「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The inter-layer insulation film is formed on the aluminum wires, an embedding film is coated on a step difference to fill in the step difference, and etch-back is applied to them by using the reactant gas to expose the upper part of the first layer aluminum wires.例文帳に追加

その上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分を埋め込み膜で塗布して段差を埋め、更にそれらを反応ガスを用いてエッチバックし１層目アルミ配線上部を露出させる。 - 特許庁

When the first material film and the small particles are formed of different materials, the first material film and the small particles are etched under conditions that make their etch rate approximately equal.例文帳に追加

ここで、第１の材料膜と微粒子とが異なる材料で構成される場合には、第１の材料膜と微粒子は、両者のエッチング速度が略同一となる条件下でエッチングが行われる。 - 特許庁

The method and apparatus for fabricating the flat panel display element include patterning a thin film of the flat panel display element by utilizing a soft mold formed with a repulsion layer having high repulsive force to an etch-resist on the surface.例文帳に追加

本発明の平板表示素子の製造方法及び装置は、エッチレジストとの反発力が大きい反発層が表面に形成されたソフトモールドを利用して平板表示素子の薄膜をパターニングする。 - 特許庁

In succession, etchant L (high-density hydrofluoric acid water solution) is discharged out near the center of the lower surface of the wafer W for a certain time to etch the thin film Fs for beveling (shown in Fig. (a) and (b)).例文帳に追加

続いて、ウエハＷ下面中心部付近に向けて、一定時間エッチング液Ｌ（高濃度のフッ酸水溶液）が吐出されて、ウエハＷ上の薄膜Ｆｓがベベルエッチングされる（図２（ａ）（ｂ））。 - 特許庁

Thus, the method prevents the first filling material 6 at the central part of the trench 5 from being etched with precedence and can more flatten the surface of the filling material by etch back.例文帳に追加

これにより、第１の埋め込み材料６のうちトレンチ５の中央部に位置する部分が優先的にエッチングされることを防止でき、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化することができる。 - 特許庁

The invention relates to the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit, in particular, the use method of alternate etch stop in dual damascene mutual connection improving the adhesion between the low dielectric constant organic substances.例文帳に追加

本発明は半導体集積回路の製造方法、特に低誘電率有機物質間の密着性を改良するデュアルダマシン相互接続における交互のエッチストップの使用方法に関する。 - 特許庁

To etch a silicon nitride film at high speed and to suppress etching of a substrate of silicon nitride while preventing thermal damage to an object to be processed formed by coating the substrate with the silicon nitride film to be etched.例文帳に追加

酸化シリコンの下地材にエッチング対象の窒化シリコン膜が被膜された被処理物の熱損傷を防止しながら、窒化シリコン膜を高速でエッチングし、かつ下地材のエッチングを抑制する。 - 特許庁

A damascene feature is etched in the organic planarizing layer through a process for supplying CO_2 containing etching gas and generating plasma to etch the planarizing layer from the CO_2 containing etching gas.例文帳に追加

ＣＯ_2 含有エッチングガスを提供すること、および該ＣＯ_2 含有エッチングガスから、有機平坦化層をエッチングするプラズマを生成すること、を含むプロセスによって、有機平坦化層内に、特徴がエッチングされる。 - 特許庁

The present invention also discloses a process of depositing a silicon oxide film, or silicon nitride film having an enhanced etch resistance, the process including using an organosilane precursor and a chemical modifier.例文帳に追加

本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 - 特許庁

This method can be used entirely for processes of removing nitride films only selectively by utilizing particularly large etch rate for the nitride film of water of a quasi-critical state, in a wide sense besides a liquid state.例文帳に追加

広義の亜臨界状態かつ液体状態の水の，シリコン窒化膜に対するエッチレートが特に大きいことを利用して、窒化膜のみを選択的に除去する工程全般に利用することができる。 - 特許庁

The impurities may be introduced into the interface by plasma etch treatment or alternatively a thermal treatment followed by an anhydrous ammonia and hydrogen fluoride treatment, of a base material composing the base region.例文帳に追加

それらの不純物は、ベース領域を構成するベース材料のプラズマ・エッチング処理または代わりに無水アンモニアおよびフッ化水素処理が後に続く熱処理によって界面に導入することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a printed wiring board, in which conductors having a high etch factor can be obtained in fine circuit pattern using a subtractive method.例文帳に追加

サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法においても、回路パターンが微細でエッチファクタの高い導体を得ることができるプリント配線板の製造方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ceramic substrate having a complicated shape such as a half-etch structure having a three-dimensional pattern inside one sheet by using a photosensitive ceramic green sheet.例文帳に追加

本発明は、感光性セラミックスグリーンシートを用いた、１枚のシート内に３次元のパターンを有するハーフエッチ構造などの複雑な形状を有するセラミックス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the insulator is irradiated with positive charge cation beam 5 in very small quantities small enough not to etch atoms present on the surface of the insulator and subsequently irradiated with electron beam 3 to analyze the elements of the insulator.例文帳に追加

上記絶縁物の表面に、この表面に存在する原子がエッチングされない程度の微量の正電荷の陽イオンビーム５を照射した後に、電子線３を照射して元素分析を行う。 - 特許庁

The method further includes evacuating the lower process zone, generating a plasma in an external chamber from a polymer etch precursor gas, and introducing a by-product from the plasma into the lower process zone.例文帳に追加

本発明は更に下方処理ゾーンから排気し、重合体エッチング前駆体ガスから外部チャンバ内でプラズマを発生させ、プラズマからの副生成物を下方処理ゾーンへと導入することを含む。 - 特許庁

Then, a photoresist formed over an insulating film is irradiated with the laser beam which is made to diverge into the plurality of laser beams, and the photoresist irradiated with the laser beam is developed so as to selectively etch the insulating film.例文帳に追加

そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 - 特許庁

A borderless contact process and a self-aligned contact process are simultaneously carried out by assuring an adequate width between the gate electrodes 118a and 118b and by forming contact holes after forming the etch preventing film.例文帳に追加

ゲート電極１１８ａ、１１８ｂ間の幅を十分に確保し、エッチング防止膜を形成した後コンタクトホールを形成することで、ボーダーレスコンタクト工程と自己整列コンタクト工程を同時に行う。 - 特許庁

Further, the 2nd transparent conductive film 12 is selectively etched, so a wet etching process using chemical liquid to selectively etch the 2nd transparent conductive film 12 is added to prevent the 2nd transparent conductive film 12 from peeling.例文帳に追加

また、第２の透明導電性膜１２を選択的にエッチングする薬液でのウェットエッチング処理を追加することにより、第２の透明導電性膜１２の膜剥がれを防止することができる。 - 特許庁

A gas having an improved etch selectivity containing a carbon fluoride, an oxygen and hydrocarbon fluoride is employed to suppress the etching of the silicon oxide film 21 and to remove the exposed silicon nitride pattern 25.例文帳に追加

フッ化炭素、酸素およびフッ化炭化水素を含むエッチング選択比を高めたガスを用いることによりシリコン酸化膜２１のエッチングを抑制しつゝ露出した窒化シリコンパターン２５を除去する。 - 特許庁

The etch stop substance is a silicon containing substance, and then converted into the low dielectric constant substance (k=3, 5-5), which becomes silicon oxide rich in silicon after ultraviolet irradiation, silylation and oxygen plasma.例文帳に追加

このエッチストップ物質はシリコン含有物質であり、そして低誘電率物質（ｋ＝３．５〜５）に変換され、この物質は紫外線照射及びシリル化、酸素プラズマの後にシリコンに富む酸化シリコンになる。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

A diffraction device having a specified three-dimensional diffraction grating formed in the object is produced by irradiating the object with energy beams through a stencil mask having a specified form (pattern) to etch.例文帳に追加

所定の形状（パターン）を有するステンシルマスクを介し、エネルギービームを被加工物に照射してエッチングすると、所定の３次元形状の回折格子を被加工物に形成させた回折素子が製造できる。 - 特許庁

Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.例文帳に追加

酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁

To overcome limitations and disadvantages by providing compositions and processes for removing polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues, particularly from ICs, WLP circuits on wafer substrates, and PCBs.例文帳に追加

本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor single crystal by which EPD (etch pit density) can be further reduced by grasping the exact position of the crystal growth interface in a crucible and controlling the position of a temperature gradient region relative to the crucible in single crystal growth by a vertical boat method, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

縦型ボート法の単結晶成長において，るつぼ内の結晶成長界面の正確な位置を把握し，るつぼに対する温度勾配領域の位置調整を行う。 - 特許庁

Next, an SiO_2 film 15 of about 0.5μm in thickness is formed to etch the SiO_2 film 15 on other portions (13b) than the minute holes and the GaN layer 18 is regrown till its surface gets flat.例文帳に追加

次に、厚さ０．５μｍ程度のＳｉＯ_２膜１５を成膜し、微細な穴以外部分（１３ｂ）上のＳｉＯ_２膜１５をエッチングし、表面が平坦になるまでＧａＮ層１８を再成長する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of realizing an etching high in aspect ratio and high in precision, wherein the masking film is very thin and the base film (etch-stop film) has a high selection ratio.例文帳に追加

マスク膜厚の薄い高アスペクト比のエッチングにおいて、下地膜（エッチングストッパ膜）の高選択比で高精度な高アスペクト比のエッチングを実現可能な処理条件とするプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film, which can form a resist lower layer film having a function as an antireflective coating, and is improved in pattern transfer performance, etch selectivity and inter-mixing preventive effect.例文帳に追加

反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能、エッチング選択性、及びインターミキシング防止効果が良好なレジスト下層膜を形成可能な下層膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

A pinhole 6 generated in an area exposed in the opening on the etch stopper film is filled with a deposit 7, and the opening where the pinhole is exposed by filling with the deposit, is then cleaned using a cleaning liquid.例文帳に追加

エッチストッパー膜における開口部に露出した領域に生じたピンホール６を堆積物７で埋め込んだ後、堆積物が埋め込まれピンホールが露出した開口部に対して、洗浄液を用いて洗浄を行う。 - 特許庁

As shown in Fig. (e), a resist mask 107 is formed on a surface formed with the bump 104b, and it is employed as a mask to etch a wiring forming metal layer 101, and as shown in Fig. (f), wiring 108 is formed.例文帳に追加

図１（ｅ）に示すように、バンプ１０４ｂが形成された面にレジストマスク１０７を形成し、それをマスクとして配線形成用金属層１０１をエッチングして、図１（ｆ）に示すように、配線１０８を形成する。 - 特許庁

The materials of the sacrifice and target layers are selected so that the etching between two times of exposure and that of the target layer have alternate selectivity for each etching step to provide a suitable etch stop layer.例文帳に追加

適したエッチ・ストップ層を設けるために、犠牲マスク層と標的層の材料は、各エッチング・ステップについて、２回の露光の間のエッチング及び標的層のエッチングが交互の選択性を有するように選択される。 - 特許庁

In some embodiments, the thickness of the cavity is maintained constant by incorporating an etching stop layer into the device and then thinning the layer of the device by a process which terminates on the etch-stop layer.例文帳に追加

幾つかの実施形態においは、当該装置にエッチング停止層を組込み、次いで該エッチング停止層上で停止するプロセスによって、当該装置の層を薄膜化することにより、前記キャビティの厚さは一定に維持される。 - 特許庁

To etch a flexible substrate in such a manner that the entire surface thereof receives an etching effect uniformly over the entire surface of the substrate by improving a technique of etching the flexible substrate by spraying an etchant to the flexible substrate 3 from a nozzle 7 while conveying the substrate 3.例文帳に追加

フレキシブル基板３を搬送しつつノズル７からエッチング液を吹きつけて該フレキシブル基板をエッチングする技術を改良して、フレキシブル基板の全面が均一にエッチング作用を受けるようにする。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for a semiconductor device which can completely remove fine residues, generated on tungsten and insulating film after the formation of a tungsten wiring by an etch-back method, and to provide a safe and superior environment.例文帳に追加

エッチバック法によるタングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去でき、また、安全で環境面でも優れた半導体装置用洗浄剤を提供すること。 - 特許庁

By conducting an etching for forming a concave S by heating in an atmosphere containing hydrogen and using a layer containing Al as an etch-stopping layer 103, controllability of the etching, and yield, can be enhanced without concern on dispersion of etching depth or the like.例文帳に追加

また、水素を含む雰囲気中で加熱しＡｌを含む層をエッチングストップ層１０３として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。 - 特許庁

A treating gas is made to flow into a flow path 15 in a plasma generating section 10 of a glass end treating apparatus 1 and plasma is generated in the flow path 15 to provide ability to etch or dissolve the glass plate 9 to the treating gas.例文帳に追加

ガラス端部処理装置１のプラズマ生成部１０の流路１５に処理ガスを流すとともに、流路１５内でプラズマを生成して、処理ガスにガラス板９に対するエッチング能又は溶解能を付与する。 - 特許庁

In the process of forming the concave portions, etching is conducted, in such a manner that deposition is suppressed by making the etch rate of the substrate from half to twice the etching rate of the mask in a final stage of etching and then etching is finished.例文帳に追加

凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。 - 特許庁

Since the etch pit is hardly caused on the polishing face of the GaN crystal and an excellent polishing face is obtained, an extremely excellent GaN film can be obtained by epitaxially growing a GaN film from the polishing face.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にＧａＮ膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なＧａＮ膜を得ることができる。 - 特許庁

A channel layer is formed so that the facet surface of a polygonal pyramid etch pit that is formed in lamination semiconductor structure is covered, and, furthermore, a hole accumulation layer that is pitched by a pair of barrier layers is formed along a channel layer.例文帳に追加

積層半導体構造中に形成された多角錐エッチピットのファセット面を覆うようにチャネル層を形成し、さらにチャネル層に沿って、一対のバリア層で挟持されたホール蓄積層を形成する。 - 特許庁

The back-channel-etch type TFT 108 includes a gate electrode 11, an SiN film 12 that is formed on the gate electrode 11, and an SiO film 13 that is formed and patterned on the SiN film 12.例文帳に追加

本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。 - 特許庁

The holes and ions contained in the electrolytic solution are combined on the contacting surface of the crystal substrate 15 with the electrolytic solution 12 to etch the surface of the substrate 15, so that an irregular structure is formed on the surface of the crystal substrate 15.例文帳に追加

結晶基板１５の電解液との接触面において該ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、結晶基板表面に少なくとも１つの凹凸構造を形成する。 - 特許庁

To provide a method for selectively synthesizing a B-alkylborazine, to which different substituents are introduced on a boron (B) atom, to be used for forming an interlayer insulation film of a semiconductor, a barrier metal layer, or an etch stopper layer.例文帳に追加

半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。 - 特許庁