「ion deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A TiO_2 layer 20 and SiO_2 layer 30 ovelie the surface of the olefinic plastic substrate 10 in order by an ion beam assisted deposition method.例文帳に追加

オレフィン系プラスチック基板１０の表面にイオンビームアシスト蒸着法によってＴｉＯ_2 層２０とＳｉＯ_2 層３０とをこの順序で積層する。 - 特許庁

When all the layers are formed using a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor phase growth method, a solid lithium ion secondary battery can be obtained.例文帳に追加

全ての層をスパッタ法、蒸着法、または化学気相成長法を用いて形成すれば、固体リチウムイオン二次電池も実現することができる。 - 特許庁

According to the ion plating type film deposition device 10, plasma is generated between a filament 40 as a cathode and an anode 42.例文帳に追加

本発明に係るイオンプレーティング方式の成膜装置１０によれば、陰極としてのフィラメント４０と陽極としてのアノード４２との間にプラズマが発生する。 - 特許庁

The outer layer is selected from among a group consisting of an arc spray layer, a frame spray layer, a plasma spray layer, an ion plating layer, a chemical vapor deposition layer, and an electroplating layer.例文帳に追加

外層はアークスプレー層、フレームスプレー層、プラズマスプレー層、イオンプレーティング層、化学気相堆積層及び電解プレーティング層よりなる群から選ばれる。 - 特許庁

Thus the tap water in the water tank 4 is brought into contact with artificial zeolite in flowing down to the water storing portion, and a cation such as a calcium ion and a magnesium ion contained in the tap water exchanges an ion and adsorbed to the artificial zeolite, so that it's deposition to the vaporization filter 5 and the water storing portion 3 can be prevented.例文帳に追加

これにより、水タンク４の水道水が貯水部に流下する際に人工ゼオライトと接触し、水道水に含まれるカルシウムイオンやマグネシウムインなどの陽イオンがイオン交換して人工ゼオライトに吸着され、気化フィルター５や貯水部３に析出することが防止される。 - 特許庁

A crystal structure of a net basket shape is formed by a reaction with an inorganic acid and hydrogen ion is adsorbed and the crystal structure of a net basket shape is covered by a reaction with an organic acid, and the hydrogen ion is inactivated and a deposition with reducibility having a lot of the hydroxide ion is obtained.例文帳に追加

無機酸との反応で空洞を有する網かご状の結晶構造を生成して水素イオンを吸着させ、有機酸との反応で網かご状結晶構造を被覆して、水素イオンを不活性化させて水酸イオンが多く存在させた還元性のある沈殿物を得る。 - 特許庁

Thereby, local deposition of lithium is generated in the negative electrodes; and when it pierces a second lithium ion conducting thin film, lithium deposited at that position comes into contact with the sulfide-based lithium ion conducting solid electrolyte, so that a layer lacking lithium ion conductivity is chemically formed.例文帳に追加

これによって、負極において金属リチウムの局部的な析出がおこり、第２のリチウムイオン伝導性薄膜を突き抜けた場合、その部位の析出した金属リチウムは硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質との接触により、リチウムイオン伝導性に欠ける層が化学的に形成される。 - 特許庁

A mark based on a deposition film is formed by irradiating an electron beam 12 onto a defect of a wafer 31 which is detected by the irradiation of the electron beam 12 while supplying deposition gas 52, a sample piece is processed by a projection ion beam 22 generated from a gas ion source 21 on the basis of the mark, and the processed sample piece is extracted.例文帳に追加

電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 - 特許庁

To provide a device and method of discriminating lithium deposition of a lithium ion secondary battery, which can make discrimination without using constant voltage control and can make discrimination focusing on presence of deposition of metal lithium, and to provide a vehicle with the device mounted.例文帳に追加

定電圧制御を用いずに実施でき，金属リチウムの析出の有無に絞り込んだ判定ができるリチウムイオン二次電池のリチウム析出判別装置，その方法，およびその装置を搭載する車両を提供すること。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加

ターゲット２１にイオンビーム１７を照射し、ターゲット２１から飛び出した粒子によって基板１４上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット２１のスパッタリングされる表面２１ａの形状を凹面形状とする。 - 特許庁

In order to form the hydrogenated amorphous silicon film on the substrate 10 when vapor-depositing silicon on the substrate 10, the production method further includes irradiating the substrate 10 with an ion beam containing hydrogen ions while the silicon film is deposited, by an ion-beam-assisted vapor-deposition method.例文帳に追加

さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 - 特許庁

A process for forming the intermediate film, the lower electrode or the piezoelectric film is provided with a process for forming a first layer by an ion beam assist method, and a process for forming a second layer by stopping an ion beam assist and succeeding deposition.例文帳に追加

前記中間膜、下部電極又は圧電体膜を形成する工程は、イオンビームアシスト法で第１層を形成する工程と、イオンビームアシストを止めて堆積を継続して第２層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide a material for vapor deposition or a material for ion-plating capable of obtaining a transparent conductive film of high density, high transparency and low resistance through the high-speed film deposition without any fluctuation in the composition during a sintering process or without generation of any nodule, deformation of a target, or damages such as cracks during the film deposition.例文帳に追加

高密度であって、焼結工程中に組成の変動が起こらず、成膜中に針立ちの発生やターゲットの変形およびひび割れ等の損傷が起こらず、高透明で低抵抗な透明導電膜を高速成膜により得ることが可能な蒸着用あるいはイオンプレーティング用材料を提供する。 - 特許庁

In this method for forming a molding die for an optical element to deposit at least a hard carbon film as a release layer on the molding face by an ion beam vapor deposition method, the hard carbon film is deposited under the conditions of 6 to 21 kV acceleration voltage in the initial stage of film deposition and 0.4 to 4 kV acceleration voltage in the final stage of film deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着法により、成形面に少なくとも硬質炭素膜を離型層として形成する光学素子成形用型の形成方法において、該硬質炭素膜を成膜初期に加速電圧を６〜２１ｋＶとし、成膜終期に加速電圧を０．４〜４ｋＶとして印加し、成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The inorganic vapor deposition layer of the metal or the inorganic oxide and an organic vapor deposition layer of a 1,3,5-triazine derivative are formed in turn on at least one side of the plastic film substrate, and reactive ion etching (RIE) treatment using plasma is applied to the organic vapor deposition layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、金属または無機酸化物からなる無機物蒸着層と１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層とを順次設けると共に、当該１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層にはプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理を施す。 - 特許庁

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

To provide a lithium-ion battery capable of preventing the deposition (electro-deposition) of metal lithium on a surface of a negative electrode caused by overcharging, suppressing the decomposition reaction of an electrolytic solution, and thereby rapidly preventing the overcharging.例文帳に追加

本発明の目的は、過充電による負極の表面上への金属リチウムの析出（電析）を防止するとともに、電解液の分解反応を抑制し、これにより過充電を速やかに防止し得るリチウムイオン電池を提供することにある。 - 特許庁

At the time of depositing a thin film of chalcophylite type compound on a substrate by vacuum vapor deposition or sputtering, a thin compound film during deposition is irradiated with a first ion beam containing an chalcogenite element (Se or S) at ≤300 V accelerating voltage.例文帳に追加

カルコパイライト系化合物薄膜を真空蒸着又はスパッタ法によって基板上に堆積するに際し、堆積中の化合物薄膜にカルコゲナイト元素（Ｓｅ又はＳ）を含む第１のイオンビームを３００Ｖ以下の加速電圧で照射する。 - 特許庁

In the ion plating device 1, a plasma beam 17 generated by a plasma generator 11 and made to flow out to the inside of a vacuum chamber 3 is guided to the surface of a vapor deposition material 21 by the magnetic force of a magnet 23, and emitted to the vapor deposition material 21.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１において、プラズマ発生器１１により発生し、真空チャンバ３内へ流出したプラズマビーム１７は、磁石２３の磁力により、蒸着材料２１表面へ誘導され、蒸着材料２１を照射する。 - 特許庁

A collector necessary to a conventional method using the ion beam for covering the substrate 8 and an electrode becomes unnecessary, whereby its measuring system can be made simple, and a measurement of the secondary electrons can be carried out in the deposition system, and a deposition process can be made stable.例文帳に追加

イオンビームを用いる従来法に必要であった基板８と電極とを覆うコレコタは不要なので、測定系をシンプルにすることができ、成膜装置内での２次電子の測定が可能となり、成膜工程の安定化を実現できる。 - 特許庁

Thereby, adhesion of the foreign body 13 to a surface of a discharge part 7, contamination by deposition and growth of the contamination are hampered, and decrease in the ion generating amount is prevented.例文帳に追加

これにより、放電部７の表面への異物１３の付着・析出による汚染、及び該汚染の成長が阻害され、イオン発生量の減少が防止される。 - 特許庁

To provide an ion beam source for preventing abnormal discharge generated in the vicinity of each cathode and suppressing the generation of particles and splashes, and to provide a film deposition system provided therewith.例文帳に追加

カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a minute device capable of preventing deposition of alkaline metal ion on a glass substrate when forming an anodic bond during producing the minute device.例文帳に追加

微小デバイス形成時において陽極接合が行われるときにガラス基板にアルカリ金属イオンが析出することを防止できる微小デバイスを提供すること。 - 特許庁

The lens 4 is rocked by the rocking mechanism 5 in such a manner that a vapor deposition region using cluster ion assist with an incidence angle of ≤30° covers the whole of the effective face of the lens 4.例文帳に追加

入射角３０度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ４の有効面全体に及ぶように、揺動機構５によってレンズ４を揺動させる。 - 特許庁

To prevent blocking by preventing deposition of calcium salts in a treatment apparatus when subjecting calcium ion-containing wastewater to treatment such as high-temperature and high-pressure hot water treatment.例文帳に追加

カルシウムイオンを含む排水を高温高圧熱水処理などによって処理する際に、処理装置内でのカルシウム塩の析出を防止し、閉塞しないようにする。 - 特許庁

A transparent substrate with not more than 2 nm of arithmetic average surface roughness is used, and the positive electrode laminated on the transparent substrate is formed by means of vapor deposition or ion plating.例文帳に追加

表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下の透明基板を用い、その上に積層する陽極を、蒸着法或いはイオンプレーティング法により形成する。 - 特許庁

To provide a raw powder for an ion plating evaporation source material, the raw powder materializing deposition of a gas barrier film having high productivity, excellent gas barrier property, heat resistance and corrosion resistance.例文帳に追加

生産性が高く、ガスバリア性、耐熱性、及び耐腐食性に優れるガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。 - 特許庁

Then, on the surface of the 1st ultraviolet hardened coating film layer 13, a chromium vapor deposition film layer 14 in which chromium has been vacuum-deposited by an ion plating method has been formed.例文帳に追加

そして、第１紫外線硬化塗膜層１３の表面にはクロムをイオンプレーティング法により真空蒸着させたクロム蒸着膜層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a rare earth metal complex emitting monochromatic light derived from rare earth metal ion and having excellent solubility in organic solvents, heat-resistance, deposition characteristics, etc.例文帳に追加

希土類金属イオンに由来する単色性の良い発光を示し、かつ、有機溶媒への溶解性、耐熱性、蒸着性などに優れた希土類金属錯体を提供すること。 - 特許庁

MEDICINE OR FOOD PRODUCT HAVING METAL FILM, SPUTTERING, VACUUM DEPOSITION OR ION PLATING APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME MEDICINE OR FOOD例文帳に追加

金属膜を備えた薬または食品、その薬または食品の製造方法、および、その薬または食品を製造する、スパッタリング、真空蒸着、またはイオンプレーティング装置 - 特許庁

Both the high refractive index layer and low refractive index layer in each mutual stacked body composing the antireflection films 15, 16 are formed by an ion beam assisted deposition process.例文帳に追加

反射防止膜１５，１６を構成する交互積層体の高屈折率層及び低屈折率層のいずれもがイオンアシスト蒸着法により形成されている。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

To provide an inkjet recorder that solves the problem of defective deposition of ink which may be caused by an aluminum ion when a small amount of aluminum ion remains in the ink as impurity in the manufacturing or the aluminum ion is eluted into the ink from a material forming a device.例文帳に追加

微量なアルミニウムイオンが、製造時においてインク中に不純物として残留したり、機器を構成している材料から溶出して、インク中に混入した場合等において、該アルミニウムイオンに起因して起こり得るインクの着弾不良等の問題を解決したインクジェット記録装置を提供すること。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

It is also provided with a non-contact system static charge volume detecting part 29 for detecting static charge volumes of an object for deposition by inducing static charges and a control part 27 controlling an ion generating volume per unit time of the ion generating part 14 so as the charge volumes of the object for deposition to be constant, based on testing results of the static charge volume detecting part 29.例文帳に追加

静電圧を誘起して付着対象物の帯電量を検知する非接触式の帯電量検知部２９と、帯電量検知部２９の検知結果に基づいて付着対象物の帯電量が一定となるようにイオン発生部１４の単位時間当たりのイオン発生量を制御する制御部２７を設ける。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

The adjustment step adjusts both or either of ion implantation processing conditions of the ion implantation step and annealing processing conditions of the annealing step based on at least one of the thin film deposition conditions and the result of the deposition step, and the thin film processing result of the processing step.例文帳に追加

調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 - 特許庁

To provide SiOx suitable as a vapor deposition material which allows a vapor-deposited film having excellent gas barrier property to be formed while suppressing the occurrence of splashing when the film is deposited, and as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, which can keep the initial efficiency of the lithium ion secondary battery high.例文帳に追加

成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なＳｉＯ_xを提供する。 - 特許庁

To avoid the influence of the thickness ununiformity of an additional function layer on that of a laminated semiconductor thin layer, by forming a peeling ion-implanted layer by twice ion implanting steps before and after a deposition process of the additional function layer.例文帳に追加

剥離用イオン注入層を付加機能層の堆積工程を挟む２回のイオン注入で形成することにより、付加機能層の膜厚不均一が貼り合わせ半導体薄層の膜厚均一性に影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

A thin film conductor is formed on at least one out of a surface and a back of the core substrate 9a by using any one out of a vapor deposition method, an ion plating method, an ion beam method, a vapor growth method and a sputtering method and patterned, and conductor patterns 19-22 are formed by patterning.例文帳に追加

コア基板９ａの表裏面の少なくともいずれかに蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、気相成長法、スパッタリング法のいずれかによって薄膜導体を形成した後にパターニングして導体パターン１９〜２２を形成する。 - 特許庁

Evaporated particles 20a from an electron beam evaporation source 20 and cluster ions 30a from a cluster ion generator 30 are made incident on the substrate W to be treated held to a holder 2; thus the deposition of a fluoride film by a cluster ion assist is performed.例文帳に追加

ホルダー２に保持された被処理基板Ｗに、電子ビーム蒸発源２０からの蒸発粒子２０ａとクラスターイオン生成装置３０からのクラスターイオン３０ａを入射させることで、クラスターイオンアシストによるフッ化物膜の成膜を行う。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

When a thin film is formed on a substrate 7 having a size larger than that of a beam spot of a cluster ion beam L by cluster ion assist deposition, a film material is deposited on a surface 7A of the substrate 7 while the substrate 7 is rotated to form the thin film.例文帳に追加

クラスターイオンアシスト蒸着によって、クラスターイオンビームＬのビームスポットよりも大きいサイズの基板７に薄膜を形成する際に、基板７を回転させながら基板７の表面７Ａに膜材料を蒸着して薄膜を形成する。 - 特許庁