「interconnection」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tray for optical interconnection and a closure equipped with the same, capable of connecting many optical fiber core wires in a limited space within the closure without increasing the number of optical fiber core wires held in an extra length holding part.例文帳に追加

余長収容部内での光ファイバ心線の収容本数を多くすること無く、クロージャ内の限られたスペースで多数の光ファイバ心線を配線することが可能な光配線用トレイ及びそれを備えたクロージャを提供する。 - 特許庁

To obtain a TFT structure and a fabrication method thereof in which low resistance interconnection can be realized sufficiently while preventing deterioration of characteristics due to undercut of a barrier metal layer when copper is used as a source-drain electrode material.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極材料に銅を用いた場合の加工時のバリアメタル層のアンダーカットに起因する特性不良を防止し、低抵抗配線が充分に実現できるＴＦＴの構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the optical interconnection device includes a plurality of filter units that receive a copy of one or more input signals from one or more distributing amplifiers and forward traffic in selected channels of one or more received copies.例文帳に追加

更に、光相互接続装置は、複数のフィルタ部を有し、複数のフィルタ部は、１以上の分配増幅器から１以上の入力信号の複製を受信し、１以上の受信した複製の選択されたチャネル内のトラフィックを転送する。 - 特許庁

To provide an electrical interconnection structure on a substrate including a first low-k dielectric layer, a spin-on low-k CMP protective layer covalently bonded to the first low-k dielectric layer, and a CVD-bonded hard mask/CMP polishing stop layer.例文帳に追加

第１の低ｋ誘電体層と、第１の低ｋ誘電体層へ共有結合したスピンオン低ｋＣＭＰ保護層と、ＣＶＤ付着ハードマスク／ＣＭＰ研磨停止層とを含む基板上の電気的相互接続構造を提供する。 - 特許庁

Then, the laser beam is reflected by the surface of the electro-optical element 2 on a side faced with an interconnection on an IC wafer 1, returned to the EOS optical-system module 6 through the same optical path, and converted into an electrical signal by the photodiode.例文帳に追加

そして、ＩＣウエハ１上の配線に対向する側の電気光学素子２の表面において反射して、同じ光路を通ってＥＯＳ光学系モジュール６へ戻り、フォトダイオードによってこのレーザ光を電気信号に変換する。 - 特許庁

The regulator 110 is located at a place where the internal supply voltage level is remarkably dropped by a voltage drop of an internal power supply interconnection 21a, to make up for deficiencies in internal supply voltage which is not just enough only from the internal power supply pad 10.例文帳に追加

レギュレータ１１０を、内部電源配線２１ａの電圧降下によるレベル低下が著しい箇所に配置し、内部電源パッド１０からの内部電源電圧の供給だけでは足りない部分を補うようにする。 - 特許庁

To provide a photoelectric mixed wiring board, in which the electric and optical mixed connection coping with optical interconnection can be realized at a low power consumption and a low cost, while electronic integrated elements are mounted by the conventional IC package, etc.例文帳に追加

光インターコネクションに対応した電気・光混載の接続を、実装する電子集積素子は従来のＩＣパッケージ等のままで、低消費電力、低コストで行なえる様に構成された光電気混載配線基板である。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device (chip) in mounting the same on a package and contribute to a high functionalization thereof by simply implementing a three-dimensional layout configuration of the chip and interconnection thereof as required and enhancing flexibility in wiring.例文帳に追加

パッケージに半導体素子（チップ）を実装するに際し小型化を図ると共に、配線の自由度を高め、必要に応じてチップの３次元的な配置構成及び相互間の接続を簡便に行えるようにし、高機能化に寄与すること。 - 特許庁

If the image display device is connected to the downstream end, the EDID information is acquired from an image display device connected through the DDC communication processing part 207, setting display resolution information and interconnection information for example.例文帳に追加

下流側に画像表示装置が接続された場合、ＤＤＣ通信処理部２０７を介して接続された画像表示装置からＥＤＩＤ情報を取得し、表示解像度情報や相互接続情報等を設定する。 - 特許庁

An electric interconnection unit 33 is extended from one side of the first conductive material layer 30 toward the center of the first conductive material layer 30 and is terminated at an end part 34 positioned at the center of the first conductive material layer 30.例文帳に追加

電気相互接続部３３は第１導電材料層３０の一方側から第１導電材料層３０の中心に向かって延在し、第１導電材料層３０の中心に位置する端部３４を終端としている。 - 特許庁

Even when a reactive power load is included in a load B, it can detect a single operation properly because it is determined that the phase of the interconnection point voltage signal Vo has changed in case any reactive power has been input.例文帳に追加

負荷Ｂに無効電力負荷が含まれている場合でも、いずれかの無効電力を注入した場合に連系点電圧信号Ｖｏの位相が変化したと判断されるので、単独運転を適切に検出することができる。 - 特許庁

To control accident current immediately after occurrence of an accident, to control the accident current when high-speed reclosing is failed on a system side after the accident is removed and to restore a system to a normal operation state after the accident is removed so as to continue system interconnection.例文帳に追加

事故発生直後の事故電流を抑制し、事故除去後の系統側の高速再閉路失敗時にも事故電流を抑制でき、さらに、その事故除去後に通常の運用状態に復帰して系統連系を継続する。 - 特許庁

The distributed power supply device has an inverter that converts a DC power converted from a predetermined energy into an AC power to output it to a power distribution line, and a detection part for detecting the current and voltage of the interconnection point.例文帳に追加

分散型電源装置では、所定のエネルギーから変換された直流電力を交流電力に変換して配電線に出力するインバータと、連系点の電流及び電圧を検出する検出部とを設ける。 - 特許庁

That is, the image signal controller 10 offsets a portion to be attenuated by passing the interconnection cable 20 by amplifying the image signal and can send out it to the projector 18 as a proper image signal.例文帳に追加

すなわち、画像信号制御装置１０では、前記接続ケーブル２０を通過することで減衰した分、画像信号を増幅することで相殺することができ、適正な画像信号としてプロジェクタ１８へ送出することができる。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing a three-dimensional semiconductor package mounting various semiconductor devices including a general-purpose device three-dimensionally, while shortening the interconnection between respective semiconductor devices and attaining scaling-down or densification by a simple process with high precision.例文帳に追加

汎用品を含む各種半導体ディバイスを三次元実装するとともに各半導体ディバイス間の配線の短縮化、微細化或いは高密度化を図った三次元半導体パッケージを簡易な工程により高精度に製造する。 - 特許庁

The etching is continued to a microcrystallized region of an array region 30 of the substrate, and formed with a borderless contact opening between the gate stacks 12 corresponding to the line interconnection such as an opening of the bit line or the like.例文帳に追加

エッチングは、基板のアレイ領域３０における微細結晶化された領域まで連続されて、ライン相互結線、例えばビットラインなどの開口に対応したゲート・スタック１２の間において、ボーダレス・コンタクト用開口を形成している。 - 特許庁

To provide a structure of the double damascene contact part which is excellent in performance and reliability of electric interconnection and realize high yield at the time of mass-production although the constitution is simple, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

比較的単純な構成ながら、電気的相互接続の性能及び信頼性が良好であり、また量産時に高い歩留まりを実現できる二重ダマスク象眼風接触部の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shield structure capable of improving the shield performance without causing any variations for the bayonet apparatus intended for interconnection of the power, communication or facility cables used in the electromagnetic shield chamber with the extra-chamber cables.例文帳に追加

電磁シールド室内で使用する電源、通信又は設備用ケーブルなどと室外のケーブルとを接続するために介在させる差込口装置において、バラツキなくシールド性能を向上させることのできるシールド構造を提供する。 - 特許庁

The multilayer interconnection board has an insulating layer comprising a liquid crystal polymer, a conductive circuit formed by being embedded in the insulating layer, and an inter-layer connection conductive post formed on the conductive circuit layer by penetrating the insulating layer.例文帳に追加

液晶ポリマーで構成される絶縁層と、前記絶縁層に埋没して形成された導体回路と、前記絶縁層を貫通して前記導体回路層上に形成された層間接続用導体ポストとを有する多層配線板。 - 特許庁

The second nitride film 6 is composed of SiN similarly to the first nitride film 4 and formed to cover the upper surface of the copper interconnection 5 partially and to touch the first nitride film 4 across the adjoining copper interconnections 5.例文帳に追加

第２窒化膜６は、第１窒化膜４と同じＳｉＮからなり、銅配線５の側面及び上面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって第１窒化膜４と接触するように形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, an SiOC film 5 is formed as an insulation film wherein a via plug will be formed and then an organic film 6 having a higher selectivity than the SiOC film is formed as another insulation film wherein the copper interconnection will be formed.例文帳に追加

半導体基板１上にビアプラグが形成される絶縁膜としてＳｉＯＣ膜５が形成され、銅配線が形成される絶縁膜としてそのＳｉＯＣ膜よりもエッチング選択比の高い有機膜６が形成される。 - 特許庁

To provide an interconnection unit that interconnects a plurality of network connection service enterprises which manage a plurality of virtual private networks(VPN) with different systems or identification numbers in the unit of VPNs and to provide a communication network system.例文帳に追加

互いに異なる方式又は識別番号で複数の仮想プライベートネットワーク（ＶＰＮ）を管理している複数のネットワーク接続サービス事業者の間でＶＰＮ単位に相互接続する相互接続装置及び通信ネットワークシステム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a resistance element for preventing the resistance element whose resistance value has been adjusted by trimming incorporated in a substrate from varying by heating due to reflow caused by the lamination process of a multilayer interconnection board and the packaging of packaging components in a later process.例文帳に追加

基板内に内蔵した抵抗素子は、トリミングによって抵抗値を調整したにも係わらず、多層配線基板の積層工程や実装部品の実装時にかかるリフローによる加熱によって変動してしまう。 - 特許庁

According to this interconnection, the protection apron 9N is automatically wound up to a position not to be in contact with the X-ray tube 3, and the quantity of winding up or down is changed whenever the inclination angle of the C-arm 5 is changed.例文帳に追加

この連動により防護前垂れ９Ｎは自動的にＸ線管３に接触しない位置まで巻き上げられ、Ｃアーム５の傾斜角度を変更する都度、巻き上げまたは巻き下ろし量も連動して変更される。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁

With this constitution, radiation noise from a high-frequency transformer, and a heat radiation fin for cooling a switching element is prevented from being superposed on circuits as conduction noise, and thus a system interconnection inverter with less conduction noise is obtained.例文帳に追加

この構成により、高周波トランス、スイッチング素子の冷却用放熱フィンなどからの輻射ノイズが伝導ノイズとして回路上に乗るのを防止して、伝導ノイズの少ない系統連系インバ−タを実現するものである。 - 特許庁

Consequently, even if the potentials at the high resistance interconnect portion 103a and the low resistance interconnect portion 103b vary due to impact of transition noise from an adjacent interconnection, that variation has no effect on the output from the latch circuit 105.例文帳に追加

これにより、高抵抗配線部分１０３ａ及び低抵抗配線部分１０３ｂの電位が、隣接配線からの遷移ノイズの影響によって変動したときでも、その変動はラッチ回路１０５の出力に影響しない。 - 特許庁

A group IVA metal layer, a group IVA metal nitride layer, and a heater material layer are formed sequentially on a semiconductor substrate 22 on which a transistor 24, and the like, are formed thus forming a heating element 25 and an interconnection electrode 26.例文帳に追加

本発明は、トランジスタ２４等を形成した半導体基板２２上に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子２５、配線用電極２６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an MISFET having a metal gate electrode in which the number of steps can be prevented from increasing even when a local interconnection or a contact on source-drain diffused layer is formed.例文帳に追加

本発明は、メタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴの製造において、局所配線やソース・ドレイン拡散層上コンタクトを形成する場合にも、工程数の増加を抑制できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

This forms the through-opening part 77 so as to penetrate through a fragile joint surface between the semiconductor wafers 31, 45, and the electrode pad part 78 is formed at the interconnection of the layer semiconductor wafer 45 lower than the fragile joint surface.例文帳に追加

これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。 - 特許庁

By a row of wire springs which are disposed at an interval at the entrance of the optical connection part of the mating jack receptacles, the electrical interconnection between a pair of hybrid plug connectors and between the electrical circuit parts on the printed wiring board are provided.例文帳に追加

合わせジャックレセプタクルの光接続部分の入口に、間隔をおいた配置されたワイヤバネの列によって、一対のハイブリッドプラグコネクタ間の、またプリント配線板上の電気回路部品との間の電気的相互接続を提供する。 - 特許庁

The substrate is cleaned by feeding super-critical carbon dioxide fluid containing any one of sulfamate, water or methanol onto the surface of the substrate and removing residues generated when the interconnection of a semiconductor device is formed.例文帳に追加

スルファミン酸エステルと、水又はメタノールのいずれかを含有する超臨界二酸化炭素流体を、基体の表面に供給して、半導体装置の配線を形成する際に発生する残渣を除去することにより、基体を洗浄する。 - 特許庁

A semiconductor device has a multilayer interconnection structure with two or more multilayer interconnections 2, 5 respectively formed in interlayer films 1, 4, and a hollow structure is formed by a spacial part 3 in a part of the interlayer film between the upper and lower interconnections 2, 5.例文帳に追加

二つ以上の多層配線２，５が各々の層間膜１，４に形成された多層配線構造を有する半導体装置であって、上下配線２，５間の層間膜４の一部に空間部３を形成して中空構造とした。 - 特許庁

This protection hard mask has a one- or two-layer sacrificial hard mask that is especially effective, when interconnection structure such as a via opening and/or a line is formed between low-permittivity materials, while a final product is manufacture.例文帳に追加

保護ハードマスクは、最終製品を製造する際に、バイア開口および／またはラインのような相互接続構造が、低誘電率材料間に形成されるときに特に有効な１層または２層の犠牲的ハードマスクを備える。 - 特許庁

To provide a packet controller which is connected between an interconnection network and radio equipment, and the router of which can immediately switch a route when the quality of a radio channel is deteriorated to such a degree that user data disappear from the channel.例文帳に追加

無線回線の回線品質がユーザデータを消失する程度に劣化した場合、ルータが直ぐに経路を切り替えることが可能となるような、相互接続網と無線装置との間に接続されるパケット制御装置を提供する。 - 特許庁

To improve an adhesion of an inorganic barrier film composed of SiC or hydrogenated SiC to an copper surface and an adhesion of an insulation film composed of SiO2, fluorinated SiO2 or SiOC to the inorganic barrier film in a copper interconnection structure.例文帳に追加

銅相互接続構造の銅表面に対するＳｉＣまたは水素化ＳｉＣからなる無機バリア膜の接着性および無機バリア膜に対するＳｉＯ_2，フッ化ＳｉＯ_2，またはＳｉＯＣからなる絶縁膜の接着性を改良する。 - 特許庁

An IP telephone exchange provided in an IP telephone network manages information for judging other IP telephone networks to which interconnection is permitted, per other IP telephone network by telephone numbers and/or domain names of other IP telephone networks.例文帳に追加

本発明では、相互接続が許容されている他のＩＰ電話ネットワークを判断させるための情報として、他のＩＰ電話ネットワーク毎に、電話番号と他のＩＰ電話ネットワークのドメイン名の両方又は一方で管理しておく。 - 特許庁

A down-converter and an up-converter convert mutually a frequency band assigned to a CATV system into a frequency band assigned to a personal handy phone system to realize interconnection between the portable terminal 104a and the telephone line.例文帳に追加

ダウンコンバーターおよびアップコンバーターは、ＣＡＴＶシステムに割当られた周波数帯を簡易携帯電話システムに割り当てられた周波数帯に相互に変換し、携帯端末１０４ａと電話回線との相互接続を実現する。 - 特許庁

Because the adhesion transition layer exists between the upper low-k dielectric layer and the diffusion barrier cap dielectric layer, the possibility that the layers in the interconnection structure are separated in a packaging process is reduced.例文帳に追加

上部低誘電率（low-k)誘電体層と拡散障壁キャップ誘電体層との間に接着遷移層が存在するから、パッケージング工程の間に相互接続構造体が離層する機会を低減させることが可能になる。 - 特許庁

The device comprises a control member for controlling the operation of the matrix by means of control signals and a local decoding means for locally decoding the control signals and for decoding the switching state of the interconnection points.例文帳に追加

この装置は、制御信号によりマトリクスの動作を制御するための制御部材と、前記制御信号を局部的に復号し、前記相互接続点のスイッチング状態を導き出すための局部復号化手段とを備える。 - 特許庁

To provide an optical interconnection circuit between wavelength multiplexing TFT circuits in which a signal transmission speed can be increased while being easily fined and which can be manufactured simply, an electrooptic device and electronic equipment.例文帳に追加

信号伝達速度を高速化することができるとともに容易に微細化することができ、簡易に製造することができる波長多重ＴＦＴ回路間光インターコネクション回路、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a booster cable device for a vehicle battery capable of automatically detecting polarity relations of two batteries of an interconnection type and appropriately switching connections between the two batteries according to the detected polarities of each fastener.例文帳に追加

相互接続型の２つのバッテリの極性関係を自動的に検出し、各留め具の検出された極性に基づいて２つのバッテリ間の接続を適切に切り替えることができる、車両バッテリ用ブースターケーブル装置を提供すること。 - 特許庁

A copper through-hole conductor 5 and a grounded interconnection layer 6 become depressed like a dish through being polished by a CMP method, forming a dishing part 17, because they have lower hardness than that of a through-hole insulator 11 formed of nitride silicon.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨によって、銅からなるスルーホール導電体５および接地配線層１０は、窒化シリコンからなるスルーホール絶縁体１１よりも硬度が低いため、皿状に窪んで低くなって、ディッシング部１７が生じる。 - 特許庁

Embedded conductive portions 87, 89 for the source and drain formed at a contact hole of source and drain regions of the transistor QN are formed simultaneously, when a local interconnection layer of the memory cell is formed, and have rectangular planes.例文帳に追加

トランジスタＱＮのソース／ドレイン領域のコンタクト孔に形成されているソース／ドレイン用埋込導電部８７，８９は、メモリセルのローカルインターコネクション層形成時に同時に形成されたものであり、長方形状の平面を有する。 - 特許庁

Gold-tin layers 113 and 123 are respectively interposed for interconnection between the pairs of p-type thermoelectric semiconductor element 13a and n-type thermoelectric semiconductor element 13b and the land 111 of the ceramic substrate 11 and the land 121 of the ceramic substrate 12.例文帳に追加

各対のＰ型熱電半導体素子１３ａ，Ｎ型熱電半導体素子１３ｂと、セラミック基板１１のランド部１１１並びにセラミック基板１２のランド部１２１との間は、それぞれ金スズ層１１３，１２３により接合される。 - 特許庁