「ion deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The inorganic oriented film layer 41 is formed by, for example, a rhombic vapor-deposition process and the organic oriented film layer 42 is formed by an ion vapor-deposition process using an acrylic monomer as a vapor deposition material.例文帳に追加

無機配向膜層４１は例えば斜方蒸着法により形成され、有機配向膜層４２は、蒸着材料としてアクリルモノマーを用いたイオン蒸着法により形成される。 - 特許庁

The DLC-Si film D is applied to the sliding face S2 of an outer clutch plate 34b, by the well known method such as CVD (Chemical Vapor Deposition) method, PVD (Physical Vapor Deposition) method, ion vapor deposition method, and so on.例文帳に追加

アウタクラッチプレート３４ｂの摺動面Ｓ２にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオン蒸着法等の公知の方法によりＤＬＣ−Ｓｉ薄膜Ｄを施す。 - 特許庁

The vapor deposition metal film 3 is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, EB vapor deposition or sputtering and the thickness thereof is preferably 10-200 mμm.例文帳に追加

前記蒸着金属膜が３真空蒸着、イオンプレーティング、ＥＢ蒸着あるいはスパッタリングで形成されていること、厚さが１０ｍμｍ以上、２００ｍμｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Also, the system has an ion supply source 12 for irradiating the material for vapor deposition held at the crucible 2 with cation in vapor deposition operation.例文帳に追加

また、蒸着動作時において坩堝２に保持された蒸着材料に対して陽イオンを照射するイオン供給源１２を有する。 - 特許庁

The structure part and/or the electrode layers and the buffer part are consecutively formed by a sputter method, a vapor deposition method, an aerosol deposition method, an ion plating method, an ion cluster method, a laser beam abrasion method, etc.例文帳に追加

緻密構造部及び／又は電極層と上記バッファ部とを、スパッタ法、蒸着法、エアロゾルデポジション法、イオンプレーティング法、イオンクラスタ法及びレーザービームアブレーション法などによって連続して形成する。 - 特許庁

When depositing carbon by ion beam deposition, it is often not possible for space reasons or practical for cost reasons to utilize two or more ion sources as the number of process chambers is limited.例文帳に追加

イオン源は、原材料の複数のゾーンを蒸着し、複数のゾーンのうちの少なくとも２つのゾーンの厚みを異なるようにする。 - 特許庁

Ion beams B generated from an ion beam source 3 are radiated toward a sputter target 2 to generate film deposition particles toward a substrate W.例文帳に追加

イオンビーム源３から発生されたイオンビームＢをスパッタターゲット２に向かって放射し、基板Ｗに向かって成膜粒子を発生させる。 - 特許庁

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁

An in situ radical-generating reactant is also introduced into the reactor together with a cationic ion deposition source.例文帳に追加

原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。 - 特許庁

Before the deposition of the oxidation preventing film, ion bombardment by gaseous argon may be executed in a vacuum.例文帳に追加

前記酸化防止膜を形成する前に、真空中でアルゴンガスによるイオンボンバードを行ってもよい。 - 特許庁

Further, it is possible that a vapor deposition with the vapor generated from the molten solution is performed simultaneously with the ion implantation.例文帳に追加

また、融液から発する蒸気による蒸着をイオン注入と同時に行うこともできる。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、ＲＦイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

The metallic thin film is preferably formed by either of processes such as vapor deposition, ion plating and sputtering.例文帳に追加

金属被膜は、蒸着、イオンプレーティングおよびスパッタリングのいずれかの方法で成膜するのが好ましい。 - 特許庁

The three-dimensional plasma-based ion implantation/deposition method comprises a step for forming an ion implantation layer on the surface of the packing body 1 by ion implantation of a hydrocarbon gas and a fluorine gas in plasma and a step for forming the diamond-like carbon thin film on the ion implantation layer by ion deposition of the hydrocarbon gas and the fluorine gas in plasma.例文帳に追加

三次元プラズマイオン注入成膜法は、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン注入によりパッキン本体１の表面にイオン注入層を形成する工程と、炭化水素ガスおよびフッ素ガスのプラズマ中でのイオン成膜によりイオン注入層上にダイヤモンド・ライク・カーボン薄膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

In the dies for a rheometer, the surface in contact with a sample is treated with at least either of ion deposition treatment or ion implantation treatment.例文帳に追加

レオメータ用ダイスは、その、少なくともサンプルに接触する表面に、イオン成膜処理、およびイオン注入処理のうち少なくとも一方の処理を施した。 - 特許庁

To provide an ion generating device capable of achieving adequate control of an ion generating part in accordance with electrostatic charge volumes of a deposition object on which ions are deposited.例文帳に追加

イオンが付着される付着対象物の帯電量に応じたイオン発生部の適切な制御を実現できるイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

A deposition pattern restoration device is provided with a removal means 107 for irradiating the deposition pattern of a top layer among the respective deposition patterns formed in layers on a substrate 83 with ion beams and removing at least a part of the deposition pattern of the top layer.例文帳に追加

基板８３上に層状に形成された各成膜パターンのうち最上層の成膜パターンにイオンビームを照射して、少なくとも前記最上層の成膜パターンの一部を除去する除去手段１０７を具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The plasma chemical vapor growth means performs film deposition to the film 3 by inductively coupled plasma generated by the plasma linear source 7, and, simultaneously with this film deposition, the ion etching treatment means performs ion etching treatment to the film 3 by ions from the ion etching roller 5.例文帳に追加

前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for protecting an article from a high temperature, oxidative environment using an ion plasma deposition coating.例文帳に追加

本発明は、イオンプラズマ蒸着被覆膜を使用して、物品を高温酸化環境から保護する方法に関する。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery capable of maintaining a high capacity retention ratio and hardly causing lithium deposition.例文帳に追加

容量維持率を高く保つことができ且つリチウムが析出しにくいリチウムイオン二次電池を提供すること。 - 特許庁

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁

After a wetting layer is formed on topography by the ion metal plasma deposition method, nearly the entire portion of a bulk metal layer is formed on the wetting layer, in a single deposition chamber by the sputter deposition method.例文帳に追加

トポグラフィ上にウェッティング層をイオン金属プラズマ蒸着法によって形成した後、単一のディポジション・チャンバ内で該ウェッティング層上にバルク金属層のほぼ全体をスパッタ蒸着法により形成する。 - 特許庁

To provide an ion plating apparatus capable of performing the film deposition at a stable film deposition rate and with an excellent film quality by keeping the projecting length of a film material in a chamber constant.例文帳に追加

チャンバ内における膜材の突出長を一定に維持して、安定した成膜レート及び良好な膜質で成膜できるイオンプレーティング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a vacuum-film deposition apparatus and a vacuum film deposition method each using a pressure-gradient type ion-plating process which are adaptive even to film-deposition of an electrically conductive insulating material, achieve fully stable film deposition and continuous film-deposition on a target base material and stably provide a film-deposited base material.例文帳に追加

電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。 - 特許庁

A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加

蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁

The method comprises providing a substrate (110), providing an ion plasma deposition target (108), and depositing a protective coating onto the substrate (110) using the target (108) in an ion plasma deposition process.例文帳に追加

方法は、基板（１１０）を提供することと、イオンプラズマ蒸着ターゲット（１０８）を提供することと、イオンプラズマ蒸着ターゲット（１０８）を使用して、イオンプラズマ蒸着プロセスにより、基板（１１０）上に保護被覆膜を蒸着することとを含む。 - 特許庁

To provide an aqueous ink for inkjet recording that exhibits rust-preventive performance and does not cause, though it includes a free copper ion, deposition resulting from the free copper ion.例文帳に追加

遊離の銅イオンを含有しているにもかかわらず、防錆能を有し、かつ遊離の銅イオンに起因する析出物が生じないインクジェット記録用水性インクを提供する。 - 特許庁

Dendrite deposition of a metal ion from a negative electrode which is caused by chips of other electrode collectors mixed when cutting the electrode plates is suppressed.例文帳に追加

極板切断時の金属性異物混入で生じる負極からの金属イオンのデンドライト析出を抑制する。 - 特許庁

In this way, ion beams are radiated according to the dose distribution 35 and the sharp edge is obtained to a deposition film 32.例文帳に追加

これにより、ドーズ分布３５のようにイオンビームが照射され、デポジション膜３２に対し急峻なエッジが得られる。 - 特許庁

The method for repairing a turbine member uses an ion enhanced physical vapor deposition to deposit a repairing material on a Ti alloy turbine component.例文帳に追加

イオン強化物理蒸着が、Ｔｉ合金タービン部品上に修理材料を堆積させるのに使用される。 - 特許庁

Thus, the state of the plasma for vapor deposition 10 is stably controlled by controlling the ion beam 9.例文帳に追加

よって、イオンビーム９を制御することにより、蒸着用プラズマ１０の状態を安定的に制御することができる。 - 特許庁

To surely remove a re-deposition layer formed on the side face of a resist mask in a main pole processing by using an ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを用いて主磁極加工する際、レジストマスク側面に生成する再付着層を確実に除去する。 - 特許庁

To provide plasma CVD equipment which can form a thin film at a high deposition speed while suppressing ion damages.例文帳に追加

イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ装置を実現する。 - 特許庁

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.例文帳に追加

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁

To provide a method and a device for plasma surface treatment in which a plasma ion implanting method and film deposition are combined, the surface physical properties of a work are physically or chemically modified, and film deposition is performed thereon.例文帳に追加

プラズマイオン注入法と成膜を複合化し、被処理物の表面物性を物理的ないし化学的に改質し、成膜するプラズマ表面処理法及び装置を実現する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system where the phenomenon that vapor 10 of a vapor deposition material 5 in a crucible 6 and an ion 13 ionized by an electron beam 8 reach an electron gun 7 is prevented.例文帳に追加

ルツボ６内の蒸着材料５の蒸気１０や、電子ビーム８でイオン化されたイオン１３が、電子銃７に到達することを防止した蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

A surface of a resin molded item is activated by a plasma treatment and then is subjected to a metal coating treatment by means of a physical deposition method selected from a sputtering method, a vacuum deposition method and an ion plating method.例文帳に追加

プラズマ処理により活性化された表面に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる樹脂成形体に関する。 - 特許庁

To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for sputtering film deposition, wherein an ion flux with a uniform high concentration is formed on the surface of a substrate, without causing re-deposition to a target.例文帳に追加

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The covering layer is the intra-orally worn body formed by preferably a chemical vapor deposition method, especially a plasma CVD method, or by a physical vapor deposition method, especially an ion plating method.例文帳に追加

前記被覆層は、好ましくは化学的蒸着法、特にプラズマＣＶＤ法、または物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法により形成されて成る口腔内装着体である。 - 特許庁

The titanium oxide-containing layer 5b is a dielectric layer containing ≥10 wt.% titanium oxide expressed in terms of titanium and is formed by the film deposition using sputtering, ion plating or vapor deposition.例文帳に追加

酸化チタン含有層５ｂは、チタン量換算で１０重量％以上の酸化チタンを含む誘電体層であり、スパッタリングやイオンプレーティング、蒸着等の被覆により形成される。 - 特許庁

The ion deposition mass spectrograph is provided with a discharging body 12 and a voltage impressing portion 11 for impressing a bias voltage on the discharging body and is equipped with an ion source which heats the discharging body and discharges metallic ion of a positive electric charge and deposits the metallic ion on detected gas and ionizes the detected gas.例文帳に追加

放出体１２と、この放出体にバイアス電圧を印加する電圧印加部１１とを有し、放出体を加熱して正電荷の金属イオンを放出させ、金属イオンを被検出ガスに付着させて被検出ガスをイオン化するイオン源を備えたイオン付着質量分析装置である。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering film deposition apparatus which can form a high-quality thin film that is dense, smooth and faultless.例文帳に追加

緻密で平滑かつ損傷がない高品質な薄膜を高速に形成できるイオンビームスパッタ成膜装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma ion metal deposition apparatus which can form plasma with high density even using a wide and shallow hollow cathode, and can stably deposit a metal film.例文帳に追加

広く浅いホローカソードであっても、密度の高いプラズマを形成することが出来、安定して金属被膜を成膜する。 - 特許庁