「ion deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polymer having iron ion deposition prevention ability in order to prevent yellowing of a fiber caused by adsorption of the iron ion in washing water to the fiber, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

洗濯水中の鉄イオンが繊維に吸着することによる繊維の黄ばみを防ぐため、鉄イオン沈着防止能を有する重合体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform a film deposition by forming a plasma having high ion density in a wide range on the surface of a target, and moving the plasma having high ion density effectively.例文帳に追加

ターゲット表面に、広い範囲で高いイオン密度のプラズマを形成し、更に高いイオン密度のプラズマを無駄なく、効果的に基板まで移動させ、成膜することを狙ったものである。 - 特許庁

To provide a heavy metal ion scavenger, a peroxide stabilizer, a fiber-treating agent and a bleaching agent for papermaking which are excellent in performances in preventing iron ion deposition and stabilizing hydrogen peroxide.例文帳に追加

鉄イオン沈着防止能、過酸化水素安定化能に対しても優れている重金属捕捉剤、過酸化物安定化剤、繊維処理剤、製紙用漂白剤を提供する。 - 特許庁

A mode of forming a thin film made of the fluorine-based resin by means of at least one of methods of ionization deposition, ion plating, laser ablation and ion beam sputtering is preferable.例文帳に追加

イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも１種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for ion irradiation processing capable of continuously executing the heating and the ion processing of a substrate in a film deposition process at the same position.例文帳に追加

成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte type lithium ion secondary battery system that can determine accurately a degree of lithium deposition occurring in a deteriorated nonaqueous electrolyte type lithium ion secondary battery, a method for determining lithium deposition in the system, and a vehicle with the system.例文帳に追加

劣化の進行した非水電解液型リチウムイオン二次電池のリチウム析出の程度を精度よく判定できる非水電解液型リチウムイオン二次電池システム，そのシステムにおけるリチウム析出判定方法，および，そのシステムを搭載する車両を提供すること。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

The film deposition apparatus comprises a plurality of guide rolls 6 to allow a long base body to run, a film deposition unit 3 of a hard film consisting mainly of carbon, and a cooling can 4 which is installed close to the film deposition unit 3 to cool a base body 10 during the film deposition, and an ion gun 7 is disposed on the upstream side of the cooling can 4.例文帳に追加

長尺状の基体を走行させるための複数のガイドロール６と、炭素を主成分とする硬質膜の成膜部３と、成膜部３に近接して設置され、成膜時に基体１０を冷却する冷却キャン４とを備え、冷却キャン４の上流側にイオンガン７が配置されてなる成膜装置である。 - 特許庁

This manufacturing method of the transparent conductive film is used for forming the transparent conductive film by a method selected from a pulse laser deposition method, a spattering method, an ion plating method and an EB deposition method, by using the sintered body as a target.例文帳に追加

前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

While entire pressure in a deposition tank is set to at least 0.1 Pa, and at the same time temperature in the magnet in deposition is maintained to 200°C or less, the inorganic covering should be deposited and formed by the ion plating method.例文帳に追加

蒸着槽内の全圧を０．１Ｐａ以上、かつ、蒸着時の磁石温度を２００℃以下に保持しながら、イオンプレーティング法により無機質被膜を蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

In advance, the correlation between the deposition rate of the thin film and ion beam current value or the like are data-tabled by an experiment, an integrated ion beam current value is calculated from the data, the type of the target and the film thickness, the calculated result is set, the ion beam current value is monitored, and, while performing subtracting from the integrated ion beam current value, the emission of an ion beam is performed.例文帳に追加

予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。 - 特許庁

A rod-like vapor deposition member 22 is loaded into the penetration hole of a hearth installed at the lower part of a vacuum vessel of an ion plating apparatus 10.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０の真空容器の下部に設けたハースの貫通孔にロッド状の蒸着部材２２が装填される。 - 特許庁

The ions of the film-material particles EP passed through the extraction electrodes 13 are made incident upon a wafer W, and film deposition by means of an ion beam is carried out.例文帳に追加

引出電極１３を通過した膜材料粒子ＥＰのイオンは、基板Ｗに入射し、イオンビームによる成膜が行われる。 - 特許庁

This ion beam machining/observation device makes the hole in the sample surface or forms the deposition film in the hole of the surface of the sample.例文帳に追加

本発明は、試料表面に穴をあけ又は試料表面の穴にデポジション膜を形成するイオンビーム加工・観察装置に関する。 - 特許庁

The method includes a dual deposition process wherein the first step is to deposit a very thin layer and dope very heavily by ion implantation.例文帳に追加

この方法は、２つの堆積プロセスで構成され、第１工程では、薄い層を堆積し、イオン注入により激しくドーピングする。 - 特許庁

Dendrite deposition of a metal ion from a negative electrode which is caused by chips of other electrode collectors mixed when cutting the electrode plates is suppressed.例文帳に追加

極板切断時の他極集電体の切りくず混入で生じる負極からの金属イオンのデンドライト析出を抑制する。 - 特許庁

A condensation process and a deposition process are controlled based on the lithium ion concentration calculated from the electrical conductivity, thus manufacturing lithium salts.例文帳に追加

この電気伝導度から算出したリチウムイオン濃度に基づき濃縮工程および析出工程を制御してリチウム塩を製造する。 - 特許庁

To suppress deposition of lithium on the surface of a negative electrode and enhance energy density in a lithium ion battery, and to improve cycle characteristics.例文帳に追加

リチウムイオン電池において、負極表面でのリチウムの析出を抑制し、エネルギー密度の向上およびサイクル特性の向上を図る。 - 特許庁

To achieve jointing process of an X-ray target material and a heat pipe in shorter time than physical vapor deposition such as ion sputter and laser ablation.例文帳に追加

X線ターゲット材料とヒートパイプの接合工程をイオンスパッタ、レーザーアブレーション等の物理蒸着法よりも短時間に実現する。 - 特許庁

To provide a means for minimizing the detrimental defects of a thin film disk covered with a carbon protective film deposited by ion beam deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着により堆積された炭素保護膜で覆われた薄膜ディスクの有害な欠陥を最小化する手段を提供する。 - 特許庁

A substrate for forming a thin film such as metal on the surface can be obtained by using such means as high-vacuum metal deposition, sputtering, and ion plating.例文帳に追加

真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手段を用いて、表面に金属等の薄膜を形成した基板を得ることができる。 - 特許庁

The vapor deposition device includes: a substrate holding member 2 holding the plurality of substrates 3; a vapor deposition source 4 holding a vapor deposition material to be deposited onto the plurality of substrates 3; an ion gun 5 for radiating gas ions to the faces of the substrates 3; and a correcting plate 6 for rectifying the radiation direction D1 of the gas ions emitted from the ion gun 5.例文帳に追加

この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。 - 特許庁

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。 - 特許庁

To provide a method for producing SiO_x (x<1) which has excellent cycle properties when used as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, and which enables a vapor deposition film to be deposited, the vapor deposition film having excellent gas barrier properties when used as a vapor deposition material for a barrier film.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the first film-forming step, a first film 103 with the thickness of ≥3 nm is formed on a particle irradiation surface of the substrate 101 after the pre-irradiation step by an ion assisted vapor deposition method using ion beams.例文帳に追加

第１の成膜工程では、前照射工程後の基板１０１の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第１の膜１０３を３ｎｍ以上の厚みで成膜する。 - 特許庁

An SiO thin film acting as a negative active material layer is formed on the surface of a current collector by vacuum deposition, preferable by an ion plating method.例文帳に追加

集電体の表面に負極活物質層としてＳｉＯの薄膜を真空蒸着、好ましくはイオンプレーティング法により形成する。 - 特許庁

The (a) layer is made of an oxide of indium and tin, and these thin film layers are formed by a technique of vacuum deposition, ion plating, sputtering or the like.例文帳に追加

前記（ａ）層はインジウムとスズとの酸化物からなり、これらの薄膜層は真空蒸着、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の手法による。 - 特許庁

To smoothly prevent the substitutive deposition on the anode and the increase in tin ion concentration in a plating bath regarding a tin alloy electroplating method.例文帳に追加

電気スズ合金メッキ方法において、簡便な操作で陽極での置換析出と、メッキ浴のスズイオン濃度の増大を円滑に防止する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises sequentially electropolishing and ion-etching an uneven substrate as a pretreatment before forming a coating with a physical vapor-deposition (PVD) process.例文帳に追加

凹凸形状の基材を対象に、ＰＶＤ法による皮膜形成の前処理として、電解研磨処理とイオンエッチング処理とを順に行う。 - 特許庁

To provide a plasma CVD apparatus to effectively suppress ion damages on a thin film of a surface of a substrate to be processed under the film deposition.例文帳に追加

成膜中での被処理基板表面の薄膜へのイオンダメージをより効果的に抑制することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous bactericide and antibacterial composition preventing a color change due to reduction of a silver ion or the like by an influence by irradiation of UV rays, preventing deposition or sedimentation of a compound containing the silver ion due to a chloride ion or the like, and having high viscosity.例文帳に追加

紫外線照射の影響によって銀イオンが還元等して変色することがなく、塩化物イオンなどによって銀イオンを含む化合物が析出・沈殿したりすることがなく、且つ高粘度である、水性殺菌・抗菌剤組成物を提供する。 - 特許庁

The first alignment layer 41 is formed from e.g. a polyimide alignment layer having rubbing density of ≤200 and the second alignment layer 42 is formed by an ion deposition method using an acrylic monomer as a deposition material.例文帳に追加

第１配向膜層４１は例えばラビング密度２００以下のポリイミド配向膜により形成され、第２配向膜層４２は、蒸着材料としてアクリルモノマーを用いたイオン蒸着法により形成される。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an ion deposition mass spectrograph capable of inhibiting an occurrence of a variation of a potential difference between an ion discharging body and a standard voltage impressing portion and stabilizing an iron discharging amount and conducting a high precision mass spectrometry.例文帳に追加

イオン放出体と基準電圧印加部の間の電位差の変動の発生を抑制し、イオン放出量を安定化させ、精度の高い質量分析を行えるイオン付着質量分析装置を提供する。 - 特許庁

The salts contained in a solution are converted into gaseous ions and their tracks are bent by electric field in the vicinity of the ion inlet apertures, and the ion inlet apertures are prevented from being blocked by the deposition of the hardly volatile salts.例文帳に追加

溶液中に含まれる塩は気体状のイオンに変換され、イオン導入細孔付近の電界により軌道を曲げられ、難揮発性塩の析出によるイオン導入細孔の閉塞を防止することができる。 - 特許庁

After an oxide film is formed by a vacuum vapor deposition method on a substrate containing a fluoride or on a fluoride thin film, another oxide film is formed by an ion plating method or an ion assist method on the first oxide film.例文帳に追加

フッ化物を含む基板上またはフッ化物薄膜上に、真空蒸着法により酸化物膜を形成した後、酸化物膜の上にイオンプレーティング法またはイオンアシスト法により酸化物膜を形成する。 - 特許庁

To provide an ion working apparatus in which an excellent film deposition property is attained and a high frequency power is efficiently transmitted without the leakage.例文帳に追加

良好な成膜特性を実現するとともに漏れをなくして効率よく高周波電力を伝達することが可能なイオン加工装置を提供する。 - 特許庁

The ion beam machining/observation device is provided with a measuring instrument measuring depth of the hole of the surface of the sample or the height of the deposition film formed in the hole.例文帳に追加

イオンビーム加工・観察装置には、試料表面の穴の深さ又は穴に形成されたデポジション膜の高さを計測する計測器が設けられている。 - 特許庁

The sealant is obtained by coating the surface of a packing body 1 formed from a rubber with a diamond-like carbon thin film by using a three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method.例文帳に追加

三次元プラズマイオン注入成膜法を用いて、ゴムにより形成されるパッキン本体１の表面をダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜で被覆する。 - 特許庁

To provide a polymer having sufficient iron ion deposition prevention ability as compared with a conventional polymer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

従来の重合体と比較して十分な鉄イオン沈着防止能を有する重合体およびその製造方法を提供することを目的とする - 特許庁

In addition, a hydrogen ion generating gas is introduced in the film deposition chamber 9 to generate hydrogen ions in an arc plasma environment, and a dangling bond is terminated with the hydrogen ions.例文帳に追加

更に、水素イオン発生ガスを成膜室９内に導入し、アークプラズマ環境で水素イオンを生成し、その水素イオンでダングリングボンドを終端する。 - 特許庁

Preferably, a basic atmospheric pressure in the chamber 10 in which the ion beam deposition is performed is adjusted to 10^-12 Torr or more and 10^-7 Torr or less.例文帳に追加

前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０^−１２Ｔｏｒｒ以上１０^−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device of an embodiment includes a deposition step, a processing step, an ion implantation step, an annealing step, and an adjustment step.例文帳に追加

実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。 - 特許庁