「etch」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a superior etching liquid which can secure high stability and process margin, and which can uniformly taper-etch a metal layer, including copper.例文帳に追加

高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which it is possible to etch a processing target film with favorable controllability using a resist having high etching resistance.例文帳に追加

エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.例文帳に追加

マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.例文帳に追加

これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁

By forming an oxidized film 13 on the entire surface and performing etch-back, a sidewall oxidized film 13 is formed on the sidewall of an oxidized film hard mask 12.例文帳に追加

全面に酸化膜１３を成膜し、エッチバックを行うことにより、酸化膜ハードマスク１２側壁に、サイドウォール酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

The method further includes pumping a purge gas into the upper process zone to remove polymer etch species from the upper process zone.例文帳に追加

この方法は、更に、上方処理ゾーンへとパージガスを送り込むことで上方処理ゾーンから重合体エッチング種を除去することを含む。 - 特許庁

Further, a second silicon nitride film 8 having a first opening 101 is formed, which is used as a mask to etch the first polysilicon film 3.例文帳に追加

さらに、第１の開口部１０１を有した第２のシリコン窒化膜８を形成し、これをマスクとして第１のポリシリコン膜３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element that can etch a conductor film on a semiconductor substrate by using a spin etching process.例文帳に追加

スピンエッチング方法を使用して、半導体基板上の伝導体膜をエッチングすることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Film-formation is performed using a material of a sidewall lower electrode 7A, and etch-back is performed, and then a dielectric film 8 and an upper electrode 9 are formed.例文帳に追加

サイドウォール下部電極７Ａの材料を膜形成してエッチバックを行い、その後、誘電体膜８および上部電極９を形成する。 - 特許庁

To provide etchant which can etch a layer of gold or silver, or an alloy thereof of a substrate surface uniformly in a short time.例文帳に追加

同基板表面の金又は銀もしくはこれらの合金の層を短時間で均一にエッチングすることが可能なエッチング液を提供すること。 - 特許庁

The present invention discloses a process of depositing a carbon-containing silicon oxide film, or a carbon-containing silicon nitride film having an enhanced etch resistance.例文帳に追加

本発明は、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜、または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。 - 特許庁

A polysilicon film 160 is formed and whole surface etch back is performed, thereby forming a side wall 142, and transfer electrode 140, 150 with 152.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１６０を形成し、全面エッチバックを施すことにより、サイドウォール１４２、１５２付の転送電極１４０、１５０を形成する。 - 特許庁

First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.例文帳に追加

反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁

To etch an aluminum oxide and a silicon oxide film formed thereon with the same etchant in accordance with selectivity to a wiring made of an aluminum film.例文帳に追加

アルミニウム膜からなる配線との選択比をとりつつアルミニウム酸化物及びその上の酸化珪素膜を同一のエッチャントでエッチングする。 - 特許庁

Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, where the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the additional mask.例文帳に追加

側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、追加マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。 - 特許庁

Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, where the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask.例文帳に追加

側壁レイヤを通してエッチングレイヤにフィーチャがエッチングされ、フィーチャは、第１マスクによって規定されるスペースの幅よりも小さい幅を有する。 - 特許庁

To accurately control the flatness of pattern surface formed by burying and stacking a metal on a fine recessed pattern and the height of the pattern by etch-back.例文帳に追加

微細な凹部パターンに金属が埋め込まれ堆積されたパターン表面の平坦化と、パターン高さを精度よくエッチバックにより制御する。 - 特許庁

In particular, the gap may be formed by removing a portion of the insulation layer with an etch that does not affect the surface of the substrate underlying the gap.例文帳に追加

特にギャップは絶縁層の一部分をギャップの下の基板の表面に影響を与えないエッチングで除去することによって形成され得る。 - 特許庁

To suppress the attachment of foreign matters to a substrate to treat without deteriorating the etching properties in a plasma treatment to etch an organic film.例文帳に追加

有機膜をエッチングするプラズマ処理において、エッチング特性および加工形状を劣化させることなく、被処理基板への異物の付着を抑制可能とすること。 - 特許庁

The laminated part comprises an MQW active layer 10, an Inp etch-stop layer 40, a bulk light-receiving layer 20, and a p-Inp 60 (corresponding to a clad layer 22).例文帳に追加

また、積層部は、ＭＱＷ活性層１０、ＩｎＰエッチストップ層４０、バルク受光層２０およびｐ−ＩｎＰ６０（クラッド層２２に対応）でなっている。 - 特許庁

Then the island structure 124 is used as a mask as shown in (b) to etch the BOE 121 with an etching liquid to 55 nm depth to form a grooved fine structure 125.例文帳に追加

続いて、(b)に示すように島構造１２４をマスクとし、ＢＯＥ１２１をエッチング液により深さ５５ｎｍエッチングし、錐状の微細構造１２５を形成する。 - 特許庁

To provide a channel etch type thin film transistor wherein an optical off-leakage current can be reduced without damaging manufacturing throughput as compared with the conventional TFT.例文帳に追加

従来のＴＦＴに比べて製造スループットを損ねることなく光オフリーク電流を低減することのできるチャネルエッチ型薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

Furthermore, specific technologies re used to etch a gold-containing seed layer from above the surface of a board, without causing damage to an electroplated copper coil.例文帳に追加

さらに、特定の技術が、電気めっきされた銅コイルに損害を与えることなく、基板表面から金を含んだシード層をエッチングするために使用される。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁

The surface of the organic compound film 2 is exposed by polishing (etch back) through the use of CMP, RIE, etc., (c), and the organic compound film 2 is removed (d).例文帳に追加

ＣＭＰ、ＲＩＥ等により研磨（エッチバック）を行って有機化合物膜２の表面を露出させ（ｃ）、有機化合物膜２を除去する（ｄ）。 - 特許庁

SF_6 gas is made to flow through the space between the quartz tube 1 and the quartz rod 2 to etch the surface of the quartz rod 2 to remove the water content present thereon.例文帳に追加

石英管１と石英棒材２との間の空間にＳＦ_6ガスを流して石英棒材２の表面をエッチングしてそこに存在する水分を除去する。 - 特許庁

Fe-Ni-Co ALLOY EXCELLENT IN ETCHING CHARACTERISTIC AND LOW THERMAL EXPANSION CHARACTERISTIC, AND SHADOW MASK EXCELLENT IN SMOOTHNESS OF INSIDE SURFACE SHAPE OF ETCH PIT例文帳に追加

エッチング性および低熱膨張特性に優れたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金およびエッチング孔内郭形状の円滑性に優れたシャドウマスク - 特許庁

Further, the substrate 41 is provided with an etching liquid introduction hole 47 for sacrifice layer etching to etch the sacrifice layer for forming the air gap 42.例文帳に追加

また、基板４１には犠牲層をエッチングして空隙４２を形成するために用いる犠牲層エッチング用のエッチング液導入孔４７が設けられている。 - 特許庁

Further, the coating part 502 of a half-finished diode 510 is immersed into etching liquid to apply etch-packing to the coating part 502, thereby forming a projected cathode inside electrode 202.例文帳に追加

次に、仕掛かりダイオード５１０の被覆部５０２をエッチング液に浸漬し、エッチバックすることによって、凸設されたカソード内部電極２０２を形成する。 - 特許庁

To flatten the surface of filling material by etch back when the inside of a trench with high aspect ratio is filled by filling material.例文帳に追加

アスペクト比が高いトレンチ内を埋め込み材料で埋め込む場合において、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化できるようにする。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which can accurately etch a magnetic material, and an etching method by which the end point of etching of the magnetic material can be surely detected.例文帳に追加

磁性体材料を精度よくエッチングするエッチング装置と、磁性体材料のエッチングの終点を確実に検出するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A base layer 10 is formed in the second opening with a recessed cross-section by etch back and connected to the outer base 6 on the sidewall of the second opening.例文帳に追加

ベース層１０は、第２の開口の内部に、エッチバックの手法により断面凹状に形成され、第２の開口の側壁で外部ベース６と接続される。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.例文帳に追加

ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

To satisfactorily etch substrates by eliminating the occurrence of such a phenomenon that the adhesive surface of a substrate connecting tape adheres to the exposed surfaces opposite to the adhesive substrates and becomes inseparable.例文帳に追加

基板接続用テープの粘着面が逆の露出面に接着して離れない現象を解消し、良好なエッチングを行うことを課題とする。 - 特許庁

A helicon-wave plasma etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 to etch a wafer 50 by plasma, wherein a stage 3 is provided.例文帳に追加

ヘリコン波プラズマエッチング装置１では、ウェハ５０にプラズマエッチング処理を施すための処理室２が設けられ、その処理室２内にステージ部３が配設されている。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing a semiconductor device in which sudden etch-stop during etching for formation of a deep hole is prevented.例文帳に追加

深いホール形成のためのエッチング時における突然のエッチストップを防止しうる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By using a resist pattern, the modified SOG film (15a), etch stopper film (14), and modified SOG film (13a) are etched for removal, and a via hole (17) is formed.例文帳に追加

レジストパターンを用いて改質ＳＯＧ膜（１５ａ）、エッチストッパ膜（１４）、改質ＳＯＧ膜（１３ａ）をエッチング除去してビアホール（１７）を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film as a second film is formed on the core material pattern 24, a sidewall pattern is formed by an etch back treatment, and the core material pattern 24 is removed to obtain a mask pattern.例文帳に追加

芯材パターン２４上に第２膜のシリコン窒化膜を形成し、エッチバック処理で側壁パターンを形成し、芯材パターン２４を除去してマスクパターンを得る。 - 特許庁

Further, the damaged layer is reduced even when an alkaline etchant of ≤20 wt.% in concentration is used to eliminate an increase in depth of an etch pit and a decrease in flatness.例文帳に追加

また、濃度２０ｗｔ％以下のアルカリ性エッチング液を使っても加工変質層が減り、エッチピットの深さ増大や平坦度低下が解消される。 - 特許庁

The open pore 61 is eliminated by etch-back processing and an SiN recess 60a of a low aspect ratio is formed in SiN within the BPSG recess 32a.例文帳に追加

エッチバック処理により開気孔６１を除去するとともに、ＢＰＳＧ凹部３２ａ内のＳｉＮに低アスペクト比のＳｉＮ凹部６０ａを形成する。 - 特許庁

To provide an etching system which is contrived to uniformly etch the whole surface of an object to be treated with a small amount of etchant.例文帳に追加

少量のエッチング液で被処理物の全面にわたって均一なエッチングによる加工を施すことができるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The amorphous silicon phase shift layers (14 to 20) are separated by silicon dioxide etch stop layers (22 to 26) being about 5nm thick or thinner.例文帳に追加

アモルファスシリコン位相シフト層(14-20)は、各々が約５ｎｍ又はそれより小さい厚さを有する二酸化シリコンエッチストップ層(22-26)によりそれぞれ分離されている。 - 特許庁

To provide a cleaning process for recovering an anodized aluminum part particularly useful when the part has been exposed to a fluorine-containing plasma in etch reactor.例文帳に追加

陽極酸化アルミニウムパーツを再生するためのクリーニングプロセスは、パーツが、エッチングリアクタにおいてフッ素含有プラズマに露出された時に特に有用である。 - 特許庁

Ozone RIE processing is executed for this structure, to etch the PS sea organ part 5, whereby the pattern of a PMMA island-like organ part 6 is formed (FIG. 2(b)).例文帳に追加

これにオゾンRIE処理を施すことによりPSの海状組織部５がエッチングされPMMAの島状組織部６のパターンを形成することが出来る（図２(b)）。 - 特許庁

The antireflection film 9 serves as an etch stop film when the interlayer insulating film is etched for forming openings used to bury the conductive members in the interlayer insulating film.例文帳に追加

そして、反射防止膜９は、層間絶縁膜に導電性部材を埋め込む開口の形成における層間絶縁膜のエッチング時のエッチングストップ膜である。 - 特許庁