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「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索
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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ion diffusionに関連した英語例文

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ion diffusionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 367



例文

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、SOI層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したSOI層の酸化を防止する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly for fuel cells includes a state of the art ion-exchange polymeric membrane and state of the art gas diffusion electrodes, whose electrochemical properties are modified through the addition of a hydrophilic constituent localized in correspondence to one or both the electrode interfaces and/or one or both the external surfaces of the membrane.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び/又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

In the heat developable photosensitive material with a photosensitive layer containing at least silver halide, an organic silver salt and a binder on the base, the silver ion diffusion coefficient of the binder at 25°C is <3×10-15 cm2s-1 and that at 100°C is ≥3×10-15 cm2s-1.例文帳に追加

支持体上に、少なくともハロゲン化銀と有機銀塩とバインダーとを含有する感光層を有する熱現像感光材料において、該バインダーの25℃における銀イオン拡散係数が3×10^-15cm^2s^-1未満であり、かつ100℃における銀イオン拡散係数が3×10^-15cm^2s^-1以上であることを特徴とする熱現像感光材料。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

STI構造の埋め込み酸化膜34とSi基板31との界面近傍のSi基板31中に、窒素(N)のイオン注入によって形成され、MOSFETの基板不純物がSTI領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン(SiN)領域40を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

例文

While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.例文帳に追加

ロジック領域Rlogcにおける導体膜15を残したままで、メモリ領域Rmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極17,電極間絶縁膜18及び浮遊ゲート電極19を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜22を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁


例文

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に180°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、MeV領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

To provide a method in which concentrated cation and anion components are continuously analyzed in a cation analytical part and an anion analytical part by using a pipe constitution wherein the same sample in which an ion component in the air collected by using a diffusion scrubber has been dissolved is continuously fed to a cation concentration column and an anion concentration column and to provide an analyzer which is used in the method.例文帳に追加

拡散スクラバを用いて捕集した大気中のイオン成分を溶解させた同一のサンプルを陽イオン用濃縮カラムと陰イオン用濃縮カラムに連続して通液する配管構成を用い、濃縮された各イオン成分を陽イオン用分析部と陰イオン用分析部において連続して分析する方法および使用される分析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer hydraulic composition having high adhesive strength, hardly causing crack, that is, having excellent drying shrinkage resistance, having suppressed diffusion or infiltration of a harmful gas, chlorine ion or the like, useful as a new construction material or a repairing material capable of preventing the corrosion of a corrosive metallic material in the inside part of concrete and applicable as polymer mortar or polymer concrete.例文帳に追加

接着強度が高く、ひび割れが生じ難い、すなわち耐乾燥収縮性に優れ、有害ガスや塩素イオン等の拡散・浸透が抑制され、コンクリート内部の腐食性金属材料の腐食を防止し得る新設材料あるいは補修材料として有用な、ポリマーモルタルないしポリマーコンクリートとして使用可能なポリマー水硬性組成物を提供すること。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にnMOSFET領域のソース/ドレイン拡散層37およびpMOSFET領域のソース/ドレイン拡散層38を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極14上に、n+型不純物とp+型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Yを形成する。 - 特許庁

例文

Such a structure can prevent the material powder from moving in the material chamber 26a due to the flow of a carrier medium into the chamber 26a and the deformation of the material powder by heating it during the irradiation with an ion beam and can maintain the temperature of the material powder at which the thermal diffusion of generated radioactive nuclides is easily carried out to improve the recovery ratio.例文帳に追加

このような構成により、イオンビーム照射中に、キャリア媒体の原料室への流入および加熱による原料粉末の変形により、原料室内で原料粉末が移動することを防止でき、原料粉末の温度を生成された放射性核種が熱拡散しやすい温度に維持でき、生成された放射性核種の回収率を向上できる。 - 特許庁

例文

This membrane-electrode assembly for the fuel cell includes a polymer electrolyte membrane 15; catalyst layers 13 positioned on both faces of the polymer electrolyte membrane 15; gas diffusion layers 11 positioned on one face of each of the catalyst layers 13 which makes non-contact with the polymer electrolyte membrane 15; and a porous hydrogen ion transfer layer, existing between the polymer electrolyte membrane 15 and the catalyst layers 13 and containing inorganic fine particles 19.例文帳に追加

膜/電極アセンブリに,高分子電解質膜15と;前記高分子電解質膜の両面に配置される触媒層13と;前記触媒層の高分子電解質膜と接触しない一つの面に配置された気体拡散層11と;前記高分子電解質膜と触媒層の間に存在する,無機微細粒子19を含有する多孔性水素イオン伝達層と;を含めた。 - 特許庁

The fuel cell is composed of two or more of fuel battery cells, in which a gas diffusion electrode is joined on both faces of an electrolyte film sheet, in which an anode electrode/hydrogen ion conductive polyelectrolyte film/cathode electrode are laminated in this order, and the anode electrode side of the fuel battery cell and the cathode electrode side of the fuel battery cell adjacent to the cell are electrically connected by a current collecting sheet.例文帳に追加

本発明の燃料電池は、アノード極/水素イオン伝導性高分子電解質膜/カソード極の順に積層された電解質膜シートの両面にガス拡散電極を接合した燃料電池セル2個以上からなり、燃料電池セルのアノード極側と該セルに隣接する燃料電池セルのカソード極側とが集電シートにより電気的に接続されている。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてAsおよびBをトレンチ3の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ3で挟まれたn^- 型エピタキシャルSi層を、横方向に並んだn型ピラー層5/p型ピラー層4/n型ピラー層5からなる、実質的にSuper Junction構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

Further, a binder containing two kinds of copolymers A and B in which polyvinylidene fluorides (PVDF) are copolymerized with hexafluoropropylene (HFP) at a specific copolymerization ratio in a specific mass abundance ratio is used as a binder for the anode 22, so that the energy density of the anode 22 is improved, and the diffusion and an acceptance property of the lithium ion in the anode 22 are improved.例文帳に追加

また、負極22の結着材として、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)にヘキサフロロプロピレン(HFP)を特定の共重合比で共重合させた二種類のコポリマーAおよびBを特定の質量存在比で含む結着材を用いるようにしたので、負極22のエネルギー密度が向上すると共に、負極22におけるリチウムイオンの拡散および受け入れ性も向上する。 - 特許庁

Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.例文帳に追加

上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のP型拡散層7および第二のP型拡散層11を通じて逃れるので第一のゲート電極4と第二のゲート電極6がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁

In this case, the method has a process that forms a diffusion layer region 14 at a position where the periphery of a resist pattern 21a is crossed, a process that forms the resist pattern 21 a for covering one of the source and drain regions 25 and 19, and a process that uses the resist pattern 21a as a mask for implanting the impurity ion to the silicon substrate 11.例文帳に追加

この製造方法は、シリコン基板11において後記レジストパターン21aの周囲が横切るような位置に拡散層領域14を形成する工程と、ソース領域25及びドレイン領域19のいずれか一方を覆うレジストパターン21aを形成する工程と、前記レジストパターン21aをマスクとしてシリコン基板11に不純物イオンを注入する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

例文

A silver halide emulsion is applied on a substrate and developed with a diffusion transfer developing solution to form a thin silver film and subsequent processing is carried out with a processing solution having 0 to <0.1 ppm chlorine ion concentration to produce the objective planographic printing original plate used for manufacturing a planographic printing plate by removing the thin silver film by heat-mode laser exposure.例文帳に追加

ヒートモードのレーザ露光を用いて銀薄膜を除去することにより平版印刷版を作製するため用いる平版印刷原版の製造方法であって、少なくとも、平版印刷原版の支持体にハロゲン化銀乳剤を塗布し、拡散転写現像液により現像して銀薄膜を形成させる製造方法において、該現像液による現像処理工程以降の液体処理を塩素イオン濃度が0ppm以上0.1ppm未満の処理液で行うこと。 - 特許庁




  
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