「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent lowering of fatigue strength resistance due to cracks generated in ion-plating films in a piston ring constituted by forming nitride layers over the whole surface of a stainless steel base material and forming the ion plating films on diffusion layers exposed by eliminating compound layers from the nitride layers on the outer periphery.例文帳に追加

ステンレス鋼製母材の全面に窒化層を形成し、外周の窒化層から化合物層を除去して露出させた拡散層の上にイオンプレーティング皮膜を形成してなるピストンリングにおいて、イオンプレーティング皮膜に生じたクラックによる耐疲労強度の低下を防止する。 - 特許庁

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed.例文帳に追加

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

The membrane/electrode assembly includes a hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane, a cathode electrode and an anode electrode, and also includes a diffusion auxiliary layer between the cathode electrode and the hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

水素イオン伝導性高分子電解質膜と、カソード電極とアノード電極を有する膜／電極接合体であって、前記カソード電極と前記水素イオン伝導性高分子電解質膜との間に拡散補助層を有することを特徴とする膜／電極接合体が提供される。 - 特許庁

In the separator for fuel cell in which separator main bodies 2 are provided on the both surfaces of an ion exchange film 6 together with platinum catalyst layers 5 and gas diffusion layers 4, the separator body 2 has a single recessed part formed in a surface facing the gas diffusion layer 4 and serving as a reaction space and a conductive member 3 electrically connected with the gas diffusion layer 4 is disposed in the recessed part.例文帳に追加

イオン交換膜６の両面に、白金触媒層５と、ガス拡散層４とともにセパレータ本体２を設けた燃料電池用セパレータであって、前記セパレータ本体２は、前記ガス拡散層４に対向する面に反応空間となる単一の凹部を形成し、当該凹部内に前記ガス拡散層４と電気的に接続する導電性部材３を配置した。 - 特許庁

To provide a fuel cell system which can operate at high efficiency for a long period of time through prevention of diffusion of impurity ion into an electrolyte film.例文帳に追加

金属配管やガス、金属製セパレータ板から、金属イオンをはじめとする不純物イオンが高分子電解質膜に拡散し、膜のイオン交換サイトにトラップされ、電解質膜自身のイオン伝導性が低下する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a bonding wire for a semiconductor element 16, comprising: a wire 20 formed of copper or a copper alloy; and a copper ion diffusion suppression layer containing 1,2,3-Triazole and/or 1,2,4-Triazole configured to coat a surface of the wire.例文帳に追加

銅または銅合金のワイヤ２０と、ワイヤ表面上を被覆する１，２，３−トリアゾールおよび／または１，２，４−トリアゾールを含む銅イオン拡散抑制層と、を備える半導体素子１６用のボンディングワイヤ。 - 特許庁

To improve MOS transistor characteristic by finding an ion implantation condition which retrieves concentration of the electric field on an LDD diffusion layer while suppressing threshold voltage (Vth) increase and drive current (Ids) drop.例文帳に追加

しきい値電圧（Ｖth）の増加、駆動電流（Ｉds）の低下を抑えつつ、ＬＤＤ拡散層の電界集中を緩和するイオン注入条件を見出し、ＭＯＳトランジスタ特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming an impurity diffusion region in a desired region even when the ion implantation of 500 keV to 3000 keV is performed.例文帳に追加

５００ｋｅＶ〜３０００ｋｅＶのエネルギーイオン注入を行っても、目的とする領域に精度良く、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An ion diffusion property on the surface of a negative active material is improved, and the deposition of lithium on the surface of the negative electrode can be suppressed even when the thickness of the negative active material layer is increased.例文帳に追加

これにより、負極活物質表面でのイオン拡散性を改善し、負極活物質層の厚みを厚くした場合であっても負極表面でのリチウムの析出を抑制することができる。 - 特許庁

An N+ type layer 5 is a diffusion layer formed adjacently to the P+ type layer 4 just below the P+ type layer 4, and it is formed by ion-implanting N-type impurities in a way similar to the P+ type layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型層５は、Ｐ＋型層４直下に、Ｐ＋型層４と隣接して形成された拡散層であり、Ｐ＋型層４と同様にＮ型の不純物をイオン注入して形成される。 - 特許庁

To effectively utilize ions by effectively collecting both positive and negative types of ions in a specific space requiring them, by increasing ion density of a space region improved in natural diffusion of ions of a single type.例文帳に追加

単一種のイオンの自然拡散を改良してある空間領域のイオン密度をあげて、＋−の両種イオンが必要な特定空間にそれらを有効に集めて、イオンの有効活用を計る。 - 特許庁

A membrane electrode junction for the fuel cells is provided with a polymer molecule electrolyte membrane with a layer arrangement having an ion conductive membrane 2, a catalyst layer 3 and a gas diffusion layer 4.例文帳に追加

本発明は、イオン伝導性の膜（２）と、触媒層（３）と、ガス拡散層（４）とを備えた層配列を有する、高分子電解質膜を備えた燃料電池用の膜電極接合体に関する。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Since the end face 14a of the shutter 14 has an inclination surface having an inclination angle larger than a diffusion angle of ion beams, reflected ions and recoil particles on the shutter end face 14a can be reduced.例文帳に追加

シャッタ１４の端面１４ａをイオンビームの拡散角度よりも大きい傾斜角度を有する傾斜面とすることで、シャッタ端面１４ａでの反射イオンや反跳粒子を少なくできる。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

Before the formation of the gate electrode 7, impurities are added to at least a part of the source region 9 and the drain region 10 by using ion implantation from an inner wall of the trench portion 3, and thereafter heat treatment is performed for diffusion and activation to form a diffusion region from the surface of the trench portion 3 down to a bottom portion thereof.例文帳に追加

ソース領域９とドレイン領域１０の少なくとも一部では、ゲート電極７の形成前にトレンチ部３の内壁からイオン注入を用いて不純物添加をおこなった後、拡散および活性化の熱処理を施すことによって、トレンチ部３の表面から底部にかけて深く形成させることを可能とする。 - 特許庁

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source.例文帳に追加

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。 - 特許庁

A rich dispersion liquid for the gas diffusion electrode and its manufacturing method are obtained by adding a 3% to 30% non-ion surface- active agent into the dispersion liquid for gas diffusion and by heating up to a temperature higher than a cloud point the dispersion liquid containing the surface-active agent to separate in phase.例文帳に追加

ガス拡散電極用分散液に３％〜３０％非イオン界面活性剤を含有させ、該非イオン性界面活性剤含有分散液をその曇点以上の温度に加温し相分離させ、分離した下部を分取して得たことを特徴とする濃厚なガス拡散電極用分散液、及びその製造方法。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

After a process, in which a cobalt silicide film 8 which covers a source/drain diffusion layer region 7 as well as a gate electrode 4 of a polycrystal silicon is formed, there are provided process where an impurity ion is implanted in the region between the source/drain diffusion layer region and a channel region, which is thermally processed to form an SD extension 61.例文帳に追加

多結晶シリコンのゲート電極４及びソース・ドレイン拡散層領域を７覆うコバルトシリサイド膜８を形成する工程の後に、ソース・ドレイン拡散層領域とチャネル領域との間の領域に不純物イオンを注入してこれを熱処理してＳＤエクステンション６１を形成する工程を備える。 - 特許庁

The p+ anode layer 3 allows p-type impurities to be subjected to ion implantation by an implantation depth of Lp with resist 11 having a number of openings with a mask, and is formed so that the p+ anode layer 3 is subjected to thermal diffusion and is mutually overlapped in the horizontal direction.例文帳に追加

ｐ^+ アノード層３は、多数の開口部を持つレジスト１１をマスクにｐ型不純物を注入深さＬp でイオン注入し、その後、熱拡散して互いに横方向で重なるように形成する。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurity concentration of the impurity diffusion region 29 is set equal to that in the N-LDD region 31 of a fine CMOS device being integrated on the same substrate 1 and they are formed by performing ion implantation process only once.例文帳に追加

不純物拡散領域２９の不純物濃度を、同一基板１上に集積される微細ＣＭＯＳデバイスのＮ−ＬＤＤ領域３１と同じ濃度とし、それらを一度のイオン注入工程で形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that prevents not only the metal ion diffusion from a gate insulating layer to an organic semiconductor layer but also the deterioration of the characteristics, a high-reliability electronic circuit, a display device and electronic device.例文帳に追加

ゲート絶縁層から有機半導体層への金属イオンの拡散が防止され、特性の低下を抑制し得る薄膜トランジスタ、信頼性の高い電子回路、表示装置、および、電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

In only the anode catalyst layer 200, the density of a first catalyst layer portion 201 near the anode diffusion layer is set smaller than that of a second catalyst layer portion 202 near the ion conductive membrane 110.例文帳に追加

アノード触媒層２００のみにおいて、アノード拡散層４００に近い第１触媒層部分２０１の密度は、イオン伝導膜１１０に近い第２触媒層部分２０２の密度よりも小さく設定されている。 - 特許庁

In the electrochromic mirror 140, since a lithium ion transmission film 144 is provided between the electrochromic film 16 and an optical reflection film 146, the diffusion of silver to the electrochromic film 16 is prevented or suppressed effectively.例文帳に追加

本エレクトロクロミックミラー１４０では、エレクトロクロミック膜１６と光反射膜１４６との間にリチウムイオン透過膜１４４を設けているため、エレクトロクロミック膜１６への銀の拡散が防止又は効果的に抑制される。 - 特許庁

To provide a hydrogen ion conductive polymer electrolyte fuel cell capable of raising battery voltage by improving gaseous diffusion property of a catalyst layer and maintaining the high battery voltage over a long time.例文帳に追加

触媒層のガス拡散性をよくすることによって、電池電圧を高くし、かつ長時間にわたって、その高い電池電圧を維持することのできる水素イオン伝導性高分子電解質型燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has an end face window structure formed through neither impurity diffusion nor ion implantation, etc., and has the end face window structure even when using a nitride semiconductor.例文帳に追加

不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing sodium hydroxide, which can stably and economically operate a two-chambered electrolytic cell provided with a gas diffusion electrode, by preventing calcium from depositing in an ion exchange membrane in the cell.例文帳に追加

ガス拡散電極を備えた２室法電解槽の、イオン交換膜内でのカルシウムの析出を防止することによって、安定的且つ経済的な運転が可能な水酸化ナトリウムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The glass article has an insulative metal ion diffusion-preventing film including at least one thin film comprising a composite oxide film mainly containing tin, silicone and oxygen on the surface of an alkali-containing glass substrate 1.例文帳に追加

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、錫と珪素と酸素を主成分とする複合酸化物膜からなる、少なくとも１層の薄膜を含む絶縁性金属イオン拡散防止膜２を有するガラス物品。 - 特許庁

An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加

Ｎ型高濃度領域１は、イオン注入法またはＰＯＣｌ_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

The ion current reference sensor device is positioned near the chamber(s) of the engine and fuel provided to the chamber(s) is routed to provide a diffusion flame and the resultant ion current from the flame is measured and provided to the processing module at discrete intervals during the combustion process.例文帳に追加

イオン電流基準センサ装置はエンジンの燃焼室近傍に位置決めされ、燃焼室に供給される燃料は拡散火炎を提供すべく流路指定され、当該火炎からの結果としてのイオン電流が測定され、燃焼プロセスの間に離散的な間隔において処理モジュールに対して提供される。 - 特許庁

The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.例文帳に追加

光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部１０は、第１のイオン交換工程（ｂ）を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩６０の中にガラス基板１を浸して加熱する第２のイオン交換工程（ｃ）により侵攻，拡散させて形成する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is manufacturing by removing a solvent from a liquid mixture having a catalyst and a fluorine contained ion exchange resin dispersed or dissolved into the solvent to form particles having an average particle size of 0.1-100 μm and spraying the particles to the surface of an ion exchange membrane to be heated and compression bonded.例文帳に追加

触媒及び含フッ素イオン交換樹脂を溶媒中に分散又は溶解した液状混合物から溶媒を除去して平均粒径が０．１〜１００μｍを有する粒子に造粒し、該粒子をイオン交換膜表面に散布し、加熱圧着することによりガス拡散電極を製造する。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

In the gaps formed when an ion conductive compound with a catalyst layer for becoming the hydrogen ion reaction part, a current collecting plate separator, a gas diffusion layer, and a gasket material are assembled, an expansion material of which the volume is increased by heating or a resin composition containing a foaming agent are arranged in advance before assembling.例文帳に追加

水素イオン反応部分となる触媒層付きのイオン伝導性化合物、集電板セパレーター、ガス拡散層及びガスケット材を組立てたときに出来る隙間に、組立て前にあらかじめ、加熱により体積が増加する膨張材もしくは発泡剤を含有した樹脂組成物を配置しておく。 - 特許庁

As a method for judging cooking time of instant food such as instant noodle for having after pouring hot water, color change of pigment including paper 2, which includes base ion or acid ion dissociated from alkali including paper or acid including paper 3 owing to steam, in a specific time by diffusion effect is used.例文帳に追加

熱湯を注いで食する即席麺などのインスタント食品の調理時間を判断する方法として、水蒸気でアルカリ含浸紙あるいは酸含浸紙３から塩基イオンあるいは酸イオンが解離して色素含浸紙２に含浸し、拡散効果により所定時間で色素含浸紙２が変色されることを利用する。 - 特許庁

Solution containing precious metal ion is made in contact with a catalyst base body containing a base metal with larger ionization tendency than the precious metal, the precious metal ion is made to deposit on the base metal by substitution plating to manufacture a gas diffusion electrode for a hydrogen electrode 3 or an oxygen electrode 2 for a fuel cell.例文帳に追加

貴金属イオンを含む溶液を、該貴金属よりイオン化傾向の大きい卑金属を含有する触媒基体に接触させ、前記貴金属イオンを置換めっきにより前記卑金属上に析出させて燃料電池用の水素極３用又は酸素極２用のガス拡散電極を製造する。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁