「interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

A motor expansion valve 10A is provided with a pilot valve 210 being switched depending on the valve opening and alternative switching of 'interconnection/closing' is made among the interconnecting pipes 212a, 213a and 214a of S, E and C ports at a pilot valve 210.例文帳に追加

電動膨張弁１０Ａに弁開度に応じて切り換えられるパイロット弁２１０を設け、パイロット弁２１０においてＳポートの連通管２１２ａと、Ｅポートの連通管２１３ａおよびＣポートの連通管２１４ａとの間で「連通／閉止」を択一的に切り換える。 - 特許庁

The dual band amplifier with less gain deterioration in the case of interconnection can be realized by connecting an RF current input terminals of a common base amplifier circuit 140 and RF current output terminals of differential voltage-current conversion circuits 110, 120 with an RF current crossing section 130.例文帳に追加

ベース接地増幅回路１４０のＲＦ電流差動入力端子と差動電圧−電流変換回路１１０，１２０のＲＦ電流差動出力端子をＲＦ電流交差部１３０で接続することで、相互接続の際に利得劣化が少ないデュアルバンド増幅器を実現できる。 - 特許庁

SURFACE EMITTED LASER ELEMENT, SURFACE EMITTED LASER ARRAY HAVING THE SAME, ELECTRONIC PHOTOGRAPHING SYSTEM HAVING SURFACE EMITTED LASER ELEMENT OR SURFACE EMITTED LASER ARRAY, OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM HAVING SURFACE EMITTED LASER ELEMENT OR SURFACE EMITTED LASER ARRAY, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM HAVING SURFACE EMITTED LASER ELEMENT OR SURFACE EMITTED LASER ARRAY例文帳に追加

面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた電子写真システム、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光インターコネクションシステムおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム - 特許庁

The operation mode is an interconnection operation mode that stops the operation of the generating set 1 when the power interruption of the system 9 is detected, and also is a self-operation mode that operates the generating set 1 by separating the output of the generating set 1 from the system 9 when the power interruption of the system 9 is detected.例文帳に追加

運転モードは、系統９の停電を検出したときに発電装置１の運転を停止させる連系運転モード、および系統９の停電を検出したときに発電装置１の出力を系統９から切り離して発電装置１の運転を行う自立運転モードである。 - 特許庁

Since the interconnection port 26 is formed to pass a bubble generated in the common liquid chamber 22, the bubble is discharged well from the common liquid chamber 22 and ink supply to the common liquid chamber 22 and an individual channel 20 (nozzle 18) is not damaged by a bubble.例文帳に追加

すなわち、共通液室２２の内部で発生した気泡が連通口２６を通過可能な形状に連通口２６を形成することによって気泡が共通液室２２から良好に排出され、共通液室２２および個別流路２０(ノズル１８)へのインク供給が気泡によって損なわれることはない。 - 特許庁

The system interconnection inverter 4 comprises an inverter circuit 42 for converting DC power generated from a generator 2 into predetermined comb type AC power by PWM control based on an on/off control signal of variable pulse width, and a control section 45 for controlling the converting operation of the inverter circuit 42.例文帳に追加

系統連系インバータ４を、可変パルス幅のＯＮ／ＯＦＦ制御信号に基づくＰＷＭ制御によって、発電機２で生成された直流発電電力を所定の櫛形状の交流発電電力に変換するインバータ回路４２と、インバータ回路４２の変換動作を制御する制御部４５とを有するように構成する。 - 特許庁

To obtain a system interconnection inverter device that prevents a switching element for composing an inverter part from being damaged thermally, when abnormality in temperature occurs inside a device, quickly detects failure, such as improper operation and breakdown caused by abnormality in temperature in other heat generation parts for composing the inverter part, and provides higher safety.例文帳に追加

装置内部で温度異常が発生した時、インバータ部を構成するスイッチング素子の熱破壊を防止し、インバータ部を構成するその他の発熱部品についても温度異常から起こる動作不良や破壊等の不具合を速やかに検出し、より安全性の高い系統連系インバータ装置を得ること。 - 特許庁

A semiconductor device has an insulating film 105 as a low void region having a low void content which is formed on a substrate 100, and a high void region 107, having a void content higher than that of the low void porosity region, and is equipped with copper interconnections 109b formed in interconnection grooves 105b in the insulating film 105.例文帳に追加

半導体装置は、基板１００上に形成された空孔率が低い低空孔率領域である絶縁膜１０５と低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域１０７とを有し、絶縁膜１０５における配線溝１０５ｂに形成された銅配線１０９ｂとを備える。 - 特許庁

When an output of AC power from an inverter circuit 10 is shut off and an output of DC power from a DC power source 1 is equal to or lower than a predetermined value, the system interconnection apparatus returns AC power output from a bridge circuit 5 to capacitors 3a and 3b via a feedback circuit.例文帳に追加

インバータ回路１０から交流電力の出力が遮断され、かつ直流電源１から出力される直流電力が所定値以下の際に、ブリッジ回路５から出力される交流電力を、帰還回路を介してコンデンサ３ａ、３ｂに戻すことを特徴とする系統連係装置。 - 特許庁

To provide a polishing method and a polishing device capable of precisely removing a conductive film formed on a part of a wiring board other than grooves, when the conductive film is flattened by polishing to form the wiring and the like of a semiconductor device having a multilayer interconnection structure and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

本発明は、多層配線構造を有する半導体装置の配線等を形成するために導電膜を研磨によって平坦化する際に、配線基板の溝部以外に形成された導電膜を精度良く除去することができる研磨方法及び研磨装置、半導体製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an FPGA, a non-volatile reprogrammable interconnection cell with a switch transistor and at least a second transistor for programming and sensing or a buried N+ region for the second transistor and a program for sensing applies a high voltage onto a common control gate for cell erasure operation.例文帳に追加

ＦＰＧＡおいて、スイッチトランジスタとプログラミング及びセンスのための少なくとも１つの第２トランジスタ、または、センスのための第２トランジスタ及びプログラムのための埋め込まれたＮ＋領域を有する不揮発性再プログラム可能相互接続セルがセル消去操作のために共通制御ゲート上に高電圧を印加する。 - 特許庁

This packet controller has a deterioration detecting means which detects that the quality of a prescribed channel on radio equipment side is in a deteriorated state, and a packet filtering means which abandons a packet received from the interconnection network when the packet is a linked-state grasping packet in the case where the quality of the channel is in the deteriorated state.例文帳に追加

パケット制御装置は、無線装置側について所定の回線品質劣化状態にあることを検出する回線品質劣化検出手段と、回線品質劣化状態である場合、相互接続網から受信したパケットがリンク状態把握パケットであれば、該パケットを廃棄するパケットフィルタリング手段とを有する。 - 特許庁

A copper solution containing CuSO_45H_2O as a copper source, potassium sodium tartrate 4H_2O or trisodium citrate as a complexing agent, glyoxylate, glyoxylic acid or sodium phosphate as a reducing agent, a sulfur organic compound as a stabilizing agent, and a pH adjusting agent, is used to from the copper interconnection layer on the substrate.例文帳に追加

銅源としてのＣｕＳＯ_４５Ｈ_２Ｏ、錯化剤としての酒石酸カリウムナトリウム４Ｈ_２Ｏまたはクエン酸三ナトリウム、還元剤としてのグリオキシル酸塩、グリオキシル酸またはリン酸ナトリウム、安定剤としての有機硫黄化合物、およびｐＨ調節剤を含む銅溶液を使用し、基板上に銅相互接続層を形成する。 - 特許庁

The electrolytic water generator 1 comprises a storage chamber 101, an electrolysis part 110, a case 107 for housing the storage chamber 101 and the electrolysis part 110, an interconnection part 109 for connecting the storage chamber 101 and the electrolysis part 110, a raw water supply pipe 113, and electrolytic water discharge pipes 111, 112.例文帳に追加

電解水生成装置１は、収納室１０１と、電気分解部１０２と、収納室１０１及び電気分解部１１０を収納する筐体１０７と、収納室１０１と電気分解部１１０とを接続する相互接続部１０９と、原水供給管１１３と、電解水排出管１１１，１１２とを備えている。 - 特許庁

The interconnection between each pair of agents has a pair of un-directional links having a plurality of electric wires, or lanes, where one link is used by a first agent for transmitting data to a second agent, and the other link is used by the second agent for transmitting data to the first agent.例文帳に追加

エージェントのそれぞれの対の間の相互接続は、複数の電気配線又はレーンを有する端方向リンクの対を有し、１つのリンクは第２のエージェントにデータを送信するために第１のエージェントにより使用され、他方のリンクは第１のエージェントにデータを送信するために第２のエージェントにより使用される。 - 特許庁

To eliminate disposing of optical elements for allowing signal light to enter or exit through an input/output port, to loosen the requirements for adjusting the position of an optical element or high accuracy alignment, and to automatically correct various phase distortions in optical parts in an interconnection device and in a transmission line.例文帳に追加

入出力ポートに対して信号光を入射または出射する時に、光学素子を配置する必要がなく、光学素子の位置の調整、並びに高精度のアライメントに対する要求条件を緩和し、また、インターコネクションデバイスおよび伝送路の光学部品における様々な位相歪みを自動的に補正する。 - 特許庁

To provide a power supply including a system interconnection inverter capable of properly supplying surplus power to a false load that fluctuates every moment with a simple equipment configuration, as well as capable of suppressing an influence to electromagnetic interference, without impairing distorted wave ratio of output voltage/output current.例文帳に追加

簡単な設備構成で時々刻々変動する余剰電力を的確に擬似負荷に供給することができると共に、出力電圧・出力電流の歪み波率を損じることなく、また、電磁波障害への影響を抑えることが可能な系統連系インバータを含む電源装置を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to a microwave filter bank intended to be used either as a multiplexer or as a demultiplexer in a UWB-type system, the microwave filter bank including a plurality of filters and an interconnection network both connecting an input port (Pifb) of the microwave filter bank to other ports of the microwave filter bank.例文帳に追加

ＵＷＢタイプのシステムにおいてマルチプレクサ又はデマルチプレクサのいずれかとして用いられるように意図されるマイクロ波フィルタバンクであって、双方で当該マイクロ波フィルタバンクの入力ポート（Ｐｉｆｂ）を当該マイクロ波フィルタバンクの他のポートに接続する、複数のフィルタと相互接続ネットワークとを含むマイクロ波フィルタバンクに関する。 - 特許庁

To perform reflow soldering with high reliability when resin highly filled with filler is applied previously to a substrate in a flip-chip interconnection method by no-flow underfill by touching a bump surely to a pad electrode while preventing insertion of filler between the bump of a semiconductor and the pad electrode of the substrate.例文帳に追加

ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法において、フィラーが高充填されている樹脂を基板へ先塗りする場合に、半導体のバンプと基板のパッド電極との間にフィラーが挟みこまれることがなく、バンプを確実にパッド電極に接触させ、信頼性高くリフローはんだ付けできるようにする。 - 特許庁

To provide a map interconnection video monitoring method and an apparatus thereof capable of efficiently investigating a trace of a criminal for automatically extracting video data for a necessity minimum time zone and reproducing and displaying the extracted data by cooperating a place and a date and time on the occurrence of an event, position of each monitoring camera, and a video recorded time zone.例文帳に追加

事件発生の場所と日時と、各監視カメラの位置と録画されている時間帯とを連携させることにより、必要最小限の時間帯の映像データを自動的に抽出して再生表示することで効率よく犯人の足取り調査を可能とする地図連携映像監視方法及びその装置を提供。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device with an excellent optical characteristics, together with a method for manufacturing it, wherein the characteristics of a micro lens and a color filter is not damaged even with a multilayer interconnection comprising a minuteness of element and additional function, the condensing effect with the micro lens is sufficiently exhibited while defectives such as color mixture of a color filter are settled.例文帳に追加

素子の微細化や機能付加による多層配線化によっても、マイクロレンズやカラーフィルタの特性を損なわず、マイクロレンズによる集光効果を十分発揮させると共に、カラーフィルタの混色などの不具合を解消して、優れた光学特性を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, electroless Cu plating is performed, using a plating solution containing a growth suppressor for suppressing growth of copper, whereby copper is selectively precipitated on the layer 14 on which the layer 17 is formed, thereby forming a copper interconnection 13 in a manner of swelling on the layer 14.例文帳に追加

そして、銅の成長を抑制するための成長抑制剤を含むめっき液を用いた銅の無電解めっきが行われることにより、パラジウム層１７が形成されたバリアメタル層１４上に銅が選択的に析出させられ、銅配線１３がバリアメタル層１４上に隆起した状態に形成される。 - 特許庁

A programmable logic device is provided which comprises first operational circuitry, second operational circuitry, routing driver circuitry coupled to an output signal of the first operational circuitry, routing receiver circuitry coupled to an input of the second operational circuitry, and an interconnection conductor that extends from the driver circuitry to the receiver circuitry.例文帳に追加

本発明によれば、第１の演算回路と、第２の演算回路と、第１の演算回路の１出力信号に結合されたルーティングドライバ回路と、第２の演算回路の１入力に結合されたルーティングレシーバ回路と、ドライバ回路からレシーバ回路へ延在している相互接続コンダクタを備えた、プログラマブルロジックデバイスが提供される。 - 特許庁

In the pressure regulating valve 10 capable of opening and closing by sensing pressure of fluid, the pressure regulating valve 10 comprises a valve housing 11 mounted in interconnection with a fluid passage where pressure of fluid is regulated, and a valve body arranged within the valve housing so as to open and close a passage passing through the valve housing from the fluid passage.例文帳に追加

流体圧力を感知して開閉する圧力調整弁１０において、圧力を調整すべき流体流路に連通して取付けられた弁ハウジング１１と、前記流体流路から前記弁ハウジング内を通過する流路を開閉するように前記弁ハウジング内に配置された弁体とを備えている。 - 特許庁

The first inlet buffer section 52 has a first dedicated buffer region 52a contiguous to an oxidant gas inlet interconnection hole 30a and distributes the oxidant gas while regulating distribution of fuel gas on the second inlet buffer section 60 side, and a common buffer region 52b contiguous to a first oxidant gas passage 50.例文帳に追加

第１入口バッファ部５２は、酸化剤ガス入口連通孔３０ａに隣接して酸化剤ガスを流通させるとともに、第２入口バッファ部６０側で燃料ガスの流通を規制する第１専用バッファ領域５２ａと、第１酸化剤ガス流路５０に近接する共通バッファ領域５２ｂとを有する。 - 特許庁

After finishing electrical check with check pads 4 and before punching a tape carrier package for mounting, a carrier can be fixed to a mounter on the tape carrier package use side under a state, where a removed region 6 is provided previously so that interconnection of lead part and check pad does not exist in a punching cut region 5.例文帳に追加

チェックパッド４による電気的なチェックが完了した後、実装のためにテープキャリアパッケージを打ち抜く前に、打ち抜き切断領域５にリード部とチェックパッドとの接続配線が存在しないように予め除去した領域６を設けた状態でテープキャリアパッケージユーザー側での実装装置に装着できるようにした。 - 特許庁

This logic diagram entry device is provided with a means for preparing an inter-diagram connection diagram file in which the interconnection relations of a plurality of diagrams are described and an inter-diagram connection display means for displaying those diagrams on one picture by summarizing those diagrams according to the descriptive contents of the prepared inter- diagram connection diagram file.例文帳に追加

複数の図面相互の接続関係を記載した図面間接続図ファイルを作成するための手段と、前記作成された図面間接続図ファイルの記載内容に従って前記複数の図面を概略化して一画面上に表示する図面間接続表示手段を備えた論理図エントリ装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the jig for an operation check is electrically connected not only with a printed wiring of a printed circuit board 12 through the input-output printed wiring 28, but also with both a printed wiring of a printed circuit board 14 and a printed wiring of a printed circuit board 16 through printed wiring for substrate interconnection 24, 26.例文帳に追加

これにより、動作確認用治具は、入出力プリント配線２８を介してプリント配線板１２のプリント配線と電気的に接続されると共に、基板間接続用プリント配線２４、２６を介してプリント配線板１４のプリント配線及びプリント配線板１６のプリント配線と電気的に接続される。 - 特許庁

A cooperative control section 30 generates a control command for controlling the interconnection and parallel-off of a phase lead capacitor SC1 and a phase lag reactor Shr1 on the basis of the amount of reactive power generated by the SVC 10 and the bus voltage V1 detected by the instrument transformer PT1 and a voltage sensor 42.例文帳に追加

協調制御部３０は、ＳＶＣ１０の発生する無効電力量と、計器用変成器ＰＴ１および電圧センサ４２により検出される母線電圧Ｖ１とに基づいて進相コンデンサＳＣ１および遅相リアクトルＳｈｒ１の投入／解列を制御するための制御指令を生成する。 - 特許庁

The second metal layer 14 has a plurality of openings 40, 42, and 44 that are arranged at the vias 15 spaced along the surface of the metal layer 14, and a plurality of solder balls 17, 18, 19 placed across the openings of the second metal layer 14, with each solder ball being mounted to the soldering paste 13 which forms electrical interconnection between the metal layers 12 and 14.例文帳に追加

第２の金属層14は、その表面に沿って間隔のあいたビア15に整列された複数の開口40、42、44を有し、第２の金属層14の開口を横切って配置された複数のはんだボール17、18、19を有し、各々のはんだボールは金属層12、14間に電気的相互接続を形成するはんだペースト13に取付けられる。 - 特許庁

An information processor specifying means 1114 specifies an information processor to which a new information processor can be interconnected and also where the number of maximum interconnections is not increased when the new information processor is interconnected among the plural information processors on the basis of the interconnection state.例文帳に追加

情報処理装置特定手段１１１４により、上記複数の情報処理装置のうち、新たな情報処理装置を相互接続することが可能であって且つこの新たな情報処理装置を相互接続したときに最大相互接続数が増加しないものが相互接続状態に基づいて特定される。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a semiconductor device can improve the reliability of the semiconductor device by reducing a particle level of a zirconium boronitride film in a multilayer interconnection structure and by improving oxidation resistance and resistance selectivity in the zirconium boronitride film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜のパーティクルレベルを低減させて、また当該硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性や抵抗選択性を向上させることで半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the interconnection structure of the semiconductor device having a semiconductor LSI package mounted on a motherboard substrate 7 via a solder ball 42, a package substrate 4 wired and connected to the motherboard substrate 7 has an IC 2 flip-chip connected to the flexible substrate 1, and the package substrate 4 and IC 2 are connected to each other through the flexible substrate 4.例文帳に追加

半導体ＬＳＩパッケージをはんだボール４２を介してマザーボード基板７に実装する半導体装置の配線構造であって、マザーボード基板７へ配線接続されるパッケージ基板４においてＩＣ２がフレキシブル基板１にフリップチップ接続されており、パッケージ基板４とＩＣ２をフレキシブル基板４を介して接続させる。 - 特許庁

When a tungsten film 22, formed on an insulation film 20 and in interconnection trenches made therein, is polished by chemical-mechanical polishing method, the tungsten film and the insulation film are polished, using a polishing liquid having a low content of hydrogen peroxide water after the insulation film is exposed.例文帳に追加

絶縁膜２０中に配線溝を形成し、この絶縁膜上および配線溝内部にタングステン膜２２を形成した後、このタングステン膜を機械化学的に研磨する際、絶縁膜が露出した後は、過酸化水素水の含有量が少ない研磨液を用いてタングステン膜および絶縁膜を研磨する。 - 特許庁

To solve the problem that an electric short-circuiting between wiring conductor layers due to migration occurs easily between insulating layers for sandwiching the wiring conductor layers from upper and lower parts, since the intervals of the wiring conductor layers are narrow in a multilayer interconnection board where the insulating layers made of an organic resin and the wiring conductor layers are laminated on the board.例文帳に追加

基板上に有機樹脂からなる絶縁層と配線導体層とを多層に積層して成る多層配線基板において、配線導体層の間隔が狭いためこれを上下から挟む絶縁層間でマイグレーションによる配線導体層間の電気的ショートが発生しやすいという問題点を解消すること。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier which reduces a connection resistance without dropping an electric capacitance of a compact Li battery in a laminated circuit substance performing an interconnection by a conductive paste and thins down a film having excellent adhesiveness with the substrate in a laminated substrate for ensuring the adhesiveness with resin on both the surfaces of the copper foil.例文帳に追加

小型化したＬｉ電池の電気容量を落さず、導電ペーストによって相間接続を行う積層回路基板においては接続抵抗を低くし、銅箔両面にて樹脂との密着性を確保する積層基板においては基板との密着性が良好な薄膜化したキャリア付き銅箔を提供することである。 - 特許庁

A method for determining the arrangement of the power interconnection comprises a step of delimiting a semiconductor integrated circuit in grid form, calculating a numeric value as an index of the power consumption for every region of each grid form, dividing the semiconductor integrated circuit into a block region including not less than one grid region, and surrounding each block region.例文帳に追加

半導体集積回路を格子状に区切り、各格子状の領域ごとに消費電力の指標となる数値を算出し、半導体集積回路を１つ以上の上記格子領域を含むブロック領域に分割し、各ブロック領域を囲むように電源配線の配置を決定する。 - 特許庁

A semiconductor wafer before a dicing comprises a silicon substrate 50 with its surface divided into a element forming region 42 and a scribing line region 43, with a passivation film 55 and a polyimide film 56 covering the element forming region 42, and with the accessary pattern 53 comprising a top layer interconnection layer 52 exposing to the scribing line region 43.例文帳に追加

ダイシング前の半導体ウェーハは、シリコン基板５０上が素子形成領域４２とスクライブ線領域４３とに分けられ、パッシベーション膜５５及びポリイミド膜５６が素子形成領域４２を覆い、最上層配線層５２からなるアクセサリパターン５３がスクライブ線領域４３に露出しているものである。 - 特許庁

A predetermined circuit including internal interconnection patterns 2 and via hole conductors 3 is arranged in a laminate board 1 composed by laminating a plurality of ceramic layers 1a to 1e, and capacitors 6b and 6d, in each of which a dielectric ceramic layer 62 is sandwiched by a pair of capacitor electrode patterns 61 and 63, are connected to the circuit.例文帳に追加

複数のセラミック層１ａ〜１ｅを積層して成る積層体基板１内に、内部配線パターン２、ビアホール導体３から成る所定回路を配置させるとともに、該回路に接続され且つ誘電体セラミック層６２を１対の容量電極パターン６１、６３で挟持したコンデンサ６ｂ、６ｄを配置させて成る。 - 特許庁

In the mounting of the semiconductor chip and the interlayer connection of the multilayer interconnection substrate, the hardenable flux included with a resin (A) provided with a phenolic hydroxy group being of solid state in the room temperature, one or more kinds of resins (B) being a hardener and at least one kind thereof is of liquid state in the room temperature, and a thermoplastic resin (C), is used.例文帳に追加

半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、フェノール性ヒドロキシル基を有する室温で固形の樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種は室温で液状である一種以上の樹脂（Ｂ）及び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有する硬化性フラックスを用いる。 - 特許庁

A DC power source 2, an electric converter 3 converting DC power from the DC power source 2 to AC power, and a system interconnection protective device 4 which detects abnormality of an electric power system 6 connected with the electric converter and generates a signal for cutting off the output of the converter, are installed.例文帳に追加

直流電力源２と、直流電力源からの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置３と、電力変換装置と連系している電力系統６の異常を検知して電力変換装置の出力を遮断する信号を発する系統連系保護装置４とを設ける。 - 特許庁

A portion holding a member to be processed in a vacuum processing chamber 1 is driven to reciprocate by a scan shaft (vacuum drive shaft) 7, and the scan shaft is led out while penetrating an interconnection opening 6a made in the wall 6 of the vacuum processing chamber and driven by a drive mechanism disposed on the outside of the vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理室１内で被処理部材を保持している保持部をスキャンシャフト（真空駆動軸）７によって往復動するように駆動し、このスキャンシャフトを真空処理室の壁６に設けた連絡口６ａを貫通させて外部に導出して真空処理室外に配置された駆動機構により駆動する。 - 特許庁

When the ink cartridge 1 is detached, the elastic seal member 31 is moved downward through draw-out operation of the ink extraction tube 12, and outer circumferential protrusions 31c1 and 31c2 adhere to the inner wall face 30a of an ink supply chamber 30 while holding the first interconnection hole 32 between thus interrupting the ink channel B.例文帳に追加

一方、インクカートリッジ１を脱着すると、インク抽出管１２の抜き出し動作によって、弾性シール部材３１が下方へ移動することで、外周突部３１ｃ１，３１ｃ２が第１連通孔３２を挟みつつインク供給室３０の内壁面３０ａに密着して、インク流路Ｂが遮断される。 - 特許庁

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド４の上面にメッキ処理でバンプ電極６を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン１０に絶縁層３ａが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of conductor regions formed in a predetermined layer, an insulation film region which is formed in an insulation layer above the predetermined layer and covers at least a region other than the plurality of conductor regions, and an interconnection for connection which is formed along the insulation film region and connects between the plurality of conductor regions.例文帳に追加

所定層に形成された複数の導電体領域と、所定層の上層である絶縁層に形成され、少なくとも複数の導電体領域以外の領域を覆う絶縁膜領域と、絶縁膜領域に沿って形成され、複数の導電体領域間を接続する接続用配線と、を有する。 - 特許庁