「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Since inert C ion species enter voids of carbon site to eliminate the voids, diffusion of B is suppressed and a stepwise junction of the deep base layer 30 and the n- epi layer 2 is formed.例文帳に追加

このように、Ｃを注入することにより、炭素サイトの空孔に不活性なイオン種が入り込み、空孔を無くすことができるため、Ｂの拡散が抑制され、ディープベース層３０とｎ^- 型エピ層２との接合部が階段型接合となる。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a polysilicon film 3 for an electrode whose thickness is 200 nm are formed on a semiconductor substrate 1, and ion injection 4 is carried out with a polysilicon film 3 for an electrode as a mask so that an impurity diffusion layer 5 can be formed.例文帳に追加

半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と厚さ２００ｎｍの電極用ポリシリコン膜３とを形成した後、電極用ポリシリコン膜３をマスクとしてイオン注入４を行ない、不純物拡散層５を形成する。 - 特許庁

A gas sensor element 1 has: an oxygen ion conductive solid electrolyte 11; a measured gas side electrode and a reference gas side electrode provided to the solid electrolyte 11; and a porous diffusion resistance layer 17 which transmits measured gas.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と固体電解質体１１に設けられた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と被測定ガスを透過させる多孔質の拡散抵抗層１７とを有する。 - 特許庁

The platinum ion trapping layers 40 and 42 comprise a member having a mesh structure, and are provided in regions near an air inlet between the electrolyte membrane 10 and the catalyst layer 20 and between the catalyst layer 20 and the gas diffusion layer 30, respectively.例文帳に追加

白金イオン捕捉層４０，４２は、それぞれ、メッシュ構造を有する部材からなり、電解質膜１０と触媒層２０との間、および、触媒層２０とガス拡散層３０との間の、空気の入口近傍の領域に配置される。 - 特許庁

To provide a sagger for producing a positive electrode active material of a lithium ion battery, which exhibits high corrosion resistance to the diffusion of a positive electrode raw material during firing, is excellent in peelability of a fired material and has a low coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

焼成時の正極原料の拡散に対して高い耐蝕性を有すると共に、焼成物の剥離性が良く、かつ熱膨張率が低い、リチウムイオン電池の正極活物質製造用匣鉢を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist 20 is formed to a region, excluding the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed and on the LOCOS oxide film 16 and the N-type emitter region 15 is formed by ion implantation and thermal diffusion (Figs. 3(b), 3(c)).例文帳に追加

そして、Ｎ型エミッタ領域１５の形成予定場所を除く場所およびＬＯＣＯＳ酸化膜１６上にレジスト２０を形成し、イオン注入、熱拡散を行ってＮ型エミッタ領域１５を形成する（図３（ｂ）、（ｃ））。 - 特許庁

To prevent variation in a gate electrode that becomes a mask of slanting ion implantation when forming a pocket for a semiconductor device having a pocket region formed at the end of an impurity diffusion layer that becomes a source and a drain.例文帳に追加

ソース／ドレインとなる不純物拡散層の端部に形成されるポケット領域を有する半導体装置に関し、ポケット形成の際に斜めイオン注入のマスクとなるゲート電極のバラツキを防止することを目的とする。 - 特許庁

The die includes a seal ring structure, located below a substrate and situated around at least one substrate region, and at least one means, connected to the seal ring structure to prevent substantially the diffusion of ion into the substrate region.例文帳に追加

基板の下方にあり、少なくとも１つの基板領域の周りにあるシールリング構造、及び前記シールリング構造に結合され、前記基板領域内へのイオンの拡散を実質的に防ぐ少なくとも１つの手段を含むダイ。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。 - 特許庁

In the method, an impurity ion is implanted to a silicon substrate 11, thus manufacturing a semiconductor device with a process for forming the diffusion layer of source or drain region 25 or 19.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板１１に不純物イオンを注入することにより、ソース領域２５又はドレイン領域１９の拡散層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for controlling dispersion of ion implantation and diffusion of dopant in an field effect transistor(FET) with a shallow junction that reduces a short-channel effect, and provide a device in this method.例文帳に追加

短チャンネル効果を軽減するため浅い接合深さを有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）におけるイオン注入散在およびドーパント拡散を制御する方法およびその方法を使用して製作されるデバイスを提供すること。 - 特許庁

The adsorption material is a material composed of a copper ion-exchanged ZSM-5 type zeolite and showing a peak P1 near 30,000 cm^-1 of a diffusion reflection spectrum, which does not appear before oxygen adsorption when adsorbing oxygen.例文帳に追加

銅イオン交換されたＺＳＭ−５型ゼオライトからなり、酸素を吸着すると、拡散反射スペクトルにおいて３０，０００ｃｍ^−１付近に酸素吸着前には無かったピークＰ１が現れる吸着材を用いる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which easily achieves high density wiring, and advantageously suppresses the occurrence of peeling or cracks, diffusion of metal ion in a filler, and corrosion of the filler by the laser beam.例文帳に追加

配線の高密度化を容易に実現でき、しかも剥離やクラックの発生の抑制、充填材中の金属イオンの拡散防止、レーザ光による充填材の浸食防止を有利に実現できる多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

An n+ cathode layer 2 is formed in a surface layer on one main surface of an n-type semiconductor substrate 100, and a p+ anode layer 3 where p+ layer 3a is overlapped in a horizontal direction by ion implantation and heat diffusion is formed in the surface layer on the other.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１００の一方の主面の表面層に、ｎ^+ カソード層２を形成し、他方の主面の表面層に、イオン注入と熱拡散でｐ^+ 層３ａが横方向で重なったｐ^+ アノード層３を形成する。 - 特許庁

Additionally, in the calculation for the maintenance management cost including repairing cost, as the progression of deterioration after a specific quality retention period being preset in the repairing material, deterioration in the repairing material by relating the chloride ion diffusion coefficient and/or carbonic acid gas diffusion coefficient of the repairing material to lapse time for changing is also considered.例文帳に追加

また、補修費を含んだ維持管理費用の算出においては、前記補修材において予め設定された所定の品質保持期間を過ぎてからの劣化の進行として、前記補修材の塩化物イオン拡散係数および／または炭酸ガス拡散係数を、経過時間に関連付けて変化させることによる補修材の劣化も考慮した。 - 特許庁

A diffusion layer 5 and an anode layer 4 are formed in partial regions of the whole surface of a cathode layer 2, and thermal treatment during forming the anode layer 4 is incompletely finished so that defects caused by an ion implantation process during forming the anode layer 4 remain, while the impurity concentration of the diffusion layer 5 is set higher than that of the cathode layer 2.例文帳に追加

カソード層２の全表面部のうちの一部の領域に形成される拡散層５及びアノード層４に、それぞれ、アノード層４形成時のイオン注入処理により発生する欠陥を、アノード層４形成時の熱処理を不完全にして残留させると共に、拡散層２の不純物濃度をカソード層２よりも高くする。 - 特許庁

In the electrode for a solid polymer electrolyte fuel cell equipping with a gas diffusion layer and a catalyst layer including positive ion exchange resin and the catalyst metals, the catalyst metal amount being carried on a carbon particle surface contacting with a proton conduction route of the positive ion exchange resin exceeds 50 wt.% of all catalyst metal amount and comprises porosity resins within the electrode.例文帳に追加

陽イオン交換樹脂と触媒金属とを含む触媒層とガス拡散層とを備えた固体高分子電解質型燃料電池用電極において、陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路に接するカーボン粒子表面に担持された触媒金属量が全触媒金属担持量の５０ｗｔ％を越え、前記電極内に有孔性樹脂を備える。 - 特許庁

Positive active materials contained in the lithium ion secondary battery 100 are positive active materials comprising compounds expressed by the same compositional expression (for example, LiFePO_4), and for carrying out two phase coexistence type charge and discharge, and are the positive active materials (the first positive active material 153b and the second positive active material 153c) of two kinds or more different in lithium ion diffusion coefficients.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池１００に含まれる正極活物質は、同一の組成式（例えば、ＬｉＦｅＰＯ_4）で表される化合物からなり、２相共存型の充放電を行う正極活物質であって、リチウムイオン拡散係数が異なる２種以上の正極活物質（第１正極活物質１５３ｂ及び第２正極活物質１５３ｃ）である。 - 特許庁

This gas diffusion electrode adjacent to an ion exchange film is manufactured by using a coating liquid composed of dispersion liquid including a catalyst and a fluorine-containing ion exchange resin, further including at least one of alcohol, ether, dialkylsulfoxide and water as a dispersion medium, and including 30 vol.% or more of particles of 1.0 μm or less in a distribution of grain size.例文帳に追加

触媒と含フッ素イオン交換樹脂とを含み、分散媒としてアルコール、エーテル、ジアルキルスルホキシド及び水からなる群から選ばれる一種以上を含み、かつ粒径分布において１．０μｍ以下の粒子の割合が３０体積％以上である分散液からなる塗工液を用い、イオン交換膜に隣接するガス拡散電極を作製する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inorganic compound-coated steel product having an inorganic compound coating layer with lower apparent diffusion coefficient compared to that of a conventional corrosion protective coated steel product and having excellent chloride ion barrier property under a high salt environment such as the ocean.例文帳に追加

従来の防食被覆鋼材に比べ、無機化合物被覆層の見かけ拡散係数が低く、海洋等の高塩分環境における塩化物イオンバリア性に優れた無機化合物被覆鋼材の製造方法を提供するにある。 - 特許庁

To obtain a material for gloves, useful for inner gloves especially for clean room operation since the material hardly causes stuffiness and tackiness, has excellent wearing comfortableness, no heavy metal adsorptivity, durable antistatic properties and slight ion diffusion by sweat.例文帳に追加

蒸れやべたつきが生じにくく、着用快適性に優れ、重金属吸着性がなく、耐久的制電性に優れ、汗によるイオンの発散も少ないため、特にクリーンルーム作業用インナー手袋に有用な手袋用素材を提供する。 - 特許庁

To inexpensively provide quartz glass usable for various kinds of optical material, a member for manufacturing a semiconductor and a member for manufacturing a liquid crystal and having high transmittance to ultraviolet light, visible light and infrared light, high purity and high heat resistance and the low diffusion rate of Cu ion.例文帳に追加

各種光学材料、半導体製造用部材、液晶製造用部材に利用可能な、紫外線、可視光線、赤外線の透過率が高く、高純度で耐熱性の高く、Ｃｕイオンの拡散速度の遅い石英ガラスを安価に提供する。 - 特許庁

A heating current is flown from the baking power source 6a to the baking device 6 and heats the chamber 2 and the ion pump 5, and by opening the valve 12 and the valve 11, vacuum exhausting is made by the oil diffusion pump 4 via the exhaust passage and the chamber 1.例文帳に追加

ベーキング用電源６ａからベーキング装置６に加熱電流が流され、チャンバ２及びイオンポンプ５を加熱すると同時に、バルブ１２及びバルブ１１を開き、その排気通路からチャンバ１を介して油拡散ポンプ４で真空排気する。 - 特許庁

To provide a performance recovery method whereby the performance of a gas diffusion electrode with a performance deterioration, such as the increase in overvoltage, caused in its use for electrolysis, such as ion-exchange membrane common salt electrolysis, is recovered, enabling the electrode to be reused.例文帳に追加

イオン交換膜食塩電解用等の電解に使用して過電圧が増大する等の性能劣化が生じたガス拡散電極を性能回復させて、再使用することを可能にするガス拡散電極の性能回復方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of reactor water side of the reactor power plant contacting reactor water, electroless plating liquid, containing an initiation material converting to at lest one of electric insulator and an oxide having oxygen ion diffusion characteristic in grid, is brought into contact.例文帳に追加

原子炉炉水と接触する原子力プラント構造物の炉水側の表面に、電気絶縁物及び格子内酸素イオン拡散性を有する酸化物の少なくとも何れかに転化する出発物質を含む無電解メッキ液を接触させる。 - 特許庁

A gate electrode 6 and the resistant wiring 7 are formed on a board 1, respectively, and an impurity ion is injected into the board 1 to form respective source areas and drain areas (diffusion layers) 1A, 1B under the part of the surface of the board 1 that correspond to both sides of the gate electrode 6.例文帳に追加

基板１上に、ゲート電極６と抵抗用配線７とをそれぞれ形成し、ゲート電極６の両脇の基板１の表面内に各ソース・ドレイン領域（拡散層）１Ａ，１Ｂを形成するために、不純物イオンの注入を行う。 - 特許庁

To solve the problem that the body region of a MOSFET is formed through oblique ion implantation from one direction, and the body region after diffusion is not homogeneously formed, and an avalanche resistance is weak, and the variations increase, because a low concentration region (laterally asymmetric in the sectional structure) is formed partially.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのボディ領域は、一方向からの斜めイオン注入により形成しており、拡散後のボディ領域が均一に形成されず、部分的に（断面構造において左右非対称となる）低濃度領域が形成されてしまう。 - 特許庁

To provide a resin composition suitable for a sealing agent which exhibits excellent resistance to iodine and iodide ion, and, at the same time, has high volatilization and diffusion inhibiting effect and hardly swells to a polar solvent, and, thereby, has reliable sealing performance.例文帳に追加

ヨウ素およびヨウ化物イオンに対して優れた耐性を示すと共に揮発、拡散抑制効果が高く、且つ極性溶剤に対して膨潤しにくく信頼性の高い封止性能を有する、封止剤に適した樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell.例文帳に追加

電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。 - 特許庁

In a cathode structure which is contacted with an electrolyte membrane, and in which a catalyst layer, a diffusion layer, and an electrode support are sequentially laminated, the catalyst layer 31 is formed by carbon material, mixed with the catalyst material and a hydrophilic ion-conductive material I'.例文帳に追加

電解質膜と接触し、触媒層、拡散層、及び電極支持体が順次に積層されるカソード電極構造において、触媒層３１は、カーボン物質に触媒物質と親水性のイオン伝導性物質Ｉ’とが混合されて形成される。 - 特許庁

To provide an electrode preferably using a gas diffusion layer with an outer periphery placed outside a catalyst layer and without giving any damages to a hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane at MEA fastening, and a fuel cell using the above electrode.例文帳に追加

触媒層の外側に外周が位置するようなガス拡散層が好んで使用され、ＭＥＡ締結時に水素イオン伝導性高分子電解質膜の損傷を与えない電極、およびこの電極を用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cushioning material 10 is stored between the back plate 9 of a cathode gas chamber in the body 1 of the ion exchange membrane type electrolytic cell and a gas diffusion electrode 7 in such a manner that the reaction force thereof is made higher in the lower part of the cathode gas chamber than the upper part of the cathode gas chamber.例文帳に追加

イオン交換膜型電解槽本体１の陰極ガス室背板９とガス拡散電極７の間に、その反力が陰極ガス室上部より陰極ガス室下部の方を大きくなるようにクッション材10を収容する。 - 特許庁

Ion diffusion on the surface of a positive active material is improved, growth of a positive electrode film is suppressed even when the thickness of a positive active material layer is increased, and increase in charge transfer resistance in the positive electrode can be suppressed.例文帳に追加

これにより、正極活物質層表面でのイオン拡散性を改善し、正極活物質層の厚みを厚くした場合であっても正極皮膜の成長を抑制し、正極での電荷移動抵抗の上昇を抑制することができる。 - 特許庁

It is so arrayed that the ion trapping body included in the gas diffusion layer is either divided into a plural parts or endowed with a plurality of lacking parts and the divided ion trapping bodies or the lacking parts electrically conduct a conductive separator plate with a catalyst layer but block a linear movement of ions between them.例文帳に追加

ガス拡散層は、複数のガス拡散用材料の層とイオン捕捉体が積層されて構成され、ガス拡散層に含まれるイオン捕捉体が複数に分割されるか複数の欠如部を有し、分割されたイオン捕捉体または前記欠如部が、導電性セパレータ板と触媒層とを電気的に導通するが両者間の直線的なイオンの移動を阻止するように配列されている。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。 - 特許庁

A transfer facilitation region 140 is formed in the lower layer region of a transfer gate 130 while being self-aligned by performing extra ion implantation to the entire region beneath a floating diffusion part 120, a photodiode 110 and the transfer gate 130 constituting an imaging element.例文帳に追加

撮像画素を構成するフローティングデフュージョン部１２０、フォトダイオード１１０、転送ゲート部１３０下の全領域に対して追加のイオン注入を行うことにより、自己整合的に転送容易化領域１４０を転送ゲート部１３０の下層領域に形成する。 - 特許庁

The invention offers the thermal transfer image receiving sheet 10 which has the base material 11, and a receiving layer 12 formed on the base materal and containing an acetal resin with the specific structure, coloring matter of thermal diffusion property and metal ion content compound which can be chelated.例文帳に追加

基材１１と、該基材１１上に形成され、特定の構造を有したアセタール系樹脂と、熱拡散性の色素とキレート化が可能な金属イオン含有化合物とを含む受容層１２とを有する熱転写受像シート１０を提供するものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can realize a conductive path for connecting the front and the rear of a semiconductor substrate using implanting of local impurity by ion implantation, local diffusion of an impurity by laser beam irradiating; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

イオン注入による局所的な不純物の打ち込みや、レーザー光照射による局所的な不純物の拡散を用いて半導体基板の表裏をつなぐ導電路を実現することができる半導体素子及びその製造方法を得るものである。 - 特許庁

To provide an article with a tourmaline powder confined therein, which can be repeatedly utilized while preventing the diffusion of the powder by confining a tourmaline powder, which can generate a far-infrared radiation and a minus ion with high efficiency, in a filmy material having the water filtration function.例文帳に追加

高い効率で遠赤外線とマイナスイオンを発生するトルマリン粉末を、水の濾過機能のある膜状の物質に封じ込めることによって、粉末の拡散を防ぎながら繰り返し利用することを可能にするトルマリン粉末を封じ込めた物品を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

While using mutually reverse oblique ion injections with a previously formed gate 207a as a mask, a heavily-doped region 501 of the same conductive type as that of the diffusion layers 205 and the well is formed in self-aligned manner to the gate 207a.例文帳に追加

あらかじめ形成しておいたゲート２０７ａをマスクに用いて互いに逆方向からの斜めイオン打ち込み法を用いて、ゲート２０７ａに対して自己整合的に拡散層２０５とウェルと同導電型の高濃度不純物領域５０１を形成する。 - 特許庁