

プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。 - 特許庁

In etching by a subtractive method, a wiring having an approximately rectangular cross-sectional shape is formed by an anisotropic etching where an etch factor is greater than 5.例文帳に追加

サブトラクティブ法におけるエッチングを、エッチングファクターの値が５より大きい異方性のエッチングにして略矩形状の断面形状を有する配線を形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

When used with a dual beam system that provides the capability to etch a layer from the sample, the system can be used for three-dimensional x-ray mapping.例文帳に追加

エッチングによって試料から層を除去する能力を提供するデュアル・ビーム・システムとともに使用すると、本発明のシステムを、３次元Ｘ線マッピングに使用することができる。 - 特許庁

These etch-stop material layers allow outgassing of impurities during subsequent processes and serve as an alignment target when forming an upper contact hole 229a.例文帳に追加

これらのエッチング阻止物質層は、続く製造工程中に不純物のガス抜けを許す、とともに上部のコンタクトホール２２９ａ、２２９ｂを形成する際に整列ターゲットとしての役割をする。 - 特許庁

To provide an etching method by which etch pits can be produced easily and safely, a crystallinity evaluating method using the etching method, and a semiconductor device manufacturing method using the crystallinity evaluating method.例文帳に追加

簡単かつ安全にエッチピットを出すことができるエッチング方法およびそれを用いた結晶評価方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring groove 11 is then formed by etching using a second mask 10, and the opening which reaches the wiring groove and the etch stopper film, is cleaned using a cleaning liquid.例文帳に追加

次に、第２のマスク１０を用いたエッチングにより、配線溝１１を形成した後、配線溝及びエッチストッパー膜に達する開口部に対して洗浄液を用いて洗浄する。 - 特許庁

To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.例文帳に追加

２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。 - 特許庁

The wiring pattern and the via pattern are used to selectively etch the insulating layer 23 and form a via hole in the insulating layer as well as a wiring groove in the upper part of the via hole.例文帳に追加

配線パターンとビアパターンとを用いて前記絶縁層２３を選択的にエッチングし、絶縁層にビアホールを形成するとともに、該ビアホールの上部に配線溝を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma device which can produce a plasma which is best suited to every plasma condition required for each of products and to uniformly etch a object to be processed.例文帳に追加

本発明は製品毎に要求されるプラズマ条件に対して個々に好適なプラズマを生成させて均一にエッチングすることができるプラズマ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

In particular, the formed bit line trenches have a uniform width and uniform spacing to adjacent bit lines because connection holes are formed only directly beneath the etch mask that defines the bit lines.例文帳に追加

特に、接続孔は、ビット線を規定するエッチマスク直下にのみ形成されるので、形成されるビット線トレンチは、均一な幅になり、かつ隣接するビット線と均一な間隙になる。 - 特許庁

After removal of the silicon nitride film 113, a thermal oxidation film 117 and a photo resist 119 are deposited and subjected to a full-surface etch-back process to expose the thermal oxidation film 117 on the element region.例文帳に追加

シリコン窒化膜１１３を除去後、熱酸化膜１１７及びフォトレジスト１１９を堆積し、全面エッチバックを行って、素子領域上の熱酸化膜１１７を露出する。 - 特許庁

Resist 20 is coated on the substrate, two ridge groove parts are opened to etch into grooves, the resist 20 around an element is removed to selectively remove the contact layer, and then the resist 20 is removed.例文帳に追加

レジスト20を塗布し、２本のリッジ溝部分を開口してエッチングにより溝を形成した後、続いて素子周辺のレジスト20を除去してコンタクト層を選択的に除去し、レジスト20を剥離する。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

Then an antireflective film and a photoresist pattern are formed on the silicon oxide film 30 and the photoresist pattern and antireflective film are used as masks to etch the silicon oxide film 30.例文帳に追加

それから、酸化シリコン膜３０上に反射防止膜およびフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンおよび反射防止膜をエッチングマスクとして用いて酸化シリコン膜３０をエッチングする。 - 特許庁

The selectivity of the etch rates of the material within the cavity relative to the material defining the walls of the cavity permits accurate control of the length of a free end of the cantilevered beam.例文帳に追加

該凹所の壁を画定する物質と相対的に該凹所を充填する物質のエッチレートの選択性が片持ち梁型ビームの自由端部の長さを正確に制御することを可能とさせる。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁

To prevent a semiconductor substrate from etched when the deviation in stacking takes place between a control gate electrode and an element separation insulating film or with a control gate side etch at floating gate etching.例文帳に追加

フローティングゲートエッチング時のコントロールゲートサイドエッチや、またコントロールゲート電極と素子分離絶縁膜との重ね合わせずれが発生した場合に、半導体基板がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

To provide an etching method which can obtain a smooth surface and can achieve a sufficiently high etch selectivity, and to provide a very accurate inspection method of silicon wafers.例文帳に追加

平滑な表面を得ることができ、かつ十分なエッチング選択比を有するエッチング方法を実現するとともに、精度の高いシリコンウェーハの検査方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a multiplayer printed wiring board having the hole filling base via structure that can prevent etch back of a metal layer at the internal side of through holes of the base board and has excellent flatness of additive pattern.例文帳に追加

ベース基板のスルーホールの内側において金属層のエッチバックを防止できて、アディティブパターンの平坦性に優れた、穴埋めベースビア構造を有する多層プリント配線基板を提供する。 - 特許庁

The boundary between the inner and outer regions is taken as a portion where the level of consumption changes when the focus ring is incorporated in a plasma etcher to etch a substrate with plasma.例文帳に追加

内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。 - 特許庁

It is thus not necessary to etch the surface protecting film on the fuse in advance prior to blowing of the fuse, so that a range of film thickness which is proper and will not obstruct blowing of the fuse will remain.例文帳に追加

ヒューズを切断する前に予めヒューズ上の表面保護膜に対して、ヒューズの切断に支障の無い範囲の膜厚が残るようにエッチング処理を施す必要がない。 - 特許庁

The molding sacrifice insulating film, the etch-end films and the supporting insulating film are patterned in this order, and a mold that induces a storage electrode to have a three-dimensional form is formed.例文帳に追加

モールド用犠牲絶縁膜、蝕刻終了膜及び支持用絶縁膜を順次にパターニングし、ストレージ電極が３次元的な形状を持つように誘導するモールドを形成する。 - 特許庁

In the method for producing a non-magnetic garnet substrate, only the bevel face of a single crystal wafer is coated with an etching solution to selectively etch the bevel face.例文帳に追加

単結晶ウエハのベベル面のみにエッチング液を塗布することによって、該ベベル面を選択的にエッチングすることを特徴とする非磁性ガーネット基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

During use, the mask 110 is positioned in close proximity or in contact with the substrate 105 so as to expose only portions of the substrate 105 to processing, e.g., deposition, sputtering or etch.例文帳に追加

使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。 - 特許庁

To prevent etch residue by selectively implanting ions into regions of a film which is directly above the lower sides of steps covered with this film prior to etching and then etching the film.例文帳に追加

配線や電極等のパターンによって形成された基板上の段差部を覆う膜をエッチングする際に、エッチング残りが残るのを防止した、エッチング方法の提供が望まれている。 - 特許庁

To electrolytically etch the surface of a disk extremely precisely with a single disk processing by supplying an electrolytic liquid from a nozzle to the disk while driving to rotate the disk by a spindle.例文帳に追加

ディスクをスピンドルにより回転駆動する間に、電解液をノズルからディスクに供給することにより枚葉処理で、ディスクの表面を極めて高精度に電解エッチング加工を行う。 - 特許庁

To selectively etch a group III nitride semiconductor by using a photo-electrochemical etching having advantages such as inexpensiveness of an etching apparatus itself, inexpensive running cost and excellent mass productivity.例文帳に追加

エッチング装置自体が安価であり、ランニングコストが低く、さらに、量産性に有利であるなどの利点を有する光電気化学エッチングによって、ＩＩＩ族窒化物半導体を選択エッチングする。 - 特許庁